RU2367591C1 - Method for forming of suspended constructions - Google Patents
Method for forming of suspended constructions Download PDFInfo
- Publication number
- RU2367591C1 RU2367591C1 RU2008116025/28A RU2008116025A RU2367591C1 RU 2367591 C1 RU2367591 C1 RU 2367591C1 RU 2008116025/28 A RU2008116025/28 A RU 2008116025/28A RU 2008116025 A RU2008116025 A RU 2008116025A RU 2367591 C1 RU2367591 C1 RU 2367591C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sacrificial layer
- etching
- inert gas
- pressure
- halide
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технологиям изготовления микроструктурных устройств и полупроводниковых приборов и может быть использовано для формирования висящих конструкций, таких как мембраны, консоли, кантилеверы и других, на базе которых изготавливают многоэлементные микромеханические преобразователи (ММП).The invention relates to the manufacturing technology of microstructural devices and semiconductor devices and can be used to form hanging structures, such as membranes, consoles, cantilevers, and others, on the basis of which multi-element micromechanical converters (MMPs) are made.
Известен способ формирования висящих конструкций (патент США №7027200 на изобретение, МПК 8 G02В 26/00), заключающийся в том, что на подложку осаждают слой или несколько жертвенных слоев и один или несколько функциональных слоев, формируют требуемую конструкцию из функциональных слоев, после формирования требуемой конструкции из функциональных слоев подготавливают рецептуру смеси газофазного травителя, обеспечивающую возможность удаления жертвенных слоев, и затем травят жертвенные слои посредством газофазного травления. В качестве материала жертвенного слоя используют аморфный кремний, а в качестве смеси для газофазного травления - смесь активного газа, дифторида ксенона (XeF2), и газа-разбавителя (Не, N2, Ar, Rr, Ne, Xe). Общее давление при осуществлении процесса поддерживают от 1 до 700 Торр. Парциальное давление активного газа поддерживают от 1 до 15 Торр, а парциальное давление газа-разбавителя - от 1 до 700 Торр.A known method of forming hanging structures (US patent No. 7027200 for the invention, IPC 8 G02B 26/00), which consists in the fact that a layer or several sacrificial layers and one or more functional layers are deposited on the substrate, form the desired structure from the functional layers, after formation of the desired design, from the functional layers, a mixture of a gas-phase etchant is prepared, which makes it possible to remove the sacrificial layers, and then the sacrificial layers are etched by gas-phase etching. Amorphous silicon is used as the material of the sacrificial layer, and a mixture of active gas, xenon difluoride (XeF 2 ), and diluent gas (He, N 2 , Ar, Rr, Ne, Xe) is used as a material for gas-phase etching. The total pressure during the process is maintained from 1 to 700 Torr. The partial pressure of the active gas is maintained from 1 to 15 Torr, and the partial pressure of the diluent gas is from 1 to 700 Torr.
Ближайшим к заявляемому техническому решению является способ формирования висящих конструкций (патент США № 7041224 на изобретение, МПК 8 В81С 1/00), заключающийся в том, что на подложку осаждают жертвенный слой и один или несколько функциональных слоев, формируют требуемую конструкцию из функциональных слоев, после формирования требуемой конструкции из функциональных слоев травят жертвенный слой посредством газофазного травления и удаляют жертвенный слой, который расположен между функциональными слоями и/или функциональным слоем и подложкой, в атмосфере, содержащей галогенид инертного газа и газ-разбавитель, при условии величины общего давления более чем 10 Торр. В качестве материала жертвенного слоя используют аморфный кремний, или поликристаллический кремний, или легированный после осаждения кремний, или аморфный гидрогенизированный кремний. Для смеси газофазного травления используют смесь активного газа (газ-реагент), галогенида инертного газа (XeF2) с добавкой ClF3. Верхнее значение общего давления при осуществлении процесса поддерживают на уровне величины до 760 Торр. В описанном способе газ-реагент предварительно смешивают с газом-разбавителем, инертным газом-носителем, гелием, или азотом, или аргоном, и поступающая при большом давлении (10÷200 Торр) в рабочую зону газовая смесь взаимодействует с аморфным кремнием, удаляя его.Closest to the claimed technical solution is a method of forming hanging structures (US patent No. 7041224 for invention, IPC 8 B81C 1/00), which consists in the fact that the sacrificial layer and one or more functional layers are deposited on the substrate, form the desired design of the functional layers, after the desired structure is formed, the sacrificial layer is etched from the functional layers by gas-phase etching and the sacrificial layer, which is located between the functional layers and / or the functional layer and the substrate, is removed Second, in an atmosphere containing a halide gas and an inert diluent gas, provided that the total pressure values of more than 10 Torr. Amorphous silicon, or polycrystalline silicon, or silicon doped after deposition, or amorphous hydrogenated silicon, is used as the material of the sacrificial layer. For a gas phase etching mixture, a mixture of active gas (reagent gas), inert gas halide (XeF 2 ) with the addition of ClF 3 is used . The upper value of the total pressure during the implementation of the process is maintained at a level of up to 760 Torr. In the described method, the reagent gas is preliminarily mixed with a diluent gas, an inert carrier gas, helium, or nitrogen, or argon, and the gas mixture entering at the working pressure (10 ÷ 200 Torr) interacts with amorphous silicon to remove it.
При изготовлении многоэлементных микромеханических преобразователей (ММП), принцип действия которых основан на перемещении, например, металлической мембраны, подвешенной на кронштейне из диэлектрического материала, за счет разницы в коэффициентах их термического расширения, обязательным условием является параллельность всех элементов многоэлементных ММП несущему основанию и одинаковый зазор между мембранами и несущим основанием. При этом толщина каждого из слоев, формирующих ММП, составляет величину порядка 0,1÷0,25 мкм.In the manufacture of multi-element micromechanical converters (IMF), the principle of which is based on the movement, for example, of a metal membrane suspended on an arm of dielectric material, due to the difference in the coefficients of their thermal expansion, a prerequisite is the parallelism of all elements of the multi-element IMF to the bearing base and the same clearance between the membranes and the supporting base. Moreover, the thickness of each of the layers forming the IMF is of the order of 0.1 ÷ 0.25 μm.
К недостаткам описанных выше технических решений относятся неудовлетворительная плоскостность получаемых газофазным травлением висящих элементов, низкая воспроизводимость процесса удаления жертвенного слоя, обуславливающая невысокий процент выхода годных структур ММП. Приведенные недостатки связаны с условиями, при которых проводят травление жертвенного слоя. Использование указанных высоких давлений (свыше 1 Торр) на начальных стадиях приводит к сильному термическому разогреву образца (подложки со сформированной на ней конструкцией требуемых функциональных слоев) из-за экзотермического характера реакции взаимодействия дифторида ксенона с кремнием. Значительный разогрев образца происходит из-за высокой скорости реакции, которая пропорциональна концентрации газа-реагента (величине давления), и поскольку при вытравливании кремния из-под остающихся функциональных слоев разогрев последних происходит локально, начиная с краев, возникает деформация образующихся висящих конструкций. С другой стороны, проведение реакции при высоких давлениях, соответствующих высоким скоростям протекания реакции, с применением газов-разбавителей накладывает диффузионные ограничения на скорость протекания процесса травления. Это затрудняет процесс удаления жертвенного слоя из-под формируемых висящих конструкций, в особенности, при их большой площади и маленьком зазоре между подложкой и образующейся висящей конструкцией, из-за обусловленного ими (большой площадью и маленьким зазором) уменьшения коэффициента диффузии как газа-реагента, так и образующихся продуктов реакции. Благодаря этому время удаления жертвенного слоя увеличивается, приводя к еще большему перегреву формируемого висящего элемента и, как следствие, большей деформации.The disadvantages of the technical solutions described above include unsatisfactory flatness of the hanging elements obtained by gas-phase etching, low reproducibility of the process of removing the sacrificial layer, which leads to a low percentage of yield of suitable IMF structures. The above disadvantages are associated with the conditions under which the sacrificial layer is etched. The use of these high pressures (above 1 Torr) in the initial stages leads to strong thermal heating of the sample (the substrate with the structure of the required functional layers formed on it) due to the exothermic nature of the reaction of the interaction of xenon difluoride with silicon. Significant heating of the sample occurs due to the high reaction rate, which is proportional to the concentration of the reagent gas (pressure value), and since silicon is etched from under the remaining functional layers, the heating of the latter occurs locally, starting from the edges, deformation of the resulting hanging structures occurs. On the other hand, carrying out the reaction at high pressures corresponding to high reaction rates using diluent gases imposes diffusion restrictions on the rate of the etching process. This complicates the process of removing the sacrificial layer from under the formed hanging structures, especially with a large area and a small gap between the substrate and the resulting hanging structure, due to a decrease in the diffusion coefficient of the reactant gas caused by them (large area and small gap), and the resulting reaction products. Due to this, the time of removal of the sacrificial layer increases, leading to even more overheating of the formed hanging element and, as a consequence, greater deformation.
Техническим результатом изобретения является улучшение плоскостности получаемых газофазным травлением висящих элементов и повышение воспроизводимости процесса удаления жертвенного слоя, приводящего к повышению процента выхода годных многоэлементных структур ММП.The technical result of the invention is to improve the flatness of the hanging elements obtained by gas-phase etching and to increase the reproducibility of the process of removing the sacrificial layer, which leads to an increase in the percentage of yield of multi-element MMP structures.
Технический результат достигают тем, что в способе формирования висящих конструкций, заключающемся в том, что на подложку осаждают жертвенный слой и один или несколько функциональных слоев, затем формируют требуемую конструкцию из функциональных слоев, после чего травят жертвенный слой посредством газофазного травления и удаляют жертвенный слой, который расположен между функциональными слоями и/или функциональным слоем и подложкой, в атмосфере, содержащей галогенид инертного газа, жертвенный слой удаляют при низком общем давлении, начиная со значения, соответствующего минимальному, препятствующему разогреву и деформации формируемой висящей конструкции в процессе травления, с постепенным увеличением парциального давления галогенида инертного газа до верхнего предельного значения, обеспечивающего поддержание постоянной скорости травления и отсутствие диффузионных ограничений.The technical result is achieved in that in the method of forming hanging structures, namely, that the sacrificial layer and one or more functional layers are deposited on the substrate, then the desired structure is formed from the functional layers, after which the sacrificial layer is etched by gas-phase etching and the sacrificial layer is removed, which is located between the functional layers and / or the functional layer and the substrate, in an atmosphere containing an inert gas halide, the sacrificial layer is removed at low total pressure, starting from the value corresponding to the minimum, preventing the heating and deformation of the formed hanging structure during the etching process, with a gradual increase in the partial pressure of the inert gas halide to the upper limit value, ensuring the maintenance of a constant etching rate and the absence of diffusion restrictions.
В способе в качестве материала жертвенного слоя используют аморфный кремний.In the method, amorphous silicon is used as the material of the sacrificial layer.
В способе в качестве галогенида инертного газа используют дифторид ксенона.In the method, xenon difluoride is used as the inert gas halide.
В способе жертвенный слой кремния удаляют при условии постепенного увеличения парциального давления галогенида инертного газа в ступенчатом режиме.In the method, the sacrificial layer of silicon is removed under the condition of a gradual increase in the partial pressure of the inert gas halide in a stepwise mode.
В способе реакцию проводят при давлении в реакторе от 0,07 до 0,4 Торр в режиме, при котором предотвращен перегрев образца из-за экзотермической реакции травления жертвенного слоя галогенидом инертного газа.In the method, the reaction is carried out at a pressure in the reactor of 0.07 to 0.4 Torr in a mode in which overheating of the sample due to the exothermic reaction of etching the sacrificial layer with an inert gas halide is prevented.
В способе в качестве галогенида инертного газа используют порошкообразный реагент, при этом процесс ведут при механическом перемешивании порошкообразного реагента, смешанного с твердыми, более массивными, чем галогенид инертного газа, частицами из инертного материала.In the method, a powdery reagent is used as an inert gas halide, while the process is carried out by mechanical stirring of the powdery reagent mixed with solid particles of an inert material that are more massive than the inert gas halide.
В способе жертвенный слой осаждают толщиной от 0,3 мкм до 1,2 мкм.In the method, the sacrificial layer is deposited with a thickness of from 0.3 μm to 1.2 μm.
В способе перед травлением жертвенного слоя слой двуокиси кремния, образующийся на поверхности аморфного кремния, удаляют обработкой в разбавленном (1:10) растворе фтористоводородной кислоты.In the method, before etching the sacrificial layer, the silicon dioxide layer formed on the surface of amorphous silicon is removed by treatment in a dilute (1:10) solution of hydrofluoric acid.
В способе формируют требуемую конструкцию из функциональных слоев, литографически задавая размер изготавливаемой висящей конструкции от 25 мкм × 25 мкм до 100 мкм × 100 мкм.In the method, the desired structure is formed from functional layers, lithographically setting the size of the manufactured hanging structure from 25 μm × 25 μm to 100 μm × 100 μm.
Сущность изобретения поясняется нижеследующим описанием и прилагаемыми чертежами. На Фиг.1 приведена таблица, иллюстрирующая влияние режимов удаления жертвенного слоя на качество висящих конструкций. На Фиг.2 представлена полученная на растровом электронном микроскопе фотография тестового образца с ММП, изготовленного без оптимизации режимов удаления жертвенного слоя аморфного кремния, при наличии перегрева (образец Тест 3). На Фиг.3 представлена полученная на растровом электронном микроскопе фотография образца с фрагментом ММП, изготовленного с использованием оптимальных режимов удаления жертвенного слоя аморфного кремния: при сниженных скоростях реакции травления (образец ММП 16).The invention is illustrated by the following description and the accompanying drawings. Figure 1 shows a table illustrating the influence of the modes of removal of the sacrificial layer on the quality of the hanging structures. Figure 2 presents the obtained by scanning electron microscope photograph of a test sample with IMF, made without optimizing the removal of the sacrificial layer of amorphous silicon, in the presence of overheating (sample Test 3). Figure 3 presents a scanning electron microscope photograph of a sample with an MMP fragment made using the optimal modes of removing the sacrificial layer of amorphous silicon: at reduced etching reaction rates (MMP sample 16).
В предлагаемом изобретении достижение технического результата базируется на снижении скорости травления газофазной реакции при удалении жертвенного слоя посредством использования более низких давлений, без использования газа-разбавителя. Реализация низких скоростей реакции обеспечивает, во-первых, отсутствие перегрева образца при формировании висящих конструкций, во-вторых, снижение концентрации продуктов реакции, что облегчает их отвод из зоны реакции, обеспечивая более равномерное вытравление из-под формируемой висящей конструкции. Таким образом, устраняется неконтролируемый разогрев образца, обеспечивая воспроизводимость результатов операции травления от процесса к процессу.In the present invention, the achievement of the technical result is based on reducing the etching rate of the gas-phase reaction while removing the sacrificial layer by using lower pressures, without the use of a diluent gas. Realization of low reaction rates ensures, firstly, the absence of sample overheating during the formation of hanging structures, and secondly, a decrease in the concentration of reaction products, which facilitates their removal from the reaction zone, providing more uniform etching from under the formed hanging structure. Thus, uncontrolled heating of the sample is eliminated, ensuring reproducibility of the results of the etching operation from process to process.
Осуществление травления без использования газа-разбавителя способствует усилению указанного эффекта, поскольку позволяет проводить газофазное травление при более низком давлении. В качестве активного газа используют галогенид инертного газа, а именно дифторид ксенона (реагент), который при обычных условиях находится в твердом порошкообразном состоянии.The implementation of etching without the use of a diluent gas enhances this effect, since it allows gas-phase etching at a lower pressure. An inert gas halide, namely xenon difluoride (reagent), which under normal conditions is in a solid powder state, is used as the active gas.
С другой стороны, для усиления эффекта немаловажное значение имеет реализация возможности поддержания скорости реакции на фиксированном требуемом значении.On the other hand, to enhance the effect, the realization of the possibility of maintaining the reaction rate at a fixed required value is of no small importance.
Если процесс травления проводить при постоянном давлении, то из-за диффузионных ограничений подвода газа-реагента и отвода продуктов реакции скорость травления снижается. Особенно это заметно при удалении жертвенного слоя из-под формируемых висящих конструкций (мембран) большой площади и при маленьком зазоре между ней и подложкой (несущим основанием).If the etching process is carried out at a constant pressure, then due to diffusion limitations of the supply of the reactant gas and the removal of reaction products, the etching rate decreases. This is especially noticeable when removing the sacrificial layer from under the formed hanging structures (membranes) of a large area and with a small gap between it and the substrate (bearing base).
Для поддержания постоянной скорости вытравливания жертвенного слоя дифторидом ксенона процесс следует проводить, постепенно увеличивая давление, в несколько стадий (ступенчато), начиная с более низких давлений газа-реагента (0,07 Торр) и заканчивая процесс травления при давлении (0,4 Торр). Значение давления 0,07 Торр соответствует минимальному, препятствующему разогреву и деформации формируемой висящей конструкции при травлении. Возможно использование и еще более низких значений давлений, однако в этих случаях скорость протекания реакции слишком низкая, травление жертвенного слоя требует огромных временных затрат, что на практике неэффективно. При высоком давлении в реакторе (свыше 0,4 Торр) не удается сформировать плоскопараллельные мембраны (висящие конструкции), данное значение давления соответствует появлению локальных перегревов (см. Фиг.1, таблица и Фиг.2) и является верхним предельным значением давления, при котором достигается поддержание постоянной скорости травления и отсутствуют диффузионные ограничения. Предлагаемый режим травления жертвенного слоя дифторидом ксенона при ступенчатом изменении давления от 0,07 до 0,4 Торр и при механическом перемешивании твердого порошкообразного реагента обеспечивает получение плоскопараллельных несущему основанию, например, металлических мембран (висящих конструкций) (см. Фиг.3).To maintain a constant etching rate of the sacrificial layer with xenon difluoride, the process should be carried out, gradually increasing the pressure, in several stages (stepwise), starting from lower reagent gas pressures (0.07 Torr) and ending with the etching process at pressure (0.4 Torr) . The pressure value of 0.07 Torr corresponds to the minimum, which prevents the heating and deformation of the formed hanging structure during etching. It is possible to use even lower pressures, however, in these cases the reaction rate is too low, etching the sacrificial layer requires a huge amount of time, which is inefficient in practice. At high pressure in the reactor (above 0.4 Torr), it is not possible to form plane-parallel membranes (hanging structures), this pressure value corresponds to the appearance of local overheating (see Figure 1, table and Figure 2) and is the upper pressure limit value, at which maintains a constant etching rate and there are no diffusion restrictions. The proposed etching mode of the sacrificial layer with xenon difluoride with a stepwise change in pressure from 0.07 to 0.4 Torr and with mechanical stirring of a solid powdery reagent provides plane-parallel support base, for example, metal membranes (hanging structures) (see Figure 3).
Повышению стабильности процесса травления способствует механическое перемешивание порошкообразного реагента, смешанного с твердыми, более массивными частицами, чем галогенид инертного газа, так как дает возможность осуществлять его подачу с постоянной скоростью в зону реакции.The stability of the etching process is enhanced by mechanical mixing of the powdered reagent mixed with solid, more massive particles than the inert gas halide, since it makes it possible to supply it at a constant rate to the reaction zone.
Постоянное значение скорости поступления газа-реагента в зону реакции, поддерживаемое за счет механического перемешивания твердого порошкообразного дифторида ксенона, в который введены частицы шарообразной формы диаметром от 2 до 6 мм из инертного в отношении реагента материала, более массивного по сравнению с частицами дифторида ксенона, способствует поддержанию скорости травления на фиксированном требуемом значении.A constant value of the rate of entry of the reactant gas into the reaction zone, supported by mechanical mixing of solid powdery xenon difluoride, into which spherical particles with a diameter of 2 to 6 mm are introduced from a material inert with respect to the reagent, more massive than xenon difluoride particles, contributes to maintaining the etching rate at a fixed desired value.
Поддержание на фиксированном требуемом значении скорости поступления газа-реагента в зону реакции обеспечивает стационарное протекание процесса травления и отвода продуктов реакции, что позволяет оптимизировать время травления, не вызывая перегрева образца, приводящего к деформации формируемой висящей конструкции.Maintaining at a fixed required value the rate of reagent gas entering the reaction zone provides a stationary course of the etching process and removal of reaction products, which allows optimizing the etching time without causing the sample to overheat, resulting in deformation of the formed hanging structure.
В заявляемом способе формирования висящих конструкций при оптимизации режима удаления жертвенного слоя необходимо принимать во внимание, что оптимальные скорости травления определяются толщинами жертвенного слоя и размерами формируемых висящих конструкций. Из таблицы (см. Фиг.1) видно, что предлагаемый режим удаления жертвенного слоя аморфного кремния (режим давления со ступенчатым изменением от 0,07 до 0,4 Торр) позволяет вытравливать его из зазора больше 0,3 мкм при площади мембран до 100 мкм × 100 мкм. Для другого диапазона толщин жертвенного слоя и площади мембран режим давления со ступенчатым изменением, а именно конкретный интервал количественных значений, будет, соответственно, другим, характер протекания процесса вытравливания - тем же. Полученные конкретные значения, приведенные в таблице (см. Фиг.1), - один из частных случаев реализации способа.In the inventive method of forming hanging structures while optimizing the removal of the sacrificial layer, it is necessary to take into account that the optimal etching rates are determined by the thickness of the sacrificial layer and the size of the formed hanging structures. The table (see Figure 1) shows that the proposed mode of removal of the sacrificial layer of amorphous silicon (pressure mode with a step change from 0.07 to 0.4 Torr) allows it to be etched from the gap of more than 0.3 μm with a membrane area of up to 100 μm × 100 μm. For a different range of thicknesses of the sacrificial layer and the area of the membranes, the pressure regime with a stepwise change, namely, a specific range of quantitative values, will be, accordingly, different, the nature of the etching process is the same. The obtained specific values shown in the table (see Figure 1), is one of the special cases of the method.
После осаждения на подложку жертвенного слоя и одного или нескольких функциональных слоев литографически формируют требуемую конструкцию из функциональных слоев, вскрывая окна глубиной до жертвенного слоя и задавая геометрию будущей висящей конструкции. При этом на поверхности жертвенного слоя аморфного кремния образуется естественный слой двуокиси кремния, препятствующий травлению жертвенного слоя кремния в дифториде ксенона. Для удаления слоя двуокиси кремния образец перед травлением обрабатывают в разбавленном (1:10) растворе фтористоводородной кислоты. Без обработки образца в растворе фтористоводородный кислоты наблюдается задержка во времени (индукционный период) травления жертвенного аморфного кремния в дифториде ксенона (см. Фиг.1, таблица). Время задержки зависит от времени хранения образца перед газофазным травлением, то есть толщины окисного слоя. Обработка в течение 5 секунд достаточна для устранения индукционного периода.After deposition on the substrate of the sacrificial layer and one or more functional layers, the required structure is formed lithographically from the functional layers, opening windows with a depth of up to the sacrificial layer and setting the geometry of the future hanging structure. Moreover, a natural layer of silicon dioxide is formed on the surface of the sacrificial layer of amorphous silicon, which prevents etching of the sacrificial layer of silicon in xenon difluoride. To remove a layer of silicon dioxide, the sample before etching is treated in a dilute (1:10) solution of hydrofluoric acid. Without processing the sample in a solution of hydrofluoric acid, there is a time delay (induction period) of etching of sacrificial amorphous silicon in xenon difluoride (see Figure 1, table). The delay time depends on the storage time of the sample before gas phase etching, i.e. the thickness of the oxide layer. Processing for 5 seconds is sufficient to eliminate the induction period.
В качестве материала подложки, на которой формируют требуемую конструкцию функциональных слоев, используют, например, сапфир или стекло. Функциональные слои толщиной от 0,1 до 0,2 мкм могут быть изготовлены, например, из Si3N4, SiC,As the substrate material on which the desired design of the functional layers is formed, for example, sapphire or glass is used. Functional layers with a thickness of 0.1 to 0.2 μm can be made, for example, of Si 3 N 4 , SiC,
SixCyNz, Al, Ni, Cr. Результаты, представленные в настоящем описании, получены для мембран площадью от 40 мкм×40 мкм до 100 мкм×100 мкм с величиной зазора от 0,3 до 1,2 мкм. Для мембран другой площадью результаты будут количественно отличаться.Si x C y N z , Al, Ni, Cr. The results presented in the present description were obtained for membranes with an area of 40 μm × 40 μm to 100 μm × 100 μm with a gap value of 0.3 to 1.2 μm. For membranes with a different area, the results will be quantitatively different.
В качестве сведений, подтверждающих возможность осуществления способа, приводим нижеследующие примеры реализации.As information confirming the possibility of implementing the method, we give the following implementation examples.
Пример 1Example 1
На подложку осаждают жертвенный слой и один или несколько функциональных слоев, затем формируют требуемую конструкцию из функциональных слоев. В качестве материала подложки используют сапфир, жертвенный слой формируют из аморфного кремния толщиной 1,2 мкм. На жертвенном слое осаждают два функциональных слоя, сначала Si3N4, затем никель с адгезионным слоем хрома, толщины слоев составляют соответственно 0,2 мкм и 0,1 мкм.A sacrificial layer and one or more functional layers are deposited on a substrate, and then the desired structure is formed from functional layers. Sapphire is used as the substrate material, the sacrificial layer is formed from amorphous silicon with a thickness of 1.2 μm. Two functional layers are deposited on the sacrificial layer, first Si 3 N 4 , then nickel with an adhesive chromium layer, the layer thicknesses are 0.2 μm and 0.1 μm, respectively.
Затем формируют требуемую конструкцию из функциональных слоев, литографически задавая размер изготавливаемой висящей конструкции 40 мкм × 40 мкм.Then form the desired design of the functional layers, lithographically setting the size of the manufactured hanging structure of 40 μm × 40 μm.
Перед травлением жертвенного слоя слой двуокиси кремния, образующийся на поверхности аморфного кремния, удаляют обработкой в разбавленном (1:10) растворе фтористоводородной кислоты в течение 5 с.Before etching the sacrificial layer, a layer of silicon dioxide formed on the surface of amorphous silicon is removed by treatment in a dilute (1:10) solution of hydrofluoric acid for 5 s.
После этого травят жертвенный слой посредством газофазного травления и удаляют жертвенный слой, который расположен между функциональными слоями и/или функциональным слоем и подложкой, в атмосфере, содержащей галогенид инертного газа. В качестве галогенида инертного газа используют дифторид ксенона, который в исходном состоянии находится в твердом порошкообразном состоянии. Процесс травления ведут при механическом перемешивании порошкообразного реагента, смешанного с твердыми, более массивными частицами, чем галогенид инертного газа, из инертного в отношении реагента материала.After that, the sacrificial layer is etched by gas phase etching and the sacrificial layer, which is located between the functional layers and / or the functional layer and the substrate, is removed in an atmosphere containing an inert gas halide. As an inert gas halide, xenon difluoride is used, which in the initial state is in a solid powder state. The etching process is carried out by mechanical stirring of a powdered reagent mixed with solid, more massive particles than an inert gas halide from a material inert with respect to the reagent.
Порошок дифторида ксенона в количестве 1 г, перемешанный с шарообразными частицами из инертного материала, более массивными, чем частицы дифторида ксенона, помещают в источник реагента и производят откачку источника до давления 0,002 Торр. Отсекают источник с дифторидом ксенона от реактора. Загружают образец в реактор и откачивают реактор до такой же величины (0,002 Торр).Xenon difluoride powder in an amount of 1 g mixed with spherical particles of inert material, more massive than xenon difluoride particles, is placed in the reagent source and the source is pumped out to a pressure of 0.002 Torr. The source with xenon difluoride is cut off from the reactor. The sample is loaded into the reactor and the reactor is pumped out to the same value (0.002 Torr).
Затем соединяют реактор с источником и удаляют жертвенный слой при низком общем давлении, начиная со значения, при котором разогрев образца минимальный и формируемая висящая конструкция не деформируется, с постепенным увеличением парциального давления галогенида инертного газа до значения, обеспечивающего поддержание первоначальной скорости травления и минимальный разогрев образца (до верхнего предельного значения, при котором поддерживается постоянная скорость травления и еще отсутствуют диффузионные ограничения). Таким образом, жертвенный слой кремния удаляют при условии постепенного увеличения парциального давления галогенида инертного газа в ступенчатом режиме. Реакцию проводят при давлении в реакторе от 0,07 до 0,4 Торр в режиме, при котором предотвращен перегрев образца из-за экзотермической реакции травления жертвенного слоя галогенидом инертного газа.Then the reactor is connected to the source and the sacrificial layer is removed at a low total pressure, starting from the value at which the sample is heated to a minimum and the formed hanging structure is not deformed, with a gradual increase in the partial pressure of the inert gas halide to a value that maintains the initial etching rate and minimizes sample heating (up to the upper limit value at which a constant etching rate is maintained and diffusion restrictions are still absent). Thus, the sacrificial layer of silicon is removed under the condition of a gradual increase in the partial pressure of the inert gas halide in a stepwise mode. The reaction is carried out at a pressure in the reactor from 0.07 to 0.4 Torr in a mode in which overheating of the sample due to the exothermic reaction of etching the sacrificial layer with an inert gas halide is prevented.
После установления заданного давления в реактор с образцами подают дифторид ксенона при давлении 0,07 Торр и проводят травление в течение 10 мин. После чего давление увеличивают до 0,12 Торр и образец травят в течение 10 мин. Затем давление еще увеличивают до 0,2 Торр и образец травят еще 10 мин и на последней стадии образец травят при 0,4 Торр до полного удаления аморфного кремния.After the set pressure has been established, xenon difluoride is fed into the sample reactor at a pressure of 0.07 Torr and etched for 10 minutes. Then the pressure is increased to 0.12 Torr and the sample is etched for 10 minutes. Then the pressure is still increased to 0.2 Torr and the sample is etched for another 10 minutes, and in the last stage, the sample is etched at 0.4 Torr until the amorphous silicon is completely removed.
Весь процесс травления проводят при постоянном механическом перемешивании порошка дифторида ксенона. Поэтапное увеличение давления осуществляют посредством изменения скорости откачки.The entire etching process is carried out with constant mechanical stirring of xenon difluoride powder. A phased increase in pressure is carried out by changing the pumping speed.
Время травления устанавливают предварительно по контрольному образцу. Для гарантии полноты удаления жертвенного слоя время травления на последней стадии увеличивают в среднем на 10% относительно контрольного образца. Для образцов с большей площадью мембраны увеличение времени травления на последней стадии - больше.The etching time is pre-set according to the control sample. To ensure complete removal of the sacrificial layer, the etching time at the last stage is increased by an average of 10% relative to the control sample. For samples with a larger membrane area, the increase in etching time at the last stage is longer.
