Claims (66)
1. Устройство для катодно-дугового испарения, содержащее:1. Device for cathode-arc evaporation, containing:
мишень в качестве катода, имеющуюtarget as a cathode having
- переднюю поверхность мишени из испаряемого материала, то есть активную поверхность мишени,- the front surface of the target of the evaporated material, i.e. the active surface of the target,
- заднюю поверхность мишени, параллельную передней поверхности мишени, но обращенную к задней пластине мишени, размещенной на противолежащей стороне относительно передней поверхности мишени, и- the back surface of the target, parallel to the front surface of the target, but facing the back plate of the target, placed on the opposite side relative to the front surface of the target, and
- боковую поверхность мишени, соединяющую переднюю поверхность мишени с задней поверхностью мишени,- the side surface of the target, connecting the front surface of the target with the rear surface of the target,
электрически плавающий локализующий элемент, размещенный смежным, предпочтительно окружающим или по меньшей мере частично окружающим боковую поверхность мишени, причем локализующий элемент содержит внутреннюю поверхность и наружную поверхность, причем боковая поверхность мишени находится ближе к внутренней поверхности локализующего элемента, чем к наружной поверхности локализующего элемента,electrically floating localizing element placed adjacent, preferably surrounding or at least partially surrounding the side surface of the target, and the localizing element contains an inner surface and an outer surface, and the side surface of the target is closer to the inner surface of the localizing element than to the outer surface of the localizing element,
электрод в качестве анода, имеющий внутреннюю поверхность для действия в качестве принимающей электроны поверхности,an anode electrode having an inner surface to act as an electron receiving surface,
магнитную направляющую систему, предназначенную для создания магнитных полей, содержащих силовые линии магнитных полей, расположенных перед передней поверхностью мишени,a magnetic guide system designed to create magnetic fields containing lines of force of magnetic fields located in front of the front surface of the target,
отличающееся тем, что:characterized in that:
внутренняя поверхность локализующего элемента размещена:the inner surface of the localizing element is located:
- между передней поверхностью мишени и принимающей электроны поверхностью анода, если рассматривать расстояние в перпендикулярной плоскости относительно передней поверхности мишени, и/или- between the front surface of the target and the electron-receiving surface of the anode, if we consider the distance in a perpendicular plane with respect to the front surface of the target, and/or
- между боковой поверхностью мишени и принимающей электроны поверхностью, если рассматривать расстояние в параллельной плоскости относительно передней поверхности мишени, и- between the side surface of the target and the electron receiving surface, if we consider the distance in a parallel plane with respect to the front surface of the target, and
магнитная направляющая система предназначена и приспособлена для создания по меньшей мере двух следующих областей магнитных полей:the magnetic guiding system is designed and adapted to create at least two of the following areas of magnetic fields:
- первой области, содержащей силовые линии магнитного поля, расположенные перед передней поверхностью мишени, которые выходят из передней поверхности мишени и входят во внутреннюю поверхность локализующего элемента, и- a first region containing magnetic field lines located in front of the front surface of the target, which emerge from the front surface of the target and enter the inner surface of the localizing element, and
- второй области, содержащей силовые линии магнитного поля, расположенные перед передней поверхностью мишени, которые выходят из передней поверхности мишени и входят в принимающую электроны поверхность анода.- a second area containing magnetic field lines located in front of the front surface of the target, which emerge from the front surface of the target and enter the electron-receiving surface of the anode.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что устройство содержит электрически плавающий ферромагнитный центральный ограничитель (16) для модифицирования траектории силовых линий магнитного поля, которые выходят из передней поверхности мишени, чтобы сделать их по существу параллельными плоскости передней поверхности мишени.2. Device according to claim 1, characterized in that the device comprises an electrically floating ferromagnetic central stop (16) for modifying the trajectory of the magnetic field lines that emerge from the front surface of the target to make them essentially parallel to the plane of the front surface of the target.
3. Способ работы устройства по п. 1 или 2, отличающийся тем, что во время работы устройства внутри вакуумной камеры формируют три плазменных зоны или плазменных области, причем:3. The method of operation of the device according to claim 1 or 2, characterized in that during the operation of the device inside the vacuum chamber three plasma zones or plasma regions are formed, and:
первая плазменная зона содержит электроны, пересекающие магнитные поля без достижения анода, вследствие силовых линий магнитного поля, которые выходят из передней поверхности мишени и входят во внутреннюю поверхность локализующего элемента,the first plasma zone contains electrons crossing magnetic fields without reaching the anode, due to magnetic field lines that emerge from the front surface of the target and enter the inner surface of the localizing element,
вторая плазменная зона, в которой электроны перемещаются к аноду по силовым линиям магнитного поля, которые выходят из передней поверхности мишени и входят в принимающую электроны поверхность анода, иa second plasma zone in which electrons travel towards the anode along magnetic field lines that emerge from the front surface of the target and enter the electron-receiving surface of the anode, and
третья плазменная зона, в которой нет никаких силовых линий магнитного поля, которые не выходят из передней поверхности мишени и не входят во внутреннюю поверхность локализующего элемента, а также не выходят из передней поверхности мишени и не входят в принимающую электроны поверхность.the third plasma zone, in which there are no magnetic field lines that do not exit the front surface of the target and do not enter the inner surface of the localizing element, and also do not exit the front surface of the target and do not enter the electron receiving surface.
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что:4. The method according to p. 3, characterized in that:
электронная температура в первой плазменной зоне составляет между 1 эВ и 5 эВ, иthe electron temperature in the first plasma zone is between 1 eV and 5 eV, and
электронная температура во второй плазменной зоне и третьей плазменной зоне составляет между 0,3 эВ и 1 эВ.the electron temperature in the second plasma zone and the third plasma zone is between 0.3 eV and 1 eV.
5. Способ по п. 3 или 4, отличающийся тем, что способ включает по меньшей мере одну стадию, на которой реакционный газ вводят в вакуумную камеру, и устройство работает, пока реакционный газ введен в вакуумную камеру, причем первая плазменная зона содержит больше ионов реакционного газа, чем вторая плазменная зона и третья плазменная зона, и тем самым плотность ионов реакционного газа в первой плазменной зоне является более высокой, чем плотность ионов реакционного газа во второй и третьей плазменных зонах.5. The method according to claim. 3 or 4, characterized in that the method includes at least one stage in which the reaction gas is introduced into the vacuum chamber, and the device operates while the reaction gas is introduced into the vacuum chamber, and the first plasma zone contains more ions of the reaction gas than the second plasma zone and the third plasma zone, and thus the ion density of the reaction gas in the first plasma zone is higher than the ion density of the reaction gas in the second and third plasma zones.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что мишень или по меньшей мере передняя поверхность мишени выполнены из металлического материала, и реакционный газ реагирует с металлическим материалом из мишени, образуя слой, содержащий элементы из реакционного газа, а также элементы из металлического материала.6. The method according to claim 5, characterized in that the target or at least the front surface of the target is made of a metallic material, and the reaction gas reacts with the metallic material from the target, forming a layer containing elements from the reaction gas, as well as elements of the metallic material .
7. Способ по п. 6, отличающийся тем, что мишень состоит из Ti, или Al, или Al и Ti, или содержит их, и реакционный газ представляет собой азот или содержит азот, так что слой, образованный в результате реакции реакционного газа с металлическим материалом из мишени, представляет собой азотированный слой, состоящий из TiN, или AlN, или AlTiN, соответственно, или содержащий их.7. The method according to claim 6, characterized in that the target consists of or contains Ti, or Al, or Al and Ti, and the reaction gas is nitrogen or contains nitrogen, so that the layer formed by the reaction of the reaction gas with metallic material from the target is a nitrided layer consisting of or containing TiN or AlN or AlTiN, respectively.
8. Способ по п. 7, отличающийся тем, что материал мишени выбирают состоящим из, или содержащим, Al и Ti с концентрацией, позволяющей синтезировать покрытие на подложке, размещенной в третьей плазменной зоне, которое состоит из кубического нитрида алюминия, или содержит его, имеющего элементный состав AlxTi1-xN, с x как долей атомной концентрации Al, причем X составляет 0,8.8. The method according to claim 7, characterized in that the target material is chosen consisting of, or containing, Al and Ti with a concentration that allows the synthesis of a coating on a substrate placed in the third plasma zone, which consists of cubic aluminum nitride, or contains it, having the elemental composition Al x Ti 1-x N, with x as a fraction of the atomic concentration of Al, where X is 0.8.
9. Устройство для катодно-дугового испарения по п. 1 или 2, содержащее9. Device for cathode-arc evaporation according to claim 1 or 2, containing
мишень (3), которая имеет поверхность мишени (3’), содержащую активную поверхность (3’’), из которой может быть испарен материал в катодно-дуговом процессе;a target (3) which has a target surface (3') containing an active surface (3'') from which material can be vaporized in a cathode-arc process;
локализующий элемент (4), окружающий наружный край поверхности (3’) мишени;a localizing element (4) surrounding the outer edge of the surface (3') of the target;
анод (2), имеющий принимающую электроны поверхность (2’, 2’’, 2’’’), причем анод (2) охватывает по меньшей мере одно из мишени (3) и локализующего элемента (4) по меньшей мере в одной из плоскостей мишени и аксиальной дистанции перед активной поверхностью;an anode (2) having an electron receiving surface (2', 2'', 2'''), wherein the anode (2) encompasses at least one of the target (3) and the localizing element (4) in at least one of target planes and axial distance in front of the active surface;
магнитную направляющую систему, предназначенную для создания магнитного поля у поверхности мишени, по существу параллельно по меньшей мере наружной области поверхности мишени, так, что силовые линии магнитного поля проходят параллельно поверхности мишени или наклонно к ней под острым углом α, определяя тем самым активную поверхность (3’’) в области поверхности (3’), где силовые линии магнитного поля входят в поверхность мишени под острым углом α≤45º;a magnetic guide system designed to create a magnetic field at the target surface, essentially parallel to at least the outer region of the target surface, so that the magnetic field lines run parallel to the target surface or obliquely to it at an acute angle α, thereby defining the active surface ( 3'') in the area of the surface (3'), where the magnetic field lines enter the target surface at an acute angle α≤45º;
центральную ось Z или центральную плоскость Z’;central Z-axis or central plane Z';
причем оба из локализующего элемента (4) и анода (2) сформированы с замкнутой геометрической формой, и оба электрически изолированы друг от друга и от мишени, так, что минимальное расстояние от принимающей электроны поверхности (2’, 2’’, 2’’’) до активной поверхности (3’’) определяется по меньшей мере одной из радиальной дистанции Δr14 от наружного края поверхности (3’) мишени до внутреннего края принимающей электроны поверхности, причем наружный край поверхности (3’) мишени имеет радиальную дистанцию r1 от середины мишени, и внутренний край принимающей электроны поверхности имеет радиальную дистанцию r4 от середины мишени, и аксиальной дистанции h1 от поверхности (3’) мишени до верхнего края локализующего элемента или аксиальной дистанции h2 от поверхности (3’) мишени до нижнего края принимающей электроны поверхности (2’, 2’’, 2’’’).moreover, both of the localizing element (4) and the anode (2) are formed with a closed geometric shape, and both are electrically isolated from each other and from the target, so that the minimum distance from the electron receiving surface (2', 2'', 2''') to the active surface (3'') is determined by at least one of the radial distance Δr 14 from the outer edge of the target surface (3') to the inner edge of the electron receiving surface, and the outer edge of the target surface (3') has a radial distance r1 from the middle of the target, and the inner edge of the electron receiving surface has a radial distance r4 from the middle of the target, and an axial distance h1 from the surface (3') of the target to the upper edge of the localizing element, or an axial distance h2 from the surface (3') of the target to the lower edge of the electron receiving surface (2', 2'', 2''').
10. Устройство для катодно-дугового испарения, содержащее10. Device for cathode-arc evaporation, containing
мишень (3), которая имеет поверхность мишени (3’), содержащую активную поверхность (3’’), из которой может быть испарен материал в катодно-дуговом процессе;a target (3) which has a target surface (3') containing an active surface (3'') from which material can be vaporized in a cathode-arc process;
локализующий элемент (4), окружающий наружный край поверхности (3’) мишени;a localizing element (4) surrounding the outer edge of the surface (3') of the target;
анод (2), имеющий принимающую электроны поверхность (2’, 2’’, 2’’’), причем анод (2) охватывает по меньшей мере одну из мишеней (3) и локализующий элемент (4) по меньшей мере в одной из плоскости мишени и аксиальной дистанции перед активной поверхностью;an anode (2) having an electron receiving surface (2', 2'', 2'''), wherein the anode (2) covers at least one of the targets (3) and the localizing element (4) in at least one of target plane and axial distance in front of the active surface;
магнитную направляющую систему, предназначенную для создания магнитного поля у поверхности мишени, по существу параллельно по меньшей мере наружной области поверхности мишени, так, что силовые линии магнитного поля проходят параллельно поверхности мишени или наклонно к ней под острым углом α, определяя тем самым активную поверхность (3’’) в области поверхности (3’), где силовые линии магнитного поля входят в поверхность мишени под острым углом α≤45º;a magnetic guide system designed to create a magnetic field at the target surface, essentially parallel to at least the outer region of the target surface, so that the magnetic field lines run parallel to the target surface or obliquely to it at an acute angle α, thereby defining the active surface ( 3'') in the area of the surface (3'), where the magnetic field lines enter the target surface at an acute angle α≤45º;
центральную ось Z или центральную плоскость Z’;central Z-axis or central plane Z';
причем оба из локализующего элемента (4) и анода (2) сформированы с замкнутой геометрической формой, и оба электрически изолированы друг от друга и от мишени, так, что минимальное расстояние от принимающей электроны поверхности (2’, 2’’, 2’’’) до активной поверхности (3’’) определяется по меньшей мере одной из радиальной дистанции Δr14 от наружного края поверхности (3’) мишени до внутреннего края принимающей электроны поверхности, причем наружный край поверхности (3’) мишени имеет радиальную дистанцию r1 от середины мишени, и внутренний край принимающей электроны поверхности имеет радиальную дистанцию r4 от середины мишени, и аксиальной дистанции h1 от поверхности (3’) мишени до верхнего края локализующего элемента или аксиальной дистанции h2 от поверхности (3’) мишени до нижнего края принимающей электроны поверхности (2’, 2’’, 2’’’).moreover, both of the localizing element (4) and the anode (2) are formed with a closed geometric shape, and both are electrically isolated from each other and from the target, so that the minimum distance from the electron receiving surface (2', 2'', 2''') to the active surface (3'') is determined by at least one of the radial distance Δr 14 from the outer edge of the target surface (3') to the inner edge of the electron receiving surface, and the outer edge of the target surface (3') has a radial distance r1 from the middle of the target, and the inner edge of the electron receiving surface has a radial distance r4 from the middle of the target, and an axial distance h1 from the surface (3') of the target to the upper edge of the localizing element, or an axial distance h2 from the surface (3') of the target to the lower edge of the electron receiving surface (2', 2'', 2''').
11. Устройство по одному из предшествующих пп. 1-2 или 9-10, отличающееся тем, что по существу параллельное магнитное поле проходит от активной поверхности (3’) мишени по меньшей мере до аксиальной дистанции (h1, h2) локализующего элемента или принимающей электроны поверхности, и/или проходит по меньшей мере до высоты от 5 до 20 мм над поверхностью мишени.11. The device according to one of the preceding paragraphs. 1-2 or 9-10, characterized in that a substantially parallel magnetic field extends from the active surface (3') of the target to at least the axial distance (h1, h2) of the localizing element or the electron receiving surface, and/or extends at least up to a height of 5 to 20 mm above the target surface.
12. Устройство по одному из предшествующих пп. 1-2 или 9-11, отличающееся тем, что в зоне А над активной поверхностью мишени величина плотности ВА магнитного потока может быть отрегулирована на значение от 20 до 500 Гаусс или даже выше.12. The device according to one of the preceding paragraphs. 1-2 or 9-11, characterized in that in the zone A above the active surface of the target, the value of the magnetic flux density B A can be adjusted to a value from 20 to 500 Gauss or even higher.
13. Устройство по одному из предшествующих пп. 1-2 или 9-12, отличающееся тем, что локализующий элемент выполнен из магнитного или немагнитного материала.13. The device according to one of the preceding paragraphs. 1-2 or 9-12, characterized in that the locating element is made of a magnetic or non-magnetic material.
14. Устройство по одному из предшествующих пп. 1-2 или 9-13, отличающееся тем, что радиальная дистанция Δr14 составляет от 5 до 30 мм.14. The device according to one of the preceding paragraphs. 1-2 or 9-13, characterized in that the radial distance Δr 14 is from 5 to 30 mm.
