RU175486U1 - Корпус полупроводникового прибора - Google Patents
Корпус полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU175486U1 RU175486U1 RU2017133537U RU2017133537U RU175486U1 RU 175486 U1 RU175486 U1 RU 175486U1 RU 2017133537 U RU2017133537 U RU 2017133537U RU 2017133537 U RU2017133537 U RU 2017133537U RU 175486 U1 RU175486 U1 RU 175486U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor
- crystal
- semiconductor device
- base
- semiconductor crystal
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Предлагаемая полезная модель относится к конструкциям изделий микроэлектроники, а именно к полупроводниковым приборам и интегральным микросхемам, кристаллы которых заключены в корпуса, применяемые для монтажа полупроводникового кристалла. Техническим результатом настоящей полезной модели является повышение прочности корпуса полупроводникового прибора. Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известного устройства, в предлагаемом корпусе полупроводникового прибора, содержащем пластиковое основание с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл и крышку, герметично присоединенную к основанию, образующую полость над полупроводниковым кристаллом, крышка выполнена из керамики. 3 ил.
Description
Предлагаемая полезная модель относится к конструкциям изделий микроэлектроники, а именно к полупроводниковым приборам и интегральным микросхемам, кристаллы которых заключены в корпуса, применяемые для монтажа полупроводникового кристалла.
Известны корпуса полупроводникового прибора, содержащие неорганическое основание, выполненное из непроводящего материала с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл, полость для монтажа полупроводникового кристалла и крышку, герметично присоединенную к основанию со стороны полости для монтажа полупроводникового кристалла (см., например, Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: справочник. - М.: Радио и связь, 1991: ил, стр. 475).
При использовании такого корпуса после монтажа кристалла на основание и присоединения его к выводам устанавливают крышку, в результате чего образуется полый замкнутый объем. В качестве неорганического основания используют стекло, керамику, металл с изоляторами, через которые проходят металлические вывода. Крышки, в зависимости от требований к полупроводниковому прибору, выполняются из материала основания - стекла (если требуется подвод к кристаллу оптического сигнала) и металла (если необходимо дополнительное экранирование кристалла от воздействия внешних электромагнитных полей).
Преимуществом данного корпуса является удобство проверки герметичности такого корпуса, например, на наличие течей с помощью гелиевого течеискателя. Основными недостатками являются сложность изготовления и дороговизна корпуса.
Известны корпуса полупроводникового прибора, содержащие рамку с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл, с гибкими выводами, которая полностью запрессована в полимерный органический материал (см., например, Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. Учеб. Пособие для специальностей «Полупроводники и диэлектрики» и «Производство полупроводниковых приборов», М., «Высш. школа», 1974. стр. 296).
Преимуществами данного корпуса является малая трудоемкость, групповой характер технологии и возможность автоматизации процесса производства. Недостатками полимерных пластмассовых корпусов является их негерметичность, так как при изготовлении и работе такого полупроводникового прибора в местах соприкосновения металлических выводов и полимерного органического материала формируются щели к кристаллу полупроводникового прибора, через которые проникает влага, в результате чего наблюдается коррозия металлических дорожек и отказы кристалла. Кроме того, прочность таких корпусов невелика и при применении их в ответственной аппаратуре, например, в системах жизнеобеспечения, военной технике, на транспорте, где в аварийных ситуациях на полупроводниковый прибор воздействуют большие механические нагрузки, может произойти разрушение корпуса (см., например, https://www.drive2.ru/b/2615302).
Раскалывание корпуса происходит в местах расположения концентраторов механических напряжений, например, в местах выхода металлического вывода из пластикового основания. Концентраторы напряжений уменьшают прочность до 20 раз. Обычно при прессовании корпуса для повышения прочности в пластик вводят волокнистые добавки, такие как стекловолокно. Однако, при прессовании корпуса с волокнистыми добавками из-за наличия закладной детали (металлических выводов), попадание волокнистого материала пластикового корпуса в промежутки между выводами затруднено и в этих местах образуются щели, которые являются причиной негерметичности корпуса. Вторым способом исключения раскалывания корпуса является его наклейка на прочное металлическое изолированное основание, но в этом случае затрудняется объемный монтаж аппаратуры.