После окончания травления источник с реагентом отсекают от реактора и реактор откачивают до давления 0,002 Торр. Подают в реактор инертный газ, например аргон, и проводят откачку 10 мин для удаления остатков реагента и продуктов реакции. Отсекают насос от реактора, заполняют реактор инертным газом до атмосферного давления и извлекают образец из реактора.After etching, the source with the reagent is cut off from the reactor and the reactor is pumped out to a pressure of 0.002 Torr. An inert gas, such as argon, is supplied to the reactor and pumping is carried out for 10 minutes to remove residual reagent and reaction products. The pump is cut off from the reactor, the reactor is filled with inert gas to atmospheric pressure, and a sample is removed from the reactor.
Полноту удаления аморфного кремния контролируют под микроскопом. При наличии в корпусе реактора прозрачного окна полноту вытравливания можно контролировать "in situ".The completeness of the removal of amorphous silicon is controlled under a microscope. If there is a transparent window in the reactor vessel, the completeness of etching can be controlled in situ.
На Фиг.2 представлен фрагмент матричной структуры ММП, полученный в данном примере реализации. Фотография демонстрирует хорошее качество висящих конструкций.Figure 2 presents a fragment of the matrix structure of the IMF obtained in this example implementation. The photo shows the good quality of the hanging structures.
Пример 2Example 2
На подложку осаждают жертвенный слой и один или несколько функциональных слоев, затем формируют требуемую конструкцию из функциональных слоев. В качестве материала подложки используют сапфир, жертвенный слой формируют из аморфного кремния толщиной 0,3 мкм. На жертвенном слое осаждают функциональные слои из оксинитрида кремния и алюминия толщиной 0,2 мкм и 0,2 мкм соответственно.A sacrificial layer and one or more functional layers are deposited on a substrate, and then the desired structure is formed from functional layers. Sapphire is used as the substrate material, the sacrificial layer is formed from amorphous silicon with a thickness of 0.3 μm. Functional layers of silicon and aluminum oxynitride 0.2 μm and 0.2 μm thick, respectively, are deposited on the sacrificial layer.
Затем формируют требуемую конструкцию из функциональных слоев, литографически задавая размер изготавливаемой висящей конструкции 100 мкм × 100 мкм.Then form the desired design of the functional layers, lithographically setting the size of the manufactured hanging structure of 100 μm × 100 μm.
Перед травлением жертвенного слоя слой двуокиси кремния, образующийся на поверхности аморфного кремния, удаляют обработкой в разбавленном (1:10) растворе фтористоводородной кислоты в течение 5 с.Before etching the sacrificial layer, a layer of silicon dioxide formed on the surface of amorphous silicon is removed by treatment in a dilute (1:10) solution of hydrofluoric acid for 5 s.
После этого травят жертвенный слой посредством газофазного травления и удаляют жертвенный слой, который расположен между функциональными слоями и/или функциональным слоем и подложкой, в атмосфере, содержащей галогенид инертного газа. В качестве галогенида инертного газа используют дифторид, который в исходном состоянии находится в твердом порошкообразном состоянии. Процесс травления ведут при механическом перемешивании порошкообразного газа-реагента, смешанного с твердыми, более массивными частицами, чем галогенид инертного газа, из инертного в отношении реагента материала.After that, the sacrificial layer is etched by gas phase etching and the sacrificial layer, which is located between the functional layers and / or the functional layer and the substrate, is removed in an atmosphere containing an inert gas halide. As an inert gas halide, difluoride is used, which in the initial state is in a solid powder state. The etching process is carried out by mechanical stirring of a powdered reactant gas mixed with solid, more massive particles than an inert gas halide from a material inert with respect to the reactant.
Порошок дифторида ксенона в количестве 1 г, перемешанный с шарообразными частицами из инертного материала, более массивными, чем частицы дифторида ксенона, помещают в источник реагента и производят откачку источника до давления 0,002 Торр. Отсекают источник с дифторидом ксенона от реактора. Загружают образец в реактор и откачивают реактор до такой же величины (0,002 Торр).Xenon difluoride powder in an amount of 1 g mixed with spherical particles of inert material, more massive than xenon difluoride particles, is placed in the reagent source and the source is pumped out to a pressure of 0.002 Torr. The source with xenon difluoride is cut off from the reactor. The sample is loaded into the reactor and the reactor is pumped out to the same value (0.002 Torr).
Затем соединяют реактор с источником и удаляют жертвенный слой при низком общем давлении, начиная со значения, при котором разогрев образца минимальный и формируемая висящая конструкция не деформируется, с постепенным увеличением парциального давления галогенида инертного газа до значений, обеспечивающих поддержание первоначальной скорости травления и минимальный разогрев образца (до верхнего предельного значения, при котором поддерживается постоянная скорость травления и еще отсутствуют диффузионные ограничения). Таким образом, жертвенный слой кремния удаляют при условии постепенного увеличения парциального давления галогенида инертного газа в ступенчатом режиме. Реакцию проводят при давлении в реакторе от 0,07 до 0,4 Торр в режиме, при котором предотвращен перегрев образца из-за экзотермической реакции травления жертвенного слоя галогенидом инертного газа.Then, the reactor is connected to the source and the sacrificial layer is removed at a low total pressure, starting from the value at which the sample is heated to a minimum and the formed hanging structure is not deformed, with a gradual increase in the partial pressure of the inert gas halide to maintain the initial etching rate and minimize sample heating (up to the upper limit value at which a constant etching rate is maintained and diffusion restrictions are still absent). Thus, the sacrificial layer of silicon is removed under the condition of a gradual increase in the partial pressure of the inert gas halide in a stepwise mode. The reaction is carried out at a pressure in the reactor from 0.07 to 0.4 Torr in a mode in which overheating of the sample due to the exothermic reaction of etching the sacrificial layer with an inert gas halide is prevented.
