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KR970060674A - 저잡음 증폭기 및 모놀리식 마이크로웨이브 집적회로 - Google Patents

저잡음 증폭기 및 모놀리식 마이크로웨이브 집적회로 Download PDF

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KR970060674A
KR970060674A KR1019970000932A KR19970000932A KR970060674A KR 970060674 A KR970060674 A KR 970060674A KR 1019970000932 A KR1019970000932 A KR 1019970000932A KR 19970000932 A KR19970000932 A KR 19970000932A KR 970060674 A KR970060674 A KR 970060674A
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South Korea
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hemt
low noise
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microwave integrated
gate
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Application number
KR1019970000932A
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English (en)
Inventor
케빈 더블유 고바야시
Original Assignee
윌리엄 이. 갈라스
티알더블유 인코포레이티드
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Publication date
Application filed by 윌리엄 이. 갈라스, 티알더블유 인코포레이티드 filed Critical 윌리엄 이. 갈라스
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Abstract

모놀리식 마이크로 웨이브 집적 회로(MMIC)로 구성된 저잡음 증폭기(low noise amplifer :LNA)는, HEMT(high-electron mobility transistor)를 포함하며 동조가능한 HBT(heterojunction bipolar transistor)능동궤환을 이용하여 증폭기의 이득-대역폭 및 선형 성능을 개선하고 HEMT의 자기 바이어싱(self-biasing)를 제공한다. 본 발명에 따른 MMIC는, 자기 바이어싱을 향상시키는 한편, LNA의 주파수 대역폭 및 선형 특성을 MMIC LNA 제조 후 잡음 지수 성능을 현저히 저하시키지 않고 조정할 수 있다.

Description

저잡음 증폭기 및 모놀리식 마이크로웨이브 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도는 본 발명에 따른 HBT 능동 궤환을 갖는 HEMT 저잡음 증폭기의 개략도.

Claims (21)

  1. 게이트, 드레인 및 소스 단자를 갖는 HEMT(high-electron mobility transistor)와, 상기 HEMT의 게이트에 궤한 전류를 제공하는 수단과, 제1DC전원 전압을 갖는 상기 HEMT의 자기 바이어스를 제공하는 수단과, 이득 대역폭과 저잡음 증폭기(LNA)의 선형성을 조정하는 수단으로서, 상기 대역폭 및 선형성 조정 수단이 상기 저잡음 증폭기 외부에 존재하는, 이득 대역폭 및 선형성 조정 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 공칭 이득 및 대역폭을 갖는 저잡음 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제공 수단은 하나 이상의 소정의 바이폴라 트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 하는 저잡음증폭기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 소정의 바이폴라 트랜지스터가 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)인 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제공 수단은 상기 HEMT의 게이트와 드레인단자 사이에 캐스코드로 접속된 한 쌍의 HBT를 갖는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 대역폭 조정수단이 상기 저잡음 증폭기의 이득을 조정하기 위한 이득 조정수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기.
  6. 제5항에 있어서, 상기 대역폭 조정수단이 상기 궤환 전류를 변화시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기.
  7. 제6항에 있어서, 상기 변화시키는 수단은, 상기 HEMT의 게이트와 전기적으로 연결된 제2 DC 전원 전압을 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기.
  8. 제7항에 있어서, 상기 HEMT의 게이트와 상기 제공 수단간에 전기적으로 연결된 궤환 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저잡음 증폭기.
  9. 게이트, 소스 및 드레인 단자를 갖는 HEMT와, 상기 게이트 단자와 상기 드레인 단자 사이에 전기적을 연결된 능동궤환 회로로서, 하나 이상의 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)를 갖는 능동궤환 회로와, 상기 HENT를 갖는 바이어싱하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로(MMIC).
  10. 제9항에 있어서, 상기 능동 궤환 회로는, 상기 HEMT의 상기 게이트 단자 및 드레인 단자 사이에 전기적으로 연결된, 제1 및 제2 베이스 단자, 제1 에미터 단자 및 제1 콜렉터 단자를 규정하는, 캐스코드 접속된 두 HBT를 갖는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  11. 제10항에 있어서, 상기 능동 궤환 회로는 상기 캐스코드 접속된 HBPT와 상기 HEMT의 상기 게이트 단자간에 전지적으로 연결된 궤환 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  12. 제11항에 있어서, 상기 자기 바이어스 수단은, 상기 HEMT의 상기 드레인 단자와 상기 캐스코드 접속된 HBT 사이에 전기적으로 연결된 부하저항을 갖는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  13. 제12항에 있어서, 상기 능동 궤환 회로는, 상기 캐스코드 접속 HBT의 상기 제1베이스 단자와 상기 HEMT의 상기 드레인 단자 사이에 전기적으로 연결된 궤환 동조 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  14. 제13항에 있어서, 상기 자기 바이어스 수단은, 상기 제2베이스 단자와 상기 캐스코드 접속 HBT의 상기 제2콜렉터 단자 사이에 전기적으로 연결된 DC 바이어스 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  15. 제14항에 있어서, 상기 능동 궤환회로는 상기 DC 바이어스 저항과 접지 사이에 전기적으로 연결된 바이패스 커패시터를 갖는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  16. 제9항에 있어서, 상기 MMIC의 외부에 상기 MMIC의 이득 대역폭과 선형 성능을 조정하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  17. 제16항에 있어서, 상기 조정 수단은 제1 DC 전원 전압 및 제2 DC 전원 전압을 수신하는 수단으로서, 상기 제2 DC 전원 전압은 조정가능한, 수신 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  18. 게이트, 드레인 및 소스 단자를 갖는 HEMT와, 상기 게이트 및 드레인 단자 사이에 전기적으로 연결된 능동 궤환 회로와, MMIC 외부에, 상기 능동 궤환 회로의 궤환을 조정하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
  19. 제18항에 있어서, 상기 능동 궤환 회로는 하나 이상의 헤테로집합 바이폴라 트랜지스터(HBT)를 포함하는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로 웨이브 집적 회로.
  20. 제19항에 있어서, 상기 조정 수단은 DC 전압의 소스를 수신하는 수단을 포함하고, 상기 DC 전압의 소스는 조정가능한 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로부웨이브 집적 회로.
  21. 제18항에 있어서, 상기 능동 궤환 회로는 상기 HBT 사이에 전기적으로 연결된 저항성 궤환을 갖는 것을 특징으로 하는 모놀리식 마이크로웨이브 집적 회로.
KR1019970000932A 1996-01-16 1997-01-15 저잡음 증폭기 및 모놀리식 마이크로웨이브 집적회로 Ceased KR970060674A (ko)

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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3669534B2 (ja) * 1996-09-12 2005-07-06 ソニー株式会社 半導体増幅装置及び通信端末装置
JP3328542B2 (ja) * 1997-03-19 2002-09-24 富士通株式会社 高周波半導体集積回路装置
US6262631B1 (en) * 1998-04-30 2001-07-17 The Whitaker Corporation Silicon power bipolar junction transistor with an integrated linearizer
JP3607855B2 (ja) * 1999-07-19 2005-01-05 シャープ株式会社 電力増幅器
US6292060B1 (en) 1999-09-13 2001-09-18 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Technique to generate negative conductance in CMOS tuned cascode RF amplifiers
GB0028689D0 (en) * 2000-11-24 2001-01-10 Qualcomm Uk Ltd Amplifier circuit
US6693492B2 (en) 2001-05-18 2004-02-17 International Business Machines Corporation Variable gain low-noise amplifier and method
US7012943B2 (en) 2001-06-28 2006-03-14 Northrop Grumman Corporation Integration of amorphorous silicon transmit and receive structures with GaAs or InP processed devices
US6529080B1 (en) * 2001-09-11 2003-03-04 Sirenza Microdevices, Inc. TOI and power compression bias network
JP4360078B2 (ja) * 2002-11-14 2009-11-11 ミツミ電機株式会社 小型ジョイスティック
US7239858B2 (en) * 2003-12-31 2007-07-03 Wj Communications, Inc. Integrated switching device for routing radio frequency signals
US7197279B2 (en) * 2003-12-31 2007-03-27 Wj Communications, Inc. Multiprotocol RFID reader
FR2867632A1 (fr) * 2004-03-12 2005-09-16 St Microelectronics Sa Circuit de conversion d'un signal differentiel en un signal non differentiel, et emetteur rf dote d'un tel circuit
US20050264365A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-01 Greg Takahashi Linearity enhanced amplifier
EP1635453A1 (en) * 2004-09-12 2006-03-15 Semiconductor Ideas to The Market (ItoM) BV Tunable low noise amplifier
US7546089B2 (en) * 2004-12-23 2009-06-09 Triquint Semiconductor, Inc. Switchable directional coupler for use with RF devices
US7218175B1 (en) 2005-04-11 2007-05-15 Sirenza Microdevices, Inc. Dynamic feedback linearization
US7345547B2 (en) * 2005-10-17 2008-03-18 Wj Communications, Inc. Bias circuit for BJT amplifier
US7612610B2 (en) * 2005-10-21 2009-11-03 Northrop Grumman Corporation Active input load wide bandwidth low noise HEMT amplifier
JP4609300B2 (ja) * 2005-12-12 2011-01-12 株式会社村田製作所 電力増幅器および無線機
CN100429869C (zh) * 2006-03-20 2008-10-29 哈尔滨工业大学 超宽带微波单片集成放大器
US7634198B2 (en) * 2006-06-21 2009-12-15 Emcore Corporation In-line distortion cancellation circuits for linearization of electronic and optical signals with phase and frequency adjustment
JP5145988B2 (ja) * 2007-02-27 2013-02-20 セイコーエプソン株式会社 発振回路、発振器
JP2010124433A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Panasonic Corp 高周波電力増幅器
US8115552B2 (en) * 2010-01-11 2012-02-14 Microchip Technology Incorporated Amplifier circuit with step gain
KR101324572B1 (ko) * 2013-01-07 2013-11-18 주식회사 디제이피 광대역 주파수 검출기
JP6504995B2 (ja) * 2015-10-30 2019-04-24 アンリツ株式会社 帰還増幅回路およびその周波数特性制御方法
JP6533977B2 (ja) * 2015-11-02 2019-06-26 三菱電機株式会社 半導体装置
CN106788285A (zh) * 2015-11-20 2017-05-31 厦门宇臻集成电路科技有限公司 一种功率放大器电流反馈偏置电路
US10218319B2 (en) 2016-02-10 2019-02-26 Qorvo Us, Inc. Radio frequency (RF) amplifiers with voltage limiting using non-linear feedback
CN114513171B (zh) * 2022-02-15 2023-05-23 电子科技大学 一种基于hemt的s波段的低噪声放大器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4608542A (en) * 1985-06-06 1986-08-26 Rca Corporation Bandwidth controlled data amplifier
EP0392480B1 (en) * 1989-04-12 1997-03-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device
US5312765A (en) * 1991-06-28 1994-05-17 Hughes Aircraft Company Method of fabricating three dimensional gallium arsenide microelectronic device
US5264806A (en) * 1992-05-26 1993-11-23 Trw Inc. Bipolar microwave monolithic amplifier with active feedback
US5355096A (en) * 1993-07-06 1994-10-11 Trw Inc. Compace HBT wide band microwave variable gain active feedback amplifier

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