[go: up one dir, main page]

NL8802282A - Werkwijze voor de vervaardiging van een bicmos halfgeleiderinrichting. - Google Patents

Werkwijze voor de vervaardiging van een bicmos halfgeleiderinrichting.

Info

Publication number
NL8802282A
NL8802282A NL8802282A NL8802282A NL8802282A NL 8802282 A NL8802282 A NL 8802282A NL 8802282 A NL8802282 A NL 8802282A NL 8802282 A NL8802282 A NL 8802282A NL 8802282 A NL8802282 A NL 8802282A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
semiconductor device
bicmos semiconductor
bicmos
semiconductor
Prior art date
Application number
NL8802282A
Other languages
English (en)
Other versions
NL191222B (nl
NL191222C (nl
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of NL8802282A publication Critical patent/NL8802282A/nl
Publication of NL191222B publication Critical patent/NL191222B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL191222C publication Critical patent/NL191222C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/40—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00 with at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of IGFETs with BJTs
    • H10D84/401—Combinations of FETs or IGBTs with BJTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/0107—Integrating at least one component covered by H10D12/00 or H10D30/00 with at least one component covered by H10D8/00, H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integrating IGFETs with BJTs
    • H10D84/0109—Integrating at least one component covered by H10D12/00 or H10D30/00 with at least one component covered by H10D8/00, H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integrating IGFETs with BJTs the at least one component covered by H10D12/00 or H10D30/00 being a MOS device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/02—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies
    • H10D84/03—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology
    • H10D84/038—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology using silicon technology, e.g. SiGe
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/009—Bi-MOS
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/124—Polycrystalline emitter
NL8802282A 1987-09-15 1988-09-15 Werkwijze voor het vervaardigen van een BiCMOS-schakeling. NL191222C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR8710225A KR900001062B1 (ko) 1987-09-15 1987-09-15 반도체 바이 씨 모오스 장치의 제조방법

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL8802282A true NL8802282A (nl) 1989-04-03
NL191222B NL191222B (nl) 1994-10-17
NL191222C NL191222C (nl) 1995-03-16

Family

ID=19264494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8802282A NL191222C (nl) 1987-09-15 1988-09-15 Werkwijze voor het vervaardigen van een BiCMOS-schakeling.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4970174A (nl)
JP (1) JPH0628294B2 (nl)
KR (1) KR900001062B1 (nl)
DE (1) DE3831264C2 (nl)
FR (1) FR2620570B1 (nl)
GB (1) GB2209873B (nl)
HK (1) HK18493A (nl)
NL (1) NL191222C (nl)
SG (1) SG58392G (nl)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4918026A (en) * 1989-03-17 1990-04-17 Delco Electronics Corporation Process for forming vertical bipolar transistors and high voltage CMOS in a single integrated circuit chip
JP2611461B2 (ja) * 1989-12-20 1997-05-21 日本電気株式会社 半導体集積回路の製造方法
GB2245418A (en) * 1990-06-20 1992-01-02 Koninkl Philips Electronics Nv A semiconductor device and a method of manufacturing such a device
US5429959A (en) * 1990-11-23 1995-07-04 Texas Instruments Incorporated Process for simultaneously fabricating a bipolar transistor and a field-effect transistor
DE19523536A1 (de) * 1994-07-12 1996-01-18 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von MOS-Transistoren und Bipolartransistoren auf einer Halbleiterscheibe
JP3409618B2 (ja) * 1996-12-26 2003-05-26 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
KR100258203B1 (ko) 1997-12-29 2000-06-01 김영환 아날로그 반도체 소자의 제조방법
JP3244072B2 (ja) 1998-09-09 2002-01-07 豊田工機株式会社 研削加工における冷却方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0179693A1 (fr) * 1984-09-28 1986-04-30 Thomson-Csf Structure de circuit intégré comportant des transistors CMOS à tenue en tension élevée, et son procédé de fabrication
GB2186117A (en) * 1986-01-30 1987-08-05 Sgs Microelettronica Spa Monolithically integrated semiconductor device containing bipolar junction transistors, and mos transistors and a method for its fabrication
US4734382A (en) * 1987-02-20 1988-03-29 Fairchild Semiconductor Corporation BiCMOS process having narrow bipolar emitter and implanted aluminum isolation

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4225877A (en) * 1978-09-05 1980-09-30 Sprague Electric Company Integrated circuit with C-Mos logic, and a bipolar driver with polysilicon resistors
US4299024A (en) * 1980-02-25 1981-11-10 Harris Corporation Fabrication of complementary bipolar transistors and CMOS devices with poly gates
US4346512A (en) * 1980-05-05 1982-08-31 Raytheon Company Integrated circuit manufacturing method
JPS5775453A (en) * 1980-10-29 1982-05-12 Fujitsu Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
DE3205022A1 (de) * 1981-02-14 1982-09-16 Mitsubishi Denki K.K., Tokyo Verfahren zum herstellen einer integrierten halbleiterschaltung
EP0080523B1 (de) * 1981-11-28 1986-10-01 Deutsche ITT Industries GmbH Verfahren zum Herstellen einer monolithisch integrierten Schaltung mit mindestens einem Paar von komplementären Feldeffekttransistoren und mindestens einem Bipolartransistor
JPS58225663A (ja) * 1982-06-23 1983-12-27 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPH0783252B2 (ja) * 1982-07-12 1995-09-06 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置
IT1157318B (it) * 1982-09-06 1987-02-11 Instrumentation Lab Spa Diluitore volumetrico, particolarmente adatto all'impiego su apparecchiature per analisi chimico-cliniche
JPS59177960A (ja) * 1983-03-28 1984-10-08 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
GB2143082B (en) * 1983-07-06 1987-06-17 Standard Telephones Cables Ltd Bipolar lateral transistor
JPS6080267A (ja) * 1983-10-07 1985-05-08 Toshiba Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JPS60113455A (ja) * 1983-11-24 1985-06-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US4697202A (en) * 1984-02-02 1987-09-29 Sri International Integrated circuit having dislocation free substrate
JPS60217657A (ja) * 1984-04-12 1985-10-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置の製造方法
GB2164790A (en) * 1984-09-19 1986-03-26 Philips Electronic Associated Merged bipolar and field effect transistors
GB8507624D0 (en) * 1985-03-23 1985-05-01 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor devices
US4604790A (en) * 1985-04-01 1986-08-12 Advanced Micro Devices, Inc. Method of fabricating integrated circuit structure having CMOS and bipolar devices
FR2581248B1 (fr) * 1985-04-26 1987-05-29 Efcis Procede de fabrication de transistors a effet de champ et transistors bipolaires lateraux sur un meme substrat
EP0204979B1 (de) * 1985-06-03 1989-03-29 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von bipolaren und komplementären MOS-Transistoren auf einem gemeinsamen Siliziumsubstrat
JPS61287159A (ja) * 1985-06-13 1986-12-17 Oki Electric Ind Co Ltd Ｂｉ−ＣＭＯＳ半導体ＩＣ装置の製造方法
US4808548A (en) * 1985-09-18 1989-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method of making bipolar and MOS devices on same integrated circuit substrate
US4707456A (en) * 1985-09-18 1987-11-17 Advanced Micro Devices, Inc. Method of making a planar structure containing MOS and bipolar transistors
US4783483A (en) * 1985-10-03 1988-11-08 Ortho Pharmaceutical Corporation Epoxides useful as antiallergic agents
US4737472A (en) * 1985-12-17 1988-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Process for the simultaneous production of self-aligned bipolar transistors and complementary MOS transistors on a common silicon substrate
US4752589A (en) * 1985-12-17 1988-06-21 Siemens Aktiengesellschaft Process for the production of bipolar transistors and complementary MOS transistors on a common silicon substrate
US4735911A (en) * 1985-12-17 1988-04-05 Siemens Aktiengesellschaft Process for the simultaneous production of bipolar and complementary MOS transistors on a common silicon substrate
JPS62165354A (ja) * 1986-01-16 1987-07-21 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
GB2188479B (en) * 1986-03-26 1990-05-23 Stc Plc Semiconductor devices
US4808547A (en) * 1986-07-07 1989-02-28 Harris Corporation Method of fabrication of high voltage IC bopolar transistors operable to BVCBO
US4727046A (en) * 1986-07-16 1988-02-23 Fairchild Semiconductor Corporation Method of fabricating high performance BiCMOS structures having poly emitters and silicided bases
JPS63198367A (ja) * 1987-02-13 1988-08-17 Toshiba Corp 半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0179693A1 (fr) * 1984-09-28 1986-04-30 Thomson-Csf Structure de circuit intégré comportant des transistors CMOS à tenue en tension élevée, et son procédé de fabrication
GB2186117A (en) * 1986-01-30 1987-08-05 Sgs Microelettronica Spa Monolithically integrated semiconductor device containing bipolar junction transistors, and mos transistors and a method for its fabrication
US4734382A (en) * 1987-02-20 1988-03-29 Fairchild Semiconductor Corporation BiCMOS process having narrow bipolar emitter and implanted aluminum isolation

Also Published As

Publication number Publication date
GB2209873B (en) 1990-12-12
NL191222B (nl) 1994-10-17
FR2620570B1 (fr) 1991-02-01
KR890005817A (ko) 1989-05-17
HK18493A (en) 1993-03-12
SG58392G (en) 1992-07-24
FR2620570A1 (fr) 1989-03-17
GB2209873A (en) 1989-05-24
GB8821640D0 (en) 1988-10-12
JPH0628294B2 (ja) 1994-04-13
KR900001062B1 (ko) 1990-02-26
DE3831264A1 (de) 1989-03-30
JPH01164061A (ja) 1989-06-28
NL191222C (nl) 1995-03-16
US4970174A (en) 1990-11-13
DE3831264C2 (de) 1994-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL187373C (nl) Werkwijze voor vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL187328C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL188511C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een nokkenas.
NL194832B (nl) Werkwijze voor het vormen van een dunne-halfgeleiderfilm.
NL181611C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een bedradingssysteem, alsmede een halfgeleiderinrichting voorzien van een dergelijk bedradingssysteem.
NL189633C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een monolithische, geintegreerde micro-elektronische halfgeleiderketen.
NL184755C (nl) Werkwijze voor de vorming van kontakten voor de verbindingsdelen van een halfgeleiderinrichting.
NL188550C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidersubstraat.
NL186352C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL186716C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een trillingsisolator.
NL192061B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een gevormd voortbrengsel.
NL191587C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geïntegreerde-keten-inrichting.
NL193393B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL186662C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL188432C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een mosfet.
NL188774C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een samengestelde halfgeleiderinrichting.
NL190388C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting.
NL190680B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting met een ohms contact.
NL194600B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een sigaret en een daarmee verkregen sigaret.
NL189634C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidersubstraat.
NL192232B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een magnetoresistief element.
NL8802282A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een bicmos halfgeleiderinrichting.
NL188923C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL186208B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een snelle halfgeleider-gelijkrichter.
DE3886286D1 (de) Verbindungsverfahren für Halbleiteranordnung.

Legal Events

Date Code Title Description
A1A A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent

Effective date: 20080915