RU2704199C1 - Method of creating structure - silicon on insulator - Google Patents
Method of creating structure - silicon on insulator Download PDFInfo
- Publication number
- RU2704199C1 RU2704199C1 RU2019100768A RU2019100768A RU2704199C1 RU 2704199 C1 RU2704199 C1 RU 2704199C1 RU 2019100768 A RU2019100768 A RU 2019100768A RU 2019100768 A RU2019100768 A RU 2019100768A RU 2704199 C1 RU2704199 C1 RU 2704199C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plates
- silicon
- dielectric layer
- reduction
- sensors
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 38
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000012212 insulator Substances 0.000 title claims abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 33
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 abstract description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении кремниевых чувствительных элементов микромеханических датчиков, таких как датчики давления, акселерометры, датчики угловой скорости.The invention relates to the field of instrumentation and can be used in the manufacture of silicon sensitive elements of micromechanical sensors, such as pressure sensors, accelerometers, angular velocity sensors.
Чувствительным элементам микромеханических датчиков (МЭМС-датчикам) присущи миниатюрность, возможность группового изготовления. Кроме того, они должны отличаться стабильностью выходного сигнала, иметь низкие термомеханические напряжения сопрягаемых деталей и обладать прочностью в условиях эксплуатации. Таким образом, поиск оптимальных вариантов конструктивно-технологических решений соединения деталей чувствительных элементов микромеханических датчиков является актуальной задачей.Sensitive elements of micromechanical sensors (MEMS sensors) are inherent in miniature, the possibility of group production. In addition, they should be distinguished by the stability of the output signal, have low thermomechanical stresses of the mating parts, and have strength under operating conditions. Thus, the search for optimal options for structural and technological solutions for connecting parts of sensitive elements of micromechanical sensors is an urgent task.
Известен способ соединения кремниевых пластин [Патент РФ №2 635 822 C1, H01L 21/18. Опубл. 2016]. Согласно способа, на соединяемых пластинах намечают точки соединения, в которых выполняют контактные площадки, контактные площадки в точках соединения намечают реперными знаками, в точках соединения в пластинах вытравливают пирамидальные сквозные отверстия с внутренними стенками под углом 54,4°, вокруг пирамидальных отверстий в соединяемых пластинах выполняют разгрузочные канавки на глубину порядка 10-20 мкм, соединяемые пластины совмещают по реперным знакам и сжимают с силой до 10 Н, каналы пирамидальных отверстий направляют расширяющимися частями в противоположные стороны, после чего каналы заполняют силикатным клеем и просушивают при температуре 70-80°С.A known method of connecting silicon wafers [RF Patent No. 2 635 822 C1, H01L 21/18. Publ. 2016]. According to the method, the connection points at which the contact pads are made are marked on the joined plates, the contact pads at the connection points are marked with reference marks, at the connection points in the plates, pyramidal through holes with internal walls are etched at an angle of 54.4 °, around the pyramidal holes in the connected plates discharge grooves are carried out to a depth of about 10-20 μm, the plates to be joined are aligned according to reference marks and compressed with a force of up to 10 N, the channels of the pyramidal holes are directed expanding Isya parts in opposite directions, and then fill the channels silicate glue and is dried at a temperature of 70-80 ° C.
Недостатком указанного способа применительно к конструкциям МЭМС-датчиков является снижение прочности конструкции и повышение температурной погрешности результатов измерений из-за клеевого соединения пластин.The disadvantage of this method in relation to the designs of MEMS sensors is a decrease in structural strength and an increase in temperature error of the measurement results due to the adhesive bonding of the plates.
Известен способ изготовления кремниевых структур [Патент РФ №2163410, H01L 21/324, опубл. 2001]. Согласно способа, изготовление кремниевых структур с p-слоем, включающим границу раздела сращиваемых структур, заключается в полировке поверхности пластин, создании на этой поверхности канавок глубиной не менее 0,3 мкм и расстоянием между границами канавок 20-1000 мкм, гидрофилизации пластин, обработке их в растворе плавиковой кислоты в деионизованной воде, соединении пластин полированными сторонами в водном растворе, сушке соединенных пластин на воздухе при 100-130 град, в течение не менее 4 ч при одновременном приложении давления не менее 3×10-3 Па, нагреве пластин со скоростью не более 10 град./мин, начиная с 200 град, до температуры не менее 1000 град., и выдержке при указанной температуре, соединение пластин производят в водных растворах диффузантов элементов третьей группы с концентрацией 0,1-3,0%.A known method of manufacturing silicon structures [RF Patent No. 2163410, H01L 21/324, publ. 2001]. According to the method, the manufacture of silicon structures with a p-layer including the interface of the spliced structures consists in polishing the surface of the plates, creating grooves on this surface with a depth of at least 0.3 μm and the distance between the boundaries of the grooves of 20-1000 μm, hydrophilizing the plates, processing them in a solution of hydrofluoric acid in deionized water, joining plates with polished sides in an aqueous solution, drying the connected plates in air at 100-130 degrees, for at least 4 hours while simultaneously applying pressure of at least 3 × 10 - 3 Pa, heating the plates at a speed of not more than 10 degrees / min, starting from 200 degrees, to a temperature of not less than 1000 degrees, and holding at the indicated temperature, the plates are connected in aqueous solutions of diffusers of elements of the third group with a concentration of 0.1- 3.0%
Недостатком указанного способа является возникновение значительных термомеханических напряжений в зонах соединения пластин из-за высокой температуры проведения процесса (до 1000 град).The disadvantage of this method is the occurrence of significant thermomechanical stresses in the areas of connection of the plates due to the high temperature of the process (up to 1000 degrees).
Известен способ создания структуры - кремний на изоляторе для СБИС [Патент РФ №2 234 164, H01L 21/762, опубл. 2004], включающий осаждение первого слоя металла на первой пластине кремния со сформированным на ней диэлектрическим слоем, соединение ее со второй пластиной кремния, так что осажденные слои оказываются между пластинами, сращивание соединенных пластин путем нагревания до образования между ними слоя металлида - силицида металла, утонение одной из пластин кремния, согласно способа, на первой пластине на первый слой металла осаждают слой легкоплавкого металла или сплава, а на вторую пластину осаждают слои из металла и легкоплавкого металла или сплава, подобные слоям, осажденным на первой пластине, и сращивание проводят по крайней мере в две стадии, первую стадию - низкотемпературную при температуре незначительно выше температуры плавления легкоплавкого металла или сплава, но ниже температуры активации диффузионных процессов, с образованием жидкой фазы металла, вторую стадию - при температуре, обеспечивающей образование твердой фазы металлида, после чего проводят утонение одной из пластин.A known method of creating a structure is silicon on an insulator for VLSI [RF Patent No. 2 234 164, H01L 21/762, publ. 2004], including the deposition of the first metal layer on the first silicon wafer with the dielectric layer formed on it, connecting it to the second silicon wafer, so that the deposited layers are between the wafers, splicing the connected wafers by heating to form a metal-metal silicide layer between them, thinning one of the silicon wafers, according to the method, on the first plate, a layer of fusible metal or alloy is deposited on the first metal layer, and layers of metal and fusible metal are deposited on the second plate and whether the alloy is similar to the layers deposited on the first plate and the splicing is carried out in at least two stages, the first stage is low-temperature at a temperature slightly higher than the melting point of the low-melting metal or alloy, but lower than the activation temperature of diffusion processes, with the formation of a liquid metal phase, the second stage - at a temperature that ensures the formation of the solid phase of the metallide, after which one of the plates is thinned.
В разновидностях способа утонение проводят на первой пластине над диэлектрическим слоем, либо на второй пластине над слоем металлида, перед осаждением на вторую пластину слоев из металла и легкоплавкого металла или сплава осаждают диффузионно-барьерный слой, вместо первой пластины кремния может быть использована подложка из диэлектрического материала, а вместо второй пластины кремния также может быть использована подложка из диэлектрического материала, диэлектрический материал выбирают из группы материалов с высокой теплопроводностью, например, подложки из алмазоподобного углерода, нитрида бора, окиси алюминия (сапфира).In varieties of the method, thinning is carried out on the first plate above the dielectric layer, or on the second plate above the metal layer, before the layers of metal and low-melting metal or alloy are deposited on the second plate, a diffusion-barrier layer is deposited, instead of the first silicon plate, a substrate of dielectric material can be used and instead of a second silicon wafer a substrate of a dielectric material can also be used, the dielectric material is selected from the group of materials with high thermal conductivity for example, substrates of diamond-like carbon, boron nitride, alumina (sapphire).
Недостатком указанного способа применительно к МЭМС-датчикам являются низкие метрологические характеристики, а именно высокая погрешность измерения, обусловленная появлением гистерезиса выходного сигнала в условиях эксплуатации из-за появления термомеханических напряжений на границе раздела «кремниевая пластина - металлид - силицид металла» при применении материалов с различными физическими параметрами.The disadvantage of this method with respect to MEMS sensors is low metrological characteristics, namely, a high measurement error due to the appearance of a hysteresis of the output signal in operating conditions due to the appearance of thermomechanical stresses at the interface “silicon wafer - metalide - metal silicide” when using materials with various physical parameters.
Целью изобретения является улучшение метрологических характеристик микромеханических датчиков, а именно снижение погрешности измерения за счет снижения термомеханических напряжений, возникающих в зонах соединяемых деталей.The aim of the invention is to improve the metrological characteristics of micromechanical sensors, namely, reducing the measurement error by reducing thermomechanical stresses arising in the areas of the connected parts.
Поставленная цель достигается тем, что в способе создания структуры -кремний на изоляторе, включающем формирование на первой пластине кремния диэлектрического слоя, соединение ее со второй пластиной кремния, сращивание соединенных пластин путем нагревания, утонение одной из пластин, согласно способа, утонение одной из пластин кремния проводят до соединения пластин локально в соответствии с топологией формируемых структур, после чего на пластинах методом магнетронного напыления формируют легкоплавкий диэлектрический слой, а сращивание соединенных пластин проводят при температуре плавления легкоплавкого диэлектрического слоя.This goal is achieved by the fact that in the method of creating a structure -silicon on the insulator, which includes forming a dielectric layer on the first silicon wafer, connecting it to the second silicon wafer, splicing the wafers together by heating, thinning one of the wafers, according to the method, thinning one of the silicon wafers they are carried out locally before joining the plates in accordance with the topology of the structures formed, after which a fusible dielectric layer is formed on the plates by magnetron sputtering, and spliced e connected plates is carried out at the melting temperature fusible dielectric layer.
Выполнение локального утонения одной из пластин кремния позволяет, с одной стороны, снизить площадь соединяемых поверхностей, что приведет к снижению термомеханических напряжений в соединяемых пластинах, а с другой стороны получить внутреннюю герметизированную полость со структурами произвольной топологии, что существенно при создании микромеханических датчиков. Кроме этого, формирование легкоплавкого диэлектрического слоя методом магнетронного напыления позволяет снизить температуру сращивания по сравнению с известными аналогами, что также приводит к снижению термомеханических напряжений.Performing local thinning of one of the silicon wafers allows, on the one hand, to reduce the area of the connected surfaces, which will lead to a decrease in thermomechanical stresses in the connected plates, and on the other hand to obtain an internal sealed cavity with structures of arbitrary topology, which is essential when creating micromechanical sensors. In addition, the formation of a fusible dielectric layer by magnetron sputtering reduces the splicing temperature in comparison with known analogues, which also leads to a decrease in thermomechanical stresses.
Технический результат изобретения - снижение погрешности измерения за счет снижения термомеханических напряжений в зонах соединения пластин.The technical result of the invention is the reduction of measurement error by reducing thermomechanical stresses in the areas of the plates.
На чертежах фиг. 1-3 показана последовательность операций, применяемых при реализации предложенного способа.In the drawings of FIG. 1-3 shows the sequence of operations used in the implementation of the proposed method.
На фиг. 1 изображена первая пластина кремния (1) со сформированным на ней методом магнетронного напыления легкоплавким диэлектрическим слоем (2).In FIG. 1 shows the first silicon wafer (1) with the magnetron sputtering method formed on it by a low-melting dielectric layer (2).
На фиг. 2 показана вторая пластина кремния (3) с локальным утонением (4) и сформированным на ней методом магнетронного напыления легкоплавким диэлектрическим слоем (5).In FIG. Figure 2 shows the second silicon wafer (3) with local thinning (4) and the magnetron sputtering method formed on it by a fusible dielectric layer (5).
На фиг. 3 представлена готовая структура кремний на изоляторе (6), представляющая собой сращенные первую пластину кремния 1 и вторую пластину кремния 3.In FIG. 3 shows the finished silicon structure on the insulator (6), which is a spliced
Пример реализации предложенного способа.An example implementation of the proposed method.
На первой пластине кремния 1 методом магнетронного напыления формируют легкоплавкий диэлектрический слой 2, представляющий собой пленку стекла сложной композиции SiO2 - PbO - Al2O3 с добавлением оксидов металлов II и V групп периодической таблицы, толщиной 2,0-4,0 мкм (фиг. 1). На второй пластине кремния 3 формируют локальное утонение 4 согласно необходимой топологии формируемых структур, утонение выполняют, например, методом плазмохимического или жидкостного анизотропного травления кремния на глубину 10,0…30,0 мкм, определяемую конструкцией микромеханического прибора, после чего на пластине кремния 3 методом магнетронного напыления формируют легкоплавкий диэлектрический слой 5, аналогичный сформированному на первой пластине кремния (фиг. 2). Первую пластину кремния 1 со сформированным легкоплавким диэлектрическим слоем 2 предварительно соединяют со второй пластиной кремния 3, имеющей локальное утонение 4 и легкоплавкий диэлектрический слой 5, сращивают соединенные пластины путем нагревания до температуры плавления легкоплавких диэлектрических слоев, находящейся в диапазоне (400…600)°С, при этом легкоплавкие слои расплавляются, образуя единую композицию, жестко связывая кремниевые пластины между собой с образованием заданной структуры кремний на изоляторе 6 (фиг. 3).A low-melting
Таким образом, предложенный способ позволяет улучшить метрологические характеристики микромеханических датчиков, а именно снизить погрешность измерения за счет снижения термомеханических напряжений, возникающих в зонах соединяемых деталей за счет выполнение локального утонения одной из пластин кремния, уменьшающего площадь соединяемых поверхностей, а также снижения температуры сращивания посредством формирования легкоплавкого диэлектрического слоя методом магнетронного напыления.Thus, the proposed method allows to improve the metrological characteristics of micromechanical sensors, namely to reduce the measurement error by reducing the thermomechanical stresses arising in the areas of the parts to be joined by performing local thinning of one of the silicon wafers, which reduces the area of the surfaces to be connected, and also reduces the joint temperature by forming fusible dielectric layer by magnetron sputtering.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019100768A RU2704199C1 (en) | 2019-01-10 | 2019-01-10 | Method of creating structure - silicon on insulator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019100768A RU2704199C1 (en) | 2019-01-10 | 2019-01-10 | Method of creating structure - silicon on insulator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2704199C1 true RU2704199C1 (en) | 2019-10-24 |
Family
ID=68318316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2019100768A RU2704199C1 (en) | 2019-01-10 | 2019-01-10 | Method of creating structure - silicon on insulator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2704199C1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2772806C1 (en) * | 2021-09-24 | 2022-05-25 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" | Temporary bonding method for forming thin plates |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5387555A (en) * | 1992-09-03 | 1995-02-07 | Harris Corporation | Bonded wafer processing with metal silicidation |
RU2149481C1 (en) * | 1998-12-30 | 2000-05-20 | Акционерное общество открытого типа "Научно - исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" | Method for producing silicon-on-insulator structures for very large-scale integrated circuits (options) |
RU2234164C2 (en) * | 2002-10-31 | 2004-08-10 | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | Method for producing silicon-on-insulator structure for very large-scale integrated circuits |
RU2412504C1 (en) * | 2009-07-06 | 2011-02-20 | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | Method of making silicon structure on insulator |
US20130273715A1 (en) * | 2009-09-01 | 2013-10-17 | International Business Machines Corporation | Silicon-on-insulator substrate with built-in substrate junction |
US9709740B2 (en) * | 2012-06-04 | 2017-07-18 | Micron Technology, Inc. | Method and structure providing optical isolation of a waveguide on a silicon-on-insulator substrate |
RU2635822C1 (en) * | 2016-05-19 | 2017-11-16 | Публичное акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" (ПАО АНПП "ТЕМП-АВИА") | Method of connecting silicon plates |
-
2019
- 2019-01-10 RU RU2019100768A patent/RU2704199C1/en active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5387555A (en) * | 1992-09-03 | 1995-02-07 | Harris Corporation | Bonded wafer processing with metal silicidation |
RU2149481C1 (en) * | 1998-12-30 | 2000-05-20 | Акционерное общество открытого типа "Научно - исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" | Method for producing silicon-on-insulator structures for very large-scale integrated circuits (options) |
RU2234164C2 (en) * | 2002-10-31 | 2004-08-10 | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | Method for producing silicon-on-insulator structure for very large-scale integrated circuits |
RU2412504C1 (en) * | 2009-07-06 | 2011-02-20 | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | Method of making silicon structure on insulator |
US20130273715A1 (en) * | 2009-09-01 | 2013-10-17 | International Business Machines Corporation | Silicon-on-insulator substrate with built-in substrate junction |
US9709740B2 (en) * | 2012-06-04 | 2017-07-18 | Micron Technology, Inc. | Method and structure providing optical isolation of a waveguide on a silicon-on-insulator substrate |
RU2635822C1 (en) * | 2016-05-19 | 2017-11-16 | Публичное акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "ТЕМП-АВИА" (ПАО АНПП "ТЕМП-АВИА") | Method of connecting silicon plates |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2772806C1 (en) * | 2021-09-24 | 2022-05-25 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" | Temporary bonding method for forming thin plates |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6159385A (en) | Process for manufacture of micro electromechanical devices having high electrical isolation | |
US7723141B2 (en) | Encapsulation in a hermetic cavity of a microelectronic composite, particularly of a MEMS | |
US20060281212A1 (en) | Stacked structure and production method thereof | |
CN106441657A (en) | Silicon-carbide-based high-temperature pressure sensor on the basis of Fabry-Perot cavity and preparation method of sensor | |
US8220338B2 (en) | Pressure sensor and manufacturing method | |
CN105967136A (en) | Microelectronic temperature sensor and preparation method thereof | |
CN103794488B (en) | A kind of lithographic method of substrate | |
JP4620939B2 (en) | Method for manufacturing composite element | |
US6821901B2 (en) | Method of through-etching substrate | |
KR20110115570A (en) | Processing method of insulator-phase-silicon structure | |
RU2704199C1 (en) | Method of creating structure - silicon on insulator | |
Wei et al. | Low temperature glass-to-glass wafer bonding | |
CN108793053A (en) | MEMS SOI wafers and preparation method and MEMS sensor and preparation method | |
CN103213939B (en) | A kind of processing method of four mass silicon microelectromechanicgyroscope gyroscope structures | |
CN208218399U (en) | A kind of island MEMS-beam-film device | |
CN108557753A (en) | A kind of islands MEMS-beam-film device and preparation method thereof | |
JP3427616B2 (en) | Capacitive sensor and method of manufacturing the same | |
CN100399005C (en) | Fabrication method of thermal shear stress sensor device based on vacuum bonding process | |
KR20090105910A (en) | How to create and control rough interfaces | |
CN108821232A (en) | Wafer scale level Hermetic Package method | |
CN111115566B (en) | Stress compensation method for MEMS wafer level packaging | |
CN107161944A (en) | Structure for the device with integrated micro-mechano electric system | |
RU2830141C1 (en) | Method of connecting silicon plates | |
US20140042586A1 (en) | Silicon substrate and method of fabricating the same | |
Yufeng et al. | MEMS vacuum packaging technology and applications |