NL170068C - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij binnen een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend eerste gebied met het aan het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam tegengestelde geleidingstype, bestaande uit een eerste deelgebied met een hoge maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie en uit een aangrenzend tweede deelgebied met een aanmerkelijk lagere maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie een tweede gebied met het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam wordt gevormd. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij binnen een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend eerste gebied met het aan het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam tegengestelde geleidingstype, bestaande uit een eerste deelgebied met een hoge maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie en uit een aangrenzend tweede deelgebied met een aanmerkelijk lagere maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie een tweede gebied met het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam wordt gevormd.

Info

Publication number: NL170068C
Authority: NL; Netherlands
Prior art keywords: area; semiconductor body; type; concentration; doper
Prior art date: 1969-06-10

Application number

NLAANVRAGE7008349,A

Other languages

English (en)

Dutch (nl)

Other versions

NL170068B (nl

NL7008349A (xx

Original Assignee

Rca Corp

Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)

1969-06-10

Filing date

1970-06-09

Publication date

1982-09-16

1970-06-09 Application filed by Rca Corp filed Critical Rca Corp

1970-12-14 Publication of NL7008349A publication Critical patent/NL7008349A/xx

1982-04-16 Publication of NL170068B publication Critical patent/NL170068B/xx

1982-09-16 Application granted granted Critical

1982-09-16 Publication of NL170068C publication Critical patent/NL170068C/xx

Classifications

- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/20—Breakdown diodes, e.g. avalanche diodes
- H10D8/25—Zener diodes
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

NLAANVRAGE7008349,A 1969-06-10 1970-06-09 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij binnen een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend eerste gebied met het aan het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam tegengestelde geleidingstype, bestaande uit een eerste deelgebied met een hoge maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie en uit een aangrenzend tweede deelgebied met een aanmerkelijk lagere maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie een tweede gebied met het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam wordt gevormd. NL170068C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number	Priority Date	Filing Date	Title
US83188369A	1969-06-10	1969-06-10

Publications (3)

Publication Number	Publication Date
NL7008349A NL7008349A (xx)	1970-12-14
NL170068B NL170068B (nl)	1982-04-16
NL170068C true NL170068C (nl)	1982-09-16

Family

ID=25260092

Family Applications (1)

Application Number	Title	Priority Date	Filing Date
NLAANVRAGE7008349,A NL170068C (nl)	1969-06-10	1970-06-09	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij binnen een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend eerste gebied met het aan het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam tegengestelde geleidingstype, bestaande uit een eerste deelgebied met een hoge maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie en uit een aangrenzend tweede deelgebied met een aanmerkelijk lagere maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie een tweede gebied met het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam wordt gevormd.

Country Status (9)

Country	Link
BE (1)	BE751635A (xx)
DE (1)	DE2028632C3 (xx)
ES (2)	ES380358A1 (xx)
FR (1)	FR2045944B1 (xx)
GB (1)	GB1271896A (xx)
MY (1)	MY7300409A (xx)
NL (1)	NL170068C (xx)
SE (1)	SE361555B (xx)
YU (1)	YU36240B (xx)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
JPS5967670A (ja) *	1982-10-12	1984-04-17	Toshiba Corp	半導体装置
JPS5988871A (ja) *	1982-11-12	1984-05-22	バ−・ブラウン・コ−ポレ−ション	高安定低電圧集積回路表面下降状ダイオ−ド構造体及びその製造方法
IT1221019B (it) *	1985-04-01	1990-06-21	Ates Componenti Elettron	Dispositivo elettronico integrato per il comando di carichi induttivi,con elemento di ricircolo

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
US3305913A (en) *	1964-09-11	1967-02-28	Northern Electric Co	Method for making a semiconductor device by diffusing impurities through spaced-apart holes in a non-conducting coating to form an overlapped diffused region by means oftransverse diffusion underneath the coating
FR1529360A (fr) *	1966-10-05	1968-06-14	Rca Corp	Dispositifs semi-conducteurs
FR1559607A (xx) *	1967-06-30	1969-03-14
FR1557080A (xx) *	1967-12-14	1969-02-14

1970
- 1970-02-25 SE SE02427/70A patent/SE361555B/xx unknown
- 1970-04-14 FR FR7013456A patent/FR2045944B1/fr not_active Expired
- 1970-06-02 GB GB26488/70A patent/GB1271896A/en not_active Expired
- 1970-06-03 ES ES380358A patent/ES380358A1/es not_active Expired
- 1970-06-08 BE BE751635D patent/BE751635A/xx unknown
- 1970-06-09 NL NLAANVRAGE7008349,A patent/NL170068C/xx not_active IP Right Cessation
- 1970-06-09 YU YU1474/70A patent/YU36240B/xx unknown
- 1970-06-10 DE DE2028632A patent/DE2028632C3/de not_active Expired
1972
- 1972-12-28 ES ES410121A patent/ES410121A1/es not_active Expired
1973
- 1973-12-30 MY MY409/73A patent/MY7300409A/xx unknown

Also Published As

Publication number	Publication date
SE361555B (xx)	1973-11-05
YU36240B (en)	1982-02-25
NL170068B (nl)	1982-04-16
DE2028632C3 (de)	1982-01-21
DE2028632B2 (de)	1981-04-16
ES410121A1 (es)	1976-01-01
BE751635A (fr)	1970-11-16
GB1271896A (en)	1972-04-26
ES380358A1 (es)	1973-04-16
YU147470A (en)	1981-04-30
DE2028632A1 (de)	1970-12-17
NL7008349A (xx)	1970-12-14
FR2045944B1 (xx)	1974-02-01
MY7300409A (en)	1973-12-31
FR2045944A1 (xx)	1971-03-05

Similar Documents

Publication	Publication Date	Title
NL152114B (nl)	1977-01-17	Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL182604C (nl)	1988-04-05	Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met ten minste een paar complementaire veldeffecttransistoren met een stuurelektrode van polykristallijn of amorf silicium en een met de werkwijze vervaardigde geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL153947B (nl)	1977-07-15	Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze.
NL160680C (nl)	1979-11-15	Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL152707B (nl)	1977-03-15	Halfgeleiderinrichting bevattende een veldeffecttransistor van het type met geisoleerde poortelektrode en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
NL145396B (nl)	1975-03-17	Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde halfgeleiderinrichting en geintegreerde halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL153709B (nl)	1977-06-15	Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrisch geleidend voorwerp, alsmede voorwerp, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL152116B (nl)	1977-01-17	Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL162511C (nl)	1980-05-16	Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL141031B (nl)	1974-01-15	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met ten minste een elektrisch geisoleerd halfgeleidergebied, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL142714B (nl)	1974-07-15	Werkwijze voor het vervaardigen van gevormde voortbrengselen uit polyimide en gevormde voortbrengselen, vervaardigd onder toepassing van de werkwijze.
NL142337B (nl)	1974-06-17	Werkwijze en inrichting voor het bekleden van een elektrisch geleidend voorwerp, alsmede voorwerpen bekleed volgens deze werkwijze of met behulp van deze inrichting.
NL154062B (nl)	1977-07-15	Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL168654B (nl)	1981-11-16	Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleider- lichaam van een eerste geleidingstype met een door dif- fusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede gelei- dingstype.
NL140101B (nl)	1973-10-15	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL149638B (nl)	1976-05-17	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL170068C (nl)	1982-09-16	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij binnen een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend eerste gebied met het aan het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam tegengestelde geleidingstype, bestaande uit een eerste deelgebied met een hoge maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie en uit een aangrenzend tweede deelgebied met een aanmerkelijk lagere maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie een tweede gebied met het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam wordt gevormd.
NL145730B (nl)	1975-04-15	Elektrische keten voorzien van een veldeffecttransistor met geisoleerde poortelektrode, alsmede een werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor en een volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffecttransistor.
NL161515B (nl)	1979-09-17	Inrichting voor de vervaardiging van een volumineus garen, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van dit garen met behulp van deze inrichting.
NL174304C (nl)	1984-05-16	Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, die uit complementaire veldeffecttransistors met een geisoleerde stuurelektrode is samengesteld.
NL151845B (nl)	1976-12-15	Halfgeleiderinrichting met een elektrode, die uit een goud-chroomlegering bestaat en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL157323B (nl)	1978-07-17	Werkwijze voor de bereiding van gelvrije etheen-propeen-5-ethylideen 2-norborneen terpolymere rubber en gevormd voortbrengsel van een dergelijke rubber.
NL140363B (nl)	1973-11-15	Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL155119B (nl)	1977-11-15	Werkwijze voor het vervaardigen van een instelbare spaartransformator, alsmede spaartransformator, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL165005C (nl)	1981-02-16	Halfgeleiderinrichting bevattende veldeffecttransistors met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.

Legal Events

Date	Code	Title	Description
1990-07-16	V4	Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent