RU2556183C2 - Способ получения гетероструктуры оксид титана - силицид титана на монокристаллической кремниевой подложке, покрытой нанокристаллической титановой пленкой - Google Patents
Способ получения гетероструктуры оксид титана - силицид титана на монокристаллической кремниевой подложке, покрытой нанокристаллической титановой пленкой Download PDFInfo
- Publication number
- RU2556183C2 RU2556183C2 RU2013119139/02A RU2013119139A RU2556183C2 RU 2556183 C2 RU2556183 C2 RU 2556183C2 RU 2013119139/02 A RU2013119139/02 A RU 2013119139/02A RU 2013119139 A RU2013119139 A RU 2013119139A RU 2556183 C2 RU2556183 C2 RU 2556183C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- titanium
- heterostructure
- silicide
- silicon substrate
- titanium oxide
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 12
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 7
- BAQNULZQXCKSQW-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Ti+4] BAQNULZQXCKSQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 7
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 13
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical group [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021352 titanium disilicide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGWOWDFNMKCVLG-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[Ti+4].[Ti+4] Chemical compound [O--].[O--].[Ti+4].[Ti+4] HGWOWDFNMKCVLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Способ получения гетероструктуры оксид титана - силицид титана на монокристаллической кремниевой подложке, покрытой нанокристаллической титановой пленкой, включает проведение фотонной обработки упомянутой подложки излучением ксеноновых ламп с диапазоном излучения 0,2-1,2 мкм в атмосфере воздуха пакетом импульсов длительностью 10-2 с в течение 2,0-2,2 с при дозе энергии в интервале 220-240 Дж·см-2 для активации реакций оксидирования и силицидобразования при формировании гетероструктуры оксид титана - силицид титана. Обеспечивается упрощение технологии, значительное сокращение времени изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с гетероструктурой оксид титана - силицид титана и снижается температурная нагрузка на кремниевую подложку. 2 ил., 2 пр.
Description
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов.
Известны различные способы формирования слоев диоксида титана на подложках путем термического оксидирования пленок титана, где источником атомов окислителя является газовая среда [1, 2]. Также известны различные способы формирования слоев силицидов титана на подложке кремния путем термического окисления пленок титана, где источником атомов окислителя является подложка [3-6]. Что касается формирования пленочных гетероструктур диоксид титана-силицид титана на подложке кремния, то предложенный в работе [7] способ формирования гетероструктуры TiO2 / TiSi2 путем термического оксидирования пленки TiSi2 на подложке монокристаллического кремния не позволяет получить однофазную пленку TiO2, а способ, предложенный в работе [8], основанный на твердофазной реакции разложения пленки TiO2 в контакте с подложкой Si - сплошную пленку TiSi2. К недостаткам последнего способа следует отнести и невозможность получения предельной фазы силицида TiSi2(C54), обусловленную ингибирующим влиянием кислорода на кинетику силицидообразования [9].
Наиболее близким аналогом к заявляемому решению является способ получения гетероструктуры TiO2 / TiSi2, предложенный в работе [10]. Этот способ включает следующие стадии:
размещение кремниевой подложки в вакуумной камере;
очистка кремниевой подложки от естественного оксида;
формирование методом магнетронного распыления нанокристаллической пленки титана на поверхности пластины кремния;
синтез гетероструктуры TiO2 / TiSi2 происходит в результате активированных термической обработкой в диапазоне температур от 700 до 1000°C в течение 30 мин реакций оксидирования пленки Ti со стороны свободной поверхности и силицидобразования с межфазной границы Ti/Si.
Основным недостатком этого способа является относительно высокая температура и большая длительность процесса формирования гетероструктуры, а также, как и в способе [8], невозможность получения фазы силицида TiSi2(C54), характеризующейся наивысшей электропроводностью.
Изобретение направлено на снижение температурной нагрузки на кремниевую подложку, сокращение времени процесса. Это достигается тем, что проводят фотонную обработку исходной гетероструктуры Si/Ti излучением ксеноновых ламп с диапазоном излучения 0,2-1,2 мкм в атмосфере воздуха пакетом импульсов длительностью 10-2 с в течение 2,0-2,2 с при дозе энергии в интервале 220-240 Дж·см-2 для активации реакций оксидирования и силицидобразования при формировании гетероструктуры оксид титана - силицид титана. Снижение температурной нагрузки происходит за счет уменьшения времени обработки и локализации излучения в приповерхностном слое металла.
Способ реализуется следующим образом.
Формирование гетероструктуры TiO2 / TiSi2 / Si производили на модернизированной установке импульсной фотонной обработки УОЛП-1. Исходную гетероструктуру готовили в процессе магнетронного распыления титановой мишени и нанесения пленки толщиной около 0,4 мкм на поверхность монокристаллической пластины кремния толщиной 450 мкм. Гетероструктуру помещали в рабочую камеру параллельно плоскости, в которой расположены лампы. Импульсную фотонную обработку проводили в атмосфере воздуха или кислорода в течение 2,0-2,2 с. При этом плотность энергии излучения, поступающего на образец (ЕИ), составляет 220-240 Дж·см-2.
В результате реакции кислорода с титаном образуется слой диоксида титана, а в результате реакции между титаном и кремнием образуется слой силицида титана. В указанном интервале дозы энергии излучения в атмосфере воздуха при давлении 100 кПа формируется гетероструктура, в которой толщина слоя силицида и слоя оксида близки по величине.
Пример 1. В качестве подложки использовали пластину монокристаллического кремния марки КДБ-10 ориентации (111) диаметром 100 мм. Перед конденсацией Ti поверхность кремния очищали химическим травлением в растворе плавиковой кислоты и промывкой в дистиллированной воде. Из рабочей камеры с помощью вакуумной системы откачивали воздух до получения давления 5·10-3 Па. После откачки в камеру напускали аргон до достижения давления в камере 5,3·10-1 Па. После достижения необходимого давления проводили очистку поверхности подложки ионным пучком. Затем на поверхность ненагретой подложки в процессе магнетронного распыления или электронно-лучевого испарения в сверхвысоком вакууме не хуже 10-5 Па наносили пленку титана. Для предотвращения загрязнения подложки и пленки углеродом откачка вакуумной камеры установки осуществляли безмасляными средствами. Исходную гетероструктуру, представляющую собой пластину монокристаллического кремния толщиной 450 мкм с пленкой титана толщиной около 0,4 мкм, помещали в рабочую камеру установки. Фотонную обработку проводили в атмосфере воздуха при давлении 100 кПа в течение 2,0 с, что соответствовало дозе поступившего на образец излучения 220 Дж·см-2. После обработки образец извлекали из камеры и исследовали фазовый состав методом рентгеновской дифрактометрии на приборе СУР-01 «РЕНОМ» (CuKα излучение). Исследование структуры проводили на электронно-ионном сканирующем микроскопе Quanta 3D и просвечивающем электронном микроскопе Philips ЕМ-430 ST.
Установлено, что исходные пленки Ti имеют нанокристаллическую зеренную структуру с сильно выраженной текстурой <0001>, параметры кристаллической решетки соответствовали содержанию до 16% кислорода.
На рис. 1 приведены рентгеновская дифрактограмма (а), РЭМ-изображение поперечного среза в отраженном ионном пучке (б) и РЭМ-изображение свободной поверхности во вторичных электронах (в) гетероструктуры TiO2-TiSi2-Si, сформированной в течение 2,0 с, ЕИ=220 Дж·см-2 на воздухе.
Анализ дифрактограммы показал, что фотонная обработка исходной гетероструктуры приводит к образованию гетероструктуры, состоящей из смеси оксидов титана: TiO2(Р), TiO2(А) и TiO, и смеси двух модификаций конечной фазы силицида титана TiSi2(C49) и TiSi2(C54). На дифрактограмме в области малых углов наблюдается увеличение фона, свидетельствующее о содержании аморфной фазы. При этом установлено, что фазы TiO2(Р) и TiSi2(C54) являются преобладающими из кристаллических фаз.
Из РЭМ-изображения поперечного среза следует, что гетероструктура состоит из трех слоев: верхний слой - диоксид титана, имеет анизотропную структуру, ниже идет слой диоксида с более дисперсной структурой, причем на границе этих слоев выявляются поры. Слой под оксидными слоями, контактирующий с кремнием, соответствует смеси двух силицидных фаз: TiSi2(C49) и TiSi2(C54).
Пример 2. Пример осуществляется аналогично примеру 1. В этом примере плотность энергии излучения, поступающего на образец, составляет 240 Дж·см-2.
