NL8401408A - DEVICE FOR PROJECTING DIODES, SILICONE OR GERMANIUM SEMICONDUCTOR PLATES AND THE LIKE. - Google Patents
DEVICE FOR PROJECTING DIODES, SILICONE OR GERMANIUM SEMICONDUCTOR PLATES AND THE LIKE. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8401408A NL8401408A NL8401408A NL8401408A NL8401408A NL 8401408 A NL8401408 A NL 8401408A NL 8401408 A NL8401408 A NL 8401408A NL 8401408 A NL8401408 A NL 8401408A NL 8401408 A NL8401408 A NL 8401408A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- vessel
- elements
- transport device
- chamber
- fired
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 title description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 24
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000003670 easy-to-clean Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
- C30B31/103—Mechanisms for moving either the charge or heater
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any of groups F27B1/00 - F27B15/00
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
- F27B17/0025—Chamber type furnaces specially adapted for treating semiconductor wafers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Tunnel Furnaces (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Description
*» Λ - 1 - ** »Λ - 1 - *
Inrichting voor het uitstoken van diodes, halfgeleiderplaatjes van silicium of germanium en dergelijke.Device for firing diodes, semiconductor wafers of silicon or germanium and the like.
De uitvinding heeft betrekking op een inrichting 5 voor het uitstoken van diodes, halfgeleiderplaatjes van silicium of germanium en dergelijke om een geregelde diffusie te leveren of het doteren van de plaatjes.The invention relates to a device 5 for firing diodes, semiconductor platelets of silicon or germanium and the like to provide controlled diffusion or doping of the platelets.
De Amerikaanse octrooischriften 3.183.130 en 3.951.587 beschrijven ieder een inrichting voor het uitstoken 10 van halfgeleiderplaatjes die eerst opgesloten zijn binnen een kamer die aangebracht is over een stapel van de plaatjes die behandeld moeten worden. De plaatjes zijn op passende wijze voorbereid voor uitstoken en dan wordt de diffusie omsluiting of huis aangebracht over de stapel met de waarschijnlijkheid 15 dat het huis en de plaatjesondersteuning tezamen gewreven worden wanneer de tussenpassing voltooid is. De mogelijkheid bestaat dat wanneer de vaste delen van het huis en de plaatjes-ondersteuning met elkaar in contact komen een of meer deeltjes stof of andere verontreinigingen vrijgewreven zullen worden van 20 het ene element of het andere om verspreid te worden in de atmosfeer binnen het huis om mogelijk in direkt contact te komen met het oppervlak van een of meer van de plaatjes. Wanneer een ongewenste verontreiniging in contact is met een plaatje wanneer het uitgestookt is dan kan het een ongewenste diffusie leveren 25 van deze verontreiniging in het uiteindelijke produkt. De aanwezigheid van ongewenste verontreinigingen in een uitgestookt plaatje is gewoonlijk schadelijk voor de prestatie van het plaatje en is de oorzaak voor zijn uitval.US Pat. Nos. 3,183,130 and 3,951,587 each describe a device for firing semiconductor wafers first enclosed within a chamber disposed over a stack of wafers to be treated. The plates are suitably prepared for firing and then the diffusion enclosure or housing is placed over the stack with the probability that the housing and the platelet support will be rubbed together when the mediation is complete. The possibility exists that when the solid parts of the housing and the platelet support come into contact with each other, one or more particles of dust or other contaminants will be rubbed from one element or the other to be dispersed in the atmosphere within the house to possibly come into direct contact with the surface of one or more of the plates. When an undesired contamination contacts a wafer when it is fired, it can produce an undesired diffusion of this contamination into the final product. The presence of unwanted contaminants in a fired plate is usually detrimental to the performance of the plate and causes its failure.
De Amerikaanse octrooischriften 3.570.827 en 30 3.705.714 tonen door een wiel ondersteunde dragers voor plaatjes die uitgestookt moeten worden en die aangepast zijn om rechtstreëcs in een uitstookkamer geduwd te worden. Ieder halfgeleiderprodukt dat uitgestookt moet worden en dat blootgelegd is op het bovenoppervlak van een van de dragers van deze constructies loopt het 35 8401408 V* ·** * - 2 - gevaar blootgesteld te worden aan deeltjes, van verontreinigingen die in de atmosfeer zweven van de uitstookkamer door de werking van de rollende wielen die de drager ondersteunen welke beweegt over de vloer van de oven. Een dergelijke mogelijke verspreiding 5 van verontreinigingen in de atmosfeer en ook de oppervlakken van een produkt dat uitgestookt wordt kunnen een ongewenste uitstoting veroorzaken van een op onjuiste wijze gedoteerd produkt.U.S. Pat. Nos. 3,570,827 and 3,705,714 disclose wheel supported platelet supports that are to be fired and adapted to be pushed directly into a firing chamber. Any semiconductor product to be fired and exposed on the top surface of one of the supports of these structures runs the risk of being exposed to particles, from contaminants floating in the atmosphere, from the firing chamber by the action of the rolling wheels supporting the support moving across the floor of the furnace. Such possible dispersion of contaminants into the atmosphere and also the surfaces of a product being fired can cause an undesired expulsion of an improperly doped product.
Het Amerikaanse octrooischrift 3.811.829 be-10 schrijft een typische uitstookcyclus voor het leveren van halfgeleiders van het soort waarop de uitvinding betrekking heeft maar bevat geen beschrijving hoe de kom voor het ondersteunen van de plaatjes geconstrueerd is noch is er enige beschrijving van een laadwerkwi j ze voor het af geven van een kom die het 15 geladen plaatje draagt in een kamer die uitgestookt moet worden.U.S. Pat. No. 3,811,829 discloses a typical firing cycle for supplying semiconductors of the type to which the invention pertains but does not describe how the cup for supporting the platelets is constructed nor is there any description of a loading mechanism them to deliver a bowl carrying the loaded plate into a chamber to be fired.
Volgens de uitvinding wordt een inrichting geleverd voor het uitstoken van halfgeleiderelementen en dergelijke met verwarmingsmiddelen voor het uitstoken van de elementen en een diffusiekamer voor het opsluiten van de elementen die uit-20 gestookt moeten worden waarin de diffusiekamer een vat is dat bepaald wordt door een wand met een open einde voor het opnemen van de elementen die uitgestookt moeten worden waarbij het ver-warmingsorgaan samenwerkt met de kamer voor het verhitten van de halfgeleiderelementen die opgesteld zijn in de kamer op hun 25 uitstooktemperatuur, een transportinrichting voor het dragen van de halfgeleiderelementen en een aandrijfinrichting voor het ondersteunen van de transportinrichting waarbij de transportinrichting bevestigd is op de aandrijfinrichting om daarvan uit te steken als een vrijdragende balk waarbij het vrije einde van 30 de vrijdragende balk gelegen is tegenover het open einde van het vat en de transportinrichting van de elementen die uitgestookt moeten worden en die daarop gedragen worden zodanig geconstrueerd zijn dat het vrije einde van de transportinrichting heen kan gaan door het open einde om de elementen op de transport-35 inrichting die uitgestookt moet worden te plaatsen in het vat 8401408 - 3 - ΐ zonder dat enig deel van de transportinrichting op de daardoor gedragen elementen in contact komen met de wand die het vat bepaalt en waarbij de transportinrichting elementen ondersteunt terwijl zij uitgestookt worden en waarbij hetzij de aandrijfin-5 richting en de transportinrichting of de diffusiekamer en het verwarmingsorgaan beweegbaar zijn om de elementen op de transportinrichting te plaatsen die uitgestookt moet worden in het vat.According to the invention, an apparatus for firing semiconductor elements and the like with heating means for firing the elements and a diffusion chamber for enclosing the elements to be fired in which the diffusion chamber is a vessel defined by a wall with an open end for receiving the elements to be fired, the heater cooperating with the chamber for heating the semiconductor elements arranged in the chamber at their firing temperature, a transport device for carrying the semiconductor elements and a drive device for supporting the transport device wherein the transport device is mounted on the drive device to protrude therefrom as a cantilever beam with the free end of the cantilever beam facing the open end of the vessel and the transport device of the elements being firedand which are to be carried thereon are constructed such that the free end of the transport device can pass through the open end to place the elements on the transport device to be fired into the vessel 8401408 - 3 - ΐ without any part of the conveying device on the elements carried thereby thereby come into contact with the wall defining the vessel and wherein the conveying device supports elements as they are fired and wherein either the drive device and the conveying device or the diffusion chamber and the heating member are movable to placing elements on the transport device to be fired in the vessel.
De hier getoonde inrichting is ontworpen om een 10 aantal plaatjes te ondersteunen zoals siliciumplaatjes of dergelijke of middelen om de plaatjes te dragen in een diffusiekamer om onderworpen te worden aan een bepaalde atmosfeer en uitgestookt op een wijze om, voor zover mogelijk de vorming en/of het in beweging brengen van verontreinigingen minimaal te maken.The device shown here is designed to support a plurality of platelets such as silicon wafers or the like or means to support the platelets in a diffusion chamber to be subjected to a certain atmosphere and fired in a manner to minimize formation and / or minimize the movement of impurities.
15 Het is een doel van de uitvinding om een inrichting te leveren waarin de atmosfeer waarin de uitstookkamer gehandhaafd wordt in een zo zuiver mogelijke toestand waarbij een volmaaktere, niet verontreinigde diffusie van het doteringsmiddel of -middelen in de individuele plaatjes bewerkstelligd kan worden.It is an object of the invention to provide a device in which the atmosphere in which the firing chamber is maintained in the purest possible state, whereby a more perfect, unpolluted diffusion of the dopant or agents in the individual plates can be effected.
20 Meer in het bijzonder is het draagorgaan of de transportinrichting die hier aangegeven is voor het ondersteunen van het produkt dat gedoteerd moet worden ontworpen om bevestigd te worden als een vrijdragende balk van een beweegbare aandrijfinrichting waardoor het mogelijk wordt dat 25 de draaginrichting met het einde ingestoken wordt in het uitstook-en diffusiegebied. Het insteken van een orgaan dat het plaatje draagt in een uitstookgebied wordt verkregen zonder dat er enig wrijvend of rollend contact is tussen de plaatjestransportinrichting en de wand of de vloer van de uitstookkamer waardoor 30 alle mogelijkheden geelimineerd zijn voor het vormen en/of aanbrengen van enige niet waarneembare deeltjes van verontreinigingen die anders gevormd zouden kunnen worden en/of in beweging gebracht en verspreid in de atmosfeer binnen de uitstookkamer.More specifically, the support member or transport device indicated herein for supporting the product to be doped is designed to be mounted as a cantilever beam of a movable drive device allowing the support device to be inserted with the end is in the firing and diffusion area. Insertion of a member carrying the plate into a firing area is obtained without there being any rubbing or rolling contact between the platelet transporting device and the wall or floor of the firing chamber thereby eliminating all possibilities for forming and / or applying any undetectable particles of impurities that could otherwise be formed and / or agitated and dispersed in the atmosphere within the firing chamber.
Door het elimineren van de noodzaak dat er een wrijvend of rollend 35 contact is tussen de plaatjesdrager en de wand van de diffusie- 8401408 0 - k - kamer kan een volmaakter uitstoken van de plaatjes uitgevoerd worden terwijl op hetzelfde ogenblik de constructie van de oven vereenvoudigd wordt.By eliminating the need for frictional or rolling contact between the platelet support and the wall of the diffusion chamber, a more perfect firing of the platelets can be performed while at the same time simplifying the construction of the oven is becoming.
De zogenaamde aandrijfinrichting voor het draag-5 orgaan kan verschuifbaar bevestigd zijn op een vaste onder- steuning met de oven in een vast verband daarmee om het insteken en verwijderen van het draagorgaan in het uitstookgebied mogelijk te maken, vrij van contact met de wanden van het laatstgenoemde. Alternatief kan de aandrijfinrichting een inrichting op wielen 10 zijn bij voorkeur in een stel banen of kogelblokgeleidingen die het mogelijk zouden maken dat het draagorgaan bevestigd is aan de inrichting op wielen of de aandrijf inrichting in en uit de oven gerold wordt. In nog een verdere variant kunnen de aandrijf-inrichting en het draagorgaan permanent en stijf bevestigd zijn 15 aan elkaar en op hun beurt permanent en stijf bevestigd zijn aan een ondersteuning waarbij de oven beweegbaar bevestigd is.The so-called support member drive device may be slidably mounted on a fixed support with the oven in a fixed relationship therewith to allow insertion and removal of the support member into the firing area free of contact with the walls of the furnace. latter. Alternatively, the drive device may be a wheeled device 10 preferably in a set of webs or ball block guides that would allow the carrier to be attached to the wheeled device or the drive device to be rolled in and out of the oven. In yet a further variant, the driving device and the support member can be permanently and rigidly attached to each other and in turn permanently and rigidly attached to a support wherein the oven is movably mounted.
