RU2011129439A - Композиция для электролитического металла, содержащая выравнивающий агент - Google Patents
Композиция для электролитического металла, содержащая выравнивающий агент Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011129439A RU2011129439A RU2011129439/04A RU2011129439A RU2011129439A RU 2011129439 A RU2011129439 A RU 2011129439A RU 2011129439/04 A RU2011129439/04 A RU 2011129439/04A RU 2011129439 A RU2011129439 A RU 2011129439A RU 2011129439 A RU2011129439 A RU 2011129439A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- composition according
- alkoxylation
- radicals
- polyalkanolamine
- composition
- Prior art date
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract 8
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims abstract 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 5
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims abstract 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims abstract 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract 3
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N Glycidol Chemical compound OCC1CO1 CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- AWMVMTVKBNGEAK-UHFFFAOYSA-N Styrene oxide Chemical compound C1OC1C1=CC=CC=C1 AWMVMTVKBNGEAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 230000029936 alkylation Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000005804 alkylation reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 230000005588 protonation Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000005956 quaternization reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000019635 sulfation Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000005670 sulfation reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims 1
- 229950004864 olamine Drugs 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/02—Polyamines
- C08G73/024—Polyamines containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
- C08L79/02—Polyamines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Fertilizers (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
1. Композиция, содержащая источник ионов металлов и по меньшей мере один выравнивающий агент, получаемыйконденсацией по меньшей мере одного триалканоламина общей формулы N(R-OH)(Ia) и/или по меньшей мере одного диалканоламина общей формулы R-N(R-OH)(Ib) с получением полиалканоламина (II), в котором- радикалы Rкаждый независимо выбраны из двухвалентного линейного или разветвленного алифатического углеводородного радикала, имеющего от 2 до 6 атомов углерода, и- радикалы Rкаждый выбраны из водорода и линейных или разветвленных алифатических, циклоалифатических и ароматических углеводородных радикалов, имеющих от 1 до 30 атомов углерода,или производные, получаемые алкоксилированием, замещением или алкоксилированием и замещением указанного полиалканоламина (II).2. Композиция по п.1, в которой ион металла представляет собой ион меди.3. Композиция по п.1, в которой выравнивающим агентом является алкоксилированный полиалканоламин, получаемый алкоксилированием полученного полиалканоламина (II) С-С-алкиленоксидами, оксидом стирола, глицидолом или глицидиловыми простыми эфирами.4. Композиция по п.3, в которой алкиленоксиды выбраны из группы, включающей этиленоксид, пропиленоксид, бутиленоксид или их комбинации.5. Композиция по п.3, в которой степень алкоксилирования составляет от 0,1 до 200, в частности от 0,5 до 20.6. Композиция по п.1, в которой замещением является кватернизация, протонирование, алкилирование, сульфатирование, фосфатирование или их комбинации.7. Композиция по п.1, в которой выравнивающий агент получают путем соконденсации соединения, выбранного из N-гидроксиалкиламинов формул (Ia) и (Ib), по меньшей мере с одним соединением (Ic), �
Claims (16)
1. Композиция, содержащая источник ионов металлов и по меньшей мере один выравнивающий агент, получаемый
конденсацией по меньшей мере одного триалканоламина общей формулы N(R1-OH)3 (Ia) и/или по меньшей мере одного диалканоламина общей формулы R2-N(R1-OH)2 (Ib) с получением полиалканоламина (II), в котором
- радикалы R1 каждый независимо выбраны из двухвалентного линейного или разветвленного алифатического углеводородного радикала, имеющего от 2 до 6 атомов углерода, и
- радикалы R2 каждый выбраны из водорода и линейных или разветвленных алифатических, циклоалифатических и ароматических углеводородных радикалов, имеющих от 1 до 30 атомов углерода,
или производные, получаемые алкоксилированием, замещением или алкоксилированием и замещением указанного полиалканоламина (II).
2. Композиция по п.1, в которой ион металла представляет собой ион меди.
3. Композиция по п.1, в которой выравнивающим агентом является алкоксилированный полиалканоламин, получаемый алкоксилированием полученного полиалканоламина (II) С2-С12-алкиленоксидами, оксидом стирола, глицидолом или глицидиловыми простыми эфирами.
4. Композиция по п.3, в которой алкиленоксиды выбраны из группы, включающей этиленоксид, пропиленоксид, бутиленоксид или их комбинации.
5. Композиция по п.3, в которой степень алкоксилирования составляет от 0,1 до 200, в частности от 0,5 до 20.
6. Композиция по п.1, в которой замещением является кватернизация, протонирование, алкилирование, сульфатирование, фосфатирование или их комбинации.
7. Композиция по п.1, в которой выравнивающий агент получают путем соконденсации соединения, выбранного из N-гидроксиалкиламинов формул (Ia) и (Ib), по меньшей мере с одним соединением (Ic), содержащим две гидроксигруппы или две аминогруппы, или гидроксигруппу и аминогруппу.
8. Композиция по п.7, в которой по меньшей мере одно соединение (Ic) содержится в количестве, не превышающем 50 мас.% в пересчете на количество всех компонентов, использующихся для конденсации.
9. Композиция по п.3, в которой полиоксиалкиленоксиды имеют блочную, статистическую или градиентную структуру или их комбинации.
10. Композиция по п.1, в которой по меньшей мере один триалканоламин (Ia) выбран из группы, включающей триэтаноламин, триизопропаноламин и три-бутан-2-оламин.
11. Композиция по любому из пп.1-10, дополнительно содержащая ускоряющий агент.
12. Композиция по любому из пп.1-10, дополнительно содержащая подавляющий агент.
13. Применение полиалканоламинов или производных, получаемых их алкоксилированием, замещением или алкоксилированием и замещением, в ванне для осаждения содержащих металл слоев, где полиалканоламины получают путем
конденсации по меньшей мере одного триалканоламина общей формулы N(R1-OH)3 (Ia) и/или по меньшей мере одного диалканоламина общей формулы R2-N(R1-OH)2 (Ib) с получением полиалканоламина (II), в котором
- радикалы R1 каждый независимо выбраны из двухвалентного линейного или разветвленного алифатического углеводородного радикала, имеющего от 2 до 6 атомов углерода, и
- радикалы R2 каждый выбраны из водорода и линейных или разветвленных алифатических, циклоалифатических и ароматических углеводородных радикалов, имеющих от 1 до 30 атомов углерода.
14. Способ осаждения слоя металла на подложку путем
a) взаимодействия ванны для электролитического осаждения металла, содержащей композицию по любому из пп.1-12, с подложкой, и
b) подачи тока определенной плотности на подложку в течение времени, достаточного для осаждения слоя металла на подложку.
15. Способ по п.14, в котором подложка содержит элементы микрометрового или субмикрометрового размера, и осаждение проводят для заполнения элементов микрометрового или субмикрометрового размера.
16. Способ по п.15, в котором элементы микрометрового или субмикрометрового размера обладают размером, равным от 1 до 1000 нм, и/или аспектным отношением, равным 4 или более.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP20080172330 EP2199315B1 (en) | 2008-12-19 | 2008-12-19 | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| EP08172330.6 | 2008-12-19 | ||
| PCT/EP2009/066581 WO2010069810A1 (en) | 2008-12-19 | 2009-12-08 | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011129439A true RU2011129439A (ru) | 2013-01-27 |
| RU2547259C2 RU2547259C2 (ru) | 2015-04-10 |
Family
ID=40551920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011129439/04A RU2547259C2 (ru) | 2008-12-19 | 2009-12-08 | Композиция для электролитического осаждения металла, содержащая выравнивающий агент |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9011666B2 (ru) |
| EP (1) | EP2199315B1 (ru) |
| JP (1) | JP5788804B2 (ru) |
| KR (1) | KR101738701B1 (ru) |
| CN (1) | CN102257035B (ru) |
| IL (1) | IL213251A (ru) |
| MY (1) | MY155370A (ru) |
| RU (1) | RU2547259C2 (ru) |
| SG (1) | SG171904A1 (ru) |
| TW (1) | TWI467062B (ru) |
| WO (1) | WO2010069810A1 (ru) |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5952738B2 (ja) | 2009-11-27 | 2016-07-13 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | 平滑化剤を含む金属電気メッキのための組成物 |
| KR101780085B1 (ko) | 2010-03-18 | 2017-09-20 | 바스프 에스이 | 레벨링제를 포함하는 금속 전기도금용 조성물 |
| US8790426B2 (en) | 2010-04-27 | 2014-07-29 | Basf Se | Quaternized terpolymer |
| RU2603675C2 (ru) | 2010-06-01 | 2016-11-27 | Басф Се | Композиция для нанесения металлического покрытия посредством электролитического осаждения, содержащая выравнивающий агент |
| US20120010112A1 (en) | 2010-07-06 | 2012-01-12 | Basf Se | Acid-free quaternized nitrogen compounds and use thereof as additives in fuels and lubricants |
| SG10201510522XA (en) | 2010-12-21 | 2016-01-28 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| EP2468927A1 (en) | 2010-12-21 | 2012-06-27 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| MY165922A (en) | 2010-12-29 | 2018-05-18 | Akzo Nobel Coatings Int Bv | Adhesion promoter resin compositions and coating compositions having the adhesion promoter resin compositions |
| JP5363523B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2013-12-11 | 上村工業株式会社 | 電気銅めっき用添加剤及び電気銅めっき浴 |
| EP2551375A1 (en) | 2011-07-26 | 2013-01-30 | Atotech Deutschland GmbH | Electroless nickel plating bath composition |
| CN103397354B (zh) * | 2013-08-08 | 2016-10-26 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂 |
| WO2016120141A1 (en) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | Basf Se | Polyetheramines with low melting point |
| TWI608132B (zh) | 2015-08-06 | 2017-12-11 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 自含有吡啶基烷基胺及雙環氧化物之反應產物的銅電鍍覆浴液電鍍覆光阻劑限定之特徵的方法 |
| US10100421B2 (en) | 2015-08-06 | 2018-10-16 | Dow Global Technologies Llc | Method of electroplating photoresist defined features from copper electroplating baths containing reaction products of imidazole and bisepoxide compounds |
| US9932684B2 (en) | 2015-08-06 | 2018-04-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of electroplating photoresist defined features from copper electroplating baths containing reaction products of alpha amino acids and bisepoxides |
| US10006136B2 (en) | 2015-08-06 | 2018-06-26 | Dow Global Technologies Llc | Method of electroplating photoresist defined features from copper electroplating baths containing reaction products of imidazole compounds, bisepoxides and halobenzyl compounds |
| EP3141633B1 (en) | 2015-09-10 | 2018-05-02 | ATOTECH Deutschland GmbH | Copper plating bath composition |
| US10604858B2 (en) * | 2015-10-08 | 2020-03-31 | Dow Global Technologies Llc | Copper electroplating baths containing compounds of reaction products of amines, polyacrylamides and sultones |
| CN108026128B (zh) * | 2015-10-08 | 2021-04-27 | 罗门哈斯电子材料有限责任公司 | 含有胺和醌的反应产物的化合物的铜电镀浴 |
| US20170145577A1 (en) * | 2015-11-19 | 2017-05-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of electroplating low internal stress copper deposits on thin film substrates to inhibit warping |
| KR20180097668A (ko) * | 2015-12-18 | 2018-08-31 | 바스프 에스이 | 아화학량론 알콕실화 폴리에테르 |
| US11377625B2 (en) * | 2015-12-18 | 2022-07-05 | Basf Se | Cleaning compositions with polyalkanolamines |
| US10266795B2 (en) * | 2015-12-18 | 2019-04-23 | The Procter & Gamble Company | Cleaning compositions with alkoxylated polyalkanolamines |
| JP6828371B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2021-02-10 | 住友金属鉱山株式会社 | めっき膜の製造方法 |
| WO2018073011A1 (en) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | Basf Se | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling |
| EP3559317B1 (en) * | 2016-12-20 | 2025-02-12 | Basf Se | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free filling |
| KR102601784B1 (ko) | 2017-06-01 | 2023-11-13 | 바스프 에스이 | 레벨링제를 포함하는 주석 합금 전기 도금용 조성물 |
| EP3679179B1 (en) | 2017-09-04 | 2023-10-11 | Basf Se | Composition for metal electroplating comprising leveling agent |
| JP2021508359A (ja) | 2017-12-20 | 2021-03-04 | ビーエイエスエフ・ソシエタス・エウロパエアＢａｓｆ Ｓｅ | 抑制剤を含むスズまたはスズ合金電気めっき用組成物 |
| CN111918985B (zh) | 2018-03-29 | 2024-02-02 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于锡-银合金电镀的包含配位剂的组合物 |
| SG11202009106XA (en) | 2018-04-20 | 2020-11-27 | Basf Se | Composition for tin or tin alloy electroplating comprising suppressing agent |
| CN110117801B (zh) * | 2019-06-21 | 2021-04-20 | 通元科技(惠州)有限公司 | 一种印制电路板盲孔填铜用镀铜添加剂及其制备方法 |
| US11335566B2 (en) * | 2019-07-19 | 2022-05-17 | Tokyo Electron Limited | Method for planarization of spin-on and CVD-deposited organic films |
| CN110284162B (zh) * | 2019-07-22 | 2020-06-30 | 广州三孚新材料科技股份有限公司 | 一种光伏汇流焊带无氰碱性镀铜液及其制备方法 |
| US20220333262A1 (en) | 2019-09-27 | 2022-10-20 | Basf Se | Composition for copper bump electrodeposition comprising a leveling agent |
| KR20220069012A (ko) | 2019-09-27 | 2022-05-26 | 바스프 에스이 | 레벨링제를 포함하는 구리 범프 전착용 조성물 |
| KR20220164496A (ko) | 2020-04-03 | 2022-12-13 | 바스프 에스이 | 폴리아미노아미드 유형 레벨링제를 포함하는 구리 범프 전착용 조성물 |
| EP3922662A1 (en) * | 2020-06-10 | 2021-12-15 | Basf Se | Polyalkanolamine |
| US20230265576A1 (en) | 2020-07-13 | 2023-08-24 | Basf Se | Composition For Copper Electroplating On A Cobalt Seed |
| US11384446B2 (en) * | 2020-08-28 | 2022-07-12 | Macdermid Enthone Inc. | Compositions and methods for the electrodeposition of nanotwinned copper |
| WO2022129368A1 (en) * | 2020-12-16 | 2022-06-23 | Basf Se | Alkoxylated polymeric n-(hydroxyalkyl)amine as wetting agents and as a component of defoamer compositions |
| US20250129503A1 (en) | 2021-10-01 | 2025-04-24 | Basf Se | Composition for copper electrodeposition comprising a polyaminoamide type leveling agent |
| CN119522299A (zh) | 2022-07-07 | 2025-02-25 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含聚氨基酰胺型化合物的组合物用于铜纳米孪晶电沉积的用途 |
| TW202432898A (zh) | 2022-12-19 | 2024-08-16 | 德商巴斯夫歐洲公司 | 用於電沉積奈米雙晶銅之組成物 |
| WO2025026863A1 (en) | 2023-08-03 | 2025-02-06 | Basf Se | Composition for copper electroplating on a metal seed |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2407895A (en) | 1944-10-05 | 1946-09-17 | Petrolite Corp | Processes for resolving oil-in-water emulsions |
| IT1046971B (it) * | 1975-03-11 | 1980-09-10 | Oxy Metal Industries Corp | Begno per l elettrodeposizione di rame e metodo per prepararlo |
| DE3103815A1 (de) | 1981-02-04 | 1982-09-09 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur nachbehandlung von gefaerbten, filzfrei ausgeruesteten fasermaterialien |
| US4505839A (en) | 1981-05-18 | 1985-03-19 | Petrolite Corporation | Polyalkanolamines |
| DE3416693A1 (de) | 1984-05-05 | 1985-11-07 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur behandlung von cellulosischen fasermaterialien |
| SU1258889A1 (ru) * | 1985-03-11 | 1986-09-23 | Ворошиловградский Сельскохозяйственный Институт | Щелочной электролит блест щего цинковани |
| DE4003243A1 (de) | 1990-02-03 | 1991-08-08 | Basf Ag | Verwendung von trialkanolaminpolyethern als demulgatoren von oel-in-wasser-emulsionen |
| US6024857A (en) | 1997-10-08 | 2000-02-15 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating additive for filling sub-micron features |
| DE19758121C2 (de) * | 1997-12-17 | 2000-04-06 | Atotech Deutschland Gmbh | Wäßriges Bad und Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden von Kupferschichten |
| JP2001073182A (ja) | 1999-07-15 | 2001-03-21 | Boc Group Inc:The | 改良された酸性銅電気メッキ用溶液 |
| US6610192B1 (en) | 2000-11-02 | 2003-08-26 | Shipley Company, L.L.C. | Copper electroplating |
| CN1280452C (zh) | 2001-05-09 | 2006-10-18 | 荏原优莱特科技股份有限公司 | 铜镀液、用其镀覆基板的方法以及基板处理单元 |
| JP3621370B2 (ja) * | 2001-11-07 | 2005-02-16 | 株式会社大和化成研究所 | めっき方法による二次電池用電極材料 |
| US7316772B2 (en) | 2002-03-05 | 2008-01-08 | Enthone Inc. | Defect reduction in electrodeposited copper for semiconductor applications |
| DE10243361A1 (de) | 2002-09-18 | 2004-04-01 | Basf Ag | Alkoxylatgemische und diese enthaltende Waschmittel |
| TW200401848A (en) | 2002-06-03 | 2004-02-01 | Shipley Co Llc | Leveler compounds |
| US20040094511A1 (en) * | 2002-11-20 | 2004-05-20 | International Business Machines Corporation | Method of forming planar Cu interconnects without chemical mechanical polishing |
