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KR970009479A - 전하 가변 농도 분포를 가진 플라즈마 공급원 - Google Patents

전하 가변 농도 분포를 가진 플라즈마 공급원 Download PDF

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KR970009479A KR1019960031696A KR19960031696A KR970009479A KR 970009479 A KR970009479 A KR 970009479A KR 1019960031696 A KR1019960031696 A KR 1019960031696A KR 19960031696 A KR19960031696 A KR 19960031696A KR 970009479 A KR970009479 A KR 970009479A
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테쯔야 이시까와
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Abstract

작동중 기판에 플라즈마 농도 분포가 중앙에서 고조되도록, 플라즈마 구멍에 관련되어 설정되고 배치된 첫째 안테나, 작동중 기판에 가운데가 텅빈 플라즈마 농도 분포를 만들어 주도록, 플라즈마 처리실에 관련되어 설정되고 배치된 둘째 안테나를 포함하는, 플라즈마 구성을 규제하는 처리실 몸체를 가지고 기판을 가공하는 플라즈마 시스템.

Description

전하 가변 농도 분포를 가진 플라즈마 공급원
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 플라즈마 식각 시스템의 분포도를 보여준다, 제2도는 RF 전기를 안테나에 결합시키고 RF 바이어스를 페네스탈에 결합시키는데 있어 RF 회로 도면을 보여준다, 제3a도는 전기 분할기를 상부 또는 측면 안테나에 연결시키는 설정의 세부사항을 보여준다, 제3b도는 전기 분할기를 상부 또는 측면 안테나에 연결시키는 또 하나의 설정의 세부상을 보여준다, 제4a-d도는 두 안테나와 처리실의 또 다른 설계들을 보여준다. 제5도는 실험자료를 얻기 위해 사용됐던 처리실의 일발적인 설정을 보여준다.

Claims (35)

  1. 아래 사항들을 특징으로 하는 기판 처리용 플라즈마 시스템; 플라즈마 구멍을 한정하는 처리실 몸체; 작동중 기판 위에 중앙에서 고조되는 플라즈마 농도 분포를 만들어 주도록 상기 플라즈마 처리실에 관계되어 설정되고 배치된 첫번째 안테나, 그리고 작동중 기판 위에 중앙이 텅빈 플라즈마 농도 분포를 만들어 주도록 전술한 플라즈마 처리실에 관계되어 설정되고 배치된 두번째 안테나.
  2. 제1항에 있어서, 첫째와 두째 안테나 모두에 연결된 전원, 그리고 작동중 첫째와 둘째 안테나 모두에 배전해주고 기판에 순 플라즈마 농도 분포를 만들어주는 상기 전원을 추가로 포함하는 플라즈마 시스템.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전원이 RF 전기를 첫째와 둘째 안테나 모두에 전기를 보내주는 플라즈마 시스템.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전원이 RF 발전기를 가지고 있고, 하나이 입력선과 첫째와 둘째의 입력선을 수반한 전기 분리기를 가졌으며, 입력선은 발전기로부터 전기를 받고, 첫째 출력선은 첫째 안테나에 연결되어 있으며, 둘째 출력선은 둘째 안테나에 연결되어 있고, 상기 전기 분리기가 발전기에서 받은 전기를 첫째와 둘째 출력선으로 보내주는 플라즈마 시스템.
  5. 제3항에 있어서, 첫째 RF 발전기가 첫째 안테나에 전기를 보내주고 둘째 RF 발전기가 둘째 안테나에 전기를 보내주는 플라즈마 시스템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 첫째와 둘째 안테나가 플라즈마 구멍 외부에 위치한 플라즈마 시스템.
  7. 제6항에 있어서, 상기 처리실 몸체가 첫째 유전성 창구와 둘째 유전성 창구를 가지고 있고, 상기 첫째 안테나가 상기 플라즈마 구멍의 외부에, 상기 첫째 유전성 창구에 인접해 있으며, 상기 둘째 안테나가 상기 플라즈마 구멍의 외부에, 상기 둘째 유전성 창구에 인접해 있는 플라즈마 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 첫째 안테나가 코일 안테나이고, 상기 둘째 안테나가 코일 안테나인 플라즈마 시스템.
  9. 제7항에 있어서, 상기 첫째 안테나가 작동중 기판에 사실상 평행하여 위치해 있는 평면 원형 코일 안테나인 플라즈마 시스템.
  10. 제7항에 있어서, 둘째 유전성 창구가 내부가 비고 상기 플라즈마 구멍을 둘러싼 원통형 몸체를 가지고 있으며, 상기 둘째 안테나가 상기 원통형 몸체를 감고 있는 원통형 코일인 플라즈마 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 첫째 유전성 창구가 상기 원통형 한 끝에 걸쳐 위치한 판이고, 상기 첫째 안테나가 그 판에 인접해 위치해있는 플라즈마 시스템.
  12. 제11항에 있어서, 원통형 몸체가 석영으로 만들어진 플라즈마 시스템.
  13. 제12항에 있어서, 그 판이 석영으로 되어 있는 플라즈마 시스템.
  14. 제6항에 있어서, 상기 처리실 몸체가 기판 위에 위치한 유전성 창구를 가지고 있고, 상기 첫째와 둘째 안테나가 상기 플라즈마 구멍 외부, 상기 유전성 창구에 인접해 있는 플라즈마 시스템.
  15. 제14항에 있어서, 상기 둘째 안테나가 상기 첫째 안테나 내에 같은 원심을 가지고 위치한 플라즈마 시스템.
  16. 아래의 것들을 특징으로 하는, 기판 기공용 플라즈마 시스템; 외부 구역으로 둘러싸인 중앙 내부구역을 가진 플라즈마 구멍을 한정하는 한개의 처리실 몸체, 외부 구역보다 내부구역으로 에너지를 더 결합해주도록, 상기 플라즈마 구멍과 관련해 설정되고 배치된 한개의 첫째 안테나, 중앙 구역보다 외부구역으로 에너지를 더 결합해주도록, 상기 플라즈마 처리실과 관련해 설정되고 배치된 한개의 둘째 안테나.
  17. 제16항에 있어서, 첫째와 둘째 안테나들에 모두 연결된 전원과, 작동중 첫째와 둘째 안테나에 모두 전기를 보내주면서 기판에 순 플라즈마 농도 분포를 주는 전원을 추가로 가진 플라즈마 시스템.
  18. 제17항에 있어서, 상기 전원이 RF 반전기를 가지고 있고, 상기 플라즈마 시스템이 하나의 입력선 및 첫째와 둘째 출력선을 가진 전기 분할기를 추가로 가지고 있으며, 입력선을 발전기로부터 전기를 받고, 첫째 출력선은 첫째 안테나에 그리고 둘째 출력선은 둘째 안테나에 연결되어 있으며, 상기 전기 분할기는 발전기로 부터 받은 전기를 자체의 첫째와 둘째 출력선으로 배전하는 플라즈마 시스템.
