[go: up one dir, main page]

RU2002115829A - Полевой транзистор - Google Patents

Полевой транзистор

Info

Publication number
RU2002115829A
RU2002115829A RU2002115829/28A RU2002115829A RU2002115829A RU 2002115829 A RU2002115829 A RU 2002115829A RU 2002115829/28 A RU2002115829/28 A RU 2002115829/28A RU 2002115829 A RU2002115829 A RU 2002115829A RU 2002115829 A RU2002115829 A RU 2002115829A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor
resistance
resistance region
electrodes
region
Prior art date
Application number
RU2002115829/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Саито ТАКЕШИ (JP)
Саито Такеши
Виктор Николаевич Мурашев (RU)
Виктор Николаевич Мурашев
Виктор Наумович Мордкович (RU)
Виктор Наумович Мордкович
Евгений Сергеевич Горнев (RU)
Евгений Сергеевич Горнев
Original Assignee
Саито ТАКЕШИ (JP)
Саито Такеши
Виктор Николаевич Мурашев (RU)
Виктор Николаевич Мурашев
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Саито ТАКЕШИ (JP), Саито Такеши, Виктор Николаевич Мурашев (RU), Виктор Николаевич Мурашев filed Critical Саито ТАКЕШИ (JP)
Priority to RU2002115829/28A priority Critical patent/RU2002115829A/ru
Priority to AU2003276565A priority patent/AU2003276565A1/en
Priority to PCT/RU2003/000260 priority patent/WO2003107433A1/ru
Publication of RU2002115829A publication Critical patent/RU2002115829A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H10D30/6737—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the electrode materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6704—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device
    • H10D30/6713—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device characterised by the properties of the source or drain regions, e.g. compositions or sectional shapes
    • H10D30/6715—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device characterised by the properties of the source or drain regions, e.g. compositions or sectional shapes characterised by the doping profiles, e.g. having lightly-doped source or drain extensions
    • H10D30/6717—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device characterised by the properties of the source or drain regions, e.g. compositions or sectional shapes characterised by the doping profiles, e.g. having lightly-doped source or drain extensions the source and the drain regions being asymmetrical
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6741—Group IV materials, e.g. germanium or silicon carbide
    • H10D30/6743—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/64—Electrodes comprising a Schottky barrier to a semiconductor
    • H10D64/647—Schottky drain or source electrodes for IGFETs

Landscapes

  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Claims (3)

1. Интегральный транзистор с полной диэлектрической изоляцией, имеющий первый электрод для подачи сигнала, управляющего током, протекающим между вторым и третьим электродом, и образующий структуру металл-окисел-полупроводник, средство, обеспечивающее протекание тока между вторым и третьим электродами, отличающийся тем, что средство, обеспечивающее протекание тока между вторым и третьим электродами включает электронно-дырочный переход, образованный полупроводниковой высокоомной и низкоомной областями и имеющий области пространственного заряда, примыкающие к его металлургической границе, а структура металл-окисел-полупроводник примыкает к полупроводниковой высокоомной части электронно-дырочного перехода для управления концентрацией основных носителей заряда в упомянутой высокоомной области.
2. Интегральный транзистор по п.1, отличающийся тем, что к упомянутой полупроводниковой высокоомной области примыкает дополнительная низкоомная полупроводниковая область того же типа проводимости.
3. Интегральный транзистор по пп.1 и 2, отличающийся тем, что упомянутая низкоомная область выполнена из силицида платины и образует диод Шотки с упомянутой высокоомной областью.
RU2002115829/28A 2002-06-17 2002-06-17 Полевой транзистор RU2002115829A (ru)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002115829/28A RU2002115829A (ru) 2002-06-17 2002-06-17 Полевой транзистор
AU2003276565A AU2003276565A1 (en) 2002-06-17 2003-06-11 Field-effect transistor
PCT/RU2003/000260 WO2003107433A1 (en) 2002-06-17 2003-06-11 Field-effect transistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002115829/28A RU2002115829A (ru) 2002-06-17 2002-06-17 Полевой транзистор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2002115829A true RU2002115829A (ru) 2004-03-10

Family

ID=29729035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002115829/28A RU2002115829A (ru) 2002-06-17 2002-06-17 Полевой транзистор

Country Status (3)

Country Link
AU (1) AU2003276565A1 (ru)
RU (1) RU2002115829A (ru)
WO (1) WO2003107433A1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7472576B1 (en) 2004-11-17 2009-01-06 State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of Portland State University Nanometrology device standards for scanning probe microscopes and processes for their fabrication and use
FR2989220A1 (fr) 2012-04-06 2013-10-11 St Microelectronics Crolles 2 Circuit integre comprenant un transistor mos ayant une reponse sigmoidale et procede de realisation correspondant
CN105932049B (zh) * 2016-05-23 2021-02-12 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 纳米二极管器件及其制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5153684A (en) * 1988-10-19 1992-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device with offset transistor
JPH02188967A (ja) * 1989-01-18 1990-07-25 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置
JP3039967B2 (ja) * 1990-08-03 2000-05-08 株式会社日立製作所 半導体装置
RU2130668C1 (ru) * 1994-09-30 1999-05-20 Акционерное общество закрытого типа "VL" Полевой транзистор типа металл - диэлектрик-полупроводник

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003107433A1 (en) 2003-12-24
AU2003276565A1 (en) 2003-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI381525B (zh) 雙向電晶體及其形成方法
JP5882407B2 (ja) 逆導通ｉｇｂｔおよびゲートドライバ回路を有する電子回路
CN100492660C (zh) 纵向化合物半导体型场效应晶体管结构
CN202205747U (zh) 半导体器件
US20100233862A1 (en) Integrated low leakage schottky diode
JPH0312783B2 (ru)
CN104347626B (zh) 包括控制电路的半导体器件
TWI412134B (zh) 功率側邊擴散金屬氧化物半導體電晶體
JPH0550866B2 (ru)
CN104347713A (zh) 具有集成栅极-电阻器的功率mos晶体管
KR100284746B1 (ko) 소스 영역 하부의 바디 저항이 감소된 전력용 디모스 트랜지스터
JPH04283968A (ja) 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
CN101488500B (zh) 半导体器件
WO2005081768A3 (en) Schottky-barrier tunneling transistor
RU2002115829A (ru) Полевой транзистор
CA1279409C (en) Composite semiconductor device
JPH05167070A (ja) 半導体装置
CN113054016A (zh) 一种碳化硅mosfet器件的元胞结构及功率半导体器件
JPH0465552B2 (ru)
KR100316723B1 (ko) 낮은 온 저항과 큰 견고함을 갖는 전력용 모스 트랜지스터
RU2513644C1 (ru) Полупроводниковый прибор с отрицательным сопротивлением (варианты)
CN207517703U (zh) 一种欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器
JPH04363068A (ja) 半導体装置
JP2629437B2 (ja) 横型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
JP2581233B2 (ja) 横型伝導度変調ｍｏｓｆｅｔ

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20050618