[go: up one dir, main page]

KR970063482A - 반도체 제조장치의 기판 가열장치 - Google Patents

반도체 제조장치의 기판 가열장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970063482A
KR970063482A KR1019960033130A KR19960033130A KR970063482A KR 970063482 A KR970063482 A KR 970063482A KR 1019960033130 A KR1019960033130 A KR 1019960033130A KR 19960033130 A KR19960033130 A KR 19960033130A KR 970063482 A KR970063482 A KR 970063482A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heater
substrate
heating apparatus
panel heater
panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019960033130A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100245260B1 (ko
Inventor
잇세이 마키구치
카쓰요시 하마노
토쿠노부 아카오
Original Assignee
시바타 쇼타로
코쿠사이덴키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP8053787A external-priority patent/JPH08288296A/ja
Application filed by 시바타 쇼타로, 코쿠사이덴키 가부시키가이샤 filed Critical 시바타 쇼타로
Publication of KR970063482A publication Critical patent/KR970063482A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100245260B1 publication Critical patent/KR100245260B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 진공조내에 설치한 히터지지틀과 이 히터지지틀 내에 여러단이 설치된 대면 패널히터와 각 대면 패널히터 사이에 피처리 기판을 지지하는 지지수단을 구비하고, 피처리 기판을 여러장 동시에 가열할 수 있게 하며 또 각 패널히터가 개별적으로 온도를 제어함으로서 닥트 타임을 대폭적으로 단축시키고 기판 가열을 균일하게 하며 장치를 콤팩트화시키는 반도체 제조장치의 기판 가열장치에 관한 것이다.

Description

반도체 제조장치의 기판 가열장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예를 나타내는 측단면도이다.

Claims (13)

  1. 진공조내에 설치한 히터 지지틀과 이 히터 지지틀내에 여러개의 단을 형성하는 대면 패널히터와, 각 대면 패널히터 사이에 피처리 기판을 지지하는 지지 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 기판 가열장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 대면 패널히터의 양 단부에 측면 패널히터가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 기판 가열장치.
  3. 제1항에 있어서, 대면 패널히터의 측면 중앙이 히터 지지틀에 고정되고, 대면 패널히터의 측면 양단에 단열칼라가 설치되어, 이 단열칼라가 히터지지틀에 하여진 홈에 끼워 맞추어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 기판 가열장치.
  4. 제1항에 있어서, 피처리 기판의 한쪽 변에 피처리 기판을 실을 수 있는 기판받이를 지지틀에 설치하고, 대면 패널히터에 피처리 기판의 다른쪽 변을 안내하는 기판 가이드 핀을 심어 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 기판 가열장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 패널히터가 히터선을 매설한 알루미늄제의 주입형 패널히터인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 기판 가열장치.
  6. 제5항에 있어서, 여러개의 패널히터가 개별적으로 온도 제어를 할 수 있게 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 기판 가열장치.
  7. 제5항에 있어서, 하나의 패널히터는 존 분할되고 각 존은 개별적으로 온도제어를 할 수 있게 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 기판 가열장치.
  8. 제2항에 있어서, 측면 패널히터가 발열체이고, 이 측면 패널히터를 최소한 히터 지지틀의 곁틀에 단열되게 설치하고, 상기 좌우의 측면 패널히터에 걸쳐서 대면 패널히터를 설치하며, 이 대면 패널히터가 상기 측면 패널히터의 열전도에 의해 가열되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 기판 가열장치.
  9. 제8항에 있어서, 측면 패널히터는 상하 방향으로 분할된 가열존을 가지고, 이 가열존은 개별적으로 온도제어를 할 수 있게 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 기판 가열장치.
  10. 제8항에 있어서, 측면 패널히터가 선반부를 가지며, 이 선반부는 대면패널 히터의 단부를 실을 수 있도록 되고, 상기 대면 패널히터의 단부는 누름수단에 의해 선반부를 눌러줄 수 있게 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 기판 가열장치.
  11. 제10항에 있어서, 누름수단이 대면 패널히터의 단부에 있는 히터누름과 이 히터누름과 상기 선반부에 끼워 맞추어진 히터 클램프와, 이 히터 클램프에 나사결합되고 상기 히터누름을 대면 패널히터에 누르는 누름나사 등으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 기판 가열장치.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 히터 지지틀이 반사판을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의기판 가열장치.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 진공조의 측벽으로 피처리 기판을 반입할 수 있게 하고, 히터 지지틀이 진공조의 밑판을 기밀하게 관통하는 지주에 의해 지지되고, 이 지주에 너트로 연결시킨 스크루로드가 승강모터에 의해 회전구동 하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 기판 가열장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960033130A 1996-02-16 1996-08-09 반도체 제조장치의 기판 가열장치 Expired - Fee Related KR100245260B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-53787 1996-02-16
JP8053787A JPH08288296A (ja) 1995-02-17 1996-02-16 半導体製造装置の基板加熱装置
JP8-53787 1996-02-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970063482A true KR970063482A (ko) 1997-09-12
KR100245260B1 KR100245260B1 (ko) 2000-02-15

