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KR970067357A - 워드라인 인에이블 시간 조절이 가능한 반도체 메모리장치 - Google Patents

워드라인 인에이블 시간 조절이 가능한 반도체 메모리장치 Download PDF

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KR970067357A
KR970067357A KR1019960006827A KR19960006827A KR970067357A KR 970067357 A KR970067357 A KR 970067357A KR 1019960006827 A KR1019960006827 A KR 1019960006827A KR 19960006827 A KR19960006827 A KR 19960006827A KR 970067357 A KR970067357 A KR 970067357A
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KR
South Korea
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line enable
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semiconductor memory
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KR1019960006827A
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Inventor
박용진
강상석
곽병헌
정창영
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Publication date
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Abstract

워드라인 인에이블 시간 조절이 가능한 반도체 메모리장치가 포함되어 있다. 본 발명은, 외부에서 로우 어드레스 스트로브 신호를 받아 워드라인 인에이블 신호를 발생하는 워드라인 인에이블 신호 발생수단, 상기 워드 라인 인에이블 신호를 받아 워드라인을 구동하는 워드라인 드라이빙 수단, 상기 워드라인 인에이블 신호 발생 수단에 출력단이 접속되고 외부에서 패드를 통해 입력되는 워드라인 인에이블 시간 조절신호에 의해 상기 워드 라인 인에이블 신호의 인에이블 싯점까지의 시간을 조절하는 워드라인 인에이블 시간 조절수단을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은, 웨이퍼 테스트시 외부에서 패드를 통해 상기 워드라인 인에이블 시간 조절신호를 인가하여 워드라인 인에이블 싯점까지의 시간을 인위적으로 딜레이시킴으로써, 작은 비트라인 불량을 효율적으로 스크린할 수 있는 장점이 있다.

Description

워드라인 인에이블 시간 조절이 가능한 반도체 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 반도체 메모리장치의 워드라인 인에이블 제어회로의 블럭도, 제6도는 제5도의 워드라인 인에이블 신호 발생수단의 구체 회로도, 제7도는 제5도의 워드라인 인에이블 시간 조절수단의 구체 회로도.

Claims (5)

  1. 외부에서 로우 어드레스 스트로브 신호를 받아 워드라인 인에이블 신호를 발생하는 워드라인 인에이블 신호 발생수단; 상기 워드라인 인에이블 신호를 받아 워드라인을 구동하는 워드라인 드라이빙 수단; 상기 워드 라인 인에이블 신호 발생수단에 출력단이 접속되고, 외부에서 패드를 통해 입력되는 워드라인 인에이블 시간 조절신호에 의해 상기 워드라인 인에이블 신호의 인에이블 싯점까지의 시간을 조절하는 워드라인 인에이블 시간 조절수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 워드라인 인에이블 시간 조절이 가능한 반도체 메모리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 워드라인 인에이블 신호 발생수단이, 상기 로우 어드레스 스트로브 신호를 받아 딜레이시키는 제1딜레이단과, 상기 제1딜레이단의 출력을 받아 딜레이시키는 제2딜레이단과, 상기 제2딜레이 단의 출력 및 상기 워드라인 인에이블 시간 조절수단의 출력을 받아 노아동작을 수행하는 노아게이트와, 상기 노아게이트의 출력을 받아 딜레이시키는 제3딜레이단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 워드라인 인에이블 시간 조절이 가능한 반도체 메모리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 내지 제3딜레이단은 인버터, 노아게이트, 및 낸드게이트 중 선택된 어느 하나의 짝수개로 구성되거나 이들의 조합으로 구성되는 것을 특징으로 하는 워드라인 인에이블 시간 조절이 가능한 반도체 메모리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 워드라인 드라이빙 수단은, 외부에서 복수개의 어드레스가 모두 “로우” 상태로 입력될 때 상기 워드라인 인에이블 신호를 받아 워드라인을 구동시키는 것을 특징으로 하는 워드라인 인에이블 시간 조절이 가능한 반도체 메모리장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 워드라인 인에이블 시간 조절수단은, 외부에서 패드를 통해 입력되는 상기 워드라인 인에이블 시간 조절신호를 받아 전송시키는 전송라인과, 상기 전송라인의 소정의 위치와 접지사이에 접속되고 게이트에 공급전압이 접속된 1개 이상의 풀다운 엔모스 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 워드라인 인에이블 시간 조절이 가능한 반도체 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960006827A 1996-03-14 1996-03-14 워드라인 인에이블 시간 조절이 가능한 반도체 메모리장치 KR100190028B1 (ko)

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