[go: up one dir, main page]

RU175486U1 - Корпус полупроводникового прибора - Google Patents

Корпус полупроводникового прибора Download PDF

Info

Publication number
RU175486U1
RU175486U1 RU2017133537U RU2017133537U RU175486U1 RU 175486 U1 RU175486 U1 RU 175486U1 RU 2017133537 U RU2017133537 U RU 2017133537U RU 2017133537 U RU2017133537 U RU 2017133537U RU 175486 U1 RU175486 U1 RU 175486U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor
crystal
semiconductor device
base
semiconductor crystal
Prior art date
Application number
RU2017133537U
Other languages
English (en)
Inventor
Евгений Викторович Абашин
Николай Александрович Брюхно
Владимир Иванович Громов
Маргарита Юрьевна Котова
Original Assignee
Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" filed Critical Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Priority to RU2017133537U priority Critical patent/RU175486U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU175486U1 publication Critical patent/RU175486U1/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/06Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Предлагаемая полезная модель относится к конструкциям изделий микроэлектроники, а именно к полупроводниковым приборам и интегральным микросхемам, кристаллы которых заключены в корпуса, применяемые для монтажа полупроводникового кристалла. Техническим результатом настоящей полезной модели является повышение прочности корпуса полупроводникового прибора. Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известного устройства, в предлагаемом корпусе полупроводникового прибора, содержащем пластиковое основание с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл и крышку, герметично присоединенную к основанию, образующую полость над полупроводниковым кристаллом, крышка выполнена из керамики. 3 ил.

Description

Предлагаемая полезная модель относится к конструкциям изделий микроэлектроники, а именно к полупроводниковым приборам и интегральным микросхемам, кристаллы которых заключены в корпуса, применяемые для монтажа полупроводникового кристалла.
Известны корпуса полупроводникового прибора, содержащие неорганическое основание, выполненное из непроводящего материала с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл, полость для монтажа полупроводникового кристалла и крышку, герметично присоединенную к основанию со стороны полости для монтажа полупроводникового кристалла (см., например, Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: справочник. - М.: Радио и связь, 1991: ил, стр. 475).
При использовании такого корпуса после монтажа кристалла на основание и присоединения его к выводам устанавливают крышку, в результате чего образуется полый замкнутый объем. В качестве неорганического основания используют стекло, керамику, металл с изоляторами, через которые проходят металлические вывода. Крышки, в зависимости от требований к полупроводниковому прибору, выполняются из материала основания - стекла (если требуется подвод к кристаллу оптического сигнала) и металла (если необходимо дополнительное экранирование кристалла от воздействия внешних электромагнитных полей).
Преимуществом данного корпуса является удобство проверки герметичности такого корпуса, например, на наличие течей с помощью гелиевого течеискателя. Основными недостатками являются сложность изготовления и дороговизна корпуса.
Известны корпуса полупроводникового прибора, содержащие рамку с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл, с гибкими выводами, которая полностью запрессована в полимерный органический материал (см., например, Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. Учеб. Пособие для специальностей «Полупроводники и диэлектрики» и «Производство полупроводниковых приборов», М., «Высш. школа», 1974. стр. 296).
Преимуществами данного корпуса является малая трудоемкость, групповой характер технологии и возможность автоматизации процесса производства. Недостатками полимерных пластмассовых корпусов является их негерметичность, так как при изготовлении и работе такого полупроводникового прибора в местах соприкосновения металлических выводов и полимерного органического материала формируются щели к кристаллу полупроводникового прибора, через которые проникает влага, в результате чего наблюдается коррозия металлических дорожек и отказы кристалла. Кроме того, прочность таких корпусов невелика и при применении их в ответственной аппаратуре, например, в системах жизнеобеспечения, военной технике, на транспорте, где в аварийных ситуациях на полупроводниковый прибор воздействуют большие механические нагрузки, может произойти разрушение корпуса (см., например, https://www.drive2.ru/b/2615302).
Раскалывание корпуса происходит в местах расположения концентраторов механических напряжений, например, в местах выхода металлического вывода из пластикового основания. Концентраторы напряжений уменьшают прочность до 20 раз. Обычно при прессовании корпуса для повышения прочности в пластик вводят волокнистые добавки, такие как стекловолокно. Однако, при прессовании корпуса с волокнистыми добавками из-за наличия закладной детали (металлических выводов), попадание волокнистого материала пластикового корпуса в промежутки между выводами затруднено и в этих местах образуются щели, которые являются причиной негерметичности корпуса. Вторым способом исключения раскалывания корпуса является его наклейка на прочное металлическое изолированное основание, но в этом случае затрудняется объемный монтаж аппаратуры.
Перечисленные недостатки частично устранены в корпусе, наиболее близком к предлагаемому корпусу полупроводникового прибора, содержащем пластиковое основание с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл и крышку, герметично присоединенную к основанию, образующую полость над полупроводниковым кристаллом (см. например, 1998 GaAs Mantech Jong-Tae Kim, Ki-Sung Ham «Air-cavity Plastic Packages and new sealing methods using a liquid ероху», 127). При этом крышка, расположенная со стороны посадки кристалла, выполнена из пластика.
Наличие полости в корпусе полупроводникового прибора позволяет проверять его герметичность как после изготовления, так и после испытаний на долговечность.
Недостатками таких корпусов, как и предыдущего аналога, является невысокая прочность.
Техническим результатом настоящей полезной модели является повышение прочности корпуса полупроводникового прибора.
Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известного устройства, в предлагаемом корпусе полупроводникового прибора, содержащем пластиковое основание с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл и крышку, герметично присоединенную к основанию, образующую полость над полупроводниковым кристаллом, крышка выполнена из керамики.
Так как прочность керамики выше прочности применяемых плоских пластиковых крышек и она не содержит концентраторов механических напряжения, то крышка начинает играть роль плоского прочного основания для монтажа и при объемном монтаже нет необходимости наклеивать прибор.
Суть предлагаемой полезной модели поясняется фигурами 1, 2 и 3. На фиг. 1 приведен разрез предлагаемого корпуса полупроводникового прибора с полостью в основании. На фиг. 2 показан вид сверху предлагаемого корпуса полупроводникового прибора. На фиг. 3 приведен разрез предлагаемого корпуса полупроводникового прибора с полостью, образованной крышкой.
Позициями на фиг. 1, 2, 3 обозначены:
1 - пластиковое основание;
2 - металлические вывода;
3 - посадочное место;
4 - полупроводниковый кристалл;
5 - проволочное соединение (кристалл-корпус);
6 - керамическая крышка;
7 - клей.
Устройство и процесс изготовления предлагаемого корпуса полупроводникового прибора описан ниже.
Корпус полупроводникового прибора, содержит пластиковое основание 1 с металлическими выводами 2 и посадочным местом 3 под полупроводниковый кристалл 4 и керамическую крышку 6, герметично присоединенную клеем 7 к основанию со стороны расположения полупроводникового кристалла.
Пластиковое основание 1 с металлическими выводами 2 и посадочным местом 3 изготавливается методом заливки под давлением закладной латунной детали, содержащей металлические вывода 2 и посадочное место для кристалла 3, термореактивным пластиком. При сборке полупродникового прибора кристалл 4 монтируют, напаивают припоем ПОС-61 на посадочное место 3, после чего ультразвуком разваривают гибкие вывода 2 из алюминиевой проволоки. Далее герметизируют крышкой 6 из корундовой керамики типа ВК94-1, присоединяя ее клеем 7 в контролируемой среде осушенного воздуха или азота. Далее проводят проверку герметичности на малые течи в гелиевом течеискателе, проверку герметичности на большие течи в среде элгаза электрических параметров и грубые течи.
Прочность изготовленных корпусов типа SO-8 с размерами: длина 9,4 мм, ширина 6,2 мм, и толщина 4,4 мм, определялась методом трехточечного изгиба. Нагрузка прикладывалась снизу двумя призмами по длине корпуса на расстоянии 3,7 мм от центра и одной призмой сверху по центру корпуса. Результаты испытаний приведены в таблице 1.
Figure 00000001
Таким образом, применение керамической крышки увеличивает прочность корпуса.

Claims (1)

  1. Корпус полупроводникового прибора, содержащий пластиковое основание с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл и крышку, герметично присоединенную к основанию, образующую полость над полупроводниковым кристаллом, отличающийся тем, что крышка выполнена из керамики.
RU2017133537U 2017-09-26 2017-09-26 Корпус полупроводникового прибора RU175486U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017133537U RU175486U1 (ru) 2017-09-26 2017-09-26 Корпус полупроводникового прибора

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017133537U RU175486U1 (ru) 2017-09-26 2017-09-26 Корпус полупроводникового прибора

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU175486U1 true RU175486U1 (ru) 2017-12-06

Family

ID=60582054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017133537U RU175486U1 (ru) 2017-09-26 2017-09-26 Корпус полупроводникового прибора

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU175486U1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU185748U1 (ru) * 2018-09-18 2018-12-17 Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" Многовыводная рамка интегральной микросхемы
RU186738U1 (ru) * 2018-06-28 2019-01-31 Акционерное общество "Завод полупроводниковых приборов" Корпус для полупроводниковых приборов или интегральных микросхем
RU2680868C1 (ru) * 2018-05-04 2019-02-28 Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") Герметичный сборочный модуль для монтажа микрорадиоэлектронной аппаратуры, выполненный групповым методом с последующей резкой на модули

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002009180A1 (en) * 2000-07-25 2002-01-31 Ssi Inc Plastic package base, air cavity type package and their manufacturing methods
RU2273915C1 (ru) * 2004-08-17 2006-04-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") Корпус для мощного транзистора
RU86048U1 (ru) * 2008-04-23 2009-08-20 Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") Корпус полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа
RU86046U1 (ru) * 2008-04-23 2009-08-20 Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") Корпус полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа
RU2489769C1 (ru) * 2011-12-28 2013-08-10 ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод" Герметичный корпус для полупроводникового прибора или интегральной схемы свч-диапазона

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002009180A1 (en) * 2000-07-25 2002-01-31 Ssi Inc Plastic package base, air cavity type package and their manufacturing methods
RU2273915C1 (ru) * 2004-08-17 2006-04-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") Корпус для мощного транзистора
RU86048U1 (ru) * 2008-04-23 2009-08-20 Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") Корпус полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа
RU86046U1 (ru) * 2008-04-23 2009-08-20 Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") Корпус полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа
RU2489769C1 (ru) * 2011-12-28 2013-08-10 ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод" Герметичный корпус для полупроводникового прибора или интегральной схемы свч-диапазона

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Jong-Tae Kim et al. Air-cavity Plastic Packages and New Sealing Methods using a Liquid Epoxy. 1998 GaAs MANTECH, p.127-131. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2680868C1 (ru) * 2018-05-04 2019-02-28 Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") Герметичный сборочный модуль для монтажа микрорадиоэлектронной аппаратуры, выполненный групповым методом с последующей резкой на модули
RU186738U1 (ru) * 2018-06-28 2019-01-31 Акционерное общество "Завод полупроводниковых приборов" Корпус для полупроводниковых приборов или интегральных микросхем
RU185748U1 (ru) * 2018-09-18 2018-12-17 Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" Многовыводная рамка интегральной микросхемы

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU175486U1 (ru) Корпус полупроводникового прибора
US5595939A (en) Liquid-sealed semiconductor pressure sensor and manufacturing method thereof
US7213463B2 (en) Pressure sensor having liquid in a pressure sensing chamber
US20160027552A1 (en) Water-stop structure for electrical wire, and method for manufacturing same
EP1312907A1 (en) Pressure detecting apparatus
CN110567632A (zh) 芯体复合式硅压阻压力传感器
US7260992B2 (en) Pressure sensor, flowmeter electronic component, and method for manufacturing the same
US9952137B2 (en) Corrosion sensor having double-encapsulated wire connections and manufacturing method for it
CN110265281A (zh) 一种基于微通道板结构的光电倍增管的防水封装
KR102403432B1 (ko) 열식 질량 유량 센서, 당해 열식 질량 유량 센서의 제조 방법, 및 당해 열식 질량 유량 센서를 사용하는 열식 질량 유량계
CN108303209B (zh) 用于压力传感器的o形环内密封件
US3924086A (en) Pressure responsive magnetic switch
US10589986B2 (en) Packaging a sealed cavity in an electronic device
AU2013366127B2 (en) Improved pressure sensor comprising a hermetic casing
RU177141U1 (ru) Устройство для герметичного ввода токопроводящих элементов
JP2015533700A (ja) タイヤパッチにおける圧電素子のための1アップ1ダウン接続構造体
US10935448B2 (en) Pressure detection device with improved external noise measurement reduction
US6955089B2 (en) Pressure sensor
CN218240363U (zh) 一种湿漏电检测用组件和系统
CN110034266A (zh) 电气部件的制造方法以及电气部件
US10530139B2 (en) Housing with a sealing body, a sealing body for the housing and a method for producing the sealing body
CN110573852B (zh) 压力传感器以及压力传感器的制造方法
KR101457075B1 (ko) 방수성능 검사장치
Tho et al. Partial discharges and light emission from ceramic substrates embedded in liquids and gels
JP2022546066A (ja) センサ