| TW200613586A (en) | 2004-07-22 | 2006-05-01 | Rohm & Haas Elect Mat | Leveler compounds |
| JP2008088524A (ja) | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Ebara Udylite Kk | プリント基板用硫酸銅めっき液 |
| RU2334831C2 (ru) * | 2006-10-31 | 2008-09-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Калужский научно-исследовательский институт телемеханических устройств" | Электролит меднения |
| JP2008266722A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Ebara Udylite Kk | パルス銅めっき浴用添加剤およびこれを用いたパルス銅めっき浴 |
| ES2567256T3 (es) | 2007-11-09 | 2016-04-21 | Basf Se | Polialcanolaminas alcoxiladas |
-
2008
- 2008-12-19 EP EP20080172330 patent/EP2199315B1/en active Active
-
2009
- 2009-12-08 JP JP2011541319A patent/JP5788804B2/ja active Active
- 2009-12-08 SG SG2011040011A patent/SG171904A1/en unknown
- 2009-12-08 US US13/140,712 patent/US9011666B2/en active Active
- 2009-12-08 RU RU2011129439/04A patent/RU2547259C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-12-08 KR KR1020117014693A patent/KR101738701B1/ko active Active
- 2009-12-08 MY MYPI2011002579A patent/MY155370A/en unknown
- 2009-12-08 WO PCT/EP2009/066581 patent/WO2010069810A1/en active Application Filing
- 2009-12-08 CN CN200980151103.5A patent/CN102257035B/zh active Active
- 2009-12-18 TW TW98143733A patent/TWI467062B/zh active
-
2011
- 2011-05-31 IL IL213251A patent/IL213251A/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2547259C2 (ru) | 2015-04-10 |
| WO2010069810A1 (en) | 2010-06-24 |
| KR20110104505A (ko) | 2011-09-22 |
| CN102257035A (zh) | 2011-11-23 |
| KR101738701B1 (ko) | 2017-05-22 |
| MY155370A (en) | 2015-10-15 |
| TWI467062B (zh) | 2015-01-01 |
| SG171904A1 (en) | 2011-07-28 |
| JP5788804B2 (ja) | 2015-10-07 |
| IL213251A0 (en) | 2011-07-31 |
| EP2199315B1 (en) | 2013-12-11 |
| CN102257035B (zh) | 2014-05-21 |
| JP2012512957A (ja) | 2012-06-07 |
| EP2199315A1 (en) | 2010-06-23 |
| IL213251A (en) | 2015-10-29 |
| TW201033409A (en) | 2010-09-16 |
| US20110290659A1 (en) | 2011-12-01 |
| US9011666B2 (en) | 2015-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2011129439A (ru) | Композиция для электролитического металла, содержащая выравнивающий агент | |
| JP2012512957A5 (ru) | ||
| US20210317582A1 (en) | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling | |
| RU2542219C2 (ru) | Композиция для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности | |
| KR20120005023A (ko) | 무공극 서브미크론 특징부 충전을 위한 억제제를 포함하는 금속 도금용 조성물 | |
| KR101752018B1 (ko) | 무보이드 서브마이크론 피쳐 충전을 위한 억제제를 포함하는 도금용 조성물 | |
| US20070042201A1 (en) | Copper electrolytic solution containing quaternary amine compound with specific skeleton and organo-sulfur compound as additives, and electrolytic copper foil manufactured using the same | |
| WO2010115757A1 (en) | Composition for metal plating comprising suppressing agent for void free submicron feature filling | |
| KR20140068255A (ko) | 구리 또는 구리 합금용 에칭액 | |
| TW201226635A (en) | Tin plating solution | |
| US20230265576A1 (en) | Composition For Copper Electroplating On A Cobalt Seed | |
| CN113549962B (zh) | 一种填孔镀铜整平剂分子及其应用 | |
| CN110172716A (zh) | 整平剂、电镀液及其在电镀具有光致抗蚀剂限定特征器件中的应用 | |
| KR102319041B1 (ko) | 전기 동도금욕 | |
| KR102502524B1 (ko) | 황산동 도금액 및 이를 이용한 황산동 도금방법 | |
| Lee et al. | Two-step filling in Cu electroless deposition using a concentration-dependent effect of 3-N, N-dimethylaminodithiocarbamoyl-1-propanesulfonic acid | |
| KR20240108459A (ko) | 약액, 수식 기판의 제조 방법, 적층체의 제조 방법, 약액 수용체 | |
| RU2012144219A (ru) | Композиция для электроосаждения металла, содержащая выравнивающую добавку | |
| TW201825453A (zh) | 抗蝕基板前處理組成物及抗蝕基板之製造方法 | |
| TW200536963A (en) | Copper electroplating fluid containing carrier with protection of hydrophobic functional group and copper electroplating method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161209 |