[go: up one dir, main page]

RU175486U1 - SEMICONDUCTOR CASE - Google Patents

SEMICONDUCTOR CASE Download PDF

Info

Publication number
RU175486U1
RU175486U1 RU2017133537U RU2017133537U RU175486U1 RU 175486 U1 RU175486 U1 RU 175486U1 RU 2017133537 U RU2017133537 U RU 2017133537U RU 2017133537 U RU2017133537 U RU 2017133537U RU 175486 U1 RU175486 U1 RU 175486U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor
crystal
semiconductor device
base
semiconductor crystal
Prior art date
Application number
RU2017133537U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Евгений Викторович Абашин
Николай Александрович Брюхно
Владимир Иванович Громов
Маргарита Юрьевна Котова
Original Assignee
Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" filed Critical Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Priority to RU2017133537U priority Critical patent/RU175486U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU175486U1 publication Critical patent/RU175486U1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/06Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Предлагаемая полезная модель относится к конструкциям изделий микроэлектроники, а именно к полупроводниковым приборам и интегральным микросхемам, кристаллы которых заключены в корпуса, применяемые для монтажа полупроводникового кристалла. Техническим результатом настоящей полезной модели является повышение прочности корпуса полупроводникового прибора. Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известного устройства, в предлагаемом корпусе полупроводникового прибора, содержащем пластиковое основание с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл и крышку, герметично присоединенную к основанию, образующую полость над полупроводниковым кристаллом, крышка выполнена из керамики. 3 ил.The proposed utility model relates to the designs of microelectronic products, namely to semiconductor devices and integrated circuits, the crystals of which are enclosed in cases used for mounting a semiconductor crystal. The technical result of this utility model is to increase the strength of the body of a semiconductor device. The specified technical result is achieved in that, in contrast to the known device, in the proposed case of a semiconductor device containing a plastic base with metal terminals and a seat for a semiconductor crystal and a cover sealed to the base, forming a cavity above the semiconductor crystal, the cover is made of ceramic. 3 ill.

Description

Предлагаемая полезная модель относится к конструкциям изделий микроэлектроники, а именно к полупроводниковым приборам и интегральным микросхемам, кристаллы которых заключены в корпуса, применяемые для монтажа полупроводникового кристалла.The proposed utility model relates to the designs of microelectronic products, namely to semiconductor devices and integrated circuits, the crystals of which are enclosed in cases used for mounting a semiconductor crystal.

Известны корпуса полупроводникового прибора, содержащие неорганическое основание, выполненное из непроводящего материала с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл, полость для монтажа полупроводникового кристалла и крышку, герметично присоединенную к основанию со стороны полости для монтажа полупроводникового кристалла (см., например, Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: справочник. - М.: Радио и связь, 1991: ил, стр. 475).Known cases of a semiconductor device containing an inorganic base made of non-conductive material with metal leads and a seat for a semiconductor crystal, a cavity for mounting a semiconductor crystal and a lid sealed to the base from the cavity side for mounting a semiconductor crystal (see, for example, Gotra Z .U. Technology of microelectronic devices: a guide. - M .: Radio and communications, 1991: silt, p. 475).

При использовании такого корпуса после монтажа кристалла на основание и присоединения его к выводам устанавливают крышку, в результате чего образуется полый замкнутый объем. В качестве неорганического основания используют стекло, керамику, металл с изоляторами, через которые проходят металлические вывода. Крышки, в зависимости от требований к полупроводниковому прибору, выполняются из материала основания - стекла (если требуется подвод к кристаллу оптического сигнала) и металла (если необходимо дополнительное экранирование кристалла от воздействия внешних электромагнитных полей).When using such a case, after mounting the crystal on the base and attaching it to the terminals, a lid is installed, as a result of which a hollow enclosed volume is formed. As an inorganic base, glass, ceramics, metal with insulators through which metal leads pass are used. Covers, depending on the requirements for the semiconductor device, are made of the base material - glass (if an optical signal is required to connect to the crystal) and metal (if additional shielding of the crystal from external electromagnetic fields is necessary).

Преимуществом данного корпуса является удобство проверки герметичности такого корпуса, например, на наличие течей с помощью гелиевого течеискателя. Основными недостатками являются сложность изготовления и дороговизна корпуса.The advantage of this housing is the convenience of checking the tightness of such a housing, for example, for leaks using a helium leak detector. The main disadvantages are the complexity of manufacturing and the high cost of the case.

Известны корпуса полупроводникового прибора, содержащие рамку с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл, с гибкими выводами, которая полностью запрессована в полимерный органический материал (см., например, Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. Учеб. Пособие для специальностей «Полупроводники и диэлектрики» и «Производство полупроводниковых приборов», М., «Высш. школа», 1974. стр. 296).Known cases of a semiconductor device containing a frame with metal leads and a seat for a semiconductor crystal, with flexible leads, which are fully pressed into the polymer organic material (see, for example, Kurnosov A.I., Yudin V.V. Production technology of semiconductor devices. Textbook: Handbook for the specialties "Semiconductors and Dielectrics" and "Production of Semiconductor Devices", Moscow, "Higher School", 1974. p. 296).

Преимуществами данного корпуса является малая трудоемкость, групповой характер технологии и возможность автоматизации процесса производства. Недостатками полимерных пластмассовых корпусов является их негерметичность, так как при изготовлении и работе такого полупроводникового прибора в местах соприкосновения металлических выводов и полимерного органического материала формируются щели к кристаллу полупроводникового прибора, через которые проникает влага, в результате чего наблюдается коррозия металлических дорожек и отказы кристалла. Кроме того, прочность таких корпусов невелика и при применении их в ответственной аппаратуре, например, в системах жизнеобеспечения, военной технике, на транспорте, где в аварийных ситуациях на полупроводниковый прибор воздействуют большие механические нагрузки, может произойти разрушение корпуса (см., например, https://www.drive2.ru/b/2615302).The advantages of this building are its low complexity, the group nature of the technology and the ability to automate the production process. The disadvantages of polymer plastic cases are their leakage, since during the manufacture and operation of such a semiconductor device, gaps to the crystal of the semiconductor device through which moisture penetrates are formed at the points of contact between the metal terminals and the polymer organic material, as a result of which corrosion of metal tracks and crystal failures are observed. In addition, the strength of such cases is small and when used in critical equipment, for example, in life support systems, military equipment, and transport, where in emergency situations the semiconductor device is subjected to high mechanical stresses, the case can be destroyed (see, for example, https : //www.drive2.ru/b/2615302).

Раскалывание корпуса происходит в местах расположения концентраторов механических напряжений, например, в местах выхода металлического вывода из пластикового основания. Концентраторы напряжений уменьшают прочность до 20 раз. Обычно при прессовании корпуса для повышения прочности в пластик вводят волокнистые добавки, такие как стекловолокно. Однако, при прессовании корпуса с волокнистыми добавками из-за наличия закладной детали (металлических выводов), попадание волокнистого материала пластикового корпуса в промежутки между выводами затруднено и в этих местах образуются щели, которые являются причиной негерметичности корпуса. Вторым способом исключения раскалывания корпуса является его наклейка на прочное металлическое изолированное основание, но в этом случае затрудняется объемный монтаж аппаратуры.The cracking of the housing occurs at the locations of the concentrators of mechanical stresses, for example, at the places where the metal outlet exits from the plastic base. Voltage concentrators reduce strength by up to 20 times. Typically, when pressing the body to increase strength, fiber additives such as fiberglass are introduced into the plastic. However, when pressing a case with fibrous additives due to the presence of a embedded part (metal leads), it is difficult to get the fibrous material of the plastic case into the spaces between the leads and gaps are formed in these places, which cause leakage of the case. The second way to prevent cracking of the case is its sticker on a solid metal insulated base, but in this case the volumetric installation of the equipment is difficult.

