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KR980005025A - 플래쉬 메모리 셀의 소거확인 방법 - Google Patents

플래쉬 메모리 셀의 소거확인 방법 Download PDF

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KR980005025A
KR980005025A KR1019960025546A KR19960025546A KR980005025A KR 980005025 A KR980005025 A KR 980005025A KR 1019960025546 A KR1019960025546 A KR 1019960025546A KR 19960025546 A KR19960025546 A KR 19960025546A KR 980005025 A KR980005025 A KR 980005025A
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KR
South Korea
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memory cell
line decoder
flash memory
bit line
circuit
Prior art date
Application number
KR1019960025546A
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Inventor
신계완
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은 블럭 단위로 소거(Erase)하는 플래쉬 메모리셀의 소거확인 동작시 한개의 셀이 어드레스가 선택되어 소거확인 될때까지의 시간을 체크(check)하여 소거확인시 상기 체크된 시간을 소거확인 동작에 적용하여 칩의 소거확인 동작시 실질적인 소거확인 시간만 소요되도록 한 플래쉬 메모리셀의 소거확인 방법에 관해 개시된다.

Description

플래쉬 메모리 셀의 소거확인 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
첨부된 도면은 본 발명에 따른 플래쉬 메모리셀의 소거확인 방법을 설명하기 위해 도시한 회로도.

Claims (1)

  1. 어드레스 패드를 통해 어드레스를 입력으로 하는 어드레스 버퍼와, 상기 어드레스를 입력으로 하는 어드레스 버퍼의 출력에 따라 동작되는 워드라인 디코더 및 비트라인 디코더와, 상기 워드라인 디코더 및 비트라인 디코더의 출력에 따라 어느 한 셀이 선택되는 메모리셀 블럭과, 상기 메모리셀 블럭에서 선택된 어느 한 셀의 데이타를 독출하기 위한 센스앰프와, 상기 센스앰프에 의해 독출된 데이타를 비교하기 위한 데이타 비교회로와, 상기 데이타 비교회로에서 비교된 데이타를 데이타 입출력으로 출력하기 위한 출력 버퍼 및 멀티플레스 회로로 구성된 플래쉬 메모리셀의 소거확인 회로를 이용한 메모리 셀의 소거확인 방법에 있어서, 상기 데이타 비교회로에서 비교된 데이타를 입력으로 하는 상기 어드레스 버퍼에서 어드레스를 증가하여 메모리셀이 소거확인 될때 까지의 시간을 체크하고, 상기 체크된 시간을 주기로 하는 로칼 클럭에 의해 칩의 소거확인 동작이 이루어 지도록 하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리셀의 소거 확인방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960025546A 1996-06-29 1996-06-29 플래쉬 메모리 셀의 소거확인 방법 KR100223264B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100390945B1 (ko) * 2000-12-29 2003-07-10 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리 셀의 소거 속도 측정 회로

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