Family

ID=12952537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960033130A Expired - Fee Related KR100245260B1 (ko) 1996-02-16 1996-08-09 반도체 제조장치의 기판 가열장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5850071A (ko)
KR (1) KR100245260B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100441364B1 (ko) * 2000-03-24 2004-07-23 고꾸사이 세미콘덕터 이큅먼트 코포레이션 램프용 수냉각 지지체 및 신속 열 처리 챔버
KR100674764B1 (ko) * 1999-11-09 2007-01-25 액셀리스 테크놀로지스, 인크. 집광 반사기를 이용하는 존 제어 방사 가열 시스템
CN111304637A (zh) * 2020-03-17 2020-06-19 常州捷佳创精密机械有限公司 镀膜生产设备

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6310328B1 (en) * 1998-12-10 2001-10-30 Mattson Technologies, Inc. Rapid thermal processing chamber for processing multiple wafers
US6460369B2 (en) * 1999-11-03 2002-10-08 Applied Materials, Inc. Consecutive deposition system
US6692209B1 (en) * 1999-11-19 2004-02-17 Litton Systems, Inc. Method and system for manufacturing a photocathode
JP3479020B2 (ja) * 2000-01-28 2003-12-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US7374644B2 (en) 2000-02-17 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
JP3833439B2 (ja) * 2000-05-02 2006-10-11 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 大型基板用多段加熱炉、及び両面加熱式遠赤外線パネルヒーター、並びに該加熱炉内の給排気方法
EP1174910A3 (en) * 2000-07-20 2010-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a substrate
US6825447B2 (en) * 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US6765178B2 (en) * 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6998579B2 (en) * 2000-12-29 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
CN1271678C (zh) * 2001-05-18 2006-08-23 马特森热力产品有限责任公司 搬运装置
DE10156441A1 (de) * 2001-05-18 2002-11-21 Mattson Thermal Products Gmbh Vorrichtung zur Aufnahme von scheibenförmigen Objekten und Vorrichtung zur Handhabung von Objekten
US6528767B2 (en) * 2001-05-22 2003-03-04 Applied Materials, Inc. Pre-heating and load lock pedestal material for high temperature CVD liquid crystal and flat panel display applications
US6506994B2 (en) * 2001-06-15 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Low profile thick film heaters in multi-slot bake chamber
US6897411B2 (en) * 2002-02-11 2005-05-24 Applied Materials, Inc. Heated substrate support
JP2003303666A (ja) * 2002-04-10 2003-10-24 Koyo Thermo System Kk 加熱装置
US20060083495A1 (en) * 2002-07-15 2006-04-20 Qiu Taiquing Variable heater element for low to high temperature ranges
NO20023605D0 (no) * 2002-07-29 2002-07-29 Sumit Roy Fremgangsmåte og innretning til innbyrdes forbindelse av to rörformede organer
US20040040504A1 (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US20040065656A1 (en) * 2002-10-04 2004-04-08 Makoto Inagawa Heated substrate support
US20040096636A1 (en) * 2002-11-18 2004-05-20 Applied Materials, Inc. Lifting glass substrate without center lift pins
AU2003297065A1 (en) * 2002-12-17 2004-07-29 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6917755B2 (en) * 2003-02-27 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Substrate support
US20040226513A1 (en) * 2003-05-12 2004-11-18 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform heating of large area substrates
US20050133158A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-23 Applied Materials, Inc. Mask handler apparatus
US8033245B2 (en) * 2004-02-12 2011-10-11 Applied Materials, Inc. Substrate support bushing
US20060005770A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Robin Tiner Independently moving substrate supports
TWI256938B (en) * 2004-07-26 2006-06-21 Au Optronics Corp Glass substrate distribute system and method
US7312422B2 (en) * 2006-03-17 2007-12-25 Momentive Performance Materials Inc. Semiconductor batch heating assembly
KR100811389B1 (ko) * 2006-03-24 2008-03-07 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 반도체 제조 장치와 히터
JP5105396B2 (ja) * 2006-04-12 2012-12-26 東京応化工業株式会社 加熱処理装置
JP2008034463A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US7901509B2 (en) 2006-09-19 2011-03-08 Momentive Performance Materials Inc. Heating apparatus with enhanced thermal uniformity and method for making thereof
JP5467743B2 (ja) 2008-08-29 2014-04-09 光洋サーモシステム株式会社 ヒータユニットおよび熱処理装置
JP5586314B2 (ja) * 2010-04-23 2014-09-10 芝浦メカトロニクス株式会社 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
JP6054213B2 (ja) * 2013-03-11 2016-12-27 東京エレクトロン株式会社 支持部材及び半導体製造装置
KR101507557B1 (ko) * 2013-04-25 2015-04-07 주식회사 엔씨디 대면적 기판용 수평형 원자층 증착장치
TW201639063A (zh) * 2015-01-22 2016-11-01 應用材料股份有限公司 批量加熱和冷卻腔室或負載鎖定裝置
US10643868B2 (en) * 2015-12-21 2020-05-05 Nps Corporation Apparatus for processing substrate
US20190279887A1 (en) * 2018-03-07 2019-09-12 Kuo Yang Ma Vapor reduction device for a semiconductor wafer
CN110970344B (zh) * 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
JP7236420B2 (ja) * 2020-10-29 2023-03-09 株式会社Kokusai Electric 温度センサ、ヒータユニット、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
DE102021124498B3 (de) * 2021-09-22 2023-01-26 Asm Assembly Systems Gmbh & Co. Kg Unterstützungsstift zum Unterstützen eines Substrats in einem Bestückbereich eines Bestückautomaten sowie Bestückautomat mit einem Magazin mit mehreren solcher Unterstützungsstifte.
JP7465855B2 (ja) * 2021-09-27 2024-04-11 芝浦メカトロニクス株式会社 加熱処理装置、搬入搬出治具、および有機膜の形成方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4016006A (en) * 1974-10-30 1977-04-05 Hitachi, Ltd. Method of heat treatment of wafers
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
DE3719952A1 (de) * 1987-06-15 1988-12-29 Convac Gmbh Einrichtung zur behandlung von wafern bei der herstellung von halbleiterelementen
US5162047A (en) * 1989-08-28 1992-11-10 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical heat treatment apparatus having wafer transfer mechanism and method for transferring wafers
US5607009A (en) * 1993-01-28 1997-03-04 Applied Materials, Inc. Method of heating and cooling large area substrates and apparatus therefor
ES2090893T3 (es) * 1993-01-28 1996-10-16 Applied Materials Inc Aparato de tratamiento en vacio que tiene una capacidad de produccion mejorada.

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100674764B1 (ko) * 1999-11-09 2007-01-25 액셀리스 테크놀로지스, 인크. 집광 반사기를 이용하는 존 제어 방사 가열 시스템
KR100441364B1 (ko) * 2000-03-24 2004-07-23 고꾸사이 세미콘덕터 이큅먼트 코포레이션 램프용 수냉각 지지체 및 신속 열 처리 챔버
CN111304637A (zh) * 2020-03-17 2020-06-19 常州捷佳创精密机械有限公司 镀膜生产设备
CN111304637B (zh) * 2020-03-17 2024-04-12 常州捷佳创精密机械有限公司 镀膜生产设备

Also Published As

Publication number Publication date
KR100245260B1 (ko) 2000-02-15
US5850071A (en) 1998-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970063482A (ko) 반도체 제조장치의 기판 가열장치
KR101096342B1 (ko) 유리-세라믹 패널 및 박막 리본 히터를 갖춘 기판 가열 장치
KR970071993A (ko) 기판 온도 제어방법, 기판 열처리장치 및 기판 지지장치
ATE41580T1 (de) Heizgeraet.
KR920701534A (ko) 반도체 웨이퍼 처리장치 및 방법
YU87388A (en) Electric radiating element for heating plate, especially ones made of glass ceramics
US3859498A (en) Infrared radiation system
KR970072032A (ko) 반도체 처리 시스템 내의 게이트 밸브를 건조시키기 위한 방법 및 장치
EP0179606A1 (en) Heater for heating heat shrinkable tube
JP2942235B2 (ja) セラミック成形体の乾燥方法
CN1340283A (zh) 加热器支持结构及玻璃板弯曲成型用的加热炉
JPH08288296A (ja) 半導体製造装置の基板加熱装置
ES2151576T3 (es) Calentador electrico radiante.
US4400612A (en) Oven for skin packaging machine
KR920702179A (ko) 열처리장치 및 이것을 사용한 기능성 박막의 건조방법
US4322605A (en) Heating device for skin packaging machine
EP1304201A1 (en) Plant for preheating porous thermoformable material and pressing method
JPH1064921A (ja) 半導体製造装置の基板加熱装置
DE3269441D1 (en) Radiant heater for heating cooking or heating plates
JPH0528015Y2 (ko)
JPS574725A (en) Heating apparatus
US5808279A (en) Heating panel for making ovens for thermoforming apparatus
JPS6012969Y2 (ja) 高周波加熱装置
JPH04142044A (ja) 半導体チップの実装方法
KR970016390A (ko) 전기 온풍 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

T11-X000 Administrative time limit extension requested

St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20061124

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20071128

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20071128

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301