NL1028105C2 - Inrichting voor het detecteren van ioniserende straling. - Google Patents
Inrichting voor het detecteren van ioniserende straling. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1028105C2 NL1028105C2 NL1028105A NL1028105A NL1028105C2 NL 1028105 C2 NL1028105 C2 NL 1028105C2 NL 1028105 A NL1028105 A NL 1028105A NL 1028105 A NL1028105 A NL 1028105A NL 1028105 C2 NL1028105 C2 NL 1028105C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- layer
- assembly
- equal
- microns
- photodiodes
- Prior art date
Links
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 title claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 230000006335 response to radiation Effects 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002591 computed tomography Methods 0.000 description 10
- YFSLABAYQDPWPF-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trichloro-4-(2,3,5-trichlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC(Cl)=C(Cl)C(C=2C(=C(Cl)C(Cl)=CC=2)Cl)=C1 YFSLABAYQDPWPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005658 nuclear physics Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20183—Arrangements for preventing or correcting crosstalk, e.g. optical or electrical arrangements for correcting crosstalk
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
- H10F39/026—Wafer-level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/107—Integrated devices having multiple elements covered by H10F30/00 in a repetitive configuration, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
- H10F39/189—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H10F39/1895—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers of the hybrid type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
- H10F39/189—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H10F39/1898—Indirect radiation image sensors, e.g. using luminescent members
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/199—Back-illuminated image sensors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
Korte aanduiding: Inrichting voor het detecteren van ioniserende straling.
De uitvinding heeft in het algemeen betrekking op een ionise-rende-stralingsdetector en meer in het bijzonder op een ioniserende-stralingsdetector, die een van achteren belichte fotodiodearray toepast.
5 Stralingsbeeldvormingssystemen worden algemeen gebruikt voor medische en industriële doeleinden, zoals bijvoorbeeld voor röntgen-computertomografie (CT). Een typisch detectorsysteem kan een array van scintillatorelementen omvatten, welke array is bevestigd aan een array van fotodiodes, die worden gebruikt om ioniserende straling te detec-10 teren en om te zetten in lichtenergie en vervolgens in elektrische signalen, die representatief zijn voor de invallende ioniserende straling. Om de beeldkwaliteit te verhogen, is een groot aantal individuele pixels vereist, zoals bijvoorbeeld in de orde van 1000 tot 4000 individuele pixels, waarbij een versterker voor elk respectief pixel 15 wordt gebruikt. Wanneer het aantal individuele pixels en versterkers toeneemt, is het verschaffen van de noodzakelijke signaalverbindingen voor verwerking complex en onhandelbaar geworden. In een poging om een deel van deze complexiteit op te lossen, werden van achteren belichte fotodiodearrays onderzocht, welke fotodiodearrays een toename van het 20 aantal fotodiodedetectie-elementen in een fotodiodearraychip mogelijk maken. Van a'chteren belichte fotodiodearraychips zijn echter gevoelig voor elektronische overspraak, hetgeen ten minste gedeeltelijk resulteert uit de dikte van de fotodiodearraychip zelf. Er bestaat dienovereenkomstig in de techniek behoefte aan een ioniserende-stralings-25 detectorinrichting, die deze nadelen overwint.
De hierin geopenbaarde uitvoeringsvormen verschaffen een foto-diodedetectorsamenstel voor gebruik met een ioniserende-stral.ingsde-tector. Het samenstel bevat een eerste laag met een eerste zijde en een tweede zijde en een op de tweede zijde aangebrachte array van van 30 achteren belichte fotodiodes, en een nabij en tegenover de tweede zijde van de eerste laag aangebrachte tweede laag. De tweede laag bevat doorgangen.