После установления заданного давления в реактор с образцами подают дифторид ксенона при давлении 0,07 Торр и проводят травление в течение 10 мин. После чего давление увеличивают до 0,10 Торр и образец травят в течение 10 мин. Увеличивают давление до 0,2 Торр и образец травят 10 мин, увеличивают давление до 0,2 Торр и травят 15 мин, увеличивают давление до 0,3 Торр и травят 20 мин и на последней стадии образец травят при 0,4 Торр до полного удаления аморфного кремния.After the set pressure has been established, xenon difluoride is fed into the sample reactor at a pressure of 0.07 Torr and etched for 10 minutes. Then the pressure is increased to 0.10 Torr and the sample is etched for 10 minutes. The pressure is increased to 0.2 Torr and the sample is etched for 10 min, the pressure is increased to 0.2 Torr and etched for 15 minutes, the pressure is increased to 0.3 Torr and etched for 20 minutes, and at the last stage the sample is etched at 0.4 Torr until completely removed amorphous silicon.
Весь процесс травления проводят при постоянном механическом перемешивании порошка дифторида ксенона. Поэтапное увеличение давления осуществляют посредством изменения скорости откачки.The entire etching process is carried out with constant mechanical stirring of xenon difluoride powder. A phased increase in pressure is carried out by changing the pumping speed.
Время травления устанавливают предварительно по контрольному образцу. Для гарантии полноты удаления жертвенного слоя время травления на последней стадии увеличивают в среднем на 10% относительно контрольного образца. Для образцов с большей площадью мембраны увеличение времени травления на последней стадии - больше.The etching time is pre-set according to the control sample. To ensure complete removal of the sacrificial layer, the etching time at the last stage is increased by an average of 10% relative to the control sample. For samples with a larger membrane area, the increase in etching time at the last stage is longer.
После окончания травления источник с реагентом отсекают от реактора и реактор откачивают до давления 0,002 Торр. Подают в реактор инертный газ, например аргон, и проводят откачку 10 мин для удаления остатков реагента и продуктов реакции. Отсекают насос от реактора, заполняют реактор инертным газом до атмосферного давления и извлекают образец из реактора.After etching, the source with the reagent is cut off from the reactor and the reactor is pumped out to a pressure of 0.002 Torr. An inert gas, such as argon, is supplied to the reactor and pumping is carried out for 10 minutes to remove residual reagent and reaction products. The pump is cut off from the reactor, the reactor is filled with inert gas to atmospheric pressure, and a sample is removed from the reactor.
Полноту удаления аморфного кремния контролируют под микроскопом. При наличии в корпусе реактора прозрачного окна полноту вытравливания можно контролировать "in situ".The completeness of the removal of amorphous silicon is monitored under a microscope. If there is a transparent window in the reactor vessel, the completeness of etching can be controlled in situ.
Пример 3Example 3
На подложку осаждают жертвенный слой и один или несколько функциональных слоев, затем формируют требуемую конструкцию из функциональных слоев. В качестве материала подложки используют стекло, жертвенный слой формируют из аморфного кремния толщиной 0,8 мкм. На жертвенном слое осаждают два функциональных слоя, сначала SiC, затем Al, толщины слоев составляют соответственно 0,2 мкм и 0,1 мкм.A sacrificial layer and one or more functional layers are deposited on a substrate, and then the desired structure is formed from functional layers. Glass is used as the substrate material, the sacrificial layer is formed from amorphous silicon with a thickness of 0.8 μm. Two functional layers are deposited on the sacrificial layer, first SiC, then Al, the layer thicknesses are 0.2 μm and 0.1 μm, respectively.
Затем формируют требуемую конструкцию из функциональных слоев, литографически задавая размер изготавливаемой висящей конструкции 70 мкм×40 мкм.Then form the desired design of the functional layers, lithographically setting the size of the manufactured hanging structure 70 μm × 40 μm.
Перед травлением жертвенного слоя слой двуокиси кремния, образующийся на поверхности аморфного кремния, удаляют обработкой в разбавленном (1:10) растворе фтористоводородной кислоты в течение 5 с.Before etching the sacrificial layer, a layer of silicon dioxide formed on the surface of amorphous silicon is removed by treatment in a dilute (1:10) solution of hydrofluoric acid for 5 s.
После этого травят жертвенный слой посредством газофазного травления и удаляют жертвенный слой, который расположен между функциональными слоями и/или функциональным слоем и подложкой, в атмосфере, содержащей галогенид инертного газа. В качестве галогенида инертного газа используют дифторид ксенона, который в исходном состоянии находится в твердом порошкообразном состоянии. Процесс травления ведут при механическом перемешивании порошкообразного реагента, смешанного с твердыми, более массивными частицами, чем галогенид инертного газа, из инертного в отношении газа-реагента материала.After that, the sacrificial layer is etched by gas phase etching and the sacrificial layer, which is located between the functional layers and / or the functional layer and the substrate, is removed in an atmosphere containing an inert gas halide. As an inert gas halide, xenon difluoride is used, which in the initial state is in a solid powder state. The etching process is carried out by mechanical stirring of a powdered reagent mixed with solid, more massive particles than an inert gas halide from a material inert with respect to the reactant gas.
Порошок дифторида ксенона в количестве 1 г, перемешанный с шарообразными частицами из инертного материала, более массивными, чем частицы дифторида ксенона, помещают в источник реагента и производят откачку источника до давления 0,002 Торр. Отсекают источник с дифторидом ксенона от реактора. Загружают образец в реактор и откачивают реактор до такой же величины (0,002 Торр).Xenon difluoride powder in an amount of 1 g mixed with spherical particles of inert material, more massive than xenon difluoride particles, is placed in the reagent source and the source is pumped out to a pressure of 0.002 Torr. The source with xenon difluoride is cut off from the reactor. The sample is loaded into the reactor and the reactor is pumped out to the same value (0.002 Torr).
Затем соединяют реактор с источником и удаляют жертвенный слой при низком общем давлении, начиная со значения, при котором разогрев образца минимальный и формируемая висящая конструкция не деформируется, с постепенным увеличением парциального давления галогенида инертного газа до значений, обеспечивающих поддержание первоначальной скорости травления и минимальный разогрев образца (до верхнего предельного значения, при котором поддерживается постоянная скорость травления и еще отсутствуют диффузионные ограничения). Таким образом, жертвенный слой кремния удаляют при условии постепенного увеличения парциального давления галогенида инертного газа в ступенчатом режиме. Реакцию проводят при давлении в реакторе от 0,07 до 0,4 Торр в режиме, при котором предотвращен перегрев образца из-за экзотермической реакции травления жертвенного слоя галогенидом инертного газа.Then, the reactor is connected to the source and the sacrificial layer is removed at a low total pressure, starting from the value at which the sample is heated to a minimum and the formed hanging structure is not deformed, with a gradual increase in the partial pressure of the inert gas halide to maintain the initial etching rate and minimize sample heating (up to the upper limit value at which a constant etching rate is maintained and diffusion restrictions are still absent). Thus, the sacrificial layer of silicon is removed under the condition of a gradual increase in the partial pressure of the inert gas halide in a stepwise mode. The reaction is carried out at a pressure in the reactor from 0.07 to 0.4 Torr in a mode in which overheating of the sample due to the exothermic reaction of etching the sacrificial layer with an inert gas halide is prevented.
После установления заданного давления в реактор с образцами подают дифторид ксенона при давлении 0,07 Торр и проводят травление в течение 10 мин. После чего давление увеличивают до 0,12 Торр и образец травят в течение 10 мин. Увеличивают давление до 0,2 Торр и образец травят еще 10 мин и на последней стадии образец травят при 0,4 Торр до полного удаления аморфного кремния.After the set pressure has been established, xenon difluoride is fed into the sample reactor at a pressure of 0.07 Torr and etched for 10 minutes. Then the pressure is increased to 0.12 Torr and the sample is etched for 10 minutes. The pressure is increased to 0.2 Torr and the sample is etched for another 10 minutes, and in the last stage, the sample is etched at 0.4 Torr until the amorphous silicon is completely removed.
Весь процесс травления проводят при постоянном механическом перемешивании порошка дифторида ксенона. Поэтапное увеличение давления осуществляют посредством изменения скорости откачки.The entire etching process is carried out with constant mechanical stirring of xenon difluoride powder. A phased increase in pressure is carried out by changing the pumping speed.
Время травления устанавливают предварительно по контрольному образцу. Для гарантии полноты удаления жертвенного слоя время травления на последней стадии увеличивают в среднем на 10% относительно контрольного образца. Для образцов с большей площадью мембраны увеличение времени травления на последней стадии -больше.The etching time is pre-set according to the control sample. To ensure complete removal of the sacrificial layer, the etching time at the last stage is increased by an average of 10% relative to the control sample. For samples with a larger membrane area, the increase in etching time at the last stage is longer.
После окончания травления источник с реагентом отсекают от реактора и реактор откачивают до давления 0,002 Торр. Подают в реактор инертный газ, например аргон, и проводят откачку 10 мин для удаления остатков реагента и продуктов реакции. Отсекают насос от реактора, заполняют реактор инертным газом до атмосферного давления и извлекают образец из реактора.After etching, the source with the reagent is cut off from the reactor and the reactor is pumped out to a pressure of 0.002 Torr. An inert gas, such as argon, is supplied to the reactor and pumping is carried out for 10 minutes to remove residual reagent and reaction products. The pump is cut off from the reactor, the reactor is filled with inert gas to atmospheric pressure, and a sample is removed from the reactor.
Полноту удаления аморфного кремния контролируют под микроскопом. При наличии в корпусе реактора прозрачного окна полноту вытравливания можно контролировать "in situ".The completeness of the removal of amorphous silicon is controlled under a microscope. If there is a transparent window in the reactor vessel, the completeness of etching can be controlled in situ.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008116025/28A RU2367591C1 (en) | 2008-04-22 | 2008-04-22 | Method for forming of suspended constructions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008116025/28A RU2367591C1 (en) | 2008-04-22 | 2008-04-22 | Method for forming of suspended constructions |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2367591C1 true RU2367591C1 (en) | 2009-09-20 |
Family
ID=41167844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008116025/28A RU2367591C1 (en) | 2008-04-22 | 2008-04-22 | Method for forming of suspended constructions |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2367591C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2485558C1 (en) * | 2012-01-25 | 2013-06-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ФГБОУ ВПО "СГГА") | Method of obtaining even nano-gaps between surfaces of bodies |
-
2008
- 2008-04-22 RU RU2008116025/28A patent/RU2367591C1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2485558C1 (en) * | 2012-01-25 | 2013-06-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ФГБОУ ВПО "СГГА") | Method of obtaining even nano-gaps between surfaces of bodies |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7879734B2 (en) | Method of manufacturing porous body | |
| FR2551583A1 (en) | METHOD FOR SELECTIVE ATTACK OF MATERIALS IN SEMICONDUCTOR DEVICES | |
| JP2006261217A (en) | Thin film formation method | |
| FR2776125A1 (en) | METHOD OF MANUFACTURING SETPOINT BREAKING LAYERS FOR DETACHING DEVELOPED LAYER SYSTEMS | |
| GB2473851A (en) | Etching silicon | |
| JP2002057119A (en) | Method for manufacturing gallium nitride single-crystal substrate | |
| RU2367591C1 (en) | Method for forming of suspended constructions | |
| TW201011833A (en) | Method for fabricating a semiconductor on insulator substrate with reduced SECCO defect density | |
| JPH08236462A (en) | Vapor growth method | |
| KR102072531B1 (en) | Processing method, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and program | |
| TWI362074B (en) | ||
| US9887124B2 (en) | Method for producing a composite structure | |
| EP0240314B1 (en) | Method for forming deposited film | |
| JPH08330233A (en) | Manufacture of single-crystal thin film | |
| JPH11130451A (en) | Quartz glass jig for semiconductor heat treatment equipment | |
| RU2285748C2 (en) | Method of manufacture of composite membranes on base of thin films of metals | |
| JPH0586476A (en) | Chemical vapor growth device | |
| JP2001328896A (en) | Method of manufacturing diamond cylinder array having concave portion | |
| RU2365403C1 (en) | Method for manufacturing of gas permeable membrane | |
| JP2004500481A (en) | Void / pillar network structure | |
| JP3201970B2 (en) | Semiconductor film formation method | |
| US20240293850A1 (en) | Method for removing layers of silicon carbide, as well as process and apparatus for cleaning epitaxial reactor components | |
| JP2012248779A (en) | Etching device, etching method and etching program of silicon oxide | |
| JP2003340799A (en) | Manufacturing method of micro drive parts | |
| TWI463538B (en) | Method of treating semiconductor substrate and method of treating silicon surface and system |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130423 |