RU2700896C1 - Method of producing a ferromagnetic composite mnsb-gamn-gasb - Google Patents
Method of producing a ferromagnetic composite mnsb-gamn-gasb Download PDFInfo
- Publication number
- RU2700896C1 RU2700896C1 RU2018143494A RU2018143494A RU2700896C1 RU 2700896 C1 RU2700896 C1 RU 2700896C1 RU 2018143494 A RU2018143494 A RU 2018143494A RU 2018143494 A RU2018143494 A RU 2018143494A RU 2700896 C1 RU2700896 C1 RU 2700896C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gamn
- mnsb
- gasb
- composite
- producing
- Prior art date
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000010431 corundum Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 9
- 229910016964 MnSb Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- -1 GaMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/012—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials adapted for magnetic entropy change by magnetocaloric effect, e.g. used as magnetic refrigerating material
- H01F1/015—Metals or alloys
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к созданию нового композиционного материала, состоящего из двух ферромагнетиков MnSb и GaMn с высокими температурами Кюри Тc~330°С и полупроводника GaSb. Такой композит может найти применение для создания инверсных спин-вентильных структур в элементах магнитной памяти высокой компактности и быстродействием, с низким энергопотреблением, а также как материал магнитных переключателей и сенсоров магнитных полей.The invention relates to the field of inorganic chemistry, particularly, to a new composite material, consisting of two ferromagnetic MnSb GaMn and high Curie temperatures T c ~ 330 ° C and GaSb semiconductor. Such a composite can be used to create inverse spin-valve structures in magnetic memory elements of high compactness and speed, low energy consumption, as well as the material of magnetic switches and magnetic field sensors.
В настоящее время ферромагнитные композиты на основе полупроводников AIIIBV широко исследуются в связи с их применением в спинтронике. Большинство работ связано с исследованием ферромагнитных свойств таких композитов в области температур ниже комнатной, что сужает области применения устройств на их основе. В связи с этим, актуальным является поиск и исследование новых композиционных материалов с высокими температурами Кюри. Перспективными ферромагнетиками с высокими температурами Кюри являются MnSb и GaMn с Тc~330°С [Masrour R., et al. Electronic and Magnetic Properties of MnSb Compounds // J. Supercond. Novel Magn., 2015, V. 28, p. 1815-1819; Huh Y., et al. Magnetism and electron transport of MnyGa (1<y<2) nanostructures // J. Appl. Phys., 2013, V. 114, 013906].At present, ferromagnetic composites based on A III B V semiconductors are widely studied in connection with their use in spintronics. Most of the work is related to the study of the ferromagnetic properties of such composites in the temperature range below room temperature, which narrows the scope of applications of devices based on them. In this regard, the search and study of new composite materials with high Curie temperatures is relevant. Promising ferromagnets with high Curie temperatures are MnSb and GaMn with T c ~ 330 ° C [Masrour R., et al. Electronic and Magnetic Properties of MnSb Compounds // J. Supercond. Novel Magn., 2015, V. 28, p. 1815-1819; Huh Y., et al. Magnetism and electron transport of Mn y Ga (1 <y <2) nanostructures // J. Appl. Phys., 2013, V. 114, 013906].
Известен способ получения ферромагнитного материала GaMnSb с температурой Кюри выше комнатной, в виде пленочных образцов полученных методом импульсного лазерного распыления мишеней Mn и GaSb на подложку GaAs в среде водорода [А.И. Бобров и др. Исследования структуры ферромагнитного слоя GaMnSb // Физика и техника полупроводников, 2013, Т. 47, с. 1613-1616; Звонков Б.Н. и др. Лазерное распыление в атмосфере водорода как новый метод формирования полупроводниковых наногетероструктур // Нанотехника, 2008, №1, с. 32-43].A known method of producing a ferromagnetic material GaMnSb with a Curie temperature above room temperature, in the form of film samples obtained by pulsed laser sputtering of Mn and GaSb targets on a GaAs substrate in a hydrogen medium [A.I. Bobrov et al. Studies of the structure of the ferromagnetic GaMnSb layer // Physics and Technology of Semiconductors, 2013, vol. 47, p. 1613-1616; Zvonkov B.N. et al. Laser sputtering in a hydrogen atmosphere as a new method for the formation of semiconductor nanoheterostructures // Nanotechnology, 2008, No. 1, p. 32-43].