Перечисленные недостатки частично устранены в корпусе, наиболее близком к предлагаемому корпусу полупроводникового прибора, содержащем пластиковое основание с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл и крышку, герметично присоединенную к основанию, образующую полость над полупроводниковым кристаллом (см. например, 1998 GaAs Mantech Jong-Tae Kim, Ki-Sung Ham «Air-cavity Plastic Packages and new sealing methods using a liquid ероху», 127). При этом крышка, расположенная со стороны посадки кристалла, выполнена из пластика.These shortcomings were partially eliminated in the case closest to the proposed case of a semiconductor device containing a plastic base with metal leads and a seat for a semiconductor crystal and a cover hermetically attached to the base, forming a cavity above the semiconductor crystal (see, for example, 1998 GaAs Mantech Jong- Tae Kim, Ki-Sung Ham, “Air-cavity Plastic Packages and new sealing methods using a liquid ruff,” 127). In this case, the lid located on the side of the crystal landing is made of plastic.

Наличие полости в корпусе полупроводникового прибора позволяет проверять его герметичность как после изготовления, так и после испытаний на долговечность.The presence of a cavity in the body of a semiconductor device allows you to check its tightness both after manufacturing and after testing for durability.

Недостатками таких корпусов, как и предыдущего аналога, является невысокая прочность.The disadvantages of such cases, as well as the previous analogue, are low strength.

Техническим результатом настоящей полезной модели является повышение прочности корпуса полупроводникового прибора.The technical result of this utility model is to increase the strength of the body of a semiconductor device.

Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известного устройства, в предлагаемом корпусе полупроводникового прибора, содержащем пластиковое основание с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл и крышку, герметично присоединенную к основанию, образующую полость над полупроводниковым кристаллом, крышка выполнена из керамики.The specified technical result is achieved in that, in contrast to the known device, in the proposed case of a semiconductor device containing a plastic base with metal terminals and a seat for a semiconductor crystal and a cover sealed to the base, forming a cavity above the semiconductor crystal, the cover is made of ceramic.

Так как прочность керамики выше прочности применяемых плоских пластиковых крышек и она не содержит концентраторов механических напряжения, то крышка начинает играть роль плоского прочного основания для монтажа и при объемном монтаже нет необходимости наклеивать прибор.Since the strength of ceramics is higher than the strength of the used flat plastic covers and it does not contain mechanical stress concentrators, the cover begins to play the role of a flat strong base for installation and there is no need to stick the device during volumetric installation.

Суть предлагаемой полезной модели поясняется фигурами 1, 2 и 3. На фиг. 1 приведен разрез предлагаемого корпуса полупроводникового прибора с полостью в основании. На фиг. 2 показан вид сверху предлагаемого корпуса полупроводникового прибора. На фиг. 3 приведен разрез предлагаемого корпуса полупроводникового прибора с полостью, образованной крышкой.The essence of the proposed utility model is illustrated by figures 1, 2 and 3. In FIG. 1 shows a section of the proposed housing of a semiconductor device with a cavity in the base. In FIG. 2 shows a top view of the proposed housing of a semiconductor device. In FIG. 3 shows a section of the proposed housing of a semiconductor device with a cavity formed by the lid.

Позициями на фиг. 1, 2, 3 обозначены:With reference to FIG. 1, 2, 3 are indicated:

1 - пластиковое основание;1 - plastic base;

2 - металлические вывода;2 - metal output;

3 - посадочное место;3 - seat;

4 - полупроводниковый кристалл;4 - semiconductor crystal;

5 - проволочное соединение (кристалл-корпус);5 - wire connection (crystal-case);

6 - керамическая крышка;6 - ceramic cover;

7 - клей.7 - glue.

Устройство и процесс изготовления предлагаемого корпуса полупроводникового прибора описан ниже.The device and manufacturing process of the proposed housing of the semiconductor device is described below.

Корпус полупроводникового прибора, содержит пластиковое основание 1 с металлическими выводами 2 и посадочным местом 3 под полупроводниковый кристалл 4 и керамическую крышку 6, герметично присоединенную клеем 7 к основанию со стороны расположения полупроводникового кристалла.The housing of the semiconductor device, contains a plastic base 1 with metal terminals 2 and a seat 3 for a semiconductor crystal 4 and a ceramic cover 6, hermetically connected by glue 7 to the base from the location of the semiconductor crystal.

Пластиковое основание 1 с металлическими выводами 2 и посадочным местом 3 изготавливается методом заливки под давлением закладной латунной детали, содержащей металлические вывода 2 и посадочное место для кристалла 3, термореактивным пластиком. При сборке полупродникового прибора кристалл 4 монтируют, напаивают припоем ПОС-61 на посадочное место 3, после чего ультразвуком разваривают гибкие вывода 2 из алюминиевой проволоки. Далее герметизируют крышкой 6 из корундовой керамики типа ВК94-1, присоединяя ее клеем 7 в контролируемой среде осушенного воздуха или азота. Далее проводят проверку герметичности на малые течи в гелиевом течеискателе, проверку герметичности на большие течи в среде элгаза электрических параметров и грубые течи.A plastic base 1 with metal leads 2 and a seat 3 is made by injection molding a brass part containing metal leads 2 and a seat for crystal 3 with thermosetting plastic. When assembling the semiconductor device, the crystal 4 is mounted, soldered with POS-61 solder to the seat 3, and then the flexible leads 2 from the aluminum wire are welded with ultrasound. Then seal with a lid 6 of corundum ceramics type VK94-1, attaching it with glue 7 in a controlled environment of dried air or nitrogen. Next, a leak test is carried out for small leaks in a helium leak detector, a leak test for large leaks in an elgas medium of electrical parameters and gross leaks.

Прочность изготовленных корпусов типа SO-8 с размерами: длина 9,4 мм, ширина 6,2 мм, и толщина 4,4 мм, определялась методом трехточечного изгиба. Нагрузка прикладывалась снизу двумя призмами по длине корпуса на расстоянии 3,7 мм от центра и одной призмой сверху по центру корпуса. Результаты испытаний приведены в таблице 1.The strength of the manufactured SO-8 type casings with dimensions: length 9.4 mm, width 6.2 mm, and thickness 4.4 mm was determined by three-point bending. The load was applied from below by two prisms along the length of the body at a distance of 3.7 mm from the center and one prism from above in the center of the body. The test results are shown in table 1.

Figure 00000001
Таким образом, применение керамической крышки увеличивает прочность корпуса.
Figure 00000001
Thus, the use of a ceramic cover increases the strength of the housing.

Claims (1)

Корпус полупроводникового прибора, содержащий пластиковое основание с металлическими выводами и посадочным местом под полупроводниковый кристалл и крышку, герметично присоединенную к основанию, образующую полость над полупроводниковым кристаллом, отличающийся тем, что крышка выполнена из керамики.The case of a semiconductor device containing a plastic base with metal terminals and a seat for a semiconductor crystal and a cover sealed to the base, forming a cavity above the semiconductor crystal, characterized in that the cover is made of ceramic.
RU2017133537U 2017-09-26 2017-09-26 SEMICONDUCTOR CASE RU175486U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017133537U RU175486U1 (en) 2017-09-26 2017-09-26 SEMICONDUCTOR CASE

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017133537U RU175486U1 (en) 2017-09-26 2017-09-26 SEMICONDUCTOR CASE

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU175486U1 true RU175486U1 (en) 2017-12-06

Family

ID=60582054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017133537U RU175486U1 (en) 2017-09-26 2017-09-26 SEMICONDUCTOR CASE

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU175486U1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU185748U1 (en) * 2018-09-18 2018-12-17 Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" MULTI-OUTPUT FRAME OF AN INTEGRAL IC
RU186738U1 (en) * 2018-06-28 2019-01-31 Акционерное общество "Завод полупроводниковых приборов" Case for semiconductor devices or integrated circuits
RU2680868C1 (en) * 2018-05-04 2019-02-28 Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") Hermetic assembly module for installation of micro-radio electronic equipment made by the group method with the subsequent cutting into modules

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002009180A1 (en) * 2000-07-25 2002-01-31 Ssi Inc Plastic package base, air cavity type package and their manufacturing methods
RU2273915C1 (en) * 2004-08-17 2006-04-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") Package for power transistor
RU86048U1 (en) * 2008-04-23 2009-08-20 Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") SEMICONDUCTOR HOUSING FOR SURFACE MOUNTING
RU86046U1 (en) * 2008-04-23 2009-08-20 Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") SEMICONDUCTOR HOUSING FOR SURFACE MOUNTING
RU2489769C1 (en) * 2011-12-28 2013-08-10 ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод" Hermetically sealed housing for semiconductor device or microwave integrated circuit

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002009180A1 (en) * 2000-07-25 2002-01-31 Ssi Inc Plastic package base, air cavity type package and their manufacturing methods
RU2273915C1 (en) * 2004-08-17 2006-04-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") Package for power transistor
RU86048U1 (en) * 2008-04-23 2009-08-20 Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") SEMICONDUCTOR HOUSING FOR SURFACE MOUNTING
RU86046U1 (en) * 2008-04-23 2009-08-20 Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") SEMICONDUCTOR HOUSING FOR SURFACE MOUNTING
RU2489769C1 (en) * 2011-12-28 2013-08-10 ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод" Hermetically sealed housing for semiconductor device or microwave integrated circuit

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Jong-Tae Kim et al. Air-cavity Plastic Packages and New Sealing Methods using a Liquid Epoxy. 1998 GaAs MANTECH, p.127-131. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2680868C1 (en) * 2018-05-04 2019-02-28 Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") Hermetic assembly module for installation of micro-radio electronic equipment made by the group method with the subsequent cutting into modules
RU186738U1 (en) * 2018-06-28 2019-01-31 Акционерное общество "Завод полупроводниковых приборов" Case for semiconductor devices or integrated circuits
RU185748U1 (en) * 2018-09-18 2018-12-17 Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" MULTI-OUTPUT FRAME OF AN INTEGRAL IC

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU175486U1 (en) SEMICONDUCTOR CASE
US5595939A (en) Liquid-sealed semiconductor pressure sensor and manufacturing method thereof
US7213463B2 (en) Pressure sensor having liquid in a pressure sensing chamber
US20160027552A1 (en) Water-stop structure for electrical wire, and method for manufacturing same
EP1312907A1 (en) Pressure detecting apparatus
CN110567632A (en) Core composite silicon piezoresistive pressure sensor
US7260992B2 (en) Pressure sensor, flowmeter electronic component, and method for manufacturing the same
US9952137B2 (en) Corrosion sensor having double-encapsulated wire connections and manufacturing method for it
CN110265281A (en) A kind of waterproof enclosure of the photomultiplier tube based on microchannel plate structure
KR102403432B1 (en) A thermal mass flow sensor, a method for manufacturing the thermal mass flow sensor, and a thermal mass flow meter using the thermal mass flow sensor
CN108303209B (en) O-ring inner seal for pressure sensor
US3924086A (en) Pressure responsive magnetic switch
US10589986B2 (en) Packaging a sealed cavity in an electronic device
AU2013366127B2 (en) Improved pressure sensor comprising a hermetic casing
RU177141U1 (en) Device for the tight entry of conductive elements
JP2015533700A (en) 1-up 1-down connection structure for piezoelectric elements in tire patches
US10935448B2 (en) Pressure detection device with improved external noise measurement reduction
US6955089B2 (en) Pressure sensor
CN218240363U (en) Wet subassembly and system for electric leakage detection
CN110034266A (en) The manufacturing method and electric component of electric component
US10530139B2 (en) Housing with a sealing body, a sealing body for the housing and a method for producing the sealing body
CN110573852B (en) Pressure sensor and manufacturing method of pressure sensor
KR101457075B1 (en) A inspection equipment for waterproof performance
Tho et al. Partial discharges and light emission from ceramic substrates embedded in liquids and gels
JP2022546066A (en) sensor