Перечисленные недостатки частично устранены в корпусе, наиболее близком к предлагаемому корпусу полупроводникового прибора, содержащем пластиковое основание с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл и крышку, герметично присоединенную к основанию, образующую полость над полупроводниковым кристаллом (см. например, 1998 GaAs Mantech Jong-Tae Kim, Ki-Sung Ham «Air-cavity Plastic Packages and new sealing methods using a liquid ероху», 127). При этом крышка, расположенная со стороны посадки кристалла, выполнена из пластика.
Наличие полости в корпусе полупроводникового прибора позволяет проверять его герметичность как после изготовления, так и после испытаний на долговечность.
Недостатками таких корпусов, как и предыдущего аналога, является невысокая прочность.
Техническим результатом настоящей полезной модели является повышение прочности корпуса полупроводникового прибора.
Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известного устройства, в предлагаемом корпусе полупроводникового прибора, содержащем пластиковое основание с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл и крышку, герметично присоединенную к основанию, образующую полость над полупроводниковым кристаллом, крышка выполнена из керамики.
Так как прочность керамики выше прочности применяемых плоских пластиковых крышек и она не содержит концентраторов механических напряжения, то крышка начинает играть роль плоского прочного основания для монтажа и при объемном монтаже нет необходимости наклеивать прибор.
Суть предлагаемой полезной модели поясняется фигурами 1, 2 и 3. На фиг. 1 приведен разрез предлагаемого корпуса полупроводникового прибора с полостью в основании. На фиг. 2 показан вид сверху предлагаемого корпуса полупроводникового прибора. На фиг. 3 приведен разрез предлагаемого корпуса полупроводникового прибора с полостью, образованной крышкой.
Позициями на фиг. 1, 2, 3 обозначены:
1 - пластиковое основание;
2 - металлические вывода;
3 - посадочное место;
4 - полупроводниковый кристалл;
5 - проволочное соединение (кристалл-корпус);
6 - керамическая крышка;
7 - клей.
Устройство и процесс изготовления предлагаемого корпуса полупроводникового прибора описан ниже.
Корпус полупроводникового прибора, содержит пластиковое основание 1 с металлическими выводами 2 и посадочным местом 3 под полупроводниковый кристалл 4 и керамическую крышку 6, герметично присоединенную клеем 7 к основанию со стороны расположения полупроводникового кристалла.
Пластиковое основание 1 с металлическими выводами 2 и посадочным местом 3 изготавливается методом заливки под давлением закладной латунной детали, содержащей металлические вывода 2 и посадочное место для кристалла 3, термореактивным пластиком. При сборке полупродникового прибора кристалл 4 монтируют, напаивают припоем ПОС-61 на посадочное место 3, после чего ультразвуком разваривают гибкие вывода 2 из алюминиевой проволоки. Далее герметизируют крышкой 6 из корундовой керамики типа ВК94-1, присоединяя ее клеем 7 в контролируемой среде осушенного воздуха или азота. Далее проводят проверку герметичности на малые течи в гелиевом течеискателе, проверку герметичности на большие течи в среде элгаза электрических параметров и грубые течи.
Прочность изготовленных корпусов типа SO-8 с размерами: длина 9,4 мм, ширина 6,2 мм, и толщина 4,4 мм, определялась методом трехточечного изгиба. Нагрузка прикладывалась снизу двумя призмами по длине корпуса на расстоянии 3,7 мм от центра и одной призмой сверху по центру корпуса. Результаты испытаний приведены в таблице 1.
