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KR970024251A - 증폭형 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법(Solid State Image Sensor and Manufacturing Method Thereof) - Google Patents

증폭형 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법(Solid State Image Sensor and Manufacturing Method Thereof) Download PDF

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Publication number
KR970024251A
KR970024251A KR1019960043644A KR19960043644A KR970024251A KR 970024251 A KR970024251 A KR 970024251A KR 1019960043644 A KR1019960043644 A KR 1019960043644A KR 19960043644 A KR19960043644 A KR 19960043644A KR 970024251 A KR970024251 A KR 970024251A
Authority
KR
South Korea
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region
conductivity type
type semiconductor
forming
ion implantation
Prior art date
Application number
KR1019960043644A
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English (en)
Inventor
야스시 마루야마
히데시 아베
가즈야 요네모또
다까히사 우에노
준지 야마네
Original Assignee
이데이 노부유끼
소니 가부시끼가이샤
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Publication date
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Abstract

화소 MOS 트랜지스터를 갖는 증폭형 고체 촬상 소자에서, 불루밍의 발생을 억제하고, 신호 전하량의 증가를 가능하게 한다.
제1 도전형의 반도체 기판(22) 위에 제2 도전형의 오버플로우 배리어 영역(23) 및 제1 도전형 반도체 영역(24)가 순차 형성되고, 제1 도전형 반도체 영역(24)에 소스 영역(27), 드레인 영역(28) 및 게이트부(26)으로 이루어지는 화소 MOS 트랜지스터(29)가 형성되며, 드레인 영역(28) 바로 아래의 제1 도전형 반도체 영역(24)내에 게이트부의 제1 도전형 반도체 영역에 축적된 신호 전하에 대한 제2 도전형 채널 스톱 영역(41)이 형성된 구성으로 한다.

Description

증폭형 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법(Solid State Image Sensor and Manufacturing Method Thereof)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 1은 본 발명에 따른 증폭형 고체 촬상 소자의 한 예를 도시하는 평면도,
도 2는 화소 MOS 트랜지스터만을 도시한 평면도,
도 3은 도 2의 B-B선 상의 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 화소 MOS 트랜지스터의 포텐셜도,
도 5는 비교 예에 따른 화소 MOS 트랜지스터의 포텐셜도,
도 6은 본 발명에 따른 증폭형 고체 촬상 소자의 다른 예를 도시하는 화소 MOS 트랜지스터의 단면도,
도 7은 본 발명에 따른 증폭형 고체 촬상 소자의 다른 예를 도시하는 평면도,
도 8A는 본 발명에 따른 증폭형 고체 촬상 소자의 제조 방법의 한 예를 도시하는 제조 공정도,
도 8B는 본 발명에 따른 증폭형 고체 촬상 소자의 제조 방법의 한 예를 도시하는 제조 공정도,
도 8C는 본 발명에 따른 증폭형 고체 촬상 소자의 제조 방법의 한 예를 도시하는 제조 공정도.

Claims (13)

