KR970076069A - 콘택 마스크 - Google Patents
콘택 마스크 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970076069A KR970076069A KR1019960017618A KR19960017618A KR970076069A KR 970076069 A KR970076069 A KR 970076069A KR 1019960017618 A KR1019960017618 A KR 1019960017618A KR 19960017618 A KR19960017618 A KR 19960017618A KR 970076069 A KR970076069 A KR 970076069A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- contact
- substrate
- contact mask
- mask
- central portion
- Prior art date
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
본 발명은 콘택 마스크에 관한 것으로, 균일한 크기를 갖는 콘택 홀을 형성하기 위하여 기판의 주변부에 형성된 콘택 패턴이 상기 기판의 중앙부에 형성된 콘택 패턴보다 크게 형성된 콘택 마스크를 이용하므로써 공정 마진이 확보된다. 그러므로 사진 공정시 초점 거리의 차이가 발생되거나, 웨이퍼의 수평도가 불량하더라도 균일한 크기를 갖는 콘택 홀이 형성되고, 따라서, 소자의 수율이 향상될 수 있는 콘택 마스크에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 콘택 마스크의 평면도.
Claims (4)
- 빛이 투과될 수 있는 기판과, 상기 기판에 형성되며, 콘택 홀이 형성된 위치와 일치되는 위치에 각각 형성된 다수의 콘택 패턴으로 이루어진 콘택 마스크에 있어서, 상기 기판의 주변부에 형성된 콘택 패턴이 상기 기판의 중앙부에 형성된 콘택 패턴보다 크게 형성된 것을 특징으로 하는 콘택 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 기판의 주변부에 형성된 콘택 패턴은 가로변 및 세로변의 길이가 각각 0.59 내지 0.61㎛인 것을 특징으로 하는 콘택 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 기판의 중앙부에 형성된 콘택 패턴은 가로변 및 세로변의 길이가 각각 0.55 내지 0.57㎛인 것을 특징으로 하는 콘택 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 기판 및 콘택 패턴중 하나에는 빛의 투과를 방지하기 위하여 크롬이 코팅된 것을 특징으로 하는 콘택 마스크.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960017618A KR970076069A (ko) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 콘택 마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960017618A KR970076069A (ko) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 콘택 마스크 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970076069A true KR970076069A (ko) | 1997-12-10 |
Family
ID=66220353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960017618A KR970076069A (ko) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 콘택 마스크 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970076069A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100282695B1 (ko) * | 1998-04-28 | 2001-03-02 | 윤종용 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR100807083B1 (ko) * | 2006-08-11 | 2008-02-25 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 컨택홀 형성을 위한 마스크, 마스크 제작 방법 및 상기마스크를 이용한 플래시 메모리 소자 제조 방법 |
| KR20150078628A (ko) * | 2013-12-31 | 2015-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마스크 및 그를 이용한 박막트랜지스터의 제조방법 |
-
1996
- 1996-05-23 KR KR1019960017618A patent/KR970076069A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100282695B1 (ko) * | 1998-04-28 | 2001-03-02 | 윤종용 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| US6331377B2 (en) | 1998-04-28 | 2001-12-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| KR100807083B1 (ko) * | 2006-08-11 | 2008-02-25 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 컨택홀 형성을 위한 마스크, 마스크 제작 방법 및 상기마스크를 이용한 플래시 메모리 소자 제조 방법 |
| KR20150078628A (ko) * | 2013-12-31 | 2015-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마스크 및 그를 이용한 박막트랜지스터의 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| BR9408082A (pt) | Processo para produzir uma estrutura absorvente dotada de capacidades absorventes tanto osmóticas quanto capilares | |
| KR980005302A (ko) | 반도체 소자 제조용 콘택 마스크 | |
| KR930701769A (ko) | 위상시프트 마스크 | |
| KR980003823A (ko) | 콘택홀용 위상 반전 마스크 | |
| KR970076069A (ko) | 콘택 마스크 | |
| KR910010645A (ko) | 메모리반도체구조 및 위상시프트마스크 | |
| FR2700500B1 (fr) | Procédé de gravure sur substrat stratifié et support gravé ainsi obtenu. | |
| KR980003793A (ko) | 감광막 패턴을 형성하기 위한 마스크 | |
| KR980003798A (ko) | 위상 반전 마스크 | |
| KR970008372A (ko) | 반도체장치의 미세 패턴 형성방법 | |
| KR950009937A (ko) | 얼라인먼트마크의 구조 | |
| KR970063418A (ko) | 반도체 소자 제조용 레티클 | |
| KR950021039A (ko) | 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 | |
| KR980003790A (ko) | 변형된 콘택홀 형성을 방지할 수 있는 마스크 | |
| KR970048976A (ko) | 콘택홀 패턴 형성을 위한 마스크 | |
| KR960026081A (ko) | 포토마스크 | |
| TW429422B (en) | The bi-focus exposure process | |
| KR950025885A (ko) | 노광마스크 형성방법 | |
| KR970028810A (ko) | 위상반전 영역을 삽입한 포토마스크 | |
| PT967881E (pt) | Produto bolacha | |
| KR980003791A (ko) | 하프톤 위상 반전 마스크 | |
| KR980005320A (ko) | 반도체 균일 패턴 형성방법 | |
| KR960035951A (ko) | 반도체 장치의 진공 척 | |
| KR970048967A (ko) | 복수의 오버레이 키를 갖는 포토마스크 | |
| KR970077107A (ko) | 현상액을 웨이터의 전면에 분사하는 노즐 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19960523 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |