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KR970000382B1 - 저반사 코팅유리 및 그 제조방법 - Google Patents

저반사 코팅유리 및 그 제조방법 Download PDF

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KR970000382B1
KR970000382B1 KR1019940016424A KR19940016424A KR970000382B1 KR 970000382 B1 KR970000382 B1 KR 970000382B1 KR 1019940016424 A KR1019940016424 A KR 1019940016424A KR 19940016424 A KR19940016424 A KR 19940016424A KR 970000382 B1 KR970000382 B1 KR 970000382B1
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low
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oxide layer
high refractive
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김의수
황인호
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한국유리공업 주식회사
최영중
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Abstract

내용 없음.

Description

저반사 코팅유리 및 그 제조방법
제1도는 본 발명에 따라 제조되는 저반사 코팅유리의 층 단면도이고,
제2도는 본 발명에 사용되는 TiNXOY박막의 질소/산소의 비에 따른 증착속도를 측정한 결과 그래프이고,
제3도는 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 저반사 코팅유리의 반사율을 측정한 그래프이다.
본 발명은 저반사 코팅유리 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 금속 타겟을 사용하는 반응성 스퍼터링에 의해 저반사 코팅유리를 제조하는데 있어 MNXOY(M은 금속) 형태의 고굴절률을 박막을 사용하여 증착속도를 빠르게 할 뿐만아니라 저반사 특성을 향상시킨 저반사 코팅유리 및 그 제조방법에 관한 것이다.
저반사 코팅유리(anti-reflective coationg glass: AR 유리)는 투과율을 증진시키고 눈부심을 방지하여 육안 관찰시 정보를 명확히 인식할 수 있게 한다. 이러한 저반사 코팅유리는 TV 혹은 컴퓨터 모니터 등과 같은 화면표시장치, 사진액자, 상가의진열장 등 가시성(可視性)이 요구되는 장소에 이용되어 왔다. 통상 저반사 코팅유리는 이산화규소(SiO2)/이산화티타늄(TiO2), 불화마그네슘(MgF2)/이산화탄탈륨(TaO2)등 투명하며 굴절률이 높은 물질과 낮은 물질의 코팅층을 조합하여 광간섭의 원리를 이용하여 저반사 효과를 나타내도록 하고 있다.
이러한 다층박막(多層薄膜)에 의한 간섭효과를 이용하여 코팅유리를 설계하는 방법으로는 벡터법, 스미쓰(Smith)도표, 카드(Kard)도표 등이 있다. 이들은 분광특성을 계산하기 위한 편의적인 방법으로서 도형적인 사고에 의해 분광특성의 경향을 유추할 수 있지만 반사방지막의 층수가 3층 이하의 경우에만 사용할 수 있다. 따라서 통상적으로는 컴퓨터를 이용하여 반사방지막의 반사율을 구하는 것이 대부분이다.
가시광선을 흡수하지 않는 투명한 박막계의 투과, 반사율은 행열(matrix)식에 따라 다음 식으로 표시될 수 있다.
여기에서, E0: 입사파의 전장벡터
E0' : 반사파의 정장벡터
ES: 투과파의 전장벡터
n0: 입자매질의 굴절률
nS: 투과매질의 굴절률
l : 박막의 두께
k : 전파상수, k=2π/λ=2π n1/λ0
λ : 입사광의 파장
여기에서 전이행열(轉移行列) M을
으로, 투과계수 r과 반사계수 t를
로 표기하면, 상기 식은 다음과 같이 표시된다.
에너지항인 반사율 R과 투과율 T는 다음과 같다.
다층막인 경우에는 다음과 같이 계산할 수 있다. 굴절률이 입사매질로부터 n1,n2,…,nN이며, 박막의 두께가 l1,l2,…,lN인 다층막에서의 반사 및 투과는 단순히 전이행열의 곱으로 나타난다. 즉, 전이행열 M1를
로 정의하면 관계식은
로 단순화시킬 수 있다. 전이행열의 곱 M의 각요소를 다음과 같이
A,B,C,D로 나타내면 반사계수 r과 투과계수 t는
가 되며, 반사율 R과 투과율 R는
이 된다. 통상적으로 저반사 코팅유리는 굴절률이 낮은 물질과 높은 물질을 이상의 행열식에 의해 계산된 각각의 두께만큼 코팅하여 만든다. 이때 박막의 두께가 얇고 정밀한 두께조절이 요구되기 때문에 보통 솔젤(solgel)법, 진공증착(evaporation)법, 스퍼터링(sputtering)법 등의 박막코팅방법을 사용하여 제막되고 있다.
솔젤법은 원하는 금속염이 들어있는 용액(sol)에 유리기판을 침적시킨 다음 꺼내어 유리기판성에 젤(gel)층을 형성시킨 후 건조-열처리 과정을 통해 박막을 얻는 방법으로서 진공을 이용하지 않으므로 타 방법에 비하여 장치비용이 저렴하다는 장점이 있다. 반면에 곡면제품의 코팅이 힘들고 코팅용액의 보관상의 문제점으로 인하여 재현성이 떨어지며 또한 흡수특성을 가진 저반사유리의 제조와 정전기방지, 전자파 차폐기능등 부가적 기능을 갖춘 저반사 유리의 제조는 어렵다는 단점이 있다. 또한 이 방법은 층의 두께가 두꺼운 막의 경우는 비교적 쉽게 제막할 수 있지만, 막의 두께를 정밀하게 관리하기 어렵고, 층의 수가 많은 경우에는 침적, 열처리 과정을 여러번 행해야 하는 문제점이 있다. 현재 상업화되고 있는 대형의 저반사 코팅유리는 이 방법으로 만들고 있다.
진공증착법은 코팅물질을 전기적으로 가열하는 방법 또는 코팅물질에 전자빔을 쏘아 가열하는 방법 등을 사용하여 코팅물질을 증발시켜 코팅하고자 하는 기판위에 응축시키는 방법으로써 박막의 증착에 자주 이용되는 방법이다. 예를 들어, Balzers사의 경우 산화물막만을 사용하여 상기 진공증착방법으로
유리/TiO2/SiO2/TiO2/SiO2/공기층
의 구조의 저반사막을 제조하였다. 이 박막구조는 저반사 코팅에서 통상적으로 사용하는 유리/중굴절 물질/ 고굴절 물질/저굴절 물질/공기층이 3층의 박막구조 대신에 복합(複合)막법을 사용하여 유리기판 위에 놓인 중굴절 박막을 고굴절 박막과 저굴절 박막으로 2개로 대치하여 제막함으로써 동일한 결과를 나타내도록 하였다. 이러한 복합막법을 사용하는 이유는 크게 두가지가 있다. 첫째, 두 박막의 두께의 합은 중굴절 박막의 두께보다 얇다. 따라서, 전체 코팅두께가 문제가 되는 경우에는 중굴절 박막을 이렇게 두 층으로 나누어 해결할 수 있다. 둘째, 이렇게 두 층으로 나눔으로써 두 박막의 두께 조절을 통하여 원하는 중간정도의 굴절률을 수월히 얻을 수 있다. 따라서 전체박막의 구조는
유리/고굴절 물질/저굴절 물질/ 고굴절 물질/저굴절 물질/공기층
의 구조가 된다. 이 방법은 코팅속도가 비교적 빠르고 박막의 층수가 많더라도 쉽게 코팅할 수 있다는 장점이 있다. 그러나 단점으로는 수 ㎡ 크기의 대형제품에서는 균질한 특성의 코팅막을 얻기 힘들다는 점과 기판을 가열한 후 제막해야만 소정의 광학적 특성과 내구성을 발휘할 수 있다는 잠점이 있다. 이 방법은 측정기기, 군사용 광학장비 등과 같은 고급광학제품에 필요한 소형의 다층박막(수십층) 고팅에 적당하다.
