[go: up one dir, main page]

KR970068752A - 고전력 마이크로파 플라즈마 어플리케이터(high power microwave plasma applicator) - Google Patents

고전력 마이크로파 플라즈마 어플리케이터(high power microwave plasma applicator) Download PDF

Info

Publication number
KR970068752A
KR970068752A KR1019970011023A KR19970011023A KR970068752A KR 970068752 A KR970068752 A KR 970068752A KR 1019970011023 A KR1019970011023 A KR 1019970011023A KR 19970011023 A KR19970011023 A KR 19970011023A KR 970068752 A KR970068752 A KR 970068752A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tube
plasma
outer tube
plasma tube
cylindrical
Prior art date
Application number
KR1019970011023A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100491214B1 (ko
Inventor
씨. 에팅거 게리
샹 쿠안유안
에스. 로 캄
Original Assignee
하워드 네프
어플라이드 고마쯔 테크놀로지, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 하워드 네프, 어플라이드 고마쯔 테크놀로지, 인코포레이티드 filed Critical 하워드 네프
Publication of KR970068752A publication Critical patent/KR970068752A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100491214B1 publication Critical patent/KR100491214B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Discharge Heating (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

플라즈마 어플리게이터는 실린더형 외부 튜브와; 상기 외부 튜브내에 배치되고, 상기 외부 튜브와 동심이며, 제 1 단부와 제 2 단부를 가지는 실린더형 플라즈마 튜브와; 상기 플라즈마 튜브의 제 1 단부에서 상기 플라즈마 튜브를 둘러싸고, 상기 플라즈마 튜브와 상기 제 1 지지대 사이에 압착되며, 상기 플라즈마 튜브의 상기 제 1 단부로부터 제 1 거리에 배치되는 시일과; 상기 플라즈마 튜브내의 제 2 거리를 연장하는 시일드를 포함한다.

Description

고전력 마이크로파 플라즈마 어플리케이터(HIGH POWER MICROWAVE PLASMA APPLICATOR)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 1은 본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마의 단면도, 도 2는 도 1로부터의 상부 칼라의 단면도, 도 3은 플라즈마 어플리케이터의 입력단을 도시하는 도면, 도 4는 도 1에 도시된 플라즈마 어플리케이터를 사용하는 플라즈마 처리 시스템의 블록도.

Claims (9)

  1. 실린더형 외부 튜브와; 상기 외부 튜브내에 배치되고, 상기 외부 튜브와 동심이며, 제 1 단부와 제 2 단부를 가지는 실린더형 플라즈마 튜브와; 상기 플라즈마 튜브의 제 1 단부에서 상기 플라즈마 튜브를 둘러싸고, 상기 플라즈마 튜브와 상기 제 1 지지대 사이에 압착되며, 상기 플라즈마 튜브의 상기 제 1 단부로부터 제 1 거리에 배치되는 시일과; 상기 플라즈마 튜브내의 제 2 거리를 연장하는 시일드를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 거리는 상기 제 1 거리보다 더 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터.
  3. 실린더형 외부 튜브와; 상기 외부 튜브내에 배치되고, 상기 외부 튜브와 중심이 같고, 내부 벽을 가지는 실린더형 플라즈마 튜브와; 상기 플라즈마 튜브내로 연장하는 플러그를 가지고, 상기 플라즈마 튜브와 상기 플라즈마 튜브의 상기 내부 벽내로 연장하는 상기 플러그의 부분 사이의 환형 갭 영역을 한정하는 어댑터를 포함하며, 상기 어댑터는 처리 가수가 작동 동안 상기 플라즈마내로 흐르는 루트를 형성하도록 그 안에 형성되고 상기 환형 갭 영역과 통하는 통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터.
  4. 실린더형 외부 튜브와; 상기 외부 튜브내에 배치되고 상기 외부 튜브와 축방향으로 정렬되는 실린더형 플라즈마 튜브를 포함하고, 상기 실린더형 플라즈마 튜브와 상기 외부 튜브는 냉각제가 작동 동안 흐르는 환형 갭 영역을 형성하고; 상기 플라즈마 튜브의 상기 제 1 단부에 배치되는 제 1 지지대를 포함하고, 상기 제 1 지지대는 그 안에 형성된 제 1 홀을 가지고 상기 플라즈마 튜브와 상기 외부 튜브를 둘 다 수용하며, 상기 홀은 내부벽을 가지고; 상기 플라즈마 튜브의 상기 제 1 단부에서 상기 플라즈마 튜브를 둘러싸고 상기 플라즈마 튜브와 상기 제 1 홀의 내부 벽 사이로 연장하는 제 1 시일과; 상기 외부 튜브를 둘러싸고 상기 외부 튜브와 상기 제 1 홀의 내부 벽 사이로 연장하는 제 2 시일을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 플라즈마 튜브의 상기 제 2 단부에 배치되고, 그 안에 형성되고 내부벽을 가지는 제 2 홀을 구비하며, 상기 플라즈마 튜브와 상기 외부 튜브를 둘 다 수용하는 제 2 지지대와; 상기 플라즈마 튜브의 제 2 단부에서 상기 플라즈마 튜브를 둘러싸고 상기 외부 튜브와 상기 제 2 홀의 상기 내부 벽 사이로 연장하는 제 3 시일과; 상기 외부 튜브를 둘러싸고 상기 외부 튜브와 상기 제 2 홀의 상기 내부 벽 사이로 연장하는 제 4 시일을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 플라즈마 튜브는 제 1 길이를 가지고, 상기 외부 튜브는 제 2 길이를 가지며, 상기 제 1 길이는 상기 제 2 길이보다 더 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 플라즈마 튜브는 상기 외부 튜브의 둘 다의 외부로 연장하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터.
  8. 제 4항에 있어서, 상기 제 1 지지대는 그것에 형성된 상기 홀을 통과하고 상기 홀내로 연장하는 다수의 냉각제 유입 포트를 포함하고, 냉각제가 상기 환형 갭 영역내의 상기 다수의 냉각제 유입 포트를 통해 주입될 때 0의 방사 방향으로 상기 플라즈마 튜브에 대한 최종적인 힘을 형성하도록 상기 다수의 냉각제 유입 포트는 상기 플라즈마 튜브의 축 둘레에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터.
  9. 실린더형 외부 튜브와; 상기 외부 튜브내에 배치되고 상기 외부 튜브와 축방향으로 정렬되는 실린더형 플라즈마 튜브를 포함하고, 상기 플라즈마 튜브는 제 1 단부와 제 2 단부를 가지고, 상기 실린더형 플라즈마 튜브와 상기 외부 튜브는 냉각제가 작동 동안 흐르는 환형 갭 영역을 형성하고; 상기 플라즈마 튜브의 상기 제 1 단부에 배치되는 제 1 지지대를 포함하고, 상기 제 1 지지대는 그 안에 형성된 실린더형 제 1 홀을 가지고 상기 플라즈마 튜브와 상기 외부 튜브를 둘 다 수용하며, 상기 실린더형 홀은 내부 벽을 가지고; 상기 플라즈마 튜브의 제 1 단부에서 상기 플라즈마 튜브를 둘러싸고 상기 플라즈마 튜브와 상기 실린더형 홀의 상기 내부 벽 사이로 연장하며, 상기 플라즈마 튜브의 상기 제 1 단부로부터의 제 1 거리에 배치되는 제 1 시일과; 상기 외부 튜브를 둘러싸고 상기 외부 튜브와 상기 실린더형 홀의 상기 내부 벽 사이로 연장하는 제 2 시일을 포함하며; 상기 제 1 지지대는 그것을 통해 통과하고 그 안에 형성된 상기 홀내로 연장하며, 상기 플라즈마 튜브의 축 둘레레 대칭적으로 위치되는 다수의 냉각제 유입 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 어플리케이터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970011023A 1996-03-29 1997-03-28 고전력마이크로파플라즈마어플리케이터 Expired - Fee Related KR100491214B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/626,258 US5895548A (en) 1996-03-29 1996-03-29 High power microwave plasma applicator
US08/626,258 1996-03-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970068752A true KR970068752A (ko) 1997-10-13
KR100491214B1 KR100491214B1 (ko) 2005-08-04

Family

ID=24509621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970011023A Expired - Fee Related KR100491214B1 (ko) 1996-03-29 1997-03-28 고전력마이크로파플라즈마어플리케이터

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5895548A (ko)
EP (1) EP0800200B1 (ko)
JP (1) JP3989584B2 (ko)
KR (1) KR100491214B1 (ko)
AT (1) ATE266256T1 (ko)
DE (1) DE69728926D1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101011580B1 (ko) * 2002-06-05 2011-01-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 이온 분포의 자기 제어에 의해 외부적으로 여기된토로이드형 플라즈마 소스

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0868836A4 (en) * 1996-09-24 2002-02-13 Fusion Systems Corp FLUORIDE STRIPPING AND REMOVAL OF RESIDUE IN A CALCINATOR WITH SAPPHIRE PLASMA TUBE FOR DOWNSTREAM TREATMENT
US6055927A (en) * 1997-01-14 2000-05-02 Applied Komatsu Technology, Inc. Apparatus and method for white powder reduction in silicon nitride deposition using remote plasma source cleaning technology
US6163007A (en) * 1999-03-19 2000-12-19 Applied Materials, Inc. Microwave plasma generating apparatus with improved heat protection of sealing O-rings
US6263830B1 (en) * 1999-04-12 2001-07-24 Matrix Integrated Systems, Inc. Microwave choke for remote plasma generator
US6450116B1 (en) 1999-04-22 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Apparatus for exposing a substrate to plasma radicals
US6401653B1 (en) * 2000-04-18 2002-06-11 Daihen Corporation Microwave plasma generator
US6603269B1 (en) 2000-06-13 2003-08-05 Applied Materials, Inc. Resonant chamber applicator for remote plasma source
US20050212626A1 (en) * 2002-05-07 2005-09-29 Toshiyuki Takamatsu High frequency reaction processing system
TW200405770A (en) * 2002-08-30 2004-04-01 Axcelis Tech Inc Gas tube end cap for a microwave plasma generator
US7183514B2 (en) * 2003-01-30 2007-02-27 Axcelis Technologies, Inc. Helix coupled remote plasma source
US7358192B2 (en) * 2004-04-08 2008-04-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for in-situ film stack processing
KR100725105B1 (ko) 2006-07-12 2007-06-04 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 애플리케이터
NL1033783C2 (nl) * 2007-05-01 2008-11-06 Draka Comteq Bv Inrichting voor het uitvoeren van een plasma chemische dampdepositie alsmede werkwijze ter vervaardiging van een optische voorvorm.
US12238847B2 (en) 2016-03-09 2025-02-25 Advanced Medical Device Technologies, Inc. Radio frequency fluid warmer system and method
US9949321B1 (en) * 2016-03-09 2018-04-17 Linamp Technologies Llc Radio frequency fluid warmer
US12028957B1 (en) 2016-03-09 2024-07-02 Linamp Technologies Llc Radio frequency fluid warmer and method
JP6739201B2 (ja) * 2016-03-25 2020-08-12 スピードファム株式会社 局所ドライエッチング装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2964679A (en) * 1959-06-26 1960-12-13 Gen Electric Arc plasma generator
US3221212A (en) * 1961-10-27 1965-11-30 Gen Electric Plasma accelerator
GB1240031A (en) * 1969-01-08 1971-07-21 Nat Res Dev Improvements in or relating to gas discharge tubes
CH526249A (de) * 1970-12-21 1972-07-31 Bbc Brown Boveri & Cie Einrichtung zur elektrodenlosen Plasmaerzeugung mittels Hochfrequenzenergie
US3753144A (en) * 1971-10-18 1973-08-14 W Kearns Gas laser structure
EP0103461B1 (en) * 1982-09-10 1988-11-17 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Plasma deposition method and apparatus
US4654504A (en) * 1983-11-30 1987-03-31 Hewlett-Packard Company Water-cooled gas discharge detector
BR8604777A (pt) * 1985-10-02 1987-06-30 Perkin Elmer Corp Conjunto de bocal para fixacao no corpo de uma pistola de plasma
JPS63199471A (ja) * 1987-02-16 1988-08-17 Toshiba Corp 金属蒸気レ−ザ発振管
JPS64725A (en) * 1987-03-20 1989-01-05 Canon Inc Plasma treatment method and device therefor
JP2505489B2 (ja) * 1987-09-18 1996-06-12 三菱重工業株式会社 プラズマト―チ放射光の減光方法
KR920003789B1 (ko) * 1988-02-08 1992-05-14 니뽄 덴신 덴와 가부시끼가이샤 플라즈마 스퍼터링을 이용한 박막 형성 장치 및 이온원
US4918031A (en) * 1988-12-28 1990-04-17 American Telephone And Telegraph Company,At&T Bell Laboratories Processes depending on plasma generation using a helical resonator
US5124998A (en) * 1990-05-21 1992-06-23 Coherent, Inc. Laser plasma tube having a window sealed end and a mirror sealed end
US5008593A (en) * 1990-07-13 1991-04-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Coaxial liquid cooling of high power microwave excited plasma UV lamps
US5055741A (en) * 1990-07-13 1991-10-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Liquid coolant for high power microwave excited plasma tubes
US5082517A (en) * 1990-08-23 1992-01-21 Texas Instruments Incorporated Plasma density controller for semiconductor device processing equipment
JPH04259378A (ja) * 1990-09-10 1992-09-14 Applied Sci & Technol Inc 再循環高速対流リアクター
US5235251A (en) * 1991-08-09 1993-08-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Hydraulic fluid cooling of high power microwave plasma tubes
US5361016A (en) * 1992-03-26 1994-11-01 General Atomics High density plasma formation using whistler mode excitation in a reduced cross-sectional area formation tube
US5501740A (en) * 1993-06-04 1996-03-26 Applied Science And Technology, Inc. Microwave plasma reactor
US5722668A (en) * 1994-04-29 1998-03-03 Applied Materials, Inc. Protective collar for vacuum seal in a plasma etch reactor
EP0726593A1 (en) * 1995-02-13 1996-08-14 Applied Materials, Inc. A high power, plasma-based, reactive species generator
US5625259A (en) * 1995-02-16 1997-04-29 Applied Science And Technology, Inc. Microwave plasma applicator with a helical fluid cooling channel surrounding a microwave transparent discharge tube

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101011580B1 (ko) * 2002-06-05 2011-01-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 이온 분포의 자기 제어에 의해 외부적으로 여기된토로이드형 플라즈마 소스

Also Published As

Publication number Publication date
KR100491214B1 (ko) 2005-08-04
JPH1032099A (ja) 1998-02-03
DE69728926D1 (de) 2004-06-09
ATE266256T1 (de) 2004-05-15
EP0800200A3 (en) 1998-01-28
EP0800200A2 (en) 1997-10-08
EP0800200B1 (en) 2004-05-06
JP3989584B2 (ja) 2007-10-10
US5895548A (en) 1999-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970068752A (ko) 고전력 마이크로파 플라즈마 어플리케이터(high power microwave plasma applicator)
BR9809424A (pt) Aparelho e método de atenuação de energia para um sistema de transporte de lìquido pressurizado.
BR9815104A (pt) Dispositivo de atenuação de energia para um conduto que conduz lìquido sob pressão
ES2094550T3 (es) Dispositivo para mezclar dos fluidos que tienen diferentes temperaturas.
SE9402752L (sv) Anordning för avtätning av en spalt
KR970000423A (ko) 물분사 노즐 조립체를 가진 플라즈마 아크토치
SE7907476L (sv) Tetningsmanschett
KR890701486A (ko) 광파이버의 냉각 방법 및 장치
DE69611487D1 (de) Dichtungsanordnung für Rohrverbindung
KR960038209A (ko) 가요성 파이프
JPH0476410B2 (ko)
EP1041602A3 (en) Cooling system for a dielectric-barrier discharge lamp
ATA117994A (de) Kühlsystem für eine elektrische maschine
ES2136979T3 (es) Conjunto de tobera de alimentacion.
ATE46419T1 (de) Plasmabrenner mit einer konischen elektrode und einer duese mit zumindest teilweise konischen innenmantel.
KR970021886A (ko) 개량된 튜브 커플링
KR840006521A (ko) 파이프 연결장치
KR900702756A (ko) 이동전호를 구비한 액체로 냉각된 플라즈마 토치
KR870009508A (ko) 케이블 봉합 장치
JPH10185194A (ja) ガスタービン用のバーナ装置
BR0110372A (pt) Afixação de conjuntos de camisa a tubulações
KR900000568A (ko) 터어빈 로터의 균형잡기장치와 방법
KR840007456A (ko) 커 플 링
KR880001014A (ko) 음극선관용 전자 편향 유닛
KR970011766A (ko) 회전식 융해로

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19970328

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20020325

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 19970328

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20040730

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20050228

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20050516

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20050517

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080407

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090409

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100429

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110428

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120427

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120427

Start annual number: 8

End annual number: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20140409