15. Устройство по одному из предшествующих пп. 1-2 или 9-14, отличающееся тем, что радиальная дистанция r1 от наружного края поверхности мишени до центра устройства составляет от 40 до 110 мм.15. The device according to one of the preceding paragraphs. 1-2 or 9-14, characterized in that the radial distance r1 from the outer edge of the target surface to the center of the device is from 40 to 110 mm.
16. Устройство по одному из предшествующих пп. 1-2 или 9-15, отличающееся тем, что аксиальная дистанция (h1, h2) составляет от 0 до 20 мм.16. The device according to one of the preceding paragraphs. 1-2 or 9-15, characterized in that the axial distance (h1, h2) is from 0 to 20 mm.
17. Устройство по одному из предшествующих пп. 1-2 или 9-16, отличающееся тем, что максимальная аксиальная дистанция h3 принимающей электроны поверхности предпочтительно составляет: 10≤h3≤50.17. The device according to one of the preceding paragraphs. 1-2 or 9-16, characterized in that the maximum axial distance h3 of the electron receiving surface is preferably: 10≤h3≤50.
18. Устройство по одному из предшествующих пп. 1-2 или 9-17, отличающееся тем, что магнитная направляющая система содержит по меньшей мере центральный магнит, имеющий магнитный полюс, размещенный перед центром задней стороны мишени, и выровненный по оси с ним, и окружной кольцевой магнит, имеющий противоположный полюс в плоскости мишени или ниже нее, причем кольцевой магнит в перспективе окружает центральный магнит и по меньшей мере часть мишени.18. The device according to one of the preceding paragraphs. 1-2 or 9-17, characterized in that the magnetic guide system comprises at least a central magnet having a magnetic pole placed in front of the center of the rear side of the target and aligned along the axis with it, and a circumferential ring magnet having an opposite pole in the plane target or below it, and the annular magnet in perspective surrounds the central magnet and at least part of the target.
19. Устройство по п. 18, отличающееся тем, что по меньшей мере один из центрального магнита и кольцевого магнита представляет собой электромагнит или постоянный магнит.19. The device according to claim 18, characterized in that at least one of the central magnet and the ring magnet is an electromagnet or a permanent magnet.
20. Устройство по одному из пп. 18-19, отличающееся тем, что магнитная ось кольцевого магнита предпочтительно отклонена от центральной оси Z или плоскости Z’ по направлению вверх.20. The device according to one of paragraphs. 18-19, characterized in that the magnetic axis of the annular magnet is preferably deflected from the central axis Z or plane Z' in an upward direction.
21. Устройство по одному из пп. 18-20, отличающееся тем, что кольцевой магнит содержит две электромагнитных катушки С2 и С3, причем диаметр С3 является большим, чем диаметр С2.21. The device according to one of paragraphs. 18-20, characterized in that the ring magnet contains two electromagnetic coils C2 and C3, and the diameter of C3 is greater than the diameter of C2.
22. Устройство по одному из пп. 18-21, отличающееся тем, что магнитная направляющая система дополнительно содержит окружной сердечник, окружающий кольцевой магнит, мишень и анод, причем окружной сердечник выполнен из намагничиваемого материала.22. The device according to one of paragraphs. 18-21, characterized in that the magnetic guide system further comprises a circumferential core surrounding the annular magnet, a target and an anode, the circumferential core being made of a magnetizable material.
23. Устройство по одному из пп. 18-22, отличающееся тем, что магнитная направляющая система дополнительно содержит центральный ограничитель, размещенный в центре или вокруг центра поверхности мишени, причем центральный ограничитель электрически изолирован от мишени и выполнен из магнитного материала, имеющего температуру Кюри Tс>500ºС.23. The device according to one of paragraphs. 18-22, characterized in that the magnetic guide system additionally comprises a central limiter located in the center or around the center of the target surface, the central limiter being electrically isolated from the target and made of a magnetic material having a Curie temperature T c >500°C.
24. Устройство по п. 23, отличающееся тем, что центральный ограничитель выступает на расстояние от 0 до 20 мм выше поверхности мишени или до аксиальной дистанции h1 или h2.24. Device according to claim 23, characterized in that the central stop protrudes from 0 to 20 mm above the target surface or up to an axial distance h1 or h2.
25. Устройство по п. 23, отличающееся тем, что центральный ограничитель находится в одной плоскости с поверхностью мишени.25. The device according to claim 23, characterized in that the central limiter is in the same plane with the target surface.