한편, 스퍼터링 방법은 진공중에 대전된 두 전극 사이에 전력을 인가하면 방전이 일어나고 내부에 인입된 불활성 기체를 플라즈마 상태로 만든다. 이경우 불활성 기체는 주로 아르곤(Ar) 기체를 사용하며, 플라즈마 중의 Ar+이온이 음극으로 대전된 타겟(target; 코팅하고자 하는 물질로 구성된 판상 또는 원통형물체로서 음극에 장착됨) 물질을 때리게 된다. 결국 이 충돌력에 의해 타겟을 구성하는 물질이 떨어져 나와 기판 위에 내려앉아 적층(depositon)되어 코팅되는 방법이다. 이 방법은 큰 면적에 대하여도 코팅막의 균질도가 매우 높은 박막을 제막할 수 있으며, 두께의 조절이 쉽다. 또한 제막된 박막의 강도가 높기 때문에 내구성이 우수하다. 반면에 제막속도가 느리므로 강도가 높기 때문에 내구성이 우수하다. 반면에 제막속도가 느리므로 박막의 두께가 두꺼운 경우에는 제막에 상당한 시간이 소요되며, 특히 산화물 박막인 경우에는 제막속도가 현저히 떨어진다. 따라서 스퍼터링법으로 코팅을 하는 경우 광학설계는 박막의 층수는 다소 증가하더라고 가능한한 얇은 막을 제막하는 방향으로 추진되고 있다.
이러한 스퍼터링방법을 사용하여 저반사막을 제막하는 경우에는 굴절률이 낮으며 투명한 물질인 이산화규소(SiO2) 박막을 많이 사용하고 있으며, 특히 직류 스퍼터링방법을 사용할 경우 타겟 물질로서 순수한 규소(Si)가 아닌 규소에 알루미늄(Al) 또는 붕소(B)를 첨가시켜 전도성을 띠게한 타겟을 사용하여 이산화규소 박막을 제막한다. 저반사 코팅에서 문제가 되는 층은 고굴절막으로 사용되는 이산화티타늄(TiO2)층이다. 즉, 이같은 고굴절 박막은 저굴절 박막에 비하여 두께가 두꺼우면서도 증착속도는 낮기 때문에 상업성을 떨어뜨리는 주요한 원인이 된다. 즉, 증착속도가 느린 박막을 두껍게 제막해야 되므로 많은 전력을 인가하여 코팅하여야 하므로 결합도 많이 발생하게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기 종래 기술들의 문제점들을 감안하여, 상기 행렬식을 이용하여 박막을 설계하고 상기 스퍼터링법에 의해 저반사 코팅유리를 제조함에 있어서, 저반사 특성에 변화없이 고굴절률막의 증착속도를 빨리함으로써 생산성이 향상된 저반사 코팅유리 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 저반사 특성에 부가하여 전자파의 자폐 및 정전기 방지 기능을 가진 저반사 코팅유리 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제1실시형태에 따른 저반사 코팅유리는, 유리기판상에 제1고굴절 질화산화물층, 제1저굴절률 물질층, 제2고굴절률 질화산화물층, 제2저굴절률 물질층이 차례로 코팅되어 이루어진다.
본 발명의 바람직한 실시예로서, 상기 유리기판은 일반적인 무기질 성분의 유리뿐만이 아니라, 아크릴 유리나 폴리카보네이트 등 유기질성분의 모든 유리를 포함하며, 상기 제1,2 고굴절률 질화산화물층은 TiNXOY또는 NbNXOY로 형성시켜 주는 것이 증착 속도면에서 바람직하다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제2실시형태에 따른 저반사 코팅유리는, 유리기판상에 고굴절률 산화물층, 제1저굴절률 물질층, 고굴절률 질화산화물층, 제2저굴절률 물질층이 차례로 코팅되어 이루어진다.
또한 본 발명의 제3실시형태에 따른 저반사 코팅유리는 유리기판상에 전도성 산화물층, 제1저굴절률 물질층, 고굴절률 질화산화물층, 제2저굴절률 물질층이 차례로 코팅되어 이루어진다.
상기 전도성 산화물층은 In/Sn, Sn/Sb, Sn/F, Zn/Al의 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되어지는 적어도 하나로 형성되며, 예를 들어 인듐-주석 산화물(Indium-Tin Oxide:ITO), 안티모니 또는 불소가 미량 함유되어 있는 산화주석(Sb or F doped SnO2), 알루미늄과 같은 불순물이 미량 함유된 산화아연(Al2O3doped ZnO) 등으로 형성된다.
따라서 전자파 및 정전기 방지기능이 있는 저반사 코팅유리가 제조된다.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제4실시형태에 따른 저반사 코팅유리의 제조방법은, 유리기판을 연속식 스퍼터링장치에 넣은 후 진공을 형성하는 단계; 질소=산소 분위기 하에서 상기 유리기판상에 제1고굴절률 질화산화물층을 형성하는 단계; 산소 분위기하에서 상기 제1고절률 질화산화물층사에 제1저굴절률 산화물층을 형성하는 단계 ; 질소+산소 분위기 하에서 상기 제1저굴절률 산화물층상에 제2고굴절률 질화산화물층을 형성하는 단계; 및 산소 분위기하에서 상기 제2고굴절률 질화산화물층상에 제2저굴절률 산화물층을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진다.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제5실시형태에 따른 저반사 코팅유리의 제조방법은 유기기판을 연속식 스퍼터링장치에 넣은 후 진공을 형성하는 단계 ; 산소 분위기 하에서 상기 유리기판상에 산화물층을 형성하는 단계; 산소 분위기하에서 상기 산화물층상에 제1저굴절률 물질층을 형성하는 단계; 질소+산소 분위기하에 상기 제1저굴절률 산화물층상에 고굴절률 질화산화물층을 형성하는 단계 ; 및 산소분위기하에서 상기 고굴절률 질화산화물층사에 제2저굴절률 물질층을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진다.
본 발명에서는 고굴절률 물질층으로서 코팅성이 낮은 산화물층 대신에 TiNXOY또는 NbNXOY등과 같은 산화질화물층을 사용함으로써 증착속도가 빨라지고, 그에 따라 일정한 두께의 박막을 제막할시 인가되는 전력이 낮아지므로 제막시 결함발생량이 줄어든다.
또한 고굴절률막 대신에 전도성 산화물층을 사용함으로써 저반사 특성에 부가하여 전자파 및 정전기 방지 특성을 갖는 저반사 코팅유리를 실현하게 된다.
이하 본 발명의 실시예들에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명의 각 실시예에 의해 제조되는 4층 박막구조를 갖는 저반사 코팅유리의 개괄적인 층 단면도로서, 유리기판(10)상에 1층막(12), 2층막(14), 3층막(16), 4층막(18)이 소정의 두께로 코팅되어 있다.
실시예 1
실시예 1은 본 발명은 제1실시형태에 따른 저반사 코팅유리에 관한 것으로서, 그 제조과정은 다음과 같다.
먼저, 유리기판(10)을 연속식 자력보강 스퍼터리장치(in-line magnetron sputtering device)에 집어넣은 후 진공을 형성시킨다. 이어서 코팅챔버내를 산소(O2)+질소(N2) 분위기로 유지하고 Ti 금속타겟을 사용하여 유리기판(10)상에 TiNXOY로 된 1층막(12)을 코팅한다. 이어서 상기 1층막(12)상에 2층막(14)인 SiO2층을 제막하기 위하여 2개의 Si 타겟에 각각 1.5kW씩의 전력을 인가하며 기판을 433mm/min의 속도로 이동시키며 약 28nm의 SiO2막을 제막한다. 다음으로 3층막인(16) TiNXOY박막을 제막하기 위하여 코팅 챔버속으로 N2가스와 O2가스를 각각 53, 22sccm씩 공급하여 질소+산소 분위기를 형성하고 Ti 타겟에 약 7kW의 전력을 가하면서 기판을 85mm/min의 속도로 이동시켜 약 97nm의 TiNXOY박막을 제막한다. 마지막으로 Si 타겟을 사용하여 아르곤/산소 분위기에서 4층막(18)인 SiO2박막을 약 80nm가 되도록 형성시켜 준다.
실시예 1에서는 상기 TiNXOY박막으로 형성되는 1층막(12) 및 /또는 3층막(16)을 고굴절률 질화산화물인 NbNXOY박막으로 형성시켜 줄수도 있다. 이때 NbNXOY박막은 TiNXOY박막에 비하여 굴절률이 약간 낮으므로 원하는 저반사 특성을 얻기 위해서는 전기한 행렬실에 근거하여 박막층의 두께를 조절하여야 한다.
예를 들어, 3층막(16)을 상기 TiNXOY박막 대신에 NbNXOY박막으로 형성하고져 할때 코팅챔버 내에 질소가스와 산소가스를 각각 54,22sccm씩 공급하여 질소+산소 분위기를 형성한 후 Nb 타겟에 약 5kW의 전력을 가하면서 기판을 94mm/min의 속도로 이동시켜 약 97.8nm의 NbNXOY박막을 2층막(14)상에 제막한다.
한편 실시예 1에서 상기 1층막(12) 및 3층막(16)으로 사용되는 TiNXOY박막과 같은 질화산화물은 코팅속도가 매우 빠르다.
제2도는 TiNXOY박막에서 질소(N2)가스와 산소(O2)가스이 비에 따른 TiNXOY박막의 증착속도를 나타내는 실험결과 그래프로서, 질소/산소의 비가 높아질수록 박막의 증착속도가 커짐을 알 수 있다. 그러나 어느정도 이상의 질소/산소의 비에서는 박막이 불투명해지기 때문에 저반사 코팅용으로는 사용할 수 없게 된다.
상기 실험결과에 따르면 통상 산소 단독으로 분위기하에서 TiO2를 코팅할 때 보다 분위기 가스중에 질소를 첨가하여 질소+산소 분위기하에서 TiNXOY박막을 형성할때 약1.7배의 증착속도를 얻는다.
한편 제3도는 실시예 1에 따라 제막된 저반사 코팅유리의 가시광선 반사율을 나타낸 것으로서, 가시광선의 평균반사율은 0.5% 정도로 매우 우수한 저반사 특성을 나타냄을 알 수 있다.
실시예 2
실시예 2는 본 발명의 제2실시형태에 따라 제조되는 저반사 코팅유리에 관한 것이다. 즉, 실시예 1에서와 같이 유리기판(10)을 연속식 스퍼터링의 장치체에 넣은 후 진공을 유지한다. 이어서 아르곤과 산소가스를 코팅챔버에 각각 50, 40sccm 공급하여 산소분위기를 형성시킨 후 Ti 타겟에 6kW의 전력을 인가하면서 기판을 432mm/min의 속도로 이동시키며 코팅한다. 이때 형성된 1층막 (12)인 TiO2층은 약 10nm가 된다. 이후 제 2층막(14), 제3층막(16) 및 제4층막(18)의 형성과정은 실시예 1과 동일하다.
한편 상기 1층막(12)은 TiO2막 이외에도 고굴절률막인 산화니오비움(Nb2O3), 산화지르코늄(ZrO2)등으로형성시켜줄 수도 있다. 또한 3층막(16)은 TiNXOY박막 또는 NbNXOY박막 중 어느 하나로 형성시켜 준다.
