KR980012369A - Plating method of semiconductor lead frame - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 리드프레임의 도금방법에 관한 것으로, 종래에는 리드프레임의 도금불량이 발생시 작업자가 수작업으로 불량 리드프레임을 케미컬에 침적시켜서 도금막을 제거한 후, 다시 도금장비로 로딩하여 재 도금하는 방법으로 진행함으로서 인력 및 시간이 많이 소요되는 문제점이 있었다. 본 발명 반도체 리드프레임의 도금방법은 로디공정과 클리닝공정의 사이에 불량 리드프레임의 도금막을 제거하는 스트립공정을 진행하며, 이와 같은 스트립공정이 벨트에 리드프레임이 장착된 상태로 장비의 내부를 이동하며 연속작업으로 진행되도록 함으로서, 별도의 인력 및 시간이 소요되는 것을 방지하는 효과가 있고, 케미컬에 의해 작업자의 안전사고가 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a method of plating a semiconductor lead frame, and in the past, when a plating failure of a lead frame occurs, a worker manually deposits a defective lead frame on a chemical, removes the plating film, reloads the plating film with a plating equipment, There is a problem that it requires a lot of manpower and time. In the method of plating a semiconductor lead frame according to the present invention, a strip process for removing a plating film of a defective lead frame is carried out between a rody process and a cleaning process, and such strip process is performed by moving the inside of the equipment with the lead frame mounted on the belt Thus, it is possible to prevent an additional manpower and time from being consumed, and it is possible to prevent a safety accident of the operator from being caused by the chemical.
Description
제1도는 종래 반도체 리드프레임의 도금방법을 설명하기 위한 도금장비의 개략구성도.FIG. 1 is a schematic structural view of a conventional plating apparatus for explaining a plating method of a semiconductor lead frame. FIG.
제2도는 종래 도금불량의 리드프레임을 스트립하는 방법을 보인 종단면도,FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a method of stripping a lead frame of a conventional plating failure,
제3도는 (가)(나)(다)(라)는 스트립되는 상태를 보인 상태도.The third figure (a), (b), (c) and (d) show the stripped state.
제4도는 본 발명 반도체 리드프레임의 도금방법을 설명하기 위한 개략구성도.FIG. 4 is a schematic structural view for explaining the plating method of the semiconductor lead frame of the present invention. FIG.
제5도는 제4도의 스트립공정의 제1실시예를 보인 종단면도.FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a first embodiment of the stripping process of FIG. 4; FIG.
제6도는 제4도의 스트립공정의 제2실시예를 보인 종단면도.6 is a longitudinal sectional view of a second embodiment of the stripping process of FIG. 4;
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS
11 : 로딩부 12 : 스트립 존11: Loading section 12: Strip zone
13 : 클리닝 존 14 : 액티베이션 존13: Cleaning zone 14: Activation zone
15 : 프리딥 존 16 : 도금부15: pre-dip zone 16: plating part
17 : 중화부 18 : 언로딩부17: neutralization unit 18: unloading unit
20,31 : 용기 21 : 케미컬20,31: container 21: chemical
22,33 : 클립 23, 35 : 벨트22, 33: clip 23, 35: belt
24,34 : 리드프레임 30 : 전해액24, 34: lead frame 30: electrolyte
32 : 스테인레스 판32: Stainless steel plate
본 발명은 반도체 리드프레임의 도금방법에 관한 것으로, 특히 도금 불량으로 재작업시 스트립(STRIP)공정과 도금(PLATING) 공정을 하나의 장비에서 가계적인 방법으로 동시에 실시하는 반도체 리드프레임의 도금방법에 관한 것이다. 일반적으로 반도체 제조공정 중 도금공정에서는 리드프레임의 아웃리드에 도금을 실시하여 후공정에서 부식을 방지하고, 패키지의 실장시 남 땜을 용이하게 할 수 있도록 한다. 이와 같은 일반적인 도금 공정의 순서를 제1도에 도시한 바, 이를 참고하여 간단히 설명하면 다음과 같다. 제1도는 종래 반도체 리드프레임의 도금순서를 설명하기 위한 도금장비의 개략구성도로서, 도시된 바와 같이 1은 로딩(LOADING), 2는 클리닝 존(CLEANING ZONE), 3은 액티베이션 존(ACTIVATION ZONE), 4는 프리딥 존(PRE-DIPZONE), 5는 도금존(PLATING ZONE), 6은 중화부, 7은 언로딩부(UNLOADING ZONE), 8은 스트립 존(STRIP ZONE)이다. 이와 같이 구성되어 있는 종래 도금장비에서 도금공정이 진행되는 동작을 설명하면 다음과 같다. 먼저, 로딩부(1)의 벨트에 도금할 리드프레임을 로딩시키는 로딩공정을 진행하고, 이와 같이 로딩된 리드프레임이 벨트를 따라 클리닝 존(2)으로 이동하여 리드프레임 표면의 이물질을 제거하기 위한 클리닝공정을 진행한다. 그런 다음 상기와 같이 이물질이 제거된 리드프레임이 액티베이션 존(3)으로 이동하면 리드프레임 표면의 산화막을 제거하는 산화막제거공정을 진행하고, 이와 같이 산화막이 제거된 리드프레임이 프리딥존(4)으로 이동하면 도금시 도금성을 양호하게 하기 위한 프리딥 공정을 진행하며, 상기와 같이 프리딥 공정이 완료된 리드프레임은 도금존(5)으로 이동하여 Sn-Pb의 도금공정을 실시하고, 도금이 완료된 리드프레임은 중화부(6)에서 후처리공정을 거친후, 마지막으로 언로딩부(7)로 이동하여 리드프레임을 메가진에 수납하는 언로딩공정을 진행하여 도금을 완료한다. 그리고, 상기 스트립 존(8)에서는 도금된 벨트의 도금층을 스트립한다. 한편, 상기와 같은 도금공정이 진행되는 중에 리드프레임의 도금불량이 발생할 수 있는데, 이와 같이 도금불량이 발생하면 제2도와 같이 수작업으로 L-60케미컬(9)에 리드프레임(10)을 담그고, 도금막을 제거하여 리드프레임(10)을 다시 로딩부(1)에 로딩하여 도금공정을 진행 한다. 제3도는 제2도의 스트립 방법에 의해 도금막이 제거되는 상태를 보인 것으로, (가)와 같이 리드프레임(10)의 도금막(11)을 스트립하여 제거하고, 그 도금막(11)이 제거된 부분을 (나)와 같이 수순(12)로 세척을 하며, 그 세척된 리드프레임(10)을 (다)와 같이 건조하여, (라)와 같이 로딩하는 것이다. 그런나, 상기와 같은 종래 반도체 리드프레임의 도금방법은 도금불량이 발생할 경우에 케미컬에 수작업으로 불량 리드 프레임을 담그기 때문에 막대한 인력 및 시간이 소요되는 문제점이 있었다. 그리고, 케미컬이 작업자의 인체에 묻어서 안전사고가 발생하는 문제점이 있었다. 본 발명의 주목적은 상기와 같은 여러 문제점을 갖지 않는 반도체 리드프레임의 도금방법을 제공함에 있다. 본 발명의 다른 목적은 인력 및 시간을 절감하여 생산성을 향상시키도록 하는데 적합한 반도체 리드프레임의 도금방법을 제공함에 있다. 본 발명의 또다른 목적은 스트립작업을 기계적으로 실시하여 케미컬에 의한 안전사고를 방지할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 리드프레임의 도금방법을 제공함에 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of plating a semiconductor lead frame, and more particularly, to a plating method of a semiconductor lead frame, in which a stripping process and a plating process are re- . Generally, in the plating process during the semiconductor manufacturing process, the out lead of the lead frame is plated to prevent corrosion in a post-process, and soldering can be facilitated when the package is mounted. The general procedure of such a plating process is shown in FIG. 1 and will be briefly described below. FIG. 1 is a schematic diagram of a plating apparatus for explaining a plating procedure of a conventional semiconductor lead frame. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes loading, 2 denotes a cleaning zone, 3 denotes an activation zone, 4 is a pre-dip zone (PRE-DIPZONE), 5 is a plating zone, 6 is a neutralization unit, 7 is an unloading zone, and 8 is a strip zone. Hereinafter, the operation of the plating apparatus in the conventional plating apparatus will be described. First, a loading process for loading a lead frame to be plated on the belt of the loading section 1 is carried out. The loaded lead frame moves along the belt to the cleaning zone 2 to remove foreign substances on the lead frame surface Proceed with the cleaning process. Then, when the lead frame from which the foreign substances have been removed as described above moves to the activation zone 3, the oxide film removing process for removing the oxide film on the lead frame surface is performed, and the lead frame from which the oxide film is removed, The pre-dipping process is performed to improve the plating performance at the time of plating. The lead frame having completed the pre-dip process as described above moves to the plating zone 5 to perform the plating process of Sn-Pb, After the lead frame is subjected to a post-treatment process in the neutralizing part 6, the lead frame is finally moved to the unloading part 7, and the unloading step of storing the lead frame in the meander is completed to complete the plating. In the strip zone 8, the plating layer of the plated belt is stripped. Meanwhile, if the plating failure occurs, the lead frame 10 may be immersed in the L-60 chemical 9 by manual operation as shown in FIG. 2, The plating film is removed and the lead frame 10 is loaded on the loading part 1 again to proceed the plating process. 3 shows a state in which the plating film is removed by the stripping method of FIG. 2. The plating film 11 of the lead frame 10 is stripped and removed as shown in (A), and the plating film 11 is removed The portion of the lead frame 10 is washed with the procedure 12 as in the case of (B), and the washed lead frame 10 is dried as shown in (C) and loaded as shown in (D). However, in the conventional plating method of a semiconductor lead frame as described above, when a plating failure occurs, a bad lead frame is immersed in a chemical by hand, so that a labor and time are required. In addition, there is a problem that the chemical is buried in the human body of the worker and a safety accident occurs. The main object of the present invention is to provide a method of plating a semiconductor lead frame which does not have the above problems. Another object of the present invention is to provide a plating method of a semiconductor lead frame suited to improve productivity by saving manpower and time. It is still another object of the present invention to provide a method of plating a semiconductor lead frame suitable for mechanically conducting a strip operation to prevent a safety accident caused by a chemical.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 메가진에서 리드프레임을 인출하여 벨트에 로딩하는 로딩공정을 수행하는 단계와, 도금불량은 리드프레임의 도금층을 제거하는 스트립공정을 수행하는 단계와, 리드표면의 이물질을 제거하는 클리닝공정을 수행하는 단계와, 리드프레임 표면의 산화막을 제거하는 산화막제거공정을 수행하는 단계와, 도금시 도금성을 양호하게 하기 위한 프리딥공정을 수행하는 단계와, 리드프레임에 도금을 실시하는 도금공정을 수행하는 단계와, 도금된 리드프레임을 중화시키고, 세척과 건조를 실시하는 후처리공정을 실시하는 단계와, 후처리가 완료된 리드프레임을 메가진에 수납하는 언로딩공정을 수행하는 단계의 순서로 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 리드프레임의 도금방법이 제공된다. 이하, 상기와 같은 순서로 진행되는 반도체 리드프레임의 도금방법을 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다. 제4도는 본 발명 반도체 리드프레임의 도금방법을 설명하기 위한 개략구성도로서, 도시된 바와 같이, 본 발명은 벨트로 도금할 제품을 이송하는 도금장비의 로딩부(11)에 메가진을 장착하고, 그리퍼로 리드프레임을 1개씩 흡착하여 벨트에 장착하는 로딩공정을 수행하고, 벨트를 따라 이동하는 리드프레임이 스트립 존(12)에 도달하면 불량도금된 리드프레임의 도금막을 제거하기 위한 스트립공정을 수행한다. 그리고, 상기와 같이 스트립공정이 완료된 리드프레임은 벨트를 따라 이동하면서 클리닝 존(13)에서는 이물질이 제거되고, 엑티베이션 존(14)에서 리드표면의 산화막을 제거하는 산화막제거공정을 수행하며, 프리딥 존(15)에서 후공정인 도금시 도금성을 양호하게 하기 위한 프리딥 공정을 수행하고, 도금부(16)에서 리드프레임에 Sn/Pb도금을 실시하는 도금공정을 수행하며, 중화부(17)에서 도금된 리드프레임을 중화시키고, 세척과 건조를 실시하는 후처리공정을 실시하고, 후처리가 완료된 리드프레임은 언로딩부(18)로 이동하여 메가진에 수납하는 언로딩공정을 수행하여 도금공정을 완료한다. 제5도는 제4도의 스트립공정의 제1실시예를 보인 종단면도로서, 도시된 바와 같이, 용기(20)의 내부에 케미컬(21)을 수납하고, 클립(22)에 의하여 벨트(23)에 장착된 리드프레임(24)이 케미컬(21)에 침적된 상태로 이동되도록 하여 리드프레임의 도금막을 제거하는 것이다. 제6도는 제4도의 스트립공정의 제2실시예를 보인 종단면도로서, 도시된 바와 같이, 전해액(30)이 수납된 용기(31)의 내측 양면에 스테인레스판(32)을 설치하고, 그 스테인레스 판(32)에 -극을 인가하며, 클립(33)에 의하여 리드프레임(34)이 장착된 벨트(35)에 +극을 인가하여, 리드프레임(34)이 전해액(30)에 침적된 상태로 이동하면서 도금막이 분해되어 스테인레스 판(32)에 부착되도록 한 것이다. 부연하여 설명하면, 벨트(35)에 장착되어 +극이 리드프레임(34)에 형성된 도금막의 주성분인 Sn2+, Pb2+이 전해액(30) 중에 분해된후, -극이 인가된 스테인레스 판(32)에 Sn2+, Pb2+이 부착되도록 한 것이다. 이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명 반도체 리드프레임의 도금방법은 로딩공정과 클리닝공정의 사이에 불량 리드프레임의 도금막을 제거하는 스트립공정을 진행하며, 이와 같은 스트립공정이 벨트에 리드프레임이 장착된 상태로 장비의 내부를 이동하며 연속작업으로 진행되도록 함으로서, 별도의 인력 및 시간이 소요되는 것을 방지하는 효과가 있고, 케미컬에 의해 작업자의 안전사고가 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a lead frame, comprising: performing a loading process of pulling out a lead frame from a meander and loading the same on a belt; performing a strip process to remove a plating layer of the lead frame; Performing a cleaning process for removing foreign matters on the surface, performing an oxide film removing process for removing the oxide film on the surface of the lead frame, performing a pre-dipping process for improving the plating property at the time of plating, A method of manufacturing a lead frame, comprising: performing a plating process for plating a frame; neutralizing a plated lead frame; performing a post-treatment process for performing cleaning and drying; And a step of performing a loading process. The method for plating a semiconductor lead frame is provided. Hereinafter, a method of plating a semiconductor lead frame according to the above-described procedure will be described in more detail with reference to embodiments of the accompanying drawings. FIG. 4 is a schematic view for explaining a plating method of a semiconductor lead frame according to the present invention. As shown in FIG. 4, the present invention mounts a burr on a loading portion 11 of a plating apparatus for transferring a product to be plated with a belt , A loading step of sucking the lead frames one by one by a gripper and mounting the lead frames on the belt is performed. When the lead frame moving along the belt reaches the strip zone 12, a strip process for removing the plated film of the lead- . The lead frame, which has been stripped, moves along the belt to remove foreign substances from the cleaning zone 13 and remove the oxide film on the lead surface from the activation zone 14, A pre-dipping process is performed in the deep zone 15 to improve the plating property at the plating process, which is a post-process, and a plating process is performed to apply Sn / Pb plating to the lead frame in the plating unit 16, 17, a post-treatment process is performed to neutralize the plated lead frame and to perform cleaning and drying, and the lead frame after completion of the post-treatment is moved to the unloading portion 18 to carry out an unloading process Thereby completing the plating process. 5 is a longitudinal sectional view showing a first embodiment of the stripping process of FIG. 4. As shown in FIG. 5, a chemical 21 is stored in a container 20, So that the mounted lead frame 24 is moved in a state immersed in the chemical 21 to remove the plating film of the lead frame. 6 is a vertical sectional view showing a second embodiment of the stripping process of FIG. 4. As shown in FIG. 6, a stainless steel plate 32 is provided on both inner and outer surfaces of a container 31 containing an electrolyte 30, A positive pole is applied to the belt 35 on which the lead frame 34 is mounted by the clip 33 by applying a negative pole to the plate 32 and the lead frame 34 is immersed in the electrolyte 30 So that the plated film is decomposed and adhered to the stainless steel plate 32. In other words, Sn 2+ and Pb 2+, which are the main components of the plated film formed on the lead frame 34 by the positive electrode mounted on the belt 35, are decomposed in the electrolytic solution 30, And Sn 2+ and Pb 2+ are attached to the second electrode 32. As described above in detail, in the plating method of the present invention, the strip process for removing the plating film of the defective lead frame is performed between the loading process and the cleaning process, and the strip process is performed in a state where the lead frame is mounted on the belt So that a separate manpower and time are prevented from being consumed, and the safety accident of the operator can be prevented by the chemical.
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1996
- 1996-07-31 KR KR1019960031867A patent/KR100202670B1/en not_active Expired - Fee Related
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