Verdere hierin geopenbaarde uitvoeringsvormen verschaffen een ioniserende-stralingsdetector met een fotodiodedetectorsamenstel en 1028105 - 2 - een scintillator. Het fotodiodedetectorsamenstel bevat een eerste laag met een eerste zijde en een tweede zijde en een op de tweede zijde aangebrachte array van van achteren belichte fotodiodes, en een nabij en tegenover de tweede zijde van de eerste laag aangebrachte tweede 5 laag, waarbij de tweede laag doorgangen heeft. De scintillator is aangebracht aan de eerste zijde van de eerste laag en bevat een straling-ingangsoppervlak en een stralinguitgangsoppervlak. De scintillator produceert lichtstralen, die het uitgangsoppervlak verlaten, in reactie op op het ingangsoppervlak invallende straling, waarbij de het 10 uitgangsoppervlak verlatende lichtstralen invallen op de eerste zijde van de eerste laag van het fotodiodedetectorsamenstel. Lichtstralen, die de eerste laag aan de eerste zijde binnentreden en de van achteren belichte fotodiodes treffen aan de tweede zijde resulteren in elektrische signalen ter plaatse van de doorgangen van de tweede laag, ten-15 einde daardoor elektrische uitgangssignalen van de van achteren belichte fotodiodes op een afstand van de van achteren belichte fotodiodes te verschaffen.
Er wordt nu verwezen naar de voorbeeldtekeningen, waarin in de bijgevoegde figuren dezelfde elementen met dezelfde verwijzingscijfers 20 zijn aangeduid.
Fig. 1 toont een voorbeeld van een multi-plak CT-röntgendetec-tormoduul volgens uitvoeringsvormen van de uitvinding; fig. 2 toont een eindaanzicht van het detectormoduul van fig.
1, waarbij enkele details zijn weggelaten; en 25 fig. 3 is illustratief voor aan de voorbeelduitvoeringsvormen van de uitvinding ontnomen gegevens.
Uitvoeringsvormen van de uitvinding verschaffen een zeer dun van achteren belicht fotodiodedetectorsamenstel voor gebruik in een ioniserende-stralingsdetector, zoals bijvoorbeeld een multi-plak com-30 putertomografie(CT)röntgendetector. Hoewel de hierin beschreven uitvoeringsvormen röntgenstralen als een voorbeeld van ioniserende straling tonen, zal het duidelijk zijn, dat de geopenbaarde uitvinding ook toepasbaar is op andere ioniserende straling van hoge energie, zoals bijv. gammastraling, elektron(bèta)stralen van hoge energie of geladen 35 deeltjes van hoge energie (zoals geladen deeltjes die men tegenkomt in kernfysica en ruimtetelescopen). De geopenbaarde uitvinding is dienovereenkomstig niet tot de uitvoeringsvormen van röntgendetectie beperkt .
1028105 - 3 -
Fig. 1 is een voorbeelduitvoeringsvorm van een multi-plak CT-röntgendetector 100, die een fotodiodedetectorsamenstel 110, een aan één vlak van het samenstel 110 bevestigde scintillator 120, een aan een ander vlak van het samenstel 110 bevestigde gedrukte-schakelings-5 plaat (PCB) 130, en een via connectoren (150, 160) met de PCB 130 verbonden flexschakeling 140 heeft. De PCB 130 kan bewerkingschips 170 bevatten.
Er wordt nu verwezen naar fig. 1 en 2 tezamen, waarin het fotodiodedetectorsamenstel 110 een eerste laag 200 met een eerste zijde 10 202 en een tweede zijde 204, en een nabij en tegenover de tweede zijde 204 van de eerste laag 200 aangebrachte tweede laag 210 bevat. De eerste laag 200, ook wel als een van achteren belichte fotodiodearray aangeduid, bevat een op de tweede zijde 204, ook wel als de achterzijde aangeduid, aangebrachte array van van achteren belichte fotodiodes 15 206. De tweede laag 210 bevat doorgangen 212 voor het communiceren van een elektrische signaal door de tweede laag 210 heen.
In een uitvoeringsvorm is de dikte van de eerste laag 200 gelijk aan of minder dan ongeveer 150 micron, in een andere uitvoeringsvorm is de dikte van de eerste laag 200 gelijk aan of minder dan onge-20 veer 100 micron, in een verdere uitvoeringsvorm is de dikte van de laag 200 gelijk aan of minder dan ongeveer 50 micron, en in nog een andere uitvoeringsvorm is de dikte van de eerste laag 200 gelijk aan of groter dan ongeveer 25 micron. In een uitvoeringsvorm, waarin de dikte van de eerste laag gelijk aan of minder dan ongeveer 150 micron 25 en gelijk aan of meer dan ongeveer 25 micron bedraagt, is de cel-naar-cel signaaloverspraak tussen naburige van achteren belichte fotodiodes 206 gelijk aan of minder dan ongeveer 4%, en in een uitvoeringsvorm, waarin de dikte van de eerste laag gelijk aan of minder dan ongeveer 100 micron en gelijk aan of meer dan ongeveer 25 micron bedraagt, is 30 de cel-naar-cel signaaloverspraak tussen naburige van achteren belichte fotodiodes 206 gelijk aan of minder dan ongeveer 2%, zoals is weergegeven met de testgegevens van fig. 3. In fig. 3 is de gegevenslijn 300 representatief voor de totale signaaloverspraak tussen één en alle acht van zijn naburige van achteren belichte fotodiodes 206 voor een 35 siliciumdikte van de eerste laag 200 van ongeveer 250 micron, en is de gegevenslijn 310 representatief voor de totale signaaloverspraak tussen één en alle acht van zijn naburige van achteren belichte fotodiodes 206 voor een siliciumdikte van de eerste laag 200 van ongeveer 100 micron. De gemiddelde signaaloverspraak tussen elk tweetal naburige 1 028 TO5 - 4 - van achteren belichte fotodiodes 206 voor een siliciumdikte van de eerste laag 200 van ongeveer 150 micron is dienovereenkomstig gelijk aan of minder dan ongeveer 4%, en de gemiddelde signaaloverspraak tussen elk tweetal naburige van achteren belichte fotodiodes 206 voor een 5 siliciumdikte van de eerste laag 200 van ongeveer 100 micron is gelijk aan of minder dan ongeveer 2%. De door de gegevenslijnen 300 en 310 in fig. 3 gerepresenteerde signaaloverspraak is uitgezet tegen een pixel-steekafstand, die varieert van ongeveer 500 micron tot ongeveer 900 micron, waarin de steekafstand de afstand tussen de voorste rand van 10 één pixel en de voorste rand van een ander lineair gerangschikt aangrenzend pixel is.
In een uitvoeringsvorm zijn de eerste en tweede lagen 200, 210 van silicium vervaardigd en is de eerste laag 200 mechanisch bevestigd aan en elektrisch verbonden met de tweede laag 210. De eerste en twee-15 de lagen 200, 210 kunnen met elkaar zijn verbonden onder gebruikmaking van soldeerbolletjes, geleidende epoxypunten, koude versmelting tussen metaalkussens, en een andere geschikte werkwijze of een combinatie daarvan.
De scintillator 120 ontvangt röntgenfoto-energie, die is aange-20 geven door middel van een pijl 220, op een stralingingangsoppervlak 124 en zet de fotonenergie 220 via scintillatorelementen 122 om in lichtstralen, die door middel van pijlen 230 zijn weergegeven, welke lichtstralen de scintillator 120 ter plaatse van een stralinguitgangs-oppervlak 126 verlaten. De lichtstralen 230 worden aan de eerste zijde 25 220 van de eerste laag 200 ontvangen, worden door de eerste laag 200 doorgelaten'en treffen de van achteren belichte fotodiodes 206 aan de tweede zijde 204, resulterend in elektrische signalen ter plaatse van doorgangen 212 van de tweede laag 210, teneinde daardoor elektrische uitgangssignalen van de van achteren belichte fotodiodes 206 op een 30 afstand van de tweede zijde 204 van de eerste laag 200 te verschaffen. In een uitvoeringsvorm strekken de doorgangen 212 zich vanaf een voorzijde 214 van de tweede laag 210 naar een tegenovergestelde achterzijde 216 uit. In het silicium van de tweede laag 210 kunnen echter sig-naalrouteringsvariaties zijn opgenomen, teneinde daardoor voorzijde-35 naar-achterzijde signaalcommunicatie, voorzijde-naar-randzijde sig-naalcommunicatie of een combinatie daarvan te verschaffen.
Zoals eerder is toegelicht, kan het fotodiodedetectorsamenstel 110 een derde laag, PCB 130, hebben, welke derde laag is bevestigd aan en in signaalcommunicatie staat met doorgangen 212 aan de achterzijde 1028105 - 5 - 216 van de tweede laag 210. In een uitvoeringsvorm bevat de PCB 130 elektrische verbindingen (niet weergegeven), die zich vanaf een eerste schakelingsplaatoppervlak 132, waar zij met de doorgangen 212 zijn verbonden, naar een tweede schakelingsplaatoppervlak (134), waar zij 5 met elektronische componenten, zoals verwerkingschips 170, zijn verbonden, uitstrekken. Op de PCB 130 lopen draden (niet weergegeven), die de verwerkingschips 170 elektrisch verbinden met een connector 160, welke connector op zijn beurt via een connector 150 signaalcommu-nicatie met de flexschakeling 140 verschaft. De verwerkingschips 170 10 kunnen gegevensverwervingsschakelingen, zoals bijvoorbeeld versterkers, analoog-naar-digitaal schakelingen en stuurlogica, bevatten om elektrisch verbonden te zijn met de fotodiodearray 206 en om uitgangssignalen van de fotodiodearray 206 te verwerken. In een alternatieve uitvoeringsvorm kunnen uitgangssignaallijnen met een lage dichtheid 15 136 worden toegepast voor verbinding met andere elektronische compo nenten (niet weergegeven). In een verdere alternatieve uitvoeringsvorm kan meerlaags keramisch materiaal worden gebruikt voor de PCB 130. In een voorbeelduitvoeringsvorm kan de fotodiodearray 206 bestaan uit 512 fotodiodes, die elk afmetingen van ongeveer 15 millimeter (mm) bij on-20 geveer 32 mm hebben.
Een voorbeeldtoepassing van het van achteren belichte fotodio-dedetectorsamenstel 110 is een CT-röntgendetector 100, waarin weinig elektronische overspraak en een hoge beeldkwaliteit gewenst zijn. De gelamineerde inrichting van een zeer dunne eerste siliciumlaag 200, 25 die de van achteren belichte fotodiodes 206 heeft, met een tweede siliciumlaag 210, die de doorgangen 212 heeft, voorziet in weinig elektronische overspraak bij de hoge beeldkwaliteit, terwijl het gemak van materiaalhantering voor daaropvolgende assemblage is gehandhaafd.
Zoals geopenbaard, kunnen enkele uitvoeringsvormen van de uit-30 vinding enkele van de volgende voordelen bevatten: het gemak van materiaalhantering tijdens assemblage van een CT-rÖntgendetectormoduul; een hoge beeldkwaliteit van de CT-uitvoer; weinig signaaloverspraak tussen naburige fotodiodecellen; de mogelijkheid om signaalverbindin-gen uit het achteroppervlak van het fotodiodedetectorsamenstel naar 35 buiten te brengen; het mogelijk maken van de groepering van tweedimen-sionele arrays van detectormodules voor een verbeterde patiëntbestrij-king per CT-rotatie; en het gebruik van een siliciumlaag met doorgangen, die een met de siliciumlaag van de fotodiodearray overeenstemmen- 1028105 - 6 - de thermische uitzettingscoëfficiënt, een mechanische verstijving voor vlakheid en een mechanische ondersteuning voor hantering verschaft.
Hoewel de uitvinding is beschreven onder verwijzing naar voor-keursuitvoeringsvormen, zal het duidelijk zijn voor de vakman, dat 5 verschillende veranderingen kunnen worden aangebracht en equivalenten voor elementen daarvan kunnen worden gesubstitueerd zonder het kader van de uitvinding te verlaten. Bovendien kunnen vele modificaties worden aangebracht om een bepaalde situatie of een bepaald materiaal aan de leer van de uitvinding aan te passen zonder het essentiële kader 10 daarvan te verlaten. Het is daarom de bedoeling, dat de uitvinding niet tot de als de beste of enige modus voor het uitvoeren van de uitvinding geopenbaarde bijzondere uitvoeringsvorm is beperkt, doch dat de uitvinding alle uitvoeringsvormen, die binnen het kader van de bij-gevoegde conclusies vallen, zal omvatten. Bovendien geeft het gebruik 15 van de termen eerste, tweede, enz. geen volgorde of belangrijkheid aan, doch zijn de termen eerste, tweede, enz. gebruikt om één element van een ander te onderscheiden. Verder geeft het gebruik van de term een, enz. geen hoeveelheidsbeperking aan, doch geeft deze term in plaats daarvan de aanwezigheid van ten minste één van de genoemde 20 items aan.
1028105
Claims (12)
1. Fotodiodedetectorsamenstel (110) voor gebruik bij een ioni-serende-stralingsdetector (100), waarbij het samenstel (110) omvat: 5 een eerste laag (200), die een eerste zijde (202) en een tweede zijde (204) omvat, en een aan de tweede zijde (204) aangebrachte array van van achteren belichte fotodiodes (206); en een nabij en tegenover de tweede zijde (204) van de eerste laag (200) aangebrachte tweede laag (210), die doorgangen (212) omvat; 10 waarin aan de eerste zijde (202) de eerste laag (200) binnen tredende en de van achteren belichte fotodiodes (206) aan de tweede zijde (204) treffende lichtstralen resulteren in elektrische signalen ter plaatse van de doorgangen (212) van de tweede laag (210), teneinde daardoor van de van achteren belichte fotodiodes (206) afkomstige 15 elektrische uitgangssignalen te verschaffen op een afstand van de van achteren belichte fotodiodes (206); waarin de dikte van de eerste laag (200) gelijk aan of minder dan ongeveer 100 micron bedraagt; en waarin de array van van achteren belichte fotodiodes (206) 20 naburige van achteren belichte fotodiodes (206), die een cel-naar-cel signaaloverspraak van gelijk aan of minder dan 2% hebben, omvat in reactie op de dikte van de eerste laag gelijk aan of minder dan ongeveer 100 micron.
2. Samenstel (110) volgens conclusie 1, waarin de dikte van de laag (200) gelijk is aan of minder is dan ongeveer 50 micron.
3. Samenstel (110) volgens conclusie 1, waarin de dikte van de laag (200) gelijk is aan of groter is dan ongeveer 25 micron. 30
4. Samenstel (110) volgens conclusie 1, waarin de eerste laag (200) mechanisch is bevestigd aan en elektrisch is verbonden met de tweede laag (210) .
5. Samenstel volgens conclusie 4, waarin de eerste en de tweede lagen (200, 210) elk silicium omvatten.
6. Samenstel volgens conclusie 1, waarin de eerste en tweede lagen (200, 210) met elkaar zijn verbonden onder gebruikmaking van - j I 05 soldeerbolletjes, geleidende epoxypunten, koude versmelting tussen metaalkussens, of een combinatie daarvan.
7. Samenstel (110) volgens conclusie 1, waarin de doorgangen (212) 5 zich vanaf een voorzijde (214) van de tweede laag (210) naar een tegenovergestelde achterzijde van de tweede laag (216) uitstrekken.
8. Samenstel (110) volgens conclusie 1, verder omvattende: een derde laag, die een gedrukte-schakelingsplaat (130) met 10 elektrische verbindingen op een eerste plaatoppervlak (132), die zich naar een tweede plaatoppervlak (134) uitstrekken, omvat, waarbij de elektrische verbindingen op het eerste plaatoppervlak (132) zijn gerangschikt voor signaalcommunicatie met de doorgangen (212) , en de elektrische verbindingen op het tweede plaatoppervlak (134) zijn ge-15 rangschikt voor signaalcommunicatie met ten minste één elektronische component (170) .
9. Samenstel (110) volgens conclusie 1, waarin de array van van achteren belichte fotodiodes (206) een pixelsteekafstand heeft die 20 gelijk is aan of groter is dan ongeveer 500 micron en gelijk is aan of kleiner is dan ongeveer 900 micron.
10. Ioniserende-stralingsdetector (100), omvattende: een fotodiodedetectorsamenstel (110) omvattende: 25 een eerste laag (200), die een eerste zijde (202) en een tweede zijde (204) omvat, en een aan de tweede zijde (204) aangebrachte array van van achteren belichte fotodiodes (206); en een nabij en tegenover de tweede zijde (204) van de eerste laag (200) aangebrachte tweede laag (210), die doorgangen (212) omvat; en 30 een aan de eerste zijde (202) van de eerste laag (200) aange brachte scintillator (120), die omvat: een stralingingangsoppervlak (124) en een stralinguitgangsop-pervlak (126), waarbij de scintillator (120) het uitgangsoppervlak (126) verlatende lichtstralen (230) in reactie op op het ingangsopper-35 vlak (124) invallende straling produceert, waarbij de het uitgangsoppervlak (126) verlatende lichtstralen (230) invallen op de eerste zijde (202) van de eerste laag (200) van het fotodiodedetectorsamenstel (110); waarin aan de eerste zijde (202) de eerste laag (200) binnentredende en de van achteren belichte fotodiodes (206) aan de tweede zijde (204) treffende lichtstralen (230) resulteren in elektrische signalen ter plaatse van de doorgangen (212) van de tweede laag (210), 5 teneinde daardoor van de van achteren belichte fotodiodes (206) afkomstige elektrische uitgangssignalen te verschaffen op een afstand van de van achteren belichte fotodiodes (206); waarin de dikte van de eerste laag (200) gelijk aan of meer dan ongeveer 25 micron en gelijk aan of minder dan ongeveer 100 10 micron bedraagt; en waarin de array van van achteren belichte fotodiodes (206) naburige van achteren belichte fotodiodes (206), die een cel-naar-cel signaaloverspraak van gelijk aan of minder dan 2% hebben, omvat in reactie op de dikte van de eerste laag gelijk aan of minder dan on-15 geveer 100 micron.
11. Detector volgens conclusie 10, waarin de eerste laag (200) mechanisch is bevestigd aan en elektrisch is verbonden met de tweede laag (210); en 20 de eerste en de tweede lagen (200, 210) elk silicium omvatten.
12. Detector volgens conclusie 10, waarin de doorgangen (212) zich vanaf een voorzijde (214) van de tweede laag (210) naar een tegenovergestelde achterzijde van de tweede laag (216) uitstrekken, en 25 verder omvattende: een derde laag, die een gedrukte-schakelingsplaat (130) met elektrische verbindingen op een eerste plaatoppervlak (132), die zich naar een tweede plaatoppervlak (134) uitstrekken, omvat, waarbij de elektrische verbindingen op het eerste plaatoppervlak (132) zijn ge-30 rangschikt voor signaalcommunicatie met de doorgangen (212), en de elektrische verbindingen op het tweede plaatoppervlak (134) zijn gerangschikt voor signaalcommunicatie met ten minste één elektronische component (170). 1028105
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US70798404 | 2004-01-29 | ||
| US10/707,984 US7075091B2 (en) | 2004-01-29 | 2004-01-29 | Apparatus for detecting ionizing radiation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL1028105A1 NL1028105A1 (nl) | 2005-08-01 |
| NL1028105C2 true NL1028105C2 (nl) | 2008-02-25 |
Family
ID=34749170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL1028105A NL1028105C2 (nl) | 2004-01-29 | 2005-01-24 | Inrichting voor het detecteren van ioniserende straling. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7075091B2 (nl) |
| JP (1) | JP4974130B2 (nl) |
| CN (1) | CN1648687A (nl) |
| DE (1) | DE102005003378A1 (nl) |
| IL (1) | IL166392A (nl) |
| NL (1) | NL1028105C2 (nl) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7968853B2 (en) * | 2005-04-26 | 2011-06-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Double decker detector for spectral CT |
| US7582879B2 (en) * | 2006-03-27 | 2009-09-01 | Analogic Corporation | Modular x-ray measurement system |
| EP2005475A2 (en) * | 2006-03-30 | 2008-12-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation detector array |
| US20080001246A1 (en) * | 2006-05-24 | 2008-01-03 | Dipak Sengupta | Single package detector and digital converter integration |
| DE102006046770A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Siemens Ag | Bauelement, Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US7606346B2 (en) * | 2007-01-04 | 2009-10-20 | General Electric Company | CT detector module construction |
| US7851698B2 (en) * | 2008-06-12 | 2010-12-14 | Sunpower Corporation | Trench process and structure for backside contact solar cells with polysilicon doped regions |
| KR101695867B1 (ko) * | 2009-03-26 | 2017-01-13 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 데이터 획득 |
| JP5450188B2 (ja) * | 2010-03-16 | 2014-03-26 | 株式会社東芝 | 放射線検出装置、放射線検出装置の製造方法および画像撮影装置 |
| JP5358509B2 (ja) * | 2010-04-15 | 2013-12-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器モジュール |
| US9022584B2 (en) * | 2010-11-24 | 2015-05-05 | Raytheon Company | Protecting an optical surface |
| RU2595795C2 (ru) | 2011-03-24 | 2016-08-27 | Конинклейке Филипс Н.В. | Спектральный детектор изображения |
| US8822262B2 (en) | 2011-12-22 | 2014-09-02 | Sunpower Corporation | Fabricating solar cells with silicon nanoparticles |
| US9538107B2 (en) | 2013-05-16 | 2017-01-03 | Koninklijke Philips N.V. | Imaging detector |
| RU2015104180A (ru) * | 2013-09-05 | 2017-10-10 | Конинклейке Филипс Н.В. | Элемент детектора излучения |
| JP6776024B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-10-28 | キヤノンメディカルシステムズ株式会社 | Ｘ線検出器、ｘ線検出器モジュール、支持部材及びｘ線ｃｔ装置 |
| CN109541668B (zh) * | 2018-12-03 | 2020-05-22 | 西安交通大学 | 一种无电源辐射监测装置及方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020054659A1 (en) * | 2000-08-14 | 2002-05-09 | Miwa Okumura | Radiation detector, radiation detecting system and X-ray CT apparatus |
| US6426991B1 (en) * | 2000-11-16 | 2002-07-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Back-illuminated photodiodes for computed tomography detectors |
| US6510195B1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-21 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Solid state x-radiation detector modules and mosaics thereof, and an imaging method and apparatus employing the same |
| US6512809B2 (en) * | 2000-05-02 | 2003-01-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Radiation detector for an X-ray computed tomography apparatus |
| US20030122083A1 (en) * | 2002-01-03 | 2003-07-03 | General Electric Company | Optimized scintillator and pixilated photodiode detector array for multi-slice CT x-ray detector using backside illumination |
| US20030209652A1 (en) * | 2002-05-10 | 2003-11-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Back illuminated photodiode array and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000294760A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Nikon Corp | 光検出素子 |
| JP3713418B2 (ja) * | 2000-05-30 | 2005-11-09 | 光正 小柳 | ３次元画像処理装置の製造方法 |
| JP2003017676A (ja) * | 2001-04-27 | 2003-01-17 | Canon Inc | 放射線撮像装置およびそれを用いた放射線撮像システム |
| JP4237966B2 (ja) * | 2002-03-08 | 2009-03-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検出器 |
| JP4123415B2 (ja) * | 2002-05-20 | 2008-07-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| DE10244177A1 (de) * | 2002-09-23 | 2004-04-08 | Siemens Ag | Bilddetektor für Röntgeneinrichtungen mit rückseitig kontaktierten, organischen Bild-Sensoren |
| US6762473B1 (en) * | 2003-06-25 | 2004-07-13 | Semicoa Semiconductors | Ultra thin back-illuminated photodiode array structures and fabrication methods |
-
2004
- 2004-01-29 US US10/707,984 patent/US7075091B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-01-19 IL IL166392A patent/IL166392A/en unknown
- 2005-01-24 DE DE200510003378 patent/DE102005003378A1/de not_active Withdrawn
- 2005-01-24 NL NL1028105A patent/NL1028105C2/nl not_active IP Right Cessation
- 2005-01-28 JP JP2005021073A patent/JP4974130B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2005-01-31 CN CN200510006180.5A patent/CN1648687A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6512809B2 (en) * | 2000-05-02 | 2003-01-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Radiation detector for an X-ray computed tomography apparatus |
| US20020054659A1 (en) * | 2000-08-14 | 2002-05-09 | Miwa Okumura | Radiation detector, radiation detecting system and X-ray CT apparatus |
| US6426991B1 (en) * | 2000-11-16 | 2002-07-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Back-illuminated photodiodes for computed tomography detectors |
| US6510195B1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-21 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Solid state x-radiation detector modules and mosaics thereof, and an imaging method and apparatus employing the same |
| US20030122083A1 (en) * | 2002-01-03 | 2003-07-03 | General Electric Company | Optimized scintillator and pixilated photodiode detector array for multi-slice CT x-ray detector using backside illumination |
| US20030209652A1 (en) * | 2002-05-10 | 2003-11-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Back illuminated photodiode array and method of manufacturing the same |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Luhta, R. et Al. "Back Illuminated Photo Diodes for Multisclice CT", Medical Imaging 2003, Proceedings of the International Society for Optical Engineering (SPIE), vol. 5030, pp. 235-245 *gehele publicatie* * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IL166392A0 (en) | 2006-01-15 |
| IL166392A (en) | 2009-07-20 |
| US20050167603A1 (en) | 2005-08-04 |
| JP4974130B2 (ja) | 2012-07-11 |
| DE102005003378A1 (de) | 2005-08-11 |
| JP2005229110A (ja) | 2005-08-25 |
| NL1028105A1 (nl) | 2005-08-01 |
| CN1648687A (zh) | 2005-08-03 |
| US7075091B2 (en) | 2006-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL1028105C2 (nl) | Inrichting voor het detecteren van ioniserende straling. | |
| US6479827B1 (en) | Image sensing apparatus | |
| US8710448B2 (en) | Radiation detector array | |
| US9599725B2 (en) | Spectral imaging detector | |
| CN108020858B (zh) | 具有中间层的辐射检测器 | |
| US20080253507A1 (en) | Computed Tomography Detector Using Thin Circuits | |
| CN104603638B (zh) | 检测系统以及检测器阵列互连组装件 | |
| EP3143430B1 (en) | Sensor device and imaging system for detecting radiation signals | |
| EP2433156B1 (en) | Detector array with pre-focused anti-scatter grid | |
| US20140348290A1 (en) | Apparatus and Method for Low Capacitance Packaging for Direct Conversion X-Ray or Gamma Ray Detector | |
| GB2446185A (en) | Optical assembly and method of assembly | |
| US11474050B2 (en) | Radiation detector module with insulating shield | |
| JPH07181264A (ja) | エネルギービーム検出器 | |
| US7283608B2 (en) | System and method for X-ray imaging using X-ray intensity information | |
| EP1698911B1 (en) | Radiation detector | |
| NL1024947C2 (nl) | Elektronische matrix en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
| EP3794380B1 (en) | Sensor unit, radiation detector and method of manufacturing a sensor unit | |
| US12153173B2 (en) | Radiographic device | |
| JP2023117516A (ja) | 放射線の検出器 | |
| Mannel | System electronics and daq for the silicon vertex detector upgrade for phenix |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AD1A | A request for search or an international type search has been filed | ||
| RD2N | Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report) |
Effective date: 20071016 |
|
| PD2B | A search report has been drawn up | ||
| VD1 | Lapsed due to non-payment of the annual fee |
Effective date: 20090801 |