실시예3
실시예 3은 본 발명의 제3실시형태에 따라 제조되는 저반사 코팅유리에 관한 것으로서, 전자파 차폐 및 정전기 방지기능을 갖는 저반사 코팅유리에 관한 것이다. 즉, 실시예 1,2에서 1층막(12)으로 사용한 TiO2, TiNXOY또는 NbNXOY박막 대신에 인듐-주석 산화물(Indium-Tin Oxide:ITO)박막을 사용한다. TiO2막 대신에 ITO 박막을 사용하면 ITO의 제막속도가 TiO2에 비해 훨씬 빠르기(약 10배) 때문에 낮은 전력을 인가하여도 상응하는 특성의 제막이 가능하다. 또한 ITO 박막 자체가 전기전도성이 있기 때문에 여러가지 부가적인 응용이 가능하다. 제작방법은 다음과 같다. 즉, 주석의 함유된 인듐산화물 타겟(ITO, IN/Sn=90/10ωt%)에 Ar과 O2가스를 각각 50.5sccm을 넣고, 1.0kW의 전력을 인가한 채 유리를 700mm/min의 속도로 이동시키면 약 22nm 두께의 ITO 박막이 제막된다. 다른 막들은 실시예 1과 같은 방법으로 제막하지만 ITO 박막의 굴절률이 TiO2굴절률과 다르기 때문에 이에 따라 다른 모든 층의 두께는 약간씩 변하게 형성시켜 준다.
한편 실시예3에서는 1층막(12)으로서 상기 ITO 박막(In/Sn의 산화물) 이외에도 Sn/Sb, Sn/F, Zn/Al의 산화물 층으로 형성시켜줄 수 있으며, 예를 들어 안티모니 또는 불소가 미량 함유되어 있는 산화주석, 암루미늄이 미량 포함된 산화아연을 사용할 수 있다. 이때 상기 산화물층들은 전기전도성을 나타내며 전자파 차폐 기능과 정전기 방지기능을 갖는다.
한편 실시예 3에서의 나머지 층들인 2층막(14), 3층막(16), 4층막(18)은 실시예 1에서와 같은 방법으로 형성한다.
이상의 실시예들로부터 알수 있듯이, 본 발명에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 저반사 특성을 향상, 유지하면서 고굴절률막의 증착속도가 빨라짐에 따라 생산성이 향상된다.
둘째, 고굴절률막의 증착속도가 빨라짐에 따라 소정의 두께를 형성하기 위해 스퍼터에 인가되는 전력이 낮아지고, 그에 따라 제품의 결함발생율이 감소한다.
셋째, 단지 3개의 코팅챔버가 있는 연속식 스퍼터링 장치를 사용하여 제막할 수 있기 때문에 장치비용이 저렴해 진다.
넷째, 전기전도성 산화물층을 사용하여 전자파 차폐 및 정전기 방지기능이 있는 저반사 코팅유리를 손쉽게 제작할 수 있다.
한편 본 발명은 단순한 예시로서의 상기 실시예에 국한되지 않으며, 예를 들어 본 발명에 사용된 유리기판은 무기질 성분의 유리 뿐만아니라 아크릴 유리, 폴리카보네이트 등의 유리질 성분의 유리를 통칭하는 것이며, 상기 각 실시예에서 사용된 물질층, 각 물질층의 두께등은 다양하게 변형가능하다.

Claims (20)

  1. 유리기판(10)상에 제1고굴절율 질화산화물층(12), 제1저굴절률 물질층(14), 제2고굴절율 질화산화물층(16), 제2저굴절률 물질층(18)이 차례로 코팅되어 이루어진 저반사 코팅유리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유리기판(10)은 무기질 성분의 유리기판 또는 유기질 성분의 유리기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저반사 코팅유리.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1고굴절률 질화산화층(12)은 TiNXOY또는 NbNXOY로 형성되며, 제2고굴절률 질화산화물층(16)은 TiNXOY또는 NbNXOY로 형성된 것을 특징으로 하는 저반사 코팅유리.
  4. 제1항내지 제3항 중 어느 한항에 있어서, 상기 제1,제2저굴절률 물질층(14),(18)은 SiO2DLS 것을 특징으로 하는 저반사 코팅유리.
  5. 유리기판(10)상에 고굴절률 산화물층(12), 제2저굴절률 물질층(14), 고굴절률 질화산화물층(16), 제2저굴절률 물질층(18)이 차례로 코팅되어 이루어진 저반사 코팅유리.
