KR970049080A - 식각 균일도가 개선된 습식식각 방법 - Google Patents
식각 균일도가 개선된 습식식각 방법 Download PDFInfo
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Abstract
습식식각시 습식식각액에 담겨지는 반도체 웨이퍼의 시간을 균일하게 하여 식각균일도를 향상시킬 수 있는 습식식각 방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 웨이퍼 상에 형성된 소정의 막질의 습식식각방법에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 제1방향을 습식 식각용액에 담구는 단계와, 상기 습식 식각용액에 담구어진 상기 반도체 웨이퍼를 꺼내어 상기 제1방향과 반대의 제2방향으로 상기 반도체 웨이퍼를 습식 식각용액에 담구어 식각균일도를 향상시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 습식식각방법을 제공한다. 상기 제1방향은 상기 반도체 웨이퍼의 윗쪽방향이며, 상기 제2방향은 상기 제1방향과 반대의 플랫존방향이다. 본 발명에 의하면, 질이 형성된 반도체 웨이퍼가 습식식각용액에 담겨 있는 시간을 균일하게 하여 식각균일도를 향상시킬수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 습식식각방법을 설명하기 위한 도면이다.
Claims (2)
- 반도체 웨이퍼 상에 형성된 소정의 막질의 습식 식각방법에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 제1방향을 습식 식각용액에 담구는 단계와, 상기 습식 식각용액에 담구어진 상기 반도체 웨이퍼를 꺼내어 상기 제1방향과 반대의 제2방향으로 상기 반도체 웨이퍼를 습식 식각용액에 담구어 식각균일도를 향상시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 습식식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1방향은 윗쪽 방향미며, 상기 제2방향은 상기 제1방향과 반대의 플랫존방향인 것을 특징으로 하는 습식시각방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950057167A KR970049080A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 식각 균일도가 개선된 습식식각 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950057167A KR970049080A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 식각 균일도가 개선된 습식식각 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970049080A true KR970049080A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66619018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950057167A KR970049080A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 식각 균일도가 개선된 습식식각 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970049080A (ko) |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057167A patent/KR970049080A/ko not_active Application Discontinuation
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19951226 |
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PG1501 | Laying open of application | ||
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WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |