RU2002114852A - Способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине при глубинном анизотропном травлении - Google Patents

Claims (1)

1. Способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине (100), которую подвергают анизотропному травлению в водном растворе КОН, включающий формирование масочного рисунка с элементами защиты углов, примыкающими к основной части топологической маски вблизи точки пересечения сторон защищаемого чипа на пластине и продолжающимися за пределы основной части маски, травление масочного рисунка на пластине в анизотропном травителе, при этом для защиты выпуклого угла чипа формируют хотя бы один Т-образный маскирующий элемент защиты угла, содержащий продольную и поперечную части, у которого ширина поперечной части меньше высоты продольной части, отличающийся тем, что Т-образные маскирующие элементы защиты углов формируют на основе металлизированной структуры V-Cu'-Cu'', а каждый из Т-образных симметрично расположенных элементов выполняют из двух полосок - продольной вдоль направления [110] и поперечной, расположенной в поперечном направлении под прямым углом к продольной полоске, а в оптимальном режиме травления (при температуре кипения) размеры Т-образных элементов выполняют в соотношениях как 5,1<В/Ш<9,1 для интервалов отношений конструктивных параметров формируемой микромеханической структуры 0,44<b/a<0,73 и 30,6<h/a 10³<36,6, при этом травление проводят до тех пор, пока Т-образные элементы не отравятся до границы исходной топологической области жесткого центра преобразователя, что соответствует моменту самосовмещения топологических слоев преобразователя и выхода на заданную глубину травления, а в основании объемной фигуры жесткого центра сформирован при этом правильный многоугольник.