  19. 제18항에 있어서, 상기 처리실 몸체가 첫째와 둘째 유전성 창구를 가지고 있고, 첫째 안테나는 플라즈마 구멍 외부, 상기 첫째 유전성 창구에 인접해 위치해 있으며, 둘째 안테나는 플라즈마 구멍 외부, 상기 둘째 유전성 창구에 인접해 위치해 있는 플라즈마 시스템.
  20. 제18항에 있어서, 상기 처리된 몸체가 기판 위에 있는 유전성 창구를 가지고 있고, 첫째와 둘째 안테나들은 상기 플라즈마 구멍 외부, 상기 유전성 창구에 인접해 위치해 있는 플라즈마 시스템.
  21. 제20항에 있어서, 상기 둘째 안테나가 상기 첫째 안테나 내부에 동일 원심을 가지고 배치되어 있는 플라즈마 시스템.
  22. 아래의 것들로 구성된 것을 특징으로 하는 기판 가공을 위한 플라즈마 시스템; 플라즈마 구멍을 한정해 주는 한개의 처리실 몸체; 작동중 에너지를 구멍 안의 플라즈마에 연결시켜 주도록 상기 플라즈마 구멍과 관련되어 배치되어 있는 첫째 안테나, 작동중 에너지를 구멍 안의 플라즈마에 연결시켜 주도록 상기 플라즈마 구명과 관련되어 배치되어 있는 둘째 안테나, 하나의 입력선 및 첫째와 둘째 출력선을 가지고 있으며, 첫째 출력선은 첫째 안테나에 그리고 둘째 출력선은 둘째 안테나에 연결되어 있는 상기 전기 불할기, 그리고 상기 전기분할기가 발전기에서 전기를 받아 자체의 첫째와 둘째 출력선에 배전해주도록, 전기분할기의 출력선에 전기를 공급해주는 발전기.
  23. 제22항에 있어서, 전기분할기가 어떻게 첫째와 둘째 출력선에 배전를 정하는 제어신호에 반응하는 플라즈마 시스템.
  24. 제22항에 있어서, 첫째와 둘째 출력선의 신호들 사이에 실질적으로 고정된 위상판계를 유지해 주면서, 전기분할기가 발전기로부터의 전기를 분할해 첫째와 둘째 출력선에 배전해주는 플라즈마 시스템.
  25. 제24항에 있어서, 상기 첫째와 둘째 안테나가 플라즈마 구멍 외부에 위치하는 플라즈마 시스템.
  26. 제25항에 있어서, 상기 처리실 몸체가, 상기 첫째 안테나가 플라즈마 구멍의 외부, 상기 첫째 유전성 창구에 인접해 위치하고, 상기 둘째 안테나가 플라즈마 구멍의 외부, 상기 둘째 유전성 창구에 인접해 위치하는, 첫째와 둘째 유전성 창구를 가진 플라즈마 시스템.
  27. 제26항에 있어서, 상기 첫째 안테나가 코일 안테나이고, 상기 둘째 안테나가 코일 안테나인 플라즈마 시스템.
  28. 제26항에 있어서, 상기 첫째 안테나가 작동중 실질적으로 기판과 평행해서 위치하는 평면 원형 코일 안테나인 플라즈마 시스템.
  29. 제26항에 있어서, 상기 유전성 창구가 상기 플라즈마 구멍을 둘러싼, 안이 비고 원통형 몸체이며, 상기 둘째 안테나가 상기 원통형 몸체 둘레를 원통형으로 감고 있는 코일인 플라즈마 시스템.
  30. 제27항에 있어서, 첫째 유전성 창구가 상기 원통형 몸체의 한쪽 끝을 가로 질러 위치하는 판이고, 상기 첫째 안테나가 상기 판에 인접해 위치하는 플라즈마 시스템.
  31. 제30항에 있어서, 원통형 몸체가 석영으로 만들어진 플라즈마 시스템.
  32. 제31항에 있어서, 판이 석영으로 만들어진 플라즈마 시스템.
  33. 제25항에 있어서, 상기 처리실 몸체가 기판 위에 위치한 한개의 유전성 창구를 가지고 있고, 첫째와 둘째 안테나가 상기 플라즈마 구멍의 외부, 상기 유전성 창구에 인접해 위치하는 플라즈마 시스템.
  34. 제33항에 있어서, 상기 둘째 안테나가 첫째 안테나 내부에 같은 원심을 가지고 배치되어 있는 플라즈마 시스템.
  35. 아래와 같은 것들을 특징으로 하는, 기판을 가공하는 플라즈마 시스템 내에 플라즈마의 이온 농도 분포를 조정하는 방법; 첫째 RF 전기를 첫째 안테나를 통해 플라즈마로 결합, 둘째 RF 전기를 둘째 안테나를 통해 플라즈마로 결합, 둘째 RF 전기에 대한 첫째 RF 전기의 비율을 조정함으로써 플라즈마 가공중 기판에 실질적으로 균일한 이온 농도 분포를 만들어 줌.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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