  1. 제1 도전형의 반도체 기판 위에 제2 도전형의 오버플로우 배리어 영역 및 제1 도전형 반도체 영역이 순차 형성되고; 상기 제1 도전형 반도체 영역에 소스 영역, 드레인 영역 및 게이트부로 이루어지는 증폭형 화소 트랜지스터가 형성되며; 상기 드레인 영역 바로 아래의 상기 제1 도전형 반도체 영역 내에 상기 게이트부의 상기 제1 도전형 반도체 영역에 축적된 신호 전하에 대한 제2 도전형의 채널 스톱 영역이 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 채널 스톱 영역의 불순물 농도가 상기 드레인 영역의 불순물 농도보다 낮은 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 소스 영역과 상기 오버플로우 배리어 영역 사이에 상기 제1 도전형 반도체 영역이 존재하는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 채널 스톱 영역과 상기 오버플로우 배리어 영역 사이에 상기 제1 도전형 영역이 존재하는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 채널 스톱 영역의 포텐셜이 상기 오버플로우 배리어 영역의 포텐셜보다 얕고, 상기 드레인 영역의 포텐셜보다 깊은 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판에 리셋 전압을 공급하는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 채널 스톱 영역이 상기 게이트부를 둘러싸도록 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 소자.
  8. 제1항에 있어서, 상기 소스 영역 바로 아래의 상기 제1 도전형 반도체 영역내에 상기 채널 스톱 영역보다 불순물 농도가 낮은 제2 도전형 이온 주입 영역이 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 소자.
  9. 제1 도전형의 반도체 기판 위에 제2 도전형의 오버플로우 배리어 영역 및 제1 도전형 반도체 영역을 순차 형성하고, 상기 제1 도전형 반도체 영역 위에 게이트 절연막을 형성하는 공정; 이온 주입법에 의해 상기 제1 도전형 반도체 영역 내의 드레인 영역 바로 아래에 대응하는 위치에 제2 도전형의 채널 스톱 영역을 선택적으로 형성하는 공정, 상기 게이트 절연막 위에 링 형상의 게이트 전극을 형성하는 공정; 및 상기 링 형상의 게이트 전극을 마스크에 이온 주입에 의해 상기 제1 도전형 반도체 영역의 표면에 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하여 증폭형 화소 트랜지스터를 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 소자의 제조 방법.
  10. 제1 도전형의 반도체 기판 위에 제2 도전형의 오버플로우 배리어 영역, 제1 도전형 반도체 영역, 게이트 절연막 및 게이트 전극 재료층을 순차 형성하는 공정; 동일 마스크를 이용하여 제1 이온 주입에 의해 상기 제1 도전형 반도체 영역의 표면에 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하고, 제2 이온 주입에 의해 상기 제1 도전형 반도체 영역의 드레인 영역 바로 아래에 대응하는 위치에 제2 도전형의 채널 스톱 영역을 형성하는 공정; 및 상기 마스크를 이용하여 상기 게이트 전극 재료층을 선택적으로 패터닝하고, 링 형상의 게이트 전극을 형성하여 증폭형 화소 트랜지스터를 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 소자의 제조 방법.
  11. 제1 도전형의 반도체 기판 위에 제2 도전형의 오버플로우 배리어 영역, 제1 도전형 반도체 영역, 게이트 절연막 및 게이트 전극 재료층을 순차 형성하는 공정; 마스크를 이용하여 상기 게이트 전극 재료층을 선택적으로 패터닝하고, 링 형상의 게이트 전극을 형성하는 공정; 및 상기 마스크를 이용하여 제1 이온 주입에 의해 상기 제1 도전형 반도체 영역의 표면에 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하고, 제2 이온 주입에 의해 상기 제1 도전형 반도체 영역의 드레인 영역 바로 아래에 대응하는 위치에 제2 도전형의 채널 스톱 영역을 형성하여 증폭형 화소 트랜지스터를 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 소자의 제조 방법.
  12. 제1 도전형의 반도체 기판 위에 제2 도전형의 오버플로우 배리어 영역, 제1 도전형 반도체 영역 및 게이트 절연막을 순차 형성하는 공정; 제1 마스크를 이용하여 이온 주입에 의해 상기 제1 도전형 반도체 영역의 소스 영역 바로 아래에 대응하는 위치에 제1 도전형의 이온 주입 영역을 선택적으로 형성하는 공정; 상기 게이트 절연막 위에 게이트 전극 재료층을 형성하는 공정; 제2 마스크를 이용하여 제1 이온 주입에 의해, 상기 제1 도전형 반도체 영역의 표면에 소스 영역 및 드레인 영역을 선택적으로 형성하고, 제2 이온 주입에 의해 제1 도전형 반도체 영역의 드레인 영역 바로 아래에 대응하는 위치에 제2 도전형의 채널 스톱 영역을 형성함과 동시에, 상기 이은 주입 영역에 제2 도전형 불순물을 재주입하는 공정; 및 상기 제2 마스크를 이용하여 상기 게이트 전극 재료층을 선택적으로 패터닝하여 링 형상의 게이트 전극을 형성하고, 증폭형 화소 트랜지스터를 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 소자의 제조 방법.
  13. 제1 도전형의 반도체 기판 위에 제2 도전형의 오버플로우 배리어 영역, 제1 도전형 반도체 영역, 게이트 절연막 및 게이트 전극 재료층을 순차 형성하는 공정; 제1 마스크를 이용하여 상기 제1 도전형 반도체 영역의 소소 영역으로부터 일부 게이트부에 이르는 부분 바로 아래에 대응하는 위치에 제1 도전형 이온 주입영역을 선택적으로 형성하는 공정; 제2 마스크를 이용하여 제1 이온 주입에 의해 상기 제1 도전형 반도체 영역의 표면에 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하고, 제2 이온 주입에 의해 드레인 영역 바로 아래에 대응하는 위치에 제2 도전형의 채널 스톱 영역을 형성함과 동시에, 상기 이온 주입 영역에 제2 도전형 불순물을 재주입하는 공정; 및 상기 제2 마스크를 이용하여 상기 게이트 전극 재료층을 선택적으로 패터닝하여 링 형상의 게이트 전극을 형성하고, 증폭형 화소 트랜지스터를 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 증폭형 고체 촬상 소자의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960043644A 1995-10-04 1996-10-02 증폭형 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법(Solid State Image Sensor and Manufacturing Method Thereof) KR970024251A (ko)

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JP25782695 1995-10-04
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