Недостатком этого способа является то, что он позволяет получать только нанометровые слои GaMnSb с малым содержанием ферромагнетика GaMn и, как следствие, с низкой чувствительностью к магнитным полям. Другим недостатком способа является сложность технологического процесса.The disadvantage of this method is that it allows you to get only nanometer-sized GaMnSb layers with a low content of the ferromagnet GaMn and, as a result, with low sensitivity to magnetic fields. Another disadvantage of this method is the complexity of the process.
Известен способ получения ферромагнетика GaMn [Saito Т., Nishimura R. Hard magnetic properties of Mn-Ga melt-spun ribbons // J. Appl. Phys., 2012, V. 112, №8, 083901], состоящий из нескольких этапов. Первый этап заключается в синтезе ферромагнетика путем искрового плавления смеси чистых элементов Ga и Mn в стехиометрическом соотношении в атмосфере аргона. Второй этап включает в себя нагрев порошка GaMn в индукционной печи до плавления, а затем спиннингование расплава. В результате получают микроленты ферромагнетика GaMn. Для получения объемных образцов микроленты подвергают горячему прессованию.A known method of producing a ferromagnet GaMn [Saito T., Nishimura R. Hard magnetic properties of Mn-Ga melt-spun ribbons // J. Appl. Phys., 2012, V. 112, No. 8, 083901], consisting of several stages. The first stage consists in the synthesis of a ferromagnet by spark melting of a mixture of pure elements of Ga and Mn in a stoichiometric ratio in an argon atmosphere. The second step involves heating the GaMn powder in an induction furnace until melting, and then spinning the melt. As a result, micromobbles of the ferromagnet GaMn are obtained. To obtain volumetric samples, the microbands are subjected to hot pressing.
Недостатком этого способа является то, что он позволяет получать материал, состоящий только из одного ферромагнетика GaMn, что сужает область его применения.The disadvantage of this method is that it allows to obtain a material consisting of only one ferromagnet GaMn, which narrows the scope of its application.
Известен способ получения объемных образцов ферромагнитного композита на основе ферромагнетика и полупроводника [I.V. Fedorchenko et al. Composites based on self-assembled MnAs ferromagnet nanoclusters embedded in ZnSnAs2 semiconductor // J. Alloys Compd., 2015, V.650, p. 277-284]. Согласно этому способу композит получают путем непосредственного сплавления полупроводникового соединения ZnSnAs2 и ферромагнетика MnAs при температуре выше температуры 935°С.A known method of producing bulk samples of a ferromagnetic composite based on a ferromagnet and a semiconductor [IV Fedorchenko et al. Composites based on self-assembled MnAs ferromagnet nanoclusters embedded in ZnSnAs 2 semiconductor // J. Alloys Compd., 2015, V.650, p. 277-284]. According to this method, the composite is obtained by direct fusion of a semiconductor compound ZnSnAs 2 and a ferromagnet MnAs at a temperature above 935 ° C.
Недостатком способа является то, что полученный композит содержит ферромагнетик MnAs с недостаточно высокой температурой Кюри Тc~45°С, что сужает область возможного применения данного композита в качестве материала для устройств спинтроники.The disadvantage of this method is that the resulting composite contains a MnAs ferromagnet with an insufficiently high Curie temperature T c ~ 45 ° C, which narrows the scope of the possible use of this composite as a material for spintronics devices.
Наиболее близким техническим решением является способ получения магнитного полупроводникового сплава, в состав которого входят GaSb и Mn1.1Sb [Pashkova O.N., et al. Ferromagnetism of GaSb (2% Mn) alloy // Russ. J. Inorg. Chem., 2014, V. 59, p. 1324-1327]. Данный способ относится к способу прямого сплавления перетертых порошков GaSb и Mn, включающему нагрев смеси металлов до температуры 927°С со скоростью нагрева 200°С/ч, выдержку при этой температуре в течение 24 ч и последующую закалку образцов в ледяную воду. В качестве продукта получают поликристаллические слитки.The closest technical solution is a method for producing a magnetic semiconductor alloy, which includes GaSb and Mn 1.1 Sb [Pashkova ON, et al. Ferromagnetism of GaSb (2% Mn) alloy // Russ. J. Inorg. Chem., 2014, V. 59, p. 1324-1327]. This method relates to a method of direct fusion of ground GaSb and Mn powders, including heating a metal mixture to a temperature of 927 ° C with a heating rate of 200 ° C / h, holding at this temperature for 24 hours and subsequent quenching of the samples in ice water. Polycrystalline ingots are obtained as a product.
К недостатку прототипа относится то, что получение композита MnSb-GaMn-GaSb указанным способом невозможно, поскольку плавление MnSb и GaMn происходит с разложением при температурах ниже используемой в прототипе, а именно при 840°С [Kainzbauer P., et al. Experimental Investigation of the Binary Mn-Sb Phase Diagram // J. Phase Equilib. Diffus., 2016, V.37, p. 459-468] и 720°C [Minakuchi K., et al. Phase equilibria in the Mn-rich portion of Mn-Ga binary system. // J. Alloys Compd., 2012, V. 537, p. 332-337], соответственно.The disadvantage of the prototype is that obtaining a composite of MnSb-GaMn-GaSb in this way is impossible, since the melting of MnSb and GaMn occurs with decomposition at temperatures lower than used in the prototype, namely at 840 ° C [Kainzbauer P., et al. Experimental Investigation of the Binary Mn-Sb Phase Diagram // J. Phase Equilib. Diffus., 2016, V.37, p. 459-468] and 720 ° C [Minakuchi K., et al. Phase equilibria in the Mn-rich portion of Mn-Ga binary system. // J. Alloys Compd., 2012, V. 537, p. 332-337], respectively.
Изобретение направлено на создание способа получения композита, на основе мягкого ферромагнетика MnSb, жесткого ферромагнетика GaMn, и широкозонного полупроводника GaSb, пригодного для создания ферромагнитного материала, востребованного в области спинтроники.The invention is directed to a method for producing a composite based on a soft ferromagnet MnSb, a hard ferromagnet GaMn, and a wide-gap semiconductor GaSb, suitable for creating a ferromagnetic material in demand in the field of spintronics.
Технический результат достигается тем, что предложен способ получения ферромагнитного композита MnSb-GaMn-GaSb, заключающийся в том, что смесь порошков металлов Mn, Sb и Ga с размером частиц не более 10 мкм, взятых в соотношениях 32-38 ат. % Mn, 32-42 ат. % Sb и 26-33 ат. % Ga, нагревают в бескислородной среде в графитизированной кварцевой ампуле или корундовом тигле со скоростью не выше 100°С/ч до температур 660-720°С, выдерживают при этих температурах в течение 3-6 ч, охлаждают со скоростью 80-200°С/ч до температуры 20-25°С и получают композит состава MnSb-GaMn-GaSb.The technical result is achieved by the fact that the proposed method for producing a ferromagnetic composite MnSb-GaMn-GaSb, which consists in the fact that the mixture of powders of metals Mn, Sb and Ga with a particle size of not more than 10 microns, taken in ratios 32-38 at. % Mn, 32-42 at. % Sb and 26-33 at. % Ga, heated in an oxygen-free medium in a graphitized quartz ampoule or corundum crucible with a speed of no higher than 100 ° C / h to temperatures of 660-720 ° C, kept at these temperatures for 3-6 hours, cooled at a speed of 80-200 ° C / h to a temperature of 20-25 ° C and get a composite of the composition MnSb-GaMn-GaSb.