De uitvinding zal aan de hand van de tekening worden toegelicht.The invention will be elucidated with reference to the drawing.
Figuur 1 toont een opengesneden vertikale door-20 snede door het plaatjestransportorgaan, de diffusiekamer en de ovencombinatie volgens de uitvinding.Figure 1 shows a cut-away vertical section through the platelet transport member, the diffusion chamber and the oven combination according to the invention.
Figuur 2 is een aanzicht volgens de lijn II-IIFigure 2 is a view taken on the line II-II
uit figuur 1.from figure 1.
Het uitstoken van halfgeleiderelementen zoals 25 germaniumkristallen, siliciumchips, diodes en dergelijke om het doteren ervan te bewerkstelligen wordt conventioneel verkregen zoals aangegeven in verschillende van de hierboven genoemde octrooischriften» Een reeks plaatjes of chips die gedoteerd moeten worden zijn ondersteund op of worden gedragen op een orgaan dat 30 bevestigd is op een aandrijfinrichting of transportinrichting om in de lengterichting bewogen te worden in een langwerpig ovenkamer. De diffusiekamer is gelegen binnen een oven die van het soort kan zijn met verwarming door een weerstand om de temperatuur van het produkt dat uitstookt moet worden te doen 35 stijgen tot het gewenste gebied zodat een doteringsmiddel in het 8401408 - 5 - produkt geïntroduceerd kan worden en dan nadat een geschikte diffusie voltooid is de plaatjes of chips teruggetrokken worden uit de oven en afgekoeld.The firing of semiconductor elements such as germanium crystals, silicon chips, diodes and the like to effect doping is conventionally obtained as indicated in several of the above patents »A series of platelets or chips to be doped are supported on or supported on a member which is mounted on a drive or transport device for longitudinal movement in an elongated oven chamber. The diffusion chamber is located within an oven which may be of the type with heating by a resistance to raise the temperature of the product to be fired to the desired range so that a dopant can be introduced into the 8401408-5 product and then after a suitable diffusion is complete, the plates or chips are withdrawn from the oven and cooled.
Bij de inrichting volgens de uitvinding wordt 5 een kom 10 waarin een aantal plaatjes 12 evenwijdig opgestapeld zijn gedragen op een transportinrichting 14. De transportinrichting bevat een stijf langwerpig lichaam dat geconstrueerd is om met het einde in de diffusiekamer 16 bewogen te worden binnen het diffusievat 18 zonder dat enig deel van de transportinrichting 10 of de kom of het plaatje in contact komen met de wand die de kamer 16 bepaalt. Zoals het beste te zien is in figuur 2 heeft de transportinrichting bij voorkeur een ronde bodem 20 die een afstand heeft tot en praktisch concentrisch is met de wand 22 die de kamer 16 bepaalt en waarbij de transportinrichting een 15 concaaf bovenoppervlak 24 heeft voor een ondersteuningskom of kom 10 en de plaatjes in de kommen zo opgesteld zijn dat de plaatjes een afstand hebben ten opzichte van de wanden van de kamer. Een transportinrichting met een dergelijk ontwerp kan gemaakt zijn uit een niet poreus inert vuurvast materiaal zoals 20 bijvoorbeeld siliciumcarbide of siliciumnitridemateriaal, zoals welbekend is, en waarbij de transportinrichting een gladde constructie heeft die makkelijk gereinigd kan worden en gewassen met zuur om oppervlakteverontreinigingen te elimineren.In the device according to the invention, a bowl 10 in which a number of plates 12 are piled in parallel are supported on a transport device 14. The transport device comprises a rigid elongated body which is constructed to be moved with its end into the diffusion chamber 16 within the diffusion vessel 18 without any part of the conveying device 10 or the cup or plate coming into contact with the wall defining the chamber 16. As best seen in Figure 2, the transporting device preferably has a round bottom 20 which is spaced from and practically concentric with the wall 22 defining the chamber 16 and wherein the transporting device has a concave top surface 24 for a support cup or bowl 10 and the plates in the bowls are arranged so that the plates have a distance from the walls of the room. A conveyor with such a design can be made of a non-porous inert refractory material such as, for example, silicon carbide or silicon nitride material, as is well known, and wherein the conveyor has a smooth construction that is easy to clean and wash with acid to eliminate surface contaminants.
Het vat 18 is voorzien van een invoer 26 om 25 een gasachtige atmosfeer in de kamer 16 aan te brengen door de uitstookwerkwijze zoals aangegeven in het octrooischrift 3.183.130 bijvoorbeeld en heeft een open einde 28 waardoorheen de transportinrichting 14 en zijn komlading met plaatjes in de lengterichting afgegeven kan worden aan de kamer 16. Om de transportinrichting 30 in de kamer te bewegen wordt hij ondersteund door een in de lengterichting beweegbaar aandrijforgaan 30 op een vaste manier zo dat de transportinrichting 14 in feite een vrijdragende balk vormt. Wanneer de aandrijfinrichting naar de diffusiekamer 16 bewogen wordt beweegt het vrije balkeinde van de vrijdragende 35 transportinrichting in de lengterichting in het open einde 28 van 8401408 - 6 - de kamer en gaat door om in de lengterichting te bewegen in het vat 18 om de geladen kom of kommen 10 in de diffusiekamer te dragen zonder dat enig deel van de transportinrichting of de plaatjes in de kom die daarop gedragen worden in contact komen 5 met de wand 22 van de kamer 16, Wanneer het vrije einde van de transportinrichting naar binnen toe bewogen is tot nabij, maar niet in een aanrakende stand naast de invoer 26 wordt een deksel 32 dat een geheel vormt met de transportinrichting op zijn plaats bewogen om het open einde 28 van de kamer 16 af te 10 sluiten. Men kan zien dat de transportinrichting 14 en zijn kom-lading met plaatjes dus geheel opgesteld is binnen de diffusiekamer waarbij de plaatjes opgesteld zijn binnen de diffusie-kamer op de vrijdragende balktransportinrichting 14 zonder dat er enige mogelijkheid is van een onterechte beweging zoals anders 15 zou kunnen ontstaat door een rollend of wrijvend contact van de transportinrichting en zijn komlading met plaatjes met de inrichting wanneer de transportinrichting in de kamer bewogen wordt.The vessel 18 is provided with an inlet 26 to introduce a gaseous atmosphere into the chamber 16 by the firing method as indicated in the patent 3,183,130, for example, and has an open end 28 through which the conveyor 14 and its plate-loaded cup load in the can be delivered longitudinally to the chamber 16. To move the conveyor 30 into the chamber, it is supported by a longitudinally movable actuator 30 in a fixed manner such that the conveyor 14 in fact forms a cantilever beam. When the drive device is moved to the diffusion chamber 16, the free beam end of the cantilever transport device moves longitudinally into the open end 28 of the chamber and continues to move longitudinally in the vessel 18 about the loaded bowl or to carry cups 10 in the diffusion chamber without any part of the transport device or the plates in the cup carried thereon coming into contact with the wall 22 of the chamber 16, when the free end of the transport device has moved inwards Nearly, but not in a touching position adjacent to the inlet 26, a unitary lid 32 is moved with the conveyor in place to close the open end 28 of the chamber 16. It can be seen that the transporter 14 and its platelet cup load is thus fully disposed within the diffusion chamber with the platelets disposed within the diffusion chamber on the cantilever beam transporter 14 without any possibility of erroneous movement as would otherwise 15. can be caused by a rolling or rubbing contact of the conveyor and its plate load with plates when the conveyor is moved in the chamber.
Nadat de diffusiekamer 16 geladen is kan zoals bekend de doteringswerkwijze uitgevoerd worden waarbij vermogen 20 toegevoerd wordt aan het induktieverwarmingsorgaan 34 om de plaatjes op de gewenste uitstoottemperatuur te brengen. Een gasachtige component kan door de ingangsopening 26 geblazen worden door de kamer 16 en naar de afvoer 36 om de atmosfeer binnen de kamer te regelen en alle gasvormige verontreinigingen te elimineren en een 25 doteringsmiddel indien gewenst aan te brengen waarbij de overmaat gas doorgaat om uit de kamer 16 te stromen door de uitgang 36 in deksel 32 aan het einde 28 van het vat 18. Nadat de uitstook-cyclus voltooid is worden de plaatjes teruggetrokken uit de kamer .V en afgekoeld.As is known, after the diffusion chamber 16 is charged, the doping process can be carried out in which power 20 is supplied to the induction heater 34 to bring the platelets to the desired ejection temperature. A gaseous component can be blown through the inlet opening 26 through the chamber 16 and to the outlet 36 to control the atmosphere within the chamber and eliminate any gaseous impurities and apply a dopant if desired with the excess gas passing through to exit the chamber 16 through the outlet 36 in lid 32 at the end 28 of the vessel 18. After the firing cycle is complete, the platelets are withdrawn from the chamber and cooled.
30 Zoals bekend kunnen de kom 10, het vat 18, de transportinrichting 14 en andere elementen van deze oven gemaakt zijn uit niet poreus gerekristalliseerd siliciumcarbide geïmpregneerd met silicium, of siliciumnitride op ieder ander inert vuurvast materiaal van hoge temperatuur dat niet zal krimpen, inzakken 35 of vervormen bij gebruik en dat in staat is om de thermische stoot 8401408 * -ίΓ -« - 7 - te weerstaan die gevormd wordt door het insteken en het verwijderen uit de oven.As is known, the bowl 10, the vessel 18, the conveyor 14 and other elements of this furnace may be made of non-porous recrystallized silicon carbide impregnated with silicon, or silicon nitride on any other high temperature inert refractory material that will not shrink, collapse 35 or deform when in use and capable of withstanding the thermal shock 8401408 * -ίΓ - «- 7 - formed by insertion and removal from the oven.
De constructie van de aandrijfinrichting 30 is niet kritisch daar dit deel van de inrichting in een omgeving 5 met kamertemperatuur ligt. De aandrijfinrichting behoeft alleen een aangedreven element te zijn met een nauwkeurig geregelde bewegingsweg en de vrijdragende balktransportinrichting 14 te ondersteunen en te richten naar de kamer 16 zonder enige afwijking van een ontworpen weg, om te verzekeren dat noch 10 de transportinrichting noch zijn lading enig contact heeft met de wand 22 van de kamer 16 gedurende het laden of de uitstook-stappen.The construction of the drive device 30 is not critical since this part of the device is in a room temperature environment. The drive device need only be a driven element with a precisely controlled path of travel and support and direct the cantilever beam transport device 14 towards the chamber 16 without any deviation from a designed path, to ensure that neither the transport device nor its load has any contact with the wall 22 of the chamber 16 during the loading or firing steps.
15 840140815 8401408
Claims (11)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US49385983A | 1983-05-12 | 1983-05-12 | |
US49385983 | 1983-05-12 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL8401408A true NL8401408A (en) | 1984-12-03 |
Family
ID=23961990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL8401408A NL8401408A (en) | 1983-05-12 | 1984-05-03 | DEVICE FOR PROJECTING DIODES, SILICONE OR GERMANIUM SEMICONDUCTOR PLATES AND THE LIKE. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59208824A (en) |
DE (2) | DE3417579A1 (en) |
FR (1) | FR2545985A1 (en) |
GB (1) | GB2139744A (en) |
NL (1) | NL8401408A (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE8801785U1 (en) * | 1988-02-11 | 1988-11-10 | Söhlbrand, Heinrich, Dr. Dipl.-Chem., 8027 Neuried | Device for temperature treatment of semiconductor materials |
DE3840588C1 (en) * | 1988-12-02 | 1990-02-22 | Westdeutsche Quarzschmelze Gmbh & Co. Kg, 2054 Geesthacht, De | Quartz glass container for the thermal treatment of semiconductor wafers |
DE102012008213A1 (en) * | 2012-02-02 | 2013-08-08 | Photonic Sense GmbH | Method for continuous treatment of semiconductor and metal, involves measuring and analyzing fuel parameter data to perform continuous process on material, after inserting material to be treated with substance in induction zones |
CN112391615A (en) * | 2019-10-23 | 2021-02-23 | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 | Boat transportation structure based on double paddles |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1153372A (en) * | 1966-06-21 | 1969-05-29 | Associated Semiconductor Mft | Improvements in or relating to Methods of Heat Treating Semiconductor Bodies. |
JPS5636129A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Hitachi Ltd | Method and device for heat treatment of semiconductor thin plate |
DE3101351C2 (en) * | 1981-01-17 | 1982-10-14 | Klöckner Ionon GmbH, 5090 Leverkusen | Device for hardening metallic workpieces with an evacuable chamber |
JPS5862489A (en) * | 1981-10-07 | 1983-04-13 | 株式会社日立製作所 | Soft landing device |
-
1983
- 1983-07-25 JP JP13450883A patent/JPS59208824A/en active Pending
-
1984
- 1984-04-26 GB GB08410684A patent/GB2139744A/en not_active Withdrawn
- 1984-05-03 NL NL8401408A patent/NL8401408A/en not_active Application Discontinuation
- 1984-05-11 FR FR8407288A patent/FR2545985A1/en active Pending
- 1984-05-11 DE DE19843417579 patent/DE3417579A1/en not_active Withdrawn
- 1984-05-11 DE DE19848414476 patent/DE8414476U1/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3417579A1 (en) | 1984-11-15 |
DE8414476U1 (en) | 1984-11-08 |
GB2139744A (en) | 1984-11-14 |
GB8410684D0 (en) | 1984-05-31 |
FR2545985A1 (en) | 1984-11-16 |
JPS59208824A (en) | 1984-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4632551B2 (en) | Wafer and ring transfer method, heat treatment equipment ring combination, and wafer and ring set | |
US4979464A (en) | Apparatus for treating wafers in the manufacture of semiconductor elements | |
US7094993B2 (en) | Apparatus and method for heating and cooling an article | |
NL1005102C2 (en) | Device for treating semiconductor wafers. | |
NL1018086C2 (en) | Method and device for the thermal treatment of substrates. | |
KR20010005697A (en) | System for transferring wafers from cassettes to furnaces and method | |
JPH02123022A (en) | Isolation spaced conveyer for article | |
NL1013989C2 (en) | Method and device for treating a wafer. | |
US6501051B1 (en) | Continuous-conduction wafer bump reflow system | |
KR100488388B1 (en) | Processor and processing method, and robot device | |
KR101501322B1 (en) | Heat treatment apparatus | |
NL8401408A (en) | DEVICE FOR PROJECTING DIODES, SILICONE OR GERMANIUM SEMICONDUCTOR PLATES AND THE LIKE. | |
KR20180059772A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
CA1216079A (en) | Cantilever paddle and boat support | |
KR102311324B1 (en) | Appratus for treating substrate and method for treating substrate | |
CN109671649A (en) | Substrate processing method using same and device | |
KR101379811B1 (en) | Drying apparatus and method for silicon-based electronic circuits | |
JPS621855A (en) | Thermochemical treatment apparatus at various temperatures in various atmospheres especially used in car industry | |
KR102119685B1 (en) | substrate processing apparatus | |
KR102143914B1 (en) | cleaning jig and substrate processing apparatus | |
TW200952113A (en) | Transfer mechanism for target item for processing, and processing system for target item for processing | |
KR101425328B1 (en) | Silicizing apparatus and method | |
JP3484592B2 (en) | Heat treatment equipment | |
RU2403519C2 (en) | System of thermal treatment with slot aerators | |
KR100195971B1 (en) | Vertical moving continuous heat treatment furnace |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A1A | A request for search or an international-type search has been filed | ||
A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
BV | The patent application has lapsed |