RU2029411C1 - Method of plasma etching of thin films - Google Patents
Method of plasma etching of thin films Download PDFInfo
- Publication number
- RU2029411C1 RU2029411C1 SU5045678A RU2029411C1 RU 2029411 C1 RU2029411 C1 RU 2029411C1 SU 5045678 A SU5045678 A SU 5045678A RU 2029411 C1 RU2029411 C1 RU 2029411C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plasma
- etching
- reactor
- under
- substrate holder
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии производства изделий электронной техники, в частности к способам плазменного травления тонких пленок микроэлектроники, и может быть использовано в производстве БИС и СБИС. The invention relates to a technology for the production of electronic devices, in particular to methods for plasma etching thin films of microelectronics, and can be used in the production of LSI and VLSI.
Наблюдаемое в последнее время резкое усложнение конструкций современных ИС обуславливает возрастание плотности размещения приборов и предъявляет все более высокие требования к технологии их изготовления: формированию элементов менее 1 мкм с точностью воспроизведения размеров 0,05 мкм, управлению профилем травления, минимальной степени повреждения подложки при высоких равномерности и скорости травления, т.е. в основном к процессам плазменного травления. Установлено, что в настоящее время наиболее перспективными способами сухого плазменного травления с точки зрения удовлетворения данных требований являются способы ВЧ- и СВЧ-магнетронного травления, так как они обеспечивают высокие значения плотности плазмы n>1010 см-3 и ионного потока на подложку j>1 мА/см при низкой энергии ионов Еи<100 эВ и соответственно высокие скорости травления тонких пленок материалов ИС при низком уровне радиационных нарушений. В частности, требования высокой плотности плазмы и ионного потока обусловлены такими экспериментально установленными фактами, как линейная зависимость скорости процессов ионно-стимулированного травления от плотности ионного потока (коэффициент выхода для процесса анизотропного травления Si составляет 4-5 ат./ион) при оптимальном потоке нейтральных химически активных частиц (ХАЧ).The recently observed sharp complication of the designs of modern ICs leads to an increase in the density of devices and imposes increasingly high demands on the technology of their manufacture: the formation of elements less than 1 μm with an accuracy of reproduction of dimensions of 0.05 μm, control of the etching profile, the minimum degree of damage to the substrate with high uniformity and etching rate, i.e. mainly to plasma etching processes. It has been established that at present, the most promising methods of dry plasma etching from the point of view of satisfying these requirements are the methods of RF and microwave magnetron etching, since they provide high values of the plasma density n> 10 10 cm -3 and the ion flux to the substrate j> 1 mA / cm at low ion energy E and <100 eV and, correspondingly, high etching rates of thin films of IP materials with a low level of radiation disturbances. In particular, the requirements for a high plasma density and ion flux are due to such experimentally established facts as the linear dependence of the rate of ion-stimulated etching on the ion flux density (yield coefficient for anisotropic etching of Si is 4-5 at. / Ion) with an optimal neutral flux reactive particles (HAC).
Известен способ плазменного травления тонких пленок [1], включающий загрузку подложек со сформированными на них пленками в реактор, создание в реакторе рабочей атмосферы, возбуждение СВЧ-разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях и инжектирование в зону обработки подложек плазмы, с помощью которой производится травление тонких пленок путем взаимодействия ХАЧ продуктов ионизации и диссоциации галогенсодержащих газов с поверхностью пленок. Процесс обеспечивает высокую прецизионность травления при минимальной степени радиационных нарушений функциональных слоев ИС. A known method of plasma etching of thin films [1], including loading the substrates with the films formed on them into the reactor, creating a working atmosphere in the reactor, excitation of a microwave discharge in crossed electric and magnetic fields and injecting plasma into the treatment area of the substrates by means of which thin films by the interaction of HAC products of ionization and dissociation of halogen-containing gases with the surface of the films. The process provides high precision etching with a minimum degree of radiation damage to the functional layers of IP.
Однако данный способ имеет следующие недостатки. В СВЧ-плазме длины волн, возбуждаемых в резонаторе, соизмеримы с размерами разрядной камеры, что приводит к пространственной неоднородности травления пленки по всей площади подложки. Для процесса сухого травления в СВЧ-плазме очень сложно достичь одновременно высокой скорости травления по всей поверхности подложки диаметром 100 мм и выше. Высокая плотность СВЧ-плазмы n ≈ 1011 см-3 достигается при давлении менее 10-1 Па, что ограничивает поток химически активных нейтральных частиц и соответственно скорость сухого травления. Максимальная плотность плазмы в ЭЦР-СВЧ-реакторах составляет 1012 см-3, что также ограничивает скорость травления тонких пленок по ионному потоку.However, this method has the following disadvantages. In a microwave plasma, the wavelengths excited in the cavity are comparable with the dimensions of the discharge chamber, which leads to a spatial inhomogeneity of the etching of the film over the entire area of the substrate. For a dry etching process in a microwave plasma, it is very difficult to achieve simultaneously a high etching rate over the entire surface of the substrate with a diameter of 100 mm and above. High microwave plasma density n ≈ 10 11 cm -3 is achieved at a pressure of less than 10 -1 Pa, which limits the flow of chemically active neutral particles and, accordingly, the rate of dry etching. The maximum plasma density in ECR-microwave reactors is 10 12 cm -3 , which also limits the etching rate of thin films by the ion flux.
Наиболее близким к изобретению техническим решением является способ плазменного травления тонких пленок [2] , согласно которому подложки со сформированными на них пленками загружаются в реактор на изолированный подложкодержатель, находящийся под плавающим потенциалом в области плазменного разряда между электродами, а плазма возбуждается скрещенными ВЧ-электрическим и магнитным полями, расположенными в плоскости, параллельной подложке. Кроме того, допускаются дополнительное управление потенциалом подложки за счет подачи на нее напряжения и использование электромагнита под подложкодержателем для повышения эффективности травления. Рабочие давления регулируются в пределах 5 ˙ 10-4-5 ˙ 10-2 мм рт.ст. Данный способ при высокой прецизионности и низком уровне радиационных нарушений обеспечивает более высокую скорость анизотропного травления Si на уровне до 1 мкм/мин.The technical solution closest to the invention is a method for plasma etching thin films [2], according to which substrates with films formed on them are loaded into the reactor onto an insulated substrate holder located at a floating potential in the plasma discharge region between the electrodes, and the plasma is excited by crossed RF electric and magnetic fields located in a plane parallel to the substrate. In addition, additional control of the potential of the substrate by applying voltage to it and the use of an electromagnet under the substrate holder to increase the etching efficiency are allowed. Working pressures are regulated within 5 ˙ 10 -4 -5 ˙ 10 -2 mm Hg. This method with high precision and a low level of radiation damage provides a higher anisotropic etching rate of Si at a level of up to 1 μm / min.
Тем не менее данный способ имеет некоторые существенные недостатки. Плотность плазмы не превышает 1011 см-3, что сдерживает возможность повышения скорости процессов ионно-стимулированного травления тонких пленок материалов ИС. Ограничение по скорости травления также обусловлено используемым диапазоном давления 5 ˙ 10-4-5 ˙ 10-2 мм рт.ст., сдерживающим возможности повышения потока нейтральных ХАЧ.However, this method has some significant drawbacks. The plasma density does not exceed 10 11 cm -3 , which hinders the possibility of increasing the rate of ion-stimulated etching of thin films of IP materials. The etching rate limitation is also due to the used pressure range of 5 ˙ 10 -4 -5 ˙ 10 -2 mm Hg, which inhibits the possibility of increasing the flow of neutral CVs.
Задачей, решаемой изобретением, является повышение производительности процесса травления путем увеличения скорости травления тонких пленок за счет повышения плотности ионного и нейтрального потока ХАЧ. The problem solved by the invention is to increase the productivity of the etching process by increasing the etching rate of thin films by increasing the density of the ionic and neutral flux of HAC.
Решение поставленной задачи достигается тем, что по способу плазменного травления тонких пленок, включающему загрузку подложек со сформированными на них пленками в реактор на подложкодержатель, создание в реакторе вакуума и напуск рабочей атмосферы, формирование в реакторе магнитного поля и возбуждение плазмы газового разряда, плазму возбуждают с плотностью не менее 108 см-3, на область плазмы подают по крайней мере один электрический импульс с величиной напряжения в пределах 500 В - 3 кВ и длительностью 10-4-10-2 с, напряженность формируемого магнитного поля устанавливают в пределах 300-2000 Э, а давление рабочей атмосферы в реакторе поддерживают в диапазоне 10-2 - 5 мм рт.ст.The solution to this problem is achieved by the fact that by the method of plasma etching of thin films, which includes loading the substrates with the films formed on them into the reactor on a substrate holder, creating a vacuum in the reactor and letting in a working atmosphere, forming a magnetic field in the reactor and exciting the gas discharge plasma, the plasma is excited with density of not less than 10 8 cm -3, is fed to the plasma region at least one electrical pulse with a voltage value within 500 V - 3 kV and a duration of 10 -4 to 10 -2 sec, the tension formed of the magnetic field set in the range 300-2000 Oe, and the pressure of the working atmosphere in the reactor is maintained in the range of 10 -2 - 5 mmHg
Для достижения высоких значений скорости травления тонких пленок при травлении на большие глубины (например, канавки в Si) на область плазмы подают последовательность импульсов с периодом следования не менее шести длительностей импульса - 6 τимп, возбуждение плазмы осуществляют путем приложения электрического поля либо путем воздействия ультрафиолетового или рентгеновского излучения, подложкодержатель охлаждают до отрицательных температур жидким азотом с продувкой гелием под подложкой, а для преодоления пороговых значений энергии активации процесса на подложкодержатель подают ВЧ- либо постоянное смещение.To achieve high etching rates of thin films during etching to great depths (for example, grooves in Si), a sequence of pulses with a pulse period of at least six pulse durations of 6 τ imp is applied to the plasma region, the plasma is excited by applying an electric field or by exposure to ultraviolet or X-ray radiation, the substrate holder is cooled to negative temperatures with liquid nitrogen with helium purging under the substrate, and to overcome the threshold energy values a activation process on the substrate holder serves RF or constant bias.
Плазменное травление тонких пленок начинают с предионизации и диссоциации ионообразующего рабочего газа в плазме, возникающей под воздействием распределенных электрического (ВЧ- либо постоянного) либо другого электромагнитного излучения и магнитного полей напряженностью 300-2000 Э, которая обеспечивает необходимую в дальнейшем предварительную плотность плазмы на уровне не менее 108 см-3. Далее осуществляют наложение на плазму электрического импульса общей длительностью 10-4-10-2 с, причем на первой стадии импульса длительностью не более 10-4 с осуществляют подачу напряжения от генератора импульсных токов на основе искусственно длинной линии в диапазоне 500 В - 3 кВ, когда токи не превышают 100 мА, что на второй стадии импульса приводит к образованию нового типа разряда с плотностью плазмы не менее 1013 см-3, причем напряжение на разряде снижается до 100 В, а ток достигает значений в диапазоне 10 А - 2 кА (фиг. 1) в зависимости от вкладываемой мощности. Существенным достоинством способа является продолжение существования данного разряда после снятия питания от генератора с длительностью жизни 5 τимп (фиг. 2), где τимп - длительность электрического импульса. Плотность ионного тока на образец достигает 1-5 А/см2 при средней энергии ионов 10-50 эВ. Соответственно достигается средняя скорость плазменного анизотропного травления кремния 5-10 мкм/мин, что недостижимо во всех известных технических решениях. Плотность ионного тока на образец диаметром 150 мм имеет неравномерность в нашем случае не более ± 2%.Plasma etching of thin films begins with the preionization and dissociation of the ion-forming working gas in the plasma, which arises under the influence of distributed electric (HF or constant) or other electromagnetic radiation and magnetic fields of 300-2000 Oe, which provides the necessary preliminary plasma density at a level not less than 10 8 cm -3 . Next, an electrical impulse is applied to the plasma with a total duration of 10 -4 -10 -2 s, and at the first stage of a pulse of no more than 10 -4 s, voltage is supplied from the pulse current generator based on an artificially long line in the range of 500 V - 3 kV, when the currents do not exceed 100 mA, which in the second stage of the pulse leads to the formation of a new type of discharge with a plasma density of at least 10 13 cm -3 , and the voltage at the discharge decreases to 100 V, and the current reaches values in the range 10 A - 2 kA ( Fig. 1) depending on my power. A significant advantage of the method is the continued existence of this discharge after removing power from the generator with a lifespan of 5 τ imp (Fig. 2), where τ imp is the duration of the electric pulse. The ion current density per sample reaches 1-5 A / cm 2 with an average ion energy of 10-50 eV. Accordingly, an average plasma anisotropic etching rate of silicon of 5-10 μm / min is achieved, which is unattainable in all known technical solutions. The ion current density per sample with a diameter of 150 mm is non-uniform in our case no more than ± 2%.
Проведенные патентные исследования не выявили решений, из которых могло быть установлено влияние отличительных признаков патентуемого решения на достижение ожидаемого технического результата. Поэтому следует считать, что заявляемое решение соответствует критерию "изобретательский уровень". Conducted patent research did not reveal solutions from which the influence of the distinguishing features of the patented solution on the achievement of the expected technical result could be established. Therefore, it should be considered that the claimed solution meets the criterion of "inventive step".
На фиг. 1 приведено изменение ВАХ импульса для двух стадий разряда; на фиг. 2 - изменение во времени параметров импульса и разряда; на фиг. 3 - изменение параметров разряда от давления. In FIG. 1 shows the change in the I – V characteristic of the pulse for two stages of the discharge; in FIG. 2 - change in time of the parameters of the pulse and discharge; in FIG. 3 - change in discharge parameters from pressure.
Способ плазменного травления тонких пленок может быть реализован согласно следующему примеру. The plasma etching method of thin films can be implemented according to the following example.
Для формирования конденсаторов памяти большой емкости необходимо формирование канавок в кремнии на глубину 10-15 мкм шириной 1-1,5 мкм. С этой целью кремниевую подложку (КДБ-1) диаметром 100 мм, покрытую защитной маской фоторезиста ФП 051К с проявленным в нем топологическим рисунком, загружали в реактор модернизированной плазменной установки 08ПХТ - 125/50 - 008 на охлаждаемый жидким азотом до температуры 140 К подложкодержатель. В реакторе создавали вакуум 10-1 Па, после чего напускали гексафторид серы (SF6) до рабочего давления 10 Па. Магнитное поле, создаваемое вблизи катода постоянным магнитом, составляло 700 Э. На катод через заградительный фильтр подавали ВЧ-напряжение мощностью 600 Вт, в результате чего зажигался разряд плотностью 1010 см-3. Через несколько секунд на катод подавали последовательность импульсных токов на основе искусственно длинной линии. Для травления использовали импульсы со следующими параметрами: общая длительность импульсов 10-3 с, длительность переднего фронта импульса 10-4 с, начальное напряжение импульса 1 кВ, ток разрядa в импульсе 1 кА, длительность разряда 6 x 10-3 с, период следования импульсов 10-1 с.To form large-capacity memory capacitors, it is necessary to form grooves in silicon to a depth of 10-15 μm with a width of 1-1.5 μm. To this end, a silicon substrate (KDB-1) with a diameter of 100 mm, coated with a protective mask of the photoresist FP 051K with the topological pattern shown in it, was loaded into the reactor of the upgraded plasma installation 08PKhT - 125/50 - 008 on a substrate holder cooled with liquid nitrogen to a temperature of 140 K. A vacuum of 10 -1 Pa was created in the reactor, after which sulfur hexafluoride (SF 6 ) was injected to a working pressure of 10 Pa. The magnetic field created near the cathode by a permanent magnet was 700 Oe. An RF voltage of 600 W was applied to the cathode through a barrage filter, as a result of which a discharge with a density of 10 10 cm -3 was ignited. After a few seconds, a sequence of pulsed currents based on an artificially long line was applied to the cathode. Pulses with the following parameters were used for etching: total pulse duration 10 −3 s, pulse leading edge duration 10 −4 s,
Подложкодержатель во время разряда находился под плавающим потенциалом. The substrate holder during the discharge was at a floating potential.
Характер изменения параметров импульса отражен на фиг. 1 и 2. Время травления кремния составляло 2 мин. Анализ результатов травления проводили с помощью измерений на сканирующем электронном микроскопе. Результаты измерений были следующими: селективность ФП - 051К=50;
Si/SiO2=70, уход размеров под маску 1000 А, глубина травления 12 мкм, клин травления в среднем 85-87о, средняя скорость тра- вления 6 мкм/мин, неравномерность тра- вления по подложке диаметром 100 мм ± 3%.The nature of the change in the pulse parameters is shown in FIG. 1 and 2. The etching time of silicon was 2 minutes. An analysis of the etching results was carried out using measurements on a scanning electron microscope. The measurement results were as follows: selectivity FP - 051K = 50;
Si / SiO 2 = 70, leaving the mask size of 1000 A, the etching depth of 12 microns, a wedge etching an average of 85-87, an average etch rate 6 m / min, uneven etching of the substrate of 100 mm ± 3% .
В приведенном выше примере использованы конкретные значения параметров патентуемого способа травления. Однако удовлетворительные результаты достижимы и при других значениях этих параметров, не выходящих за пределы, приведенные в формуле изобретения. Экспериментально доказано, что при снижении плотности ниже 108 см-3 невозможно получение разряда высокой плотности (1013 см-3) при наложении электрических импульсов высокого напряжения. Уменьшение импульса высокого напряжения ниже 500 В также не приводит к образованию разряда данного типа, а увеличение напряжения выше 3 кВ приводит к значительному снижению энергетической эффективности приложенного импульса из-за уменьшения сечения ионизации с ростом энергии электронов. Уменьшение длительности импульса ниже 10-4 с приводит, как показано на фиг. 2, к снижению вероятности образования разряда данного типа и увеличению вероятности распылительного режима, а увеличение длительности более 10-2 с - к переходу в дуговой режим вследствие развития ионизационно-перегрузочной неустойчивости. Снижение давления ниже 10-2 мм рт.ст., как показано на фиг. 3, приводит к росту напряжения разряда до 300 В и выше, уменьшение ионного тока - к интенсивному распылению катода, а увеличение давления выше 5 мм рт.ст. - к переходу разряда в объемный режим (процессы рекомбинации преобладают над процессами диффузии) с последующим контрагированием и образованием дуговых привязок.In the above example, specific values of the parameters of the patented etching method were used. However, satisfactory results are achievable with other values of these parameters, not exceeding the limits given in the claims. It has been experimentally proved that when the density decreases below 10 8 cm -3, it is impossible to obtain a high-density discharge (10 13 cm -3 ) when applying high-voltage electrical pulses. A decrease in the high voltage pulse below 500 V also does not lead to the formation of a discharge of this type, and an increase in voltage above 3 kV leads to a significant decrease in the energy efficiency of the applied pulse due to a decrease in the ionization cross section with increasing electron energy. A decrease in pulse duration below 10 −4 s results, as shown in FIG. 2, to a decrease in the probability of the formation of a discharge of this type and an increase in the probability of a spray mode, and an increase in the duration of more than 10 -2 s leads to a transition to an arc mode due to the development of ionization-overload instability. A decrease in pressure below 10 -2 mmHg, as shown in FIG. 3 leads to an increase in the discharge voltage to 300 V and higher, a decrease in the ion current leads to intensive sputtering of the cathode, and an increase in pressure above 5 mm Hg - to the transition of the discharge into the volume mode (recombination processes prevail over diffusion processes) with subsequent contraction and the formation of arc anchors.
Уменьшение напряженности распределенного магнитного поля ниже 300 Э приводит к уменьшению вероятности образования разряда высокой плотности, а увеличение напряженности выше 2000 Э - к увеличению неравномерности ионного потока на подложку выше ± 10%. A decrease in the intensity of the distributed magnetic field below 300 Oe leads to a decrease in the probability of the formation of a high density discharge, and an increase in intensity above 2000 Oe leads to an increase in the unevenness of the ion flux onto the substrate above ± 10%.
Данный тип разряда наблюдался для различных типичных рабочих газов (аргон, гелийводородная смесь, гексафторид серы, хладон - 14), поэтому ограничения по составу рабочей атмосферы отсутствуют. This type of discharge was observed for various typical working gases (argon, helium-hydrogen mixture, sulfur hexafluoride, freon - 14), therefore, there are no restrictions on the composition of the working atmosphere.
Проведенные эксперименты показали, что предложенный способ обеспечивает качественное травление кремния с высокой скоростью, что предполагают его эффективное применение в промышленном производстве. В настоящее время проводятся подготовительные работы по применению способа в серийном производстве ИС. The experiments showed that the proposed method provides high-quality etching of silicon at a high speed, which suggests its effective application in industrial production. Currently, preparatory work is underway on the application of the method in the serial production of IP.
Claims (4)
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что на область плазмы подают последовательность импульсов с периодом следования не менее 6τимп .
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что возбуждают плазму путем приложения электрического поля.1. METHOD OF PLASMA ETCHING OF THIN FILMS, including loading substrates with films formed on them into a reactor on a substrate holder, creating a vacuum in the reactor and letting in a working atmosphere, applying a magnetic field to the working region of the reactor, exciting the plasma and treating the substrates on a substrate holder located either under or under floating potential, or under a bias voltage, characterized in that the inlet of the working atmosphere is produced up to a pressure of 10 - 2 - 5 Torr, a magnetic field is applied with a strength of 300 - 2000 Oe and after excitation Nia plasma with a density of not less than 10 8 cm - 3 is supplied to the plasma region at least one electrical pulse with the voltage amplitude in the range of 500 V - 3 KV pulses of duration τ = 10 -4 -10 -2 c.
2. The method according to claim 1, characterized in that a sequence of pulses with a repetition period of at least 6τ imp . Is supplied to the plasma region.
3. The method according to claim 1, characterized in that they excite the plasma by applying an electric field.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5045678 RU2029411C1 (en) | 1992-04-29 | 1992-04-29 | Method of plasma etching of thin films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5045678 RU2029411C1 (en) | 1992-04-29 | 1992-04-29 | Method of plasma etching of thin films |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2029411C1 true RU2029411C1 (en) | 1995-02-20 |
Family
ID=21605964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU5045678 RU2029411C1 (en) | 1992-04-29 | 1992-04-29 | Method of plasma etching of thin films |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2029411C1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7808184B2 (en) | 2004-02-22 | 2010-10-05 | Zond, Inc. | Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities |
| US7811421B2 (en) | 2002-11-14 | 2010-10-12 | Zond, Inc. | High deposition rate sputtering |
| US8883246B2 (en) | 2007-12-12 | 2014-11-11 | Plasmatrix Materials Ab | Plasma activated chemical vapour deposition method and apparatus therefor |
| RU2657899C1 (en) * | 2017-02-07 | 2018-06-18 | Закрытое акционерное общество "Руднев-Шиляев" | Method for processing polyimide film in the flame of nonequilibrium heterogeneous low-temperature microwave plasma under atmospheric pressure |
-
1992
- 1992-04-29 RU SU5045678 patent/RU2029411C1/en active
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 1. Патент США N 4430138, кл. 156-345, 07.02.84. * |
| 2. Выложенная заявка Японии N 59-65436, кл. H 01L 21/302, 19.04.84. * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7811421B2 (en) | 2002-11-14 | 2010-10-12 | Zond, Inc. | High deposition rate sputtering |
| US7808184B2 (en) | 2004-02-22 | 2010-10-05 | Zond, Inc. | Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities |
| US8125155B2 (en) | 2004-02-22 | 2012-02-28 | Zond, Inc. | Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities |
| US8883246B2 (en) | 2007-12-12 | 2014-11-11 | Plasmatrix Materials Ab | Plasma activated chemical vapour deposition method and apparatus therefor |
| RU2657899C1 (en) * | 2017-02-07 | 2018-06-18 | Закрытое акционерное общество "Руднев-Шиляев" | Method for processing polyimide film in the flame of nonequilibrium heterogeneous low-temperature microwave plasma under atmospheric pressure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6129806A (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| US6902683B1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| US8337713B2 (en) | Methods for RF pulsing of a narrow gap capacitively coupled reactor | |
| US4609428A (en) | Method and apparatus for microwave plasma anisotropic dry etching | |
| US5330606A (en) | Plasma source for etching | |
| KR970005035B1 (en) | Method and apparatus for generating highly dense uniform plasma by use of a high frequency rotating electric field | |
| JP3319285B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JPH0227718A (en) | Plasma treating method and plasma treater using the same method | |
| JP3499104B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JPS61136229A (en) | Dry etching device | |
| JPS6136589B2 (en) | ||
| JP3217875B2 (en) | Etching equipment | |
| RU2029411C1 (en) | Method of plasma etching of thin films | |
| JPH088235B2 (en) | Plasma reactor | |
| JPH03204925A (en) | Plasma processor | |
| Ono et al. | RF-plasma-assisted fast atom beam etching | |
| JPH06104098A (en) | Microwave plasma processing equipment | |
| JPH0626199B2 (en) | Etching method | |
| JP3368743B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JP2615070B2 (en) | Etching method | |
| JPH07335618A (en) | Plasma processing method and plasma processing device | |
| JPH0219968B2 (en) | ||
| JPH07193049A (en) | Etching apparatus and etching method | |
| JPS6276627A (en) | Dry etching device | |
| KR100542690B1 (en) | Silicon oxide film formation method of semiconductor device |