KR970048986A - 투과율 조절 위상 반전 패턴을 가지는 마스크 - Google Patents
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Abstract
미세 패넌을 형성 할 수 있으며, 동시에 그 패턴 크기를 증가시키는 것이 용이한 마스크에 관하여 개시한다.
본 발명은 투명한 기판 및 차광막 패턴을 마스크로서, 인접한 차광막 패턴 사이 및 상기 차광막 패턴의 둘레에 다른 부분을 투과한 빛과 180도의 위상차를 가지며 투과율을 조절 위상 반전 패턴을 가지는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 마스크를 사용하여 형성된 포토레지스트패턴은 사이의 간격을 충분히 최소화하여 종래의 경우에 비하여 상기 포토레지스트 패턴의 크기를 증가시켜서 후속 공정에서 접촉창의 정렬 여유를 증가시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따라 DRAM에서 패드 폴리 패턴을 형성하기 위하여 사용하는 위상 반전 마스크를 보여준다.
Claims (2)
- 투명한 기판 및 차광막 패턴을 형성된 마스크에 있어서, 인접한 차광막 패턴 사이 및 상기 차광막 패턴의 둘레에 다른 부분을 투과한 빛과 180도의 위상차를 가지며 투과율을 조절한 투과율 조절 위상 반전 패턴을 가지는 것을 특징으로하는 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 투과율 조절 위상 반전 패턴은 0 내지 99%의 투과율은 가지는 것을 특징으로하는 마스크.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057042A KR970048986A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 투과율 조절 위상 반전 패턴을 가지는 마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057042A KR970048986A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 투과율 조절 위상 반전 패턴을 가지는 마스크 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970048986A true KR970048986A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66618293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057042A Withdrawn KR970048986A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 투과율 조절 위상 반전 패턴을 가지는 마스크 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970048986A (ko) |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057042A patent/KR970048986A/ko not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19951226 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |