KR970051345A - 플래쉬 메모리 소자 및 그를 이용한 프로그램 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (6)
- 플래쉬 메모리 소자에 있어서, 일정 비트이 데이타 및 어드레스를 각각 입력받으며 워드라인 인에이블 신호에 의해 동작되는 코멘드 레지스터와, 상기 코멘드 레지스터의 출력신호 및 상기 워드라인 인에이블 신호를 입력받는 스테이트 및 루핑 제어회로와, 상기 스테이트 및 루핑 제어회로의 출력신호에 따라 프로그램, 소거, 독출 및 검증 동작을 제어하기 위한 출력신호를 출력하는 모드 제어회로와, 상기 워드라인 인에이블 신호 및 출력 인에이블 신호에 따라 데이타를 외부러부터 입력 또는 출력하기 위한 입출력 버퍼와, 상기 입출력버퍼로부터 입력된 데이타를 래치하기 위한 래치회로와, 다수의 메모리 셀이 워드 라인과 비트 라인간에 매트릭스 방식으로 접속된 메모리 셀 어레이와, 상기 모드 제어회로의 출력신호에 따라 상기 메모리 셀 어레이의 워드라인에 선택적으로 신호를 출력하기 위한 X-디코더와, 상기 메모리 셀 어레이의 비트라인에 선택적으로 신호를 출력하기 위한 Y-디코더와, 상기 Y-디코더 및 상기 메모리 셀 어레이간에 접속되며, 상기 모드 제어회로의 출력신호에 따라 상기 메모리 셀 어레이에 프로그램된 데이타를 센스 앰프를 통해 상기 입출력 버퍼로 출력하기 위한 Y-게이팅과, 상기 모드 제어회로의 출력 신호에 따라 상기 센스 엠프를 통해 출력되는 데이타의 역수를 생성하고, 상기 생성된 역수와 상기 래치회로에 래치된 데이타를 비트별로 가산한 다음 상기 가산된 데이타를 상기 Y-게이팅을 통해 상기 메모리 셀 어레이에 프로그램되도록 하기 위한 연산회로와, 상기 센스앰프를 통해 출력되는 데이타를 상기 래치회로에 래치된 데이타와 비교하고, 출력 신호를 상기 스테이트 및 루핑 제어회로 및 상기 모드 제어회로로 출력하는 비교기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 연산회로는 상기 생성된 역수와 상기 래치회로에 래치된 데이타를 비트별로 가산하는 과정에서 발생되는 캐리가 자리올림되지 않도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자.
- 플래쉬 메모리 소자를 이용한 프로그램 방법에 있어서, 시작 단계(200)로부터 어드레스 및 데이타를 각각 로드하는 단계(201)와, 상기 단계(201)로부터 초기 루핑 순서를 설정하는 단계(203)와, 상기 단계(203)로부터 상기 로드된 데이타를 메모리 셀 어레이에 프로그램시키는 단계(204)와, 상기 단계(204)로부터 상기 프로그램된 데이타를 검증하는 단계(205)와, 상기 단계(205)로부터 상기 로드된 데이타와 검증된 데이타를 서로 비교하는 단계(206)와, 상기 단계(206)로부터 상기 로드된 데이타와 검증된 데이타가 서로 같은 경우 프로그램을 종료하는 단계(207)와, 상기 단계(206)로부터 상기 로드된데이타와 검증된 데이타가 서로 다른 경우 상기 진행된 루핑 순서와 설정된 루핑 횟수를 비교하는 단계(208)와, 상기 단계(208)로부터 상기 진행된 루핑 순서가 상기 설정된 루핑 횟수와 동일하지 않으면 다음 루핑 순서를 설정하는 단계(210)와, 상기 단계(210)로부터 상기 검증된 데이타의 역수를 생성시키는 단계(211)와, 상기 단계(211)로부터 상기 검증된 데이타의 역수와 상기 로드된 데이타를 비트별로 가산한 후 상기 단계(204)로 진행하여 상기 가산 결과로 발생된 새로운 데이타를 상기 메모리 셀 어레이에 프로그램시키는 단계(212)와, 상기 단계(208)로부터 최종 루핑 순서가 상기 설정된 루핑 횟수와 동일한 경우가 발생되면 프로그램의 실패를 알리는 단계(209)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자를 이용한 프로그램 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 검증된 데이타의 역수와 상기 로드된 데이타를 비트별로 가산하는 과정에서 발생되는 캐리는 자리올림되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자를 이용한 프로그램 방법.
- 플래쉬 메모리 소자를 이용한 프로그램 방법에 있어서, 시작 단계(300)로부터 어드레스 및 데이타를 각각 로드하는 단계(301)와, 상기 단계(301)로부터 초기 루핑 순서를 설정하는 단계(303)와, 상기 단계(303)로부터 현재 메모리 셀 어레이에 프로그램된 데이타를 1차 검증하는 단계(304)와, 상기 단계(304)로부터 상기 1차 검증된 데이타중 프로그램된 비트가 존재하는가를 판단하는 단계(305)와, 상기 단계(305)로부터 상기 1차 검증된 데이타중 프로그램된 비트가 존재하지 않는 경구 상기 1차 검증된 데이타의 역수를 생성하는 단계(306)와, 상기 단계(306)로부터 상기 1차 검증된 데이타의 역수와 상기 로드된 데이타를 비트별로 가산하기 위한 1차 연산을 실시하는 단계(307)와, 상기 단계(307)로부터 상기 1차 연산의 결과로 생성된 데이타를 상기 메모리 셀 어레이에 프로그램시키는 단계(208)와, 상기 단계(308)로부터 상기 메모리 셀 어레이에 프로그램된 데이타를 2차 검증하는 단계(309)와, 상기 단계(309)로부터 상기 2차 검증된 데이타와 상기 로드된 데이타를 비교하는 단계(310)와, 상기 단계(310)로부터 상기 2차 검증된 데이타가 상기 로드된 데이타와 같은 경우 프로그램을 종료하는 단계(311)와, 상기 단계(310)로부터 상기 2차 검증된 데이타와 상기 로드된 데이타가 다른 경우 상기 진행된 루핑 순서와 설정된 루핑 횟수를 비교하는 단계(312)와, 상기 단계(312)로부터 상기 진행된 루핑 순서가 상기 설정된 루핑 횟수와 동일하지 않은 경우 다름 루핑 순서를 설정하는 단계(313)와, 상기 단계(313)로부터 상기 2차 검증된 데이타의 역수를 생성시키는 단계(314)와, 상기 단계(314)로부터 상기 2차 금증도니 데이타의 역수와 상기 로드된 데이타를 비트별로 가산하기 위한 2차 연산을 실시한 후 상기 단계(308)로 진행하여 상기 가산 결과로 발생된 새로운 데이타를 상기 메모리 셀 어레이에 프로그램시키는 단계(315)와, 상기 단계(305)로부터 상기 1차 검증된 데이타중 프로그램된 비트가 존재하는 경우 상기 메모리 셀 어레이에 프로그램된 데이타를 소거시키는 단계(316)와, 상기 단계(316)로부터 상기 로드된 데디타를 상기 메모리 셀 어레이에 프로그램시킨 후 상기 단계(309)로 진행하는 단계(317)와, 상기 단계(312)로부터 최종 루핑 순서가 상기 설정된 루핑 횟수와 동일한 경우가 발생되면 프로그램의 실패를 알리는 단계(318)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자를 이용한 프로그램 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 1차 및 2차 연산 과정에서 발생되는 캐리는 자리올림되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자를 이용한 프로그램 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR100258574B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2000-06-15 | 윤종용 | 반도체 메모리 장치 및 그 장치의 프로그램/소거 검증 방법 |
KR100290283B1 (ko) * | 1998-10-30 | 2001-05-15 | 윤종용 | 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 그의 워드 라인 구동 방법 |
US6108263A (en) * | 1999-08-12 | 2000-08-22 | Motorola, Inc. | Memory system, method for verifying data stored in a memory system after a write cycle and method for writing to a memory system |
US6349056B1 (en) * | 2000-12-28 | 2002-02-19 | Sandisk Corporation | Method and structure for efficient data verification operation for non-volatile memories |
US7392436B2 (en) * | 2003-05-08 | 2008-06-24 | Micron Technology, Inc. | Program failure recovery |
US7239557B2 (en) | 2005-06-17 | 2007-07-03 | Micron Technology, Inc. | Program method with optimized voltage level for flash memory |
KR100764747B1 (ko) * | 2006-09-15 | 2007-10-08 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
KR100819106B1 (ko) * | 2006-09-27 | 2008-04-02 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리 장치에서의 라이트 동작방법 |
US7379341B2 (en) * | 2006-10-05 | 2008-05-27 | Macronix International Co., Ltd. | Loading data with error detection in a power on sequence of flash memory device |
US8023338B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-09-20 | Sidense Corp. | Dual function data register |
TWI430275B (zh) * | 2008-04-16 | 2014-03-11 | Magnachip Semiconductor Ltd | 用於程式化非揮發性記憶體裝置之方法 |
KR102087436B1 (ko) * | 2013-04-02 | 2020-04-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 및 반도체시스템 |
US9019780B1 (en) * | 2013-10-08 | 2015-04-28 | Ememory Technology Inc. | Non-volatile memory apparatus and data verification method thereof |
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KR950000273B1 (ko) * | 1992-02-21 | 1995-01-12 | 삼성전자 주식회사 | 불휘발성 반도체 메모리장치 및 그 최적화 기입방법 |
US5323351A (en) * | 1992-06-10 | 1994-06-21 | Nexcom Technology, Inc. | Method and apparatus for programming electrical erasable programmable read-only memory arrays |
US5357463A (en) * | 1992-11-17 | 1994-10-18 | Micron Semiconductor, Inc. | Method for reverse programming of a flash EEPROM |
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