26. Устройство по одному из пп. 23-25, отличающееся тем, что локализующий элемент выполнен из немагнитного материала.26. The device according to one of paragraphs. 23-25, characterized in that the localizing element is made of a non-magnetic material.
27. Устройство по одному из предшествующих пп. 1-2 или 9-26, отличающееся тем, что минимальное расстояние от принимающей электроны поверхности (2’, 2’’, 2’’’) до активной поверхности (3’) определяется радиальной дистанцией Δr14 и аксиальной дистанцией h1 или h2.27. The device according to one of the preceding paragraphs. 1-2 or 9-26, characterized in that the minimum distance from the electron-receiving surface (2', 2'', 2''') to the active surface (3') is determined by the radial distance Δr 14 and the axial distance h1 or h2.
28. Вакуумная камера, содержащая устройство для катодно-дугового испарения по одному из предшествующих пп. 1-2 или 9-27.28. Vacuum chamber containing a device for cathode-arc evaporation according to one of the preceding paragraphs. 1-2 or 9-27.
29. Способ осаждения покрытия на подложку в вакуумной камере с использованием устройства для катодно-дугового испарения по одному из пп. 1-2 или 9-27, в котором электронную ловушку образуют по меньшей мере непосредственно над поверхностью мишени внутри зоны А приложением по существу параллельного магнитного поля, с силовыми линиями магнитного поля, входящими в поверхность мишени под острым углом α≤45º, по меньшей мере до наружной области поверхности мишени (3), с использованием магнитной направляющей системы, в результате чего образуется активная поверхность (3’’), и с зажиганием и поддерживанием катодно-дугового разряда на активной поверхности, причем зона А отграничена с боковой стороны локализующим элементом с плавающим потенциалом.29. The method of depositing a coating on a substrate in a vacuum chamber using a device for cathode-arc evaporation according to one of paragraphs. 1-2 or 9-27, in which the electron trap is formed at least directly above the target surface inside zone A by applying a substantially parallel magnetic field, with magnetic field lines entering the target surface at an acute angle α≤45º, at least to the outer area of the target surface (3), using a magnetic guiding system, resulting in the formation of an active surface (3''), and with the ignition and maintenance of the cathode-arc discharge on the active surface, with zone A delimited from the side by a localizing element with floating potential.
30. Способ по п. 29, отличающийся тем, что над зоной А сформирована зона В приблизительно до дистанции h3, заданной максимальной аксиальной дистанцией от принимающей электроны поверхности до поверхности мишени.30. The method according to claim 29, characterized in that a zone B is formed above the zone A approximately up to a distance h3, given by the maximum axial distance from the electron-receiving surface to the target surface.
31. Способ по п. 29 или 30, отличающийся тем, что выше зоны А и В сформирована зона С, в которой магнитное поле является очень слабым или нулевым, и атмосфера содержит молекулы реакционного газа и по меньшей мере одно из положительно заряженных ионов металлов и положительно заряженных ионов прореагировавших металлов.31. The method according to claim 29 or 30, characterized in that above zone A and B zone C is formed, in which the magnetic field is very weak or zero, and the atmosphere contains molecules of the reaction gas and at least one of the positively charged metal ions and positively charged ions of reacted metals.
32. Способ по одному из пп. 29-31, отличающийся тем, что дуговой разряд на катоде поддерживают при напряжении разряда между 20 В до 50 В.32. The method according to one of paragraphs. 29-31, characterized in that the arc discharge on the cathode is maintained at a discharge voltage between 20 V and 50 V.
33. Способ по одному из пп. 29-32, отличающийся тем, что покрытие представляет собой соединение AlMeN, AlMeO или AlMeNO, где Me представляет собой один или многие металлы из групп IV, V или VI переходных металлов.33. The method according to one of paragraphs. 29-32, characterized in that the coating is a compound of AlMeN, AlMeO or AlMeNO, where Me is one or more metals from groups IV, V or VI of the transition metals.
34. Способ получения покрытой подложки способом осаждения по одному из пп. 29-33.34. The method of obtaining a coated substrate by the deposition method according to one of paragraphs. 29-33.
35. Способ по п. 24, отличающийся тем, что покрытая подложка представляет собой инструмент или деталь.35. The method of claim. 24, characterized in that the coated substrate is a tool or part.