  6. 제5항에 있어서, 상기 고굴절률 산화물층(12)은 TiO2인 것을 특징으로 하는 저반사 코팅유리.
  7. 제5항 또는 제6항 중 어느 한항에 있어서, 상기 고굴절률 질화산화물층(16)은 TiNXOY또는 NbNXOY중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 저반사 코팅유리.
  8. 제5항 또는 제6항 중 어느 한항에 있어서, 상기 제1,제2저굴절률 물질층(14),(18)은 SiO2인 것을 특징으로 하는 저반사 코팅유리.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제1,제2저굴절률 물질층(14)(18)은 SiO2인 것을 특징으로 하는 저반사 코팅유리.
  10. 유리기판(10)상에 전도성 산화물층(12), 제1저굴절율 물질층(14), 고굴절률 질화산화물층(16), 제2저굴절률 물질층(18)이 차례로 코팅되어 이루어진 저반사 코팅유리.
  11. 제10항에 있어서, 상기 전도성 화화물층은 In/Sn, Sn/Sb, Sn/F, Zn/Al의 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 저반사 코팅유리.
  12. 제10항 또는 제11항중 어느 한항에 있어서, 상기 고굴절률 질화산화물층(16)은 TiNXOY또는 NbNXOY중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 저반사 코팅유리.
  13. 제10항 또는 제11항중 어느 한항에 있어서, 상기 제1,제2저굴절률 물질층(14),(18)은 SiO2인 것을 특징으로 하는 저반사 코팅유리.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제1,제2저굴절률 물질층(14)(18)은 SiO2인 것을 특징으로 하는 저반사 코팅유리.
  15. 유리기판(10)을 연속식 스퍼터링 장치에 넣은 후 진공을 형성하는 단계; 질소+산소 분위기하에서 상기 유리기판(10)상에 제1고굴절률 질화산화물층(12)을 형성하는 단계; 산소 분위기하에서 상기 제1고굴절률 질화산화물층(12)상에 제1저굴절률 산화물층(14)을 형성하는 단계; 질소+산소 분위기하에서 상기 제1저굴절률 산화물층(14)상에 제2고굴절율 질화산화물층(16)을 형성하는 단계; 및 산소 분위기하에서 상기 제2고굴절률 질화산화물층(16)상에 제2저굴절률 산화물층(18)을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진 저반사 코팅유리의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1고굴저률 질화산화물층(12)은 Ti 타겟을 사용하여 형성된 TiNXOY또는 Nb 타켓을 사용하여 형성된 NbNXOY로 이루어지며, 제2고굴절률 질화산화물층(16)은 Ti 타겟을 사용하여 형성된 TiNXOY또는 Nb 타겟을 사용하여 형성된 NbNXOY로 이루어진 것을 특징으로 하는 저반사 코팅유리의 제조방법.
  17. 유리기판(10)을 연속식 스퍼터링장치에 넣은 후 진공을 형성하는 단계 : 산소 분위기하에서 상기 유리기판(10)상에 산화물층(12)을 형성하는 단계; 산소 분위기하에서 상기 산화물층(12)상에 제1저굴절률 물질층(14)을 형성하는 단계; 질소+산소 분위기 하에서 상기 제1저굴절률 산화물질층(14)상에 고굴절률 질화산화물층(16)을 형성하는 단계; 및 산소 분위기하에서 상기 고굴절률 질화산화물층(16)상에 제2저굴절률 물질층(18)을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진 저반사 코팅유리의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 유리기판(10)상에 형성되는 산화물층(12)은 TiO2, Nb2O3, ZrO2으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 고굴절률 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 저반사 코팅유리의 제조방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 유리기판(10)상에 형성되는 산화물층(2)은 In/Sn, Sn/Sb, Sn/F, Zn/Al의 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 전도성 산화물층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 저반사 코팅유리의 제조방법.
  20. 제17항 내지 제19항중 어느 한항에 있어서, 상기 질화산화물층(16)은 TiNXOY또는 NbNXOY중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 저반사 코팅유리의 제조방법.
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