Целесообразно, что термическую обработку осуществляют в вакууме или в инертной среде.It is advisable that the heat treatment is carried out in vacuum or in an inert environment.
Использование мелкодисперсных порошков позволяет увеличить реакционную способность компонентов и снизить температуры плавления металлов, при этом использование порошков с размером частиц более 10 мкм может приводить к увеличению температуры плавления металлов выше температур плавления ферромагнетиков MnSb и GaMn.The use of finely dispersed powders allows one to increase the reactivity of the components and lower the melting temperatures of metals, while the use of powders with a particle size of more than 10 μm can lead to an increase in the melting temperature of metals above the melting temperatures of MnSb and GaMn ferromagnets.
Атомные соотношения металлов выбраны из тех соображений, чтобы в результате их плавления получить состав, близкий к составу тройной эвтектики системы MnSb-GaMn-GaSb.The atomic ratios of metals are selected from those considerations in order to obtain a composition close to the composition of the triple eutectic of the MnSb-GaMn-GaSb system as a result of their melting.
Использование скоростей нагрева свыше 100°С/ч не обеспечивает полноту реакции образования композита.The use of heating rates above 100 ° C / h does not ensure the completeness of the composite formation reaction.
Температура термической обработки определяется тем, что при нагреве до температур ниже 660°С расплав не образуется, а нагрев выше 720°С приводит к перитектическому разложению ферромагнетика GaMn.The heat treatment temperature is determined by the fact that when heated to temperatures below 660 ° C, the melt does not form, and heating above 720 ° C leads to the peritectic decomposition of the ferromagnet GaMn.
Время выдержки обусловлено тем, что при времени менее 3 ч формирование композита происходит не в полной мере, а использование времени более 6 ч нецелесообразно, поскольку не влияет на технический результат.The exposure time is due to the fact that at a time of less than 3 hours the formation of the composite does not occur in full, and the use of time of more than 6 hours is impractical because it does not affect the technical result.
Использование скоростей охлаждения менее 80°С/ч нецелесообразно, поскольку не влияет на технический результат. Использование скорости охлаждения свыше 200°С/ч может привести к росту структурных несовершенств в ферромагнитном композите.The use of cooling rates less than 80 ° C / h is impractical because it does not affect the technical result. The use of a cooling rate above 200 ° C / h can lead to an increase in structural imperfections in the ferromagnetic composite.
Охлаждение проводят до температур 20-25°С, так как это стандартный диапазон комнатных температур.Cooling is carried out to temperatures of 20-25 ° C, since this is a standard range of room temperatures.
Сущность изобретения состоит в том, что предложен уникальный способ получения ферромагнитного композита MnSb-GaMn-GaSb с использованием температур ниже температур перитектического разложения MnSb и GaMn.The essence of the invention lies in the fact that a unique method for producing a ferromagnetic composite MnSb-GaMn-GaSb using temperatures below the temperatures of the peritectic decomposition of MnSb and GaMn is proposed.
Изобретение проиллюстрировано следующими фигурами.The invention is illustrated by the following figures.
Фиг. 1. Дифрактограмма композита MnSb-GaMn-GaSb, полученного по примеру 1.FIG. 1. The diffraction pattern of the composite MnSb-GaMn-GaSb obtained in example 1.
Фиг. 2. Данные растровой электронной микроскопии для композита MnSb-GaMn-GaSb.FIG. 2. Scanning electron microscopy data for the MnSb-GaMn-GaSb composite.
Фиг. 3. Магнитополевые зависимости MnSb-GaMn-GaSb.FIG. 3. Magnetic field dependences of MnSb-GaMn-GaSb.
Фиг. 4. Дифрактограмма композита MnSb-GaMn-GaSb, полученного по примеру 2.FIG. 4. The diffraction pattern of the composite MnSb-GaMn-GaSb obtained in example 2.
В Таблице 1 представлены данные локального рентгеноспектрального анализа для композита MnSb-GaMn-GaSb, полученного по примеру 1.Table 1 presents the data of local x-ray spectral analysis for the composite MnSb-GaMn-GaSb obtained in example 1.
Ниже приведены примеры иллюстрирующие, но не ограничивающие предложенный способ.The following are examples illustrating but not limiting the proposed method.
Пример 1.Example 1
Смесь порошков металлов Mn, Sb и Ga с размером частиц 10 мкм, взятых в соотношениях 33 ат. % Mn, 42 ат. % Sb и 28 ат. % Ga, нагревали в бескислородной среде в графитизированной кварцевой ампуле со скоростью 50°С/ч до 660°С, выдерживали при этой температуре в течение 6 ч, охлаждали со скоростью 80°С/ч до 20°С. Данные рентгенофазового анализа подтверждают, что полученный композит состоит из фаз MnSb, GaMn, GaSb (Фиг. 1). Распределение фаз в композите проиллюстрировано на Фиг. 2. Результаты локального рентгеноспектрального анализа, относящиеся к Фиг. 2, представлены в Таблице 1. Магнитополевые зависимости, представленные на Фиг. 3, показывают, что полученный композит MnSb-GaMn-GaSb является ферромагнетиком.A mixture of metal powders Mn, Sb and Ga with a particle size of 10 μm, taken in ratios of 33 at. % Mn, 42 at. % Sb and 28 at. % Ga, was heated in an oxygen-free medium in a graphitized quartz ampoule at a speed of 50 ° C / h to 660 ° C, kept at this temperature for 6 hours, cooled at a speed of 80 ° C / h to 20 ° C. X-ray phase analysis data confirm that the composite obtained consists of the phases MnSb, GaMn, GaSb (Fig. 1). The phase distribution in the composite is illustrated in FIG. 2. The results of a local X-ray spectral analysis related to FIG. 2 are presented in Table 1. The magnetic field dependences shown in FIG. 3 show that the resulting MnSb-GaMn-GaSb composite is a ferromagnet.
Пример 2.Example 2
По примеру 1, отличающийся тем, что нагрев смеси проводили до 720°С и выдерживали в течение 3 ч. В результате также получали композит MnSb-GaMn-GaSb, что показано на Фиг. 4.According to Example 1, characterized in that the mixture was heated to 720 ° C and held for 3 hours. As a result, the MnSb-GaMn-GaSb composite was also obtained, as shown in FIG. four.
Предложенный способ позволяет получать ферромагнитный композит, состоящий из двух ферромагнетиков с температурами Кюри Тс~330° и широкозонного полупроводника. Данный композит может быть использован при создании материалов, востребованных в магнитоэлектронике.The proposed method allows to obtain a ferromagnetic composite consisting of two ferromagnets with Curie temperatures T c ~ 330 ° and a wide-gap semiconductor. This composite can be used to create materials that are in demand in magnetoelectronics.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018143494A RU2700896C1 (en) | 2018-12-07 | 2018-12-07 | Method of producing a ferromagnetic composite mnsb-gamn-gasb |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018143494A RU2700896C1 (en) | 2018-12-07 | 2018-12-07 | Method of producing a ferromagnetic composite mnsb-gamn-gasb |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2700896C1 true RU2700896C1 (en) | 2019-09-23 |
Family
ID=68063224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018143494A RU2700896C1 (en) | 2018-12-07 | 2018-12-07 | Method of producing a ferromagnetic composite mnsb-gamn-gasb |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2700896C1 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU900983A1 (en) * | 1980-04-24 | 1982-01-30 | Ордена Трудового Красного Знамени Институт Проблем Материаловедения Ан Усср | Method of obtaining manganese monoantimonide |
