[go: up one dir, main page]

KR970048937A - 미세 패턴 형성용 마스크 - Google Patents

미세 패턴 형성용 마스크 Download PDF

Info

Publication number
KR970048937A
KR970048937A KR1019950066147A KR19950066147A KR970048937A KR 970048937 A KR970048937 A KR 970048937A KR 1019950066147 A KR1019950066147 A KR 1019950066147A KR 19950066147 A KR19950066147 A KR 19950066147A KR 970048937 A KR970048937 A KR 970048937A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
fine pattern
pattern formation
pattern used
chromium
Prior art date
Application number
KR1019950066147A
Other languages
English (en)
Inventor
이일호
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950066147A priority Critical patent/KR970048937A/ko
Publication of KR970048937A publication Critical patent/KR970048937A/ko

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조공정에 사용되는 미세 패턴 형성용 마스크에 관한 것으로, 특히, 종래의 마스크에 광차단막으로 사용되는 크롬패턴의 두께를 조절하여 광 투과율을 조절하고 이를 이용하여 양질의 미세패턴을 형성하는 것이다.

Description

미세 패턴 형성용 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 A 및 B는 본 발명에 의해 제조된 마스크를 이용하여 감광막 패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (1)

  1. 투명기판에 광차단용 크롬패턴이 다수개 구비된 마스크에 있어서, 상기 크롬 패턴의 두께가 4 - 10%의 투과율을 갖도록 구비된 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성용 마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950066147A 1995-12-29 1995-12-29 미세 패턴 형성용 마스크 KR970048937A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950066147A KR970048937A (ko) 1995-12-29 1995-12-29 미세 패턴 형성용 마스크

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950066147A KR970048937A (ko) 1995-12-29 1995-12-29 미세 패턴 형성용 마스크

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970048937A true KR970048937A (ko) 1997-07-29

Family

ID=66637748

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950066147A KR970048937A (ko) 1995-12-29 1995-12-29 미세 패턴 형성용 마스크

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970048937A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950001919A (ko) 회절빛 제어 마스크
KR910008486A (ko) 노광마스크
KR970048937A (ko) 미세 패턴 형성용 마스크
KR960005756A (ko) 반도체 소자 제조용 포토 마스크 제작 방법
KR937000886A (ko) 미세 레지스트 패턴의 형성 방법
KR970022521A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR950019909A (ko) 포토마스크 및 포토마스크 블랭크
KR970048986A (ko) 투과율 조절 위상 반전 패턴을 가지는 마스크
KR950015617A (ko) 반도체소자의 미세패턴 제조방법
KR970016787A (ko) 좁은 피치 패턴을 위한 포토마스크
KR970022507A (ko) 포토마스크 및 그의 제조 방법
KR960042200A (ko) 반도체 마스크 및 그의 제조방법
KR970016789A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR970022554A (ko) 미세 패턴 형성을 위한 마스크
KR970022532A (ko) 위상 반전 패턴 및 투과율 조절 패턴을 가지는 마스크
KR920008833A (ko) 위상반전 마스크의 형성방법
KR960039161A (ko) 반도체장치 제조시의 패턴 형성방법
KR970016757A (ko) 하프톤 위상 시프트 마스크의 제조방법
KR950027932A (ko) 포토마스크(Photomask) 제작방법
KR970028806A (ko) 투과율 조절 패턴을 가지는 마스크
KR890011047A (ko) 차광성 박막의 에칭방법
KR950027931A (ko) 포토마스크(Photomask) 제작방법
KR970012001A (ko) 마스크 제조방법
KR950003914A (ko) 반도체 제조용 위상반전 마스크 제조방법
KR970028803A (ko) 위상반전마스크와 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19951229

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid