RU2010109438A - Форма для гальванопластики и способ ее изготовления - Google Patents
Форма для гальванопластики и способ ее изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010109438A RU2010109438A RU2010109438/02A RU2010109438A RU2010109438A RU 2010109438 A RU2010109438 A RU 2010109438A RU 2010109438/02 A RU2010109438/02 A RU 2010109438/02A RU 2010109438 A RU2010109438 A RU 2010109438A RU 2010109438 A RU2010109438 A RU 2010109438A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- specified
- cavity
- layer
- lower layer
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- B81C99/0075—Manufacture of substrate-free structures
- B81C99/009—Manufacturing the stamps or the moulds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/03—Microengines and actuators
- B81B2201/035—Microgears
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Micromachines (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
1. Способ (3) изготовления формы (39, 39', 39''), включающий следующие этапы: ! a) обеспечение (10) подложки (9, 9'), которая имеет верхний слой (21, 21') и нижний слой (23, 23'), которые изготавливаются из электропроводящего материала на основе кремния и скрепляются друг с другом через электроизолирующий промежуточный слой (22, 22'); ! b) травление (11, 12, 14, 2, 4) в верхнем слое (21, 21') до промежуточного слоя (22, 22') по меньшей мере одного шаблона (26, 26', 27) с тем, чтобы образовать в указанной форме по меньшей мере одну полость (25, 25'); ! c) нанесение (6, 16) на верхнюю часть указанной подложки электроизолирующего покрытия (30, 30'); ! d) направленное травление (8, 18) указанного покрытия и указанного промежуточного слоя с тем, чтобы ограничить их наличие исключительно на вертикальных стенках (31, 31', 33), образующихся в указанном верхнем слое. ! 2. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что на этапе b) выполняется травление по второму шаблону (27) для получения по меньшей мере одной выемки (28), которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и обеспечивает наличие на указанном верхнем слое второго уровня. ! 3. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что после этапа d) устанавливается часть (27') для получения по меньшей мере одной выемки (28'), которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и обеспечивает наличие в указанной форме второго уровня. ! 4. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что он включает следующий завершающий этап: ! e) получение (8, 18) с помощью фотолитографии в указанной по меньшей мере одной полости стержня (29, 29') для образования в будущей изготавливаемой в указанной форме детали (41, 41') отверстия (42, 42'). ! 5. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что после пред
Claims (18)
1. Способ (3) изготовления формы (39, 39', 39''), включающий следующие этапы:
a) обеспечение (10) подложки (9, 9'), которая имеет верхний слой (21, 21') и нижний слой (23, 23'), которые изготавливаются из электропроводящего материала на основе кремния и скрепляются друг с другом через электроизолирующий промежуточный слой (22, 22');
b) травление (11, 12, 14, 2, 4) в верхнем слое (21, 21') до промежуточного слоя (22, 22') по меньшей мере одного шаблона (26, 26', 27) с тем, чтобы образовать в указанной форме по меньшей мере одну полость (25, 25');
c) нанесение (6, 16) на верхнюю часть указанной подложки электроизолирующего покрытия (30, 30');
d) направленное травление (8, 18) указанного покрытия и указанного промежуточного слоя с тем, чтобы ограничить их наличие исключительно на вертикальных стенках (31, 31', 33), образующихся в указанном верхнем слое.
2. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что на этапе b) выполняется травление по второму шаблону (27) для получения по меньшей мере одной выемки (28), которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и обеспечивает наличие на указанном верхнем слое второго уровня.
3. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что после этапа d) устанавливается часть (27') для получения по меньшей мере одной выемки (28'), которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и обеспечивает наличие в указанной форме второго уровня.
4. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что он включает следующий завершающий этап:
e) получение (8, 18) с помощью фотолитографии в указанной по меньшей мере одной полости стержня (29, 29') для образования в будущей изготавливаемой в указанной форме детали (41, 41') отверстия (42, 42').
5. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что после предыдущих этапов он включает следующие этапы:
a') осаждения электропроводящего материала на донной части указанной по меньшей мере одной полости;
b') травления (11, 12, 14, 2, 4) нижнего слоя (23, 23') по шаблону (26, 26', 27) так, чтобы осажденный проводящий материал (33) образовал в указанной форме по меньшей мере одну полость (35);
c') нанесения (6, 16) на пакет второго электроизолирующего покрытия (38).
6. Способ (3) по п.5, отличающийся тем, что после этапа c') он включает следующий этап:
d') направленного травления (8, 18) указанного второго покрытия для ограничения его наличия исключительно на вертикальных стенках (39), образующихся в указанном нижнем слое.
7. Способ (3) по п.6, отличающийся тем, что на этапе b') выполняется травление по второму шаблону для получения по меньшей мере одной выемки, которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и обеспечивает наличие на указанном нижнем слое второго уровня.
8. Способ (3) по п.6, отличающийся тем, что после этапа d') устанавливается часть для получения по меньшей мере одной выемки, которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и обеспечивает наличие в указанной форме второго уровня.
9. Способ (3) по п.5, отличающийся тем, что он включает следующий завершающий этап:
e') образование с помощью фотолитографии стержня (37) в указанной по меньшей мере одной полости нижнего слоя (23, 23') для получения отверстия (42'') в будущей изготавливаемой в указанной форме детали (41'').
10. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что из одной и той же подложки (9, 9', 9'') изготавливается несколько форм (39, 39', 39'').
11. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что проводящие слои (21, 21', 23, 23') образуются из легированного кристаллического кремния.
12. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что этап c) осуществляется посредством окисления верхней стороны указанной подложки.
13. Способ (3) по п.12, отличающийся тем, что электроизолирующее покрытие (30, 30′) образуется из диоксида кремния.
14. Способ (1) изготовления микромеханической детали (41, 41', 41'') с помощью гальванопластики, отличающийся тем, что он включает следующие этапы:
i) изготовление формы (39, 39', 39'') согласно способу (3) по любому из пп.1-13;
j) выполнение (5) электролитического осаждения присоединением электрода к проводящему слою (23, 23') на нижней поверхности подложки (9, 9', 9'') для получения указанной детали в указанной форме;
k) извлечения детали (41, 41', 41'') из указанной формы.
15. Форма (39, 39', 39'') для изготовления микромеханической детали (41, 41', 41'') с помощью гальванопластики, отличающаяся тем, что она включает подложку (9, 9', 9''), которая имеет верхний слой (21, 21') и нижний слой (23, 23'), которые изготавливаются из легированного кристаллического кремния, являются электропроводящими и прикрепленными друг к другу через электроизолирующий промежуточный слой (22, 22'), при этом верхний слой (21, 21') включает по меньшей мере одну полость (25, 25'), которая раскрывает часть нижнего слоя (23, 23') указанной подложки и включает электроизолирующие стенки (31, 31') из диоксида кремния, делая возможным прохождение электролитического осаждения в указанной по меньшей мере одной полости.
16. Форма (39, 39', 39'') по п.15, отличающаяся тем, что верхний слой (21, 21') также имеет по меньшей мере одну выемку (28, 28'), которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и имеет электроизолирующие стенки (32, 32') для продолжения электролитического осаждения в указанной по меньшей мере одной выемке после завершения заполнения указанной по меньшей мере одной полости.
17. Форма (39'') по п.15 или 16, отличающаяся тем, что нижний слой (23, 23') имеет по меньшей мере одну полость (35), который раскрывает часть электроизолирующего слоя (33) указанной подложки и имеет электроизолирующие стенки (40) из диоксида кремния, делая возможным прохождение электролитического осаждения в указанной по меньшей мере одной полости (23, 23') нижнего слоя.
18. Форма по п.17, отличающийся тем, что нижний слой (23, 23') также включает по меньшей мере одну выемку, которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью в нижнем слое (23, 23') и имеет электроизолирующие стенки для продолжения электролитического осаждения в указанной по меньшей мере одной выемке после завершения заполнения указанной по меньшей мере одной полости в нижнем слое (23, 23').
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP09155125.9 | 2009-03-13 | ||
| EP20090155125 EP2230207A1 (fr) | 2009-03-13 | 2009-03-13 | Moule pour galvanoplastie et son procédé de fabrication |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010109438A true RU2010109438A (ru) | 2011-09-20 |
| RU2526108C2 RU2526108C2 (ru) | 2014-08-20 |
Family
ID=41047360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010109438/02A RU2526108C2 (ru) | 2009-03-13 | 2010-03-12 | Форма для гальванопластики и способ ее изготовления |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8512539B2 (ru) |
| EP (2) | EP2230207A1 (ru) |
| JP (1) | JP5443220B2 (ru) |
| KR (1) | KR20100103434A (ru) |
| CN (1) | CN101831672B (ru) |
| RU (1) | RU2526108C2 (ru) |
| TW (1) | TWI598206B (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2682446C2 (ru) * | 2013-11-08 | 2019-03-19 | Ниварокс-Фар С.А. | Цельная полая микромеханическая деталь с несколькими функциональными уровнями, образованная из материала на основе аллотропа синтетического углерода |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2230206B1 (fr) * | 2009-03-13 | 2013-07-17 | Nivarox-FAR S.A. | Moule pour galvanoplastie et son procédé de fabrication |
| EP2263971A1 (fr) * | 2009-06-09 | 2010-12-22 | Nivarox-FAR S.A. | Pièce de micromécanique composite et son procédé de fabrication |
| JP5773624B2 (ja) | 2010-01-08 | 2015-09-02 | キヤノン株式会社 | 微細構造体の製造方法 |
| WO2012084047A1 (en) * | 2010-12-23 | 2012-06-28 | Replisaurus Group Sas | An ecpr master electrode and a method for providing such ecpr master electrode |
| CN102167282A (zh) * | 2011-04-07 | 2011-08-31 | 天津海鸥表业集团有限公司 | 一种硅与金属复合材料的微结构加工方法 |
| KR101351221B1 (ko) * | 2011-09-21 | 2014-01-14 | 한국전력공사 | 테이프 캐스팅을 이용한 지지체식 코팅막의 제조방법 |
| WO2013072955A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | 株式会社Ｌｅａｐ | 多段転写金型の製造方法、その多段転写金型、及びそれによる部品 |
| EP2767869A1 (fr) * | 2013-02-13 | 2014-08-20 | Nivarox-FAR S.A. | Procédé de fabrication d'une pièce de micromécanique monobloc comportant au moins deux niveaux distincts |
| CN105402363B (zh) * | 2014-09-09 | 2019-07-23 | 精工电子有限公司 | 机械部件、机芯、钟表以及机械部件的制造方法 |
| EP3109199B1 (fr) * | 2015-06-25 | 2022-05-11 | Nivarox-FAR S.A. | Piece a base de silicium avec au moins un chanfrein et son procede de fabrication |
| CN105729683B (zh) * | 2016-03-18 | 2017-12-01 | 宁波双林模具有限公司 | 一种注塑模具型腔精密仿真皮纹型面的制作方法 |
| EP3467151B1 (fr) * | 2017-10-06 | 2020-06-17 | Nivarox-FAR S.A. | Moule pour galvanoplastie et son procédé de fabrication |
| JP7317637B2 (ja) * | 2019-08-30 | 2023-07-31 | シチズンファインデバイス株式会社 | 電鋳金型製造方法 |
| EP3839624B1 (fr) * | 2019-12-18 | 2023-09-13 | Nivarox-FAR S.A. | Procede de fabrication d'un composant horloger |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4142001A1 (de) * | 1991-12-19 | 1993-06-24 | Microparts Gmbh | Verfahren zum herstellen gestufter formeinsaetze, gestufte formeinsaetze und damit abgeformte mikrostrukturkoerper |
| DE4001399C1 (en) * | 1990-01-19 | 1991-07-25 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe, De | Metallic microstructures - formed on substrates, by putting poly:methyl methacrylate] between moulding tool and silicon substrate |
| US5529681A (en) * | 1993-03-30 | 1996-06-25 | Microparts Gesellschaft Fur Mikrostrukturtechnik Mbh | Stepped mould inserts, high-precision stepped microstructure bodies, and methods of producing the same |
| US5944974A (en) * | 1995-07-01 | 1999-08-31 | Fahrenberg; Jens | Process for manufacturing mold inserts |
| US6214245B1 (en) * | 1999-03-02 | 2001-04-10 | Eastman Kodak Company | Forming-ink jet nozzle plate layer on a base |
| US7052117B2 (en) * | 2002-07-03 | 2006-05-30 | Dimatix, Inc. | Printhead having a thin pre-fired piezoelectric layer |
| JP3990307B2 (ja) * | 2003-03-24 | 2007-10-10 | 株式会社クラレ | 樹脂成形品の製造方法、金属構造体の製造方法、チップ |
| JP4550062B2 (ja) * | 2003-10-10 | 2010-09-22 | フジフィルム ディマティックス， インコーポレイテッド | 薄膜を有するプリントヘッド |
| RU2254403C1 (ru) * | 2004-02-02 | 2005-06-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство Российской Федерации по атомной энергии | Гальванопластический способ изготовления сложнорельефных деталей со щелевой структурой |
| JP4469194B2 (ja) | 2004-03-12 | 2010-05-26 | セイコーインスツル株式会社 | 電鋳用型、電鋳方法、及びその電鋳用型の製造方法 |
| JP4550569B2 (ja) * | 2004-12-20 | 2010-09-22 | セイコーインスツル株式会社 | 電鋳型とその製造方法 |
| JP4840756B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2011-12-21 | セイコーインスツル株式会社 | 電鋳型とその製造方法及び電鋳部品の製造方法 |
| JP4834426B2 (ja) * | 2006-03-06 | 2011-12-14 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
| US7448277B2 (en) * | 2006-08-31 | 2008-11-11 | Evigia Systems, Inc. | Capacitive pressure sensor and method therefor |
| JP5144127B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2013-02-13 | キヤノン株式会社 | ナノインプリント用のモールドの製造方法 |
| EP2060534A1 (fr) * | 2007-11-16 | 2009-05-20 | Nivarox-FAR S.A. | Pièce de micromécanique composite silicium - métal et son procédé de fabrication |
| US8197029B2 (en) * | 2008-12-30 | 2012-06-12 | Fujifilm Corporation | Forming nozzles |
| EP2230206B1 (fr) | 2009-03-13 | 2013-07-17 | Nivarox-FAR S.A. | Moule pour galvanoplastie et son procédé de fabrication |
-
2009
- 2009-03-13 EP EP20090155125 patent/EP2230207A1/fr not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-02-26 EP EP20100154909 patent/EP2230208B1/fr active Active
- 2010-03-05 TW TW099106471A patent/TWI598206B/zh active
- 2010-03-12 CN CN2010101339857A patent/CN101831672B/zh active Active
- 2010-03-12 US US12/723,191 patent/US8512539B2/en active Active
- 2010-03-12 RU RU2010109438/02A patent/RU2526108C2/ru active
- 2010-03-15 KR KR20100022724A patent/KR20100103434A/ko not_active Ceased
- 2010-03-15 JP JP2010057503A patent/JP5443220B2/ja active Active
-
2012
- 2012-10-03 US US13/644,215 patent/US9139925B2/en active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2682446C2 (ru) * | 2013-11-08 | 2019-03-19 | Ниварокс-Фар С.А. | Цельная полая микромеханическая деталь с несколькими функциональными уровнями, образованная из материала на основе аллотропа синтетического углерода |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| HK1148561A1 (en) | 2011-09-09 |
| CN101831672B (zh) | 2013-01-16 |
| KR20100103434A (ko) | 2010-09-27 |
| TWI598206B (zh) | 2017-09-11 |
| EP2230208B1 (fr) | 2014-01-08 |
| US20100236934A1 (en) | 2010-09-23 |
| JP2010216014A (ja) | 2010-09-30 |
| US20130213800A1 (en) | 2013-08-22 |
| US8512539B2 (en) | 2013-08-20 |
| TW201100224A (en) | 2011-01-01 |
| JP5443220B2 (ja) | 2014-03-19 |
| RU2526108C2 (ru) | 2014-08-20 |
| EP2230208A1 (fr) | 2010-09-22 |
| EP2230207A1 (fr) | 2010-09-22 |
| US9139925B2 (en) | 2015-09-22 |
| CN101831672A (zh) | 2010-09-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2010109438A (ru) | Форма для гальванопластики и способ ее изготовления | |
| RU2010124426A (ru) | Составной микромеханический компонент из кремния с металлом и способ изготовления компонента | |
| US8999217B2 (en) | Three dimensional decoration method | |
| RU2010123368A (ru) | Композиционный микромеханический компонент и способ его изготовления | |
| RU2007133922A (ru) | Микромеханический компонент и способ его изготовления | |
| EP1712514A3 (en) | Method for forming anti-stiction bumps on a micro-electro mechanical structure | |
| RU2010109439A (ru) | Форма для гальванопластики и способы ее изготовления | |
| JP2012096329A5 (ru) | ||
| TW200605243A (en) | Structure and formation method for conductive bump | |
| FR2922899B1 (fr) | Procede de fabrication d'une structure poreuse ordonnee a partir d'un substrat d'aluminium | |
| CN103474394A (zh) | 免金属cmp的tsv工艺方法 | |
| RU2010140960A (ru) | Зубчатая передача, выполненная из материала, допускающего возможность микрообработки, и способ ее изготовления | |
| CN103730382A (zh) | 一种铜铜键合凸点的制作方法 | |
| JP2014504032A5 (ru) | ||
| CN106328625B (zh) | 封装基板及其制作方法 | |
| CN103474393A (zh) | 免cmp的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法 | |
| US9748136B2 (en) | Method for forming an electrically conductive via in a substrate | |
| FR2974233B1 (fr) | Procédé de fabrication pour la microélectronique | |
| IN2015DN00439A (ru) | ||
| CN104270701B (zh) | 一种mems麦克风中的振膜结构及其制造方法 | |
| FR2965659B1 (fr) | Procédé de fabrication d'un circuit intégré | |
| US8641883B2 (en) | Polymer-based high surface area multi-layered three-dimensional structures and method of making same | |
| JP5073879B1 (ja) | 多段転写金型の製造方法、その多段転写金型、及びそれによる部品 | |
| TWI552285B (zh) | 半導體元件及其製造方法 | |
| KR20100078312A (ko) | 네거티브 포토레지스트를 이용한 에어브릿지 제조방법 |