| US20050141147A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-06-30 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect element and magnetic head |
| RU2649047C1 (en) * | 2017-02-28 | 2018-03-29 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (ИОНХ РАН) | METHOD FOR OBTAINING A FERROMAGNETIC COMPOSITE AlSb-MnSb |
-
2018
- 2018-12-07 RU RU2018143494A patent/RU2700896C1/en active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU900983A1 (en) * | 1980-04-24 | 1982-01-30 | Ордена Трудового Красного Знамени Институт Проблем Материаловедения Ан Усср | Method of obtaining manganese monoantimonide |
| US20050141147A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-06-30 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect element and magnetic head |
| RU2649047C1 (en) * | 2017-02-28 | 2018-03-29 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (ИОНХ РАН) | METHOD FOR OBTAINING A FERROMAGNETIC COMPOSITE AlSb-MnSb |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ПАШКОВА О.Н. и др. Ферромагнетизм сплава GaSb (2% Mn). Журнал неорганической химии, РАН, том 59, номер 11, 2014, с. 1324-1327. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Marenkin et al. | Magnetic and electrical properties of Cd 3 As 2+ MnAs composite | |
| Zhang et al. | Green synthesis and property characterization of single‐crystalline perovskite fluoride nanorods | |
| Geng et al. | Phase transformation and magnetic properties of rapidly solidified Mn-Al-C alloys modified with Zr | |
| Marker et al. | BiMn: Synthesis, separation by centrifugation, and characterization | |
| Bierman et al. | Ferromagnetic semiconducting EuO nanorods | |
| Aleroeva et al. | Structural, Magnetic, and Thermal Properties of the Compound Tb 0.8 Sm 0.2 Fe 2 with a Laves Phase Structure | |
| Kavita et al. | On the temperature dependent magnetic properties of as-spun Mn–Bi ribbons | |
| RU2700896C1 (en) | Method of producing a ferromagnetic composite mnsb-gamn-gasb | |
| Mammadov | New version of the phase diagram of the MnTe–Ga2Te3 system | |
| Yin et al. | In situ nanostructure design leading to a high figure of merit in an eco-friendly stable Mg 2 Si 0.30 Sn 0.70 solid solution | |
| Wang et al. | Preparation, structure and magnetic properties of high-purity Mn4C | |
| Yang et al. | Defect-driven extreme magnetoresistance in an I-Mn-V semiconductor | |
| Abematsu et al. | Magnetic field effects on reactive sintering of MnBi | |
| Kochura et al. | Grows and Characterization of Cd3As2+ MnAs Composite | |
| Awana et al. | Crystal Growth and Magneto-transport of Bi 2 Se 3 Single Crystals | |
| KR20200060284A (en) | 2 Dimensional ferrimagnetic electride and preparation method | |
| Dutková et al. | Mechanochemically Synthesized CuFeSe₂ Nanoparticles and Their Properties | |
| Oksenenko et al. | Structural dependence of some physical properties of the Ni2MnGe Heusler alloy films | |
| Stadelmaier et al. | Conditions of formation and magnetic properties of tetragonal Fe14La2B | |
| Jurczyk | Magnetic properties of RFe10. 8Re1. 2 compounds (R= Y, Tb and Ho) | |
| Cao et al. | Single crystal growth of Eu2CuSi3 intermetallic compound by the floating-zone method | |
| Marenkin et al. | Synthesis of Ferromagnetic Alloys Semiconductor–Ferromagnet in the CdAs 2–MnAs System | |
| Subbarao et al. | Structure and properties of SmCu 6− x In 6+ x (x= 0, 1, 2) | |
| Peng et al. | Study of thermal behavior and single crystal growth of A 0.8 Fe 1.81 Se 2 (A= K, Rb, and Cs) | |
| Shishkin et al. | Impact of amorphization on the magnetic state and magnetocaloric properties of Gd 3 Ni |