На рис. 2 приведена рентгеновская дифрактограмма синтезированной гетероструктуры. Из нее следует, что гетероструктура состоит из фаз: TiO2, TiSi2(C54) и Si. В результате фотонной обработки формируется слоевая гетероструктура: нижний слой - дисилицид титана структурного типа С54, контактирует с подложкой кремния, верхний слой - диоксид титана в модификации рутила. Тем самым получено изделие, представляющее собой гетероструктуру TiO2-TiSi2(C54)-Si.
Реализация предлагаемого способа позволяет получить изделия, состоящие из кремниевой подложки и сформированной гетероструктуры TiO2-TiSi2(C54). В сравнении с известными способами предложенное техническое решение обеспечивает снижение температурной нагрузки на кремниевую подложку, сокращение времени процесса при изготовлении изделия, что позволяет избежать протекания негативных процессов, активируемых продолжительным высокотемпературным нагревом.
Источники информации
1. Патент RU 2369663, МПК С23С 8/10, 2009; Бай А.С., Лайнер Д.И., Слесарева Е.Н., Цыпин М.И. Окисление титана и его сплавов. М: Металлургия, 1970.
2. Zhang Y., Ma X., Chen P., Yang D. Crystallization behaviors of TiO2 films derived from thermal oxidation of evaporated and sputtered titanium films // J. of Alloys and Compounds. 2009.- V.480.- No. 2. - P. 938-941.
3. Поут Дж., Ту К., Мейер Дж. (ред.). Тонкие Пленки - Взаимная Диффузия и Реакции // М., Мир, 1982. - 576 с.
4. Мьюрарка С.П. Силициды для БИС. М.: Мир, 1986. - 175 с.
5. Barbarini Е., Guastella S., Pirri C.F. Furnace annealing effects in the formation of titanium silicide Schottky barriers // Advanced Thermal Processing of Semiconductors (RTP), 2010 18th International Conference on Sept. 28 2010-Oct. 1 2010.- P. 119-122.
6. V.A. Pilipenko, V.V. Molofeev, V.N. Ponomar′, A.N. Mikhnyuk, V.A. Gorushko. Modeling of Diffusion Synthesis of Titanium Disilicide // Journal of Engineering Physics and Thermophysics 2005.- V.78. - No. 3. - P.610-615.
7. G.J. Huang, L.J. Chen Investigation of the oxidation kinetics of C54-TiSi2 on (001)Si by transmission electron microscopy // J. Appl. Phys. 1992.- V.72.-P.3143-3150.
8. G.J. Yong, Rajeswari M. Kolagani, S. Adhikari, W. Vanderlinde, Y. Liang, K. Muramatsu, S. Friedrich. Thermal stability of SrTiO3 / SiO2/Si Interfaces at Intermediate Oxygen Pressures // Journal of Applied Physics 2010.- V.108.- P.033502-(1-8).
9. J.P. Ponpon, A. Saulnier. Comparison of the growth kinetics of titanium silicide obtained by RTA and furnace annealing // Semiconductor Science and Technology 1989.- V.4. - P.526-528.
10. Sun Chuan-wei, Wang Yu-tai, Li Nian-qiang. Behavior of Ti Based on Si(l 11) Substrate at High Temperature in Oxygen // Semiconductor Photonics and Technology 2007.- No.2.- P. 161-163.
Claims (1)
- Способ получения гетероструктуры оксид титана - силицид титана на монокристаллической кремниевой подложке, покрытой нанокристаллической титановой пленкой, отличающийся тем, что проводят фотонную обработку упомянутой подложки излучением ксеноновых ламп с диапазоном излучения 0,2-1,2 мкм в атмосфере воздуха пакетом импульсов длительностью 10-2 с в течение 2,0-2,2 с при дозе энергии в интервале 220-240 Дж·см-2 для активации реакций оксидирования и силицидобразования при формировании гетероструктуры оксид титана - силицид титана.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013119139/02A RU2556183C2 (ru) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | Способ получения гетероструктуры оксид титана - силицид титана на монокристаллической кремниевой подложке, покрытой нанокристаллической титановой пленкой |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013119139/02A RU2556183C2 (ru) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | Способ получения гетероструктуры оксид титана - силицид титана на монокристаллической кремниевой подложке, покрытой нанокристаллической титановой пленкой |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013119139A RU2013119139A (ru) | 2014-10-27 |
| RU2556183C2 true RU2556183C2 (ru) | 2015-07-10 |
Family
ID=53380632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013119139/02A RU2556183C2 (ru) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | Способ получения гетероструктуры оксид титана - силицид титана на монокристаллической кремниевой подложке, покрытой нанокристаллической титановой пленкой |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2556183C2 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111146410B (zh) * | 2018-11-05 | 2021-03-02 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 负极活性材料及电池 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5897381A (en) * | 1996-07-11 | 1999-04-27 | Lsi Logic Corporation | Method of forming a layer and semiconductor substrate |
| US6849471B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-02-01 | Reflectivity, Inc. | Barrier layers for microelectromechanical systems |
| EP1538234A2 (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-08 | Mori Yasuhiro | Method of modifying solid surface and product obtained |
| RU2425908C2 (ru) * | 2005-02-23 | 2011-08-10 | Пикодеон Лтд. Ой | Способ нанесения покрытия с помощью импульсного лазера и объект с покрытием, нанесенным этим способом |
-
2013
- 2013-04-24 RU RU2013119139/02A patent/RU2556183C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5897381A (en) * | 1996-07-11 | 1999-04-27 | Lsi Logic Corporation | Method of forming a layer and semiconductor substrate |
| US6849471B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-02-01 | Reflectivity, Inc. | Barrier layers for microelectromechanical systems |
| EP1538234A2 (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-08 | Mori Yasuhiro | Method of modifying solid surface and product obtained |
| RU2425908C2 (ru) * | 2005-02-23 | 2011-08-10 | Пикодеон Лтд. Ой | Способ нанесения покрытия с помощью импульсного лазера и объект с покрытием, нанесенным этим способом |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Sun Chuan-wei et al, Behaviour of Ti based on Si(111) substrate at high temperature in oxygen, том 13, N2, 05.2007, с.161-163; . * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2013119139A (ru) | 2014-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101798706B (zh) | 在碳化硅(SiC)基底上外延生长石墨烯的方法 | |
| Stepanov et al. | Synthesis of porous silicon by ion implantation | |
| Xiong et al. | Solid-state graphene formation via a nickel carbide intermediate phase | |
| JP5563500B2 (ja) | グラフェン及び炭素分子薄膜の合成方法 | |
| Oliveira et al. | High textured AlN thin films grown by RF magnetron sputtering; composition, structure, morphology and hardness | |
| CN105568253B (zh) | 一种等离子体化学气相沉积设备生长六方氮化硼的方法 | |
| CN103741224B (zh) | 高纯度高密度ws2层片状纳米结构的制备方法 | |
| CN104389016A (zh) | 一种快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法 | |
| CN101673705B (zh) | 一种Ru-TiN扩散阻挡层薄膜的制备方法 | |
| CN104313684A (zh) | 一种制备六方氮化硼二维原子晶体的方法 | |
| JP5578639B2 (ja) | グラファイト膜製造方法 | |
| TWI307558B (en) | Method of facbricating buffer layer on substrate | |
| CN104377257B (zh) | 一种硅基锗量子点复合结构材料、其制备方法及应用 | |
| Gao et al. | ZnO nanorods/plates on Si substrate grown by low-temperature hydrothermal reaction | |
| TWI575327B (zh) | Hard mask manufacturing method | |
| Kogut et al. | Magnesium silicide thin film formation by reactive diffusion | |
| Kawwam et al. | Characterization of CuO (1 1 1)/MgO (1 0 0) films grown under two different PLD backgrounds | |
| CN104176734A (zh) | 掺氮石墨烯的制备方法 | |
| RU2556183C2 (ru) | Способ получения гетероструктуры оксид титана - силицид титана на монокристаллической кремниевой подложке, покрытой нанокристаллической титановой пленкой | |
| CN102127743A (zh) | 一种Ta-C-N薄膜的制备方法 | |
| CN102925866A (zh) | 一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺 | |
| CN114162809A (zh) | 一种两步化学气相沉积法制备石墨烯的方法 | |
| CN114381806B (zh) | 二维氮化铝晶体的制备方法 | |
| Szwachta et al. | Structure and thermal stability of Bi3NbO7 thin films grown by pulsed laser deposition | |
| RU2436727C2 (ru) | Способ получения нанокристаллических пленок рутила |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160425 |