Claims (1)
- Корпус полупроводникового прибора, содержащий пластиковое основание с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл и крышку, герметично присоединенную к основанию, образующую полость над полупроводниковым кристаллом, отличающийся тем, что крышка выполнена из керамики.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017133537U RU175486U1 (ru) | 2017-09-26 | 2017-09-26 | Корпус полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017133537U RU175486U1 (ru) | 2017-09-26 | 2017-09-26 | Корпус полупроводникового прибора |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU175486U1 true RU175486U1 (ru) | 2017-12-06 |
Family
ID=60582054
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017133537U RU175486U1 (ru) | 2017-09-26 | 2017-09-26 | Корпус полупроводникового прибора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU175486U1 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU185748U1 (ru) * | 2018-09-18 | 2018-12-17 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Многовыводная рамка интегральной микросхемы |
RU186738U1 (ru) * | 2018-06-28 | 2019-01-31 | Акционерное общество "Завод полупроводниковых приборов" | Корпус для полупроводниковых приборов или интегральных микросхем |
RU2680868C1 (ru) * | 2018-05-04 | 2019-02-28 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Герметичный сборочный модуль для монтажа микрорадиоэлектронной аппаратуры, выполненный групповым методом с последующей резкой на модули |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002009180A1 (en) * | 2000-07-25 | 2002-01-31 | Ssi Inc | Plastic package base, air cavity type package and their manufacturing methods |
RU2273915C1 (ru) * | 2004-08-17 | 2006-04-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Корпус для мощного транзистора |
RU86048U1 (ru) * | 2008-04-23 | 2009-08-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") | Корпус полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа |
RU86046U1 (ru) * | 2008-04-23 | 2009-08-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") | Корпус полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа |
RU2489769C1 (ru) * | 2011-12-28 | 2013-08-10 | ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод" | Герметичный корпус для полупроводникового прибора или интегральной схемы свч-диапазона |
-
2017
- 2017-09-26 RU RU2017133537U patent/RU175486U1/ru active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002009180A1 (en) * | 2000-07-25 | 2002-01-31 | Ssi Inc | Plastic package base, air cavity type package and their manufacturing methods |
RU2273915C1 (ru) * | 2004-08-17 | 2006-04-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Корпус для мощного транзистора |
RU86048U1 (ru) * | 2008-04-23 | 2009-08-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") | Корпус полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа |
RU86046U1 (ru) * | 2008-04-23 | 2009-08-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") | Корпус полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа |
RU2489769C1 (ru) * | 2011-12-28 | 2013-08-10 | ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод" | Герметичный корпус для полупроводникового прибора или интегральной схемы свч-диапазона |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Jong-Tae Kim et al. Air-cavity Plastic Packages and New Sealing Methods using a Liquid Epoxy. 1998 GaAs MANTECH, p.127-131. * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2680868C1 (ru) * | 2018-05-04 | 2019-02-28 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Герметичный сборочный модуль для монтажа микрорадиоэлектронной аппаратуры, выполненный групповым методом с последующей резкой на модули |
RU186738U1 (ru) * | 2018-06-28 | 2019-01-31 | Акционерное общество "Завод полупроводниковых приборов" | Корпус для полупроводниковых приборов или интегральных микросхем |
RU185748U1 (ru) * | 2018-09-18 | 2018-12-17 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Многовыводная рамка интегральной микросхемы |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU175486U1 (ru) | Корпус полупроводникового прибора | |
US5595939A (en) | Liquid-sealed semiconductor pressure sensor and manufacturing method thereof | |
US7213463B2 (en) | Pressure sensor having liquid in a pressure sensing chamber | |
US20160027552A1 (en) | Water-stop structure for electrical wire, and method for manufacturing same | |
EP1312907A1 (en) | Pressure detecting apparatus | |
CN110567632A (zh) | 芯体复合式硅压阻压力传感器 | |
US7260992B2 (en) | Pressure sensor, flowmeter electronic component, and method for manufacturing the same | |
US9952137B2 (en) | Corrosion sensor having double-encapsulated wire connections and manufacturing method for it | |
CN110265281A (zh) | 一种基于微通道板结构的光电倍增管的防水封装 | |
KR102403432B1 (ko) | 열식 질량 유량 센서, 당해 열식 질량 유량 센서의 제조 방법, 및 당해 열식 질량 유량 센서를 사용하는 열식 질량 유량계 | |
CN108303209B (zh) | 用于压力传感器的o形环内密封件 | |
US3924086A (en) | Pressure responsive magnetic switch | |
US10589986B2 (en) | Packaging a sealed cavity in an electronic device | |
AU2013366127B2 (en) | Improved pressure sensor comprising a hermetic casing | |
RU177141U1 (ru) | Устройство для герметичного ввода токопроводящих элементов | |
JP2015533700A (ja) | タイヤパッチにおける圧電素子のための1アップ1ダウン接続構造体 | |
US10935448B2 (en) | Pressure detection device with improved external noise measurement reduction | |
US6955089B2 (en) | Pressure sensor | |
CN218240363U (zh) | 一种湿漏电检测用组件和系统 | |
CN110034266A (zh) | 电气部件的制造方法以及电气部件 | |
US10530139B2 (en) | Housing with a sealing body, a sealing body for the housing and a method for producing the sealing body | |
CN110573852B (zh) | 压力传感器以及压力传感器的制造方法 | |
KR101457075B1 (ko) | 방수성능 검사장치 | |
Tho et al. | Partial discharges and light emission from ceramic substrates embedded in liquids and gels | |
JP2022546066A (ja) | センサ |