Claims (1)
Способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине (100), которую подвергают анизотропному травлению в водном растворе КОН, включающий формирование масочного рисунка с элементами защиты углов, примыкающими к основной части топологической маски вблизи точки пересечения сторон защищаемого чипа на пластине и продолжающимися за пределы основной части маски, травление масочного рисунка на пластине в анизотропном травителе, при этом для защиты выпуклого угла чипа формируют хотя бы один Т-образный маскирующий элемент защиты угла, содержащий продольную и поперечную части, у которого ширина поперечной части меньше высоты продольной части, отличающийся тем, что Т-образные маскирующие элементы защиты углов формируют на основе металлизированной структуры V-Cu'-Cu'', а каждый из Т-образных симметрично расположенных элементов выполняют из двух полосок - продольной вдоль направления [110] и поперечной, расположенной в поперечном направлении под прямым углом к продольной полоске, а в оптимальном режиме травления (при температуре кипения) размеры Т-образных элементов выполняют в соотношениях как 5,1<В/Ш<9,1 для интервалов отношений конструктивных параметров формируемой микромеханической структуры 0,44<b/a<0,73 и 30,6<h/a 103<36,6, при этом травление проводят до тех пор, пока Т-образные элементы не отравятся до границы исходной топологической области жесткого центра преобразователя, что соответствует моменту самосовмещения топологических слоев преобразователя и выхода на заданную глубину травления, а в основании объемной фигуры жесткого центра сформирован при этом правильный многоугольник.A method for protecting the angles of three-dimensional micromechanical structures on a silicon wafer (100), which is subjected to anisotropic etching in an aqueous KOH solution, including the formation of a mask pattern with corner protection elements adjacent to the main part of the topological mask near the point of intersection of the sides of the protected chip on the wafer and extending beyond the main parts of the mask, etching the mask pattern on the plate in the anisotropic etchant, at least one T-shaped masking element is formed to protect the convex angle of the chip an angle protection element containing a longitudinal and transverse part, in which the width of the transverse part is less than the height of the longitudinal part, characterized in that the T-shaped masking elements of the corner protection are formed on the basis of the metallized structure V-Cu'-Cu '', and each of T- symmetrically arranged elements are made of two strips - longitudinal along the [110] direction and transverse, located in the transverse direction at right angles to the longitudinal strip, and in the optimal etching mode (at boiling point) the dimensions of T-shaped elements are performed in ratios of 5.1 <H / W <9.1 for intervals of relations of structural parameters of the formed micromechanical structure of 0.44 <b / a <0.73 and 30.6 <h / a 10 3 <36.6, the etching is carried out until the T-shaped elements are poisoned to the boundary of the initial topological region of the hard center of the transducer, which corresponds to the moment of self-alignment of the topological layers of the transducer and reaching the specified etching depth, and a regular polygon is formed at the base of the volume figure of the hard center .