KR960006763B1 - 배선기판과 그 제조방법, 박막 캐리어, 반도체 장치 및 그 장착구조와 반도체 장치장착 방법 - Google Patents

Abstract

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Description

배선기판과 그 제조방법, 박막 캐리어, 반도체 장치 및 그 장착구조와 반도체 장치장착 방법

제1도 및 제2도는 본 발명에 따른 배선 기판의 한 실시예를 도시하는 횡단면도.

제3(a) 내지 제3(c) 도는 본 발명의 배선 기판의 한 실시예를 획득하는 제조 단계를 구현시키는 개략도.

제4도는 본 발명에 따른 배선 기판의 다른 실시예를 도시한 횡단면도.

제5도는 본 발명에 따른 박막 캐리어를 사용함으로써 제조된 반도체 장치의 한 실시예를 도시한 횡단면도.

제6(a)도 내지 제6(e)도는 본 발명에 따른 반도체 장치를 제조하는 처리 단계의 순서를 도시한 도면.

제7도는 제6(d)도와 유사한 도면.

제8도는 본 발명에 따른 장착 구조의 한 실시예를 도시한 단면도.

제9(a)도 및 제9(b)도는 본 발명에 따른 절연 박막의 각각의 부분 단면도.

제10도는 제9(a)도에 도시된 빔프(bump)형 금속 돌출부에 의해 랜드부 위에 반도체 장치가 장착된 상태를 도시한 단면도.

제11도는 열 접착 수지층이 제공된, 제10도의 도면과 유사한 단면도.

제12도는 본 발명에 따른 장착 구조의 다른 실시예를 도시한 단면도.

제13(a)도 및 제13(b)도는 각각 제l2도에 도시된 장착 구조를 획득하기 위한 방법을 확대 도시한 부분단면도.

제14도는 본 발명에 따른 장착 구조의 다른 실시예를 도시한 단면도.

제15(a)도 및 제15(b)도, 제16(a)도 및 제l6(b)도는 각각 외부 기판의 랜드부에 제14에 도시된 박막 캐리어가 접속되는 방법을 도시하는 확대 단면도.

제17(a)도 내지 제20⒧)도는 개구 및 오목부를 가지고 있는 접속 리드를 도시한 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 반도체 소자 2 : 절연 지지부

3 : 결합 패드 4 : 스루-홀

5 : 금속 물질 6 : 빔프

7 : 외부 접속 전극 8 : 열 접착수지층

9 : 외부 기판 10 : 금속 배선

본 발명은 배선 기판 및 박막 캐리어에 관한 것이며, 특히 박막 캐리어를 사용함으로써 만들어진 반도체장치 및 그 반도체 장치를 포함하는 장착 구조에 관한 것이다.

무선 결합에 의해 회로용 기관상에 반도체 소자를 장착시키기 위한 기존의 방법에는 전도성 빔프가 반도체 소자의 전극 표면상에 형성된 뒤 그 빔프가 기판상에 형성된 결합 패드에 결합되는 방법과 전도성 빔프가 기판의 결합 패드상에 형성된 뒤 그 빔프가 반도체 소자의 전극 표면에 결합되는 방법이 있다. 상기방법들은 JP-A-50-10476과 JP-A-50-160774("JP-A"는 심사되지 않고 공개된 일본국 특허출원을 의미한다)에 개시되어 있다.

그러나 이전의 방법은 미리 반도체 소자의 전극 표면상에 빔프를 형성하는 것이 필요하기 때문에 생산률이 적게 되어 반도체 소자는 오염되고 훼손될 것이다. 게다가 상술된 두 방법에서는 정렬 정확도가 반도체 소자의 결합 단계에서 더 높게 되는 것이 필요하다.

최근에 얇아지고 소형화되고 전자 장비의 발전과 함께, 배선 기판을 얇게 하기 위한 요구가 증대하여 왔다. 그러한 패키지를 형성하기 위해서, 박막 캐리어가 사용된 TAB(즉, 테이프 자동화 결합)방법이 적용된다.

반도체 소자가 핑거(finger)형 리드에 결합되는 다양한 내부 리드 결합 방법은 공지되어 왔다. 이러한 내부 리드 결합 방법중에서, 반도체 소자의 전극 표면 위에 빔프(즉, 돌출된 전극)가 형성되고, 박막 캐리어상에 제공된 리드가 그 빔프에 의해 반도체 소자에 결합되는 방법이 제안되어 왔다.

그러나 전극 표면상에 제공된 빔프를 사용하는 방법은 스퍼터 에칭 또는 증기 침팍 등등을 사용하여, 티타늄(titanium) 또는 크로뮴(chromiunl)과 같은 금속으로 만들어진 접촉층과 빔프금속이 확산되는 것을 방지하는 구리, 백금 또는 팔라듐(Iulladium)과 같은 금속으로 만들어진 장벽층을 전극 위에 각각 형성하고 그 다음에 금에 의한 판금 등을 사용하여 빔프를 형성하는 것을 포함하는 복잡한 처리를 필요로 한다. 게다가, 이러한 방법은 반도체 장치의 오염 또는 손상을 제거시키기가 어렵다.

또한 빔프가 박막 캐리어상에 제공된 리드에 결합되는 방법이 제안되어 왔지만, 이러한 방법도 상술된 바와같이 빔프를 형성하기 위해 복잡한 처리를 필요로 한다.

최근에는 이방성 전도 박막을 가지고 있는 빔프 없는 박막 캐리어가 JP-A-63-4633에 제시된 바와같이 제안되어 왔다. 그러한 이방성 전도 박막은 카본 블랙(carbm black), 흑연, 니켈, 구리, 은과 같은 전도성 입자가 절연 수지 박막에서 분산되고, 그러한 전도성 입자가 박막의 두깨 방향으로 지향되도록 하는 방법에 의해 생성된다. 동질의 이방성 전도 박막을 획득하기 위해 복잡한 제조방법이 필요하다. 전도성 입자의 지향성이 불충분할 때 내부 리드 결합은 불충분하게 전도되어 접속에 대한 신뢰도가 낮아지게 될 수 있다.

다시 말하면 내부 리드 결합을 전도시킴으로써 얻어진 반도체 장치가 외부 리드 결합 방법을 사용하는 케이스 또는 패키지 기판과 같은 외부 기판에 접속될 때, 상술된 바와 같은 유사한 문제점이 발생하게 된다.

즉, 반도체 장치가 외부 리드 결합 방법에 의해 외부기판 위에 장착될 때, 반도체 장치를 형성하는 박막캐리어상에 형성된 구리와 같은 전도성 금속으로 만들어진 선형 접속 리드가 사용되며, 이러한 접속 리드는 금속 배선(즉, 랜드부)에 접속된다.

그러나 그러한 장착 방법은 절단부 또는 굴곡부가 접속리드에 대해 전도되는 것이 필요하게 되어, 동작효율도 좋지 않고 접속도 용이하지 않게 된다. 접속 리드는 박막 캐리어로부터 돌출되게 만들어지기 때문에 동작 효율 뿐만 아니라 기계적 강도도 좋지 않다. 재흐름 납땜 방법(renow soldering wethod)과 같은 열 접속 방법이 랜드부에 리드를 접속시키기 위해 적용된다.

예를들면, 반도체 장치가 액정 패널과 같은 금속 산화물로 만들어진 투명한 전극 위에 장착될 때, 납땜이 수행될 수 있도록 미리 투명한 전극의 상부 표면을 금속화시키는 것이 필요하다.

최근에, JP-A-63-34936에 도시된 바와같은 페인트(paint) 또는 이방성 전도 박막을 사용하여 박막 캐리어가 외부 기판에 접속되는 방법이 제안되어 왔지만, 그러한 방법은 높은 정렬 정확도 및 가격의 리드를 필요로 한다.

본 발명은 종래 기술의 상술된 문제점을 극복하기 위한 것이다.

그래서 본 발명의 목적은 배선 기판용 기술을 제공하는 것이며, 구체적으로는 배선기판, 박막 캐리어, 그 박막 캐리어를 사용하여 만들어진 반도체 장치 및 그 반도체 장치가 제공된 장착구조용 기술을 제공하여 빔프가 저 가격으로 정밀하게 형성될 수 있고, 그러한 생산물의 소형화가 쉽게 이루어질 수 있도록 하는것이다.

본 발명의 상술된 목적 및 다른 목적은 다음의 설명으로 부터 명확하게 될 것이다.

본 발명자는 상술된 문제점을 극복하기 위한 시도를 계속하여 왔으며, 박막의 상부 및 하부 표면을 통하여 침투하는 미소 스루-홀과 박막의 한 표면으로부터 돌출되고 스루-홀에 형성된 범프형 금속 돌출부를 포함하고 있는 절면 지지부, 양호하게는 절연 박막이 사용될 때, 상기한 목적을 획득할 수 있는 박막 캐리어 뿐만 아니라 배선 기판이 획득될 수 있음을 발견하여 왔다. 또한 박막 캐리어를 사용함으로써 만들어진 반도체 장치와, 반도체 장치가 제공된 장착 구조를 회득하여 상기한 목적을 달성할 수 있다.

본 발명의 제1관점에 따라. 접착 패드를 가진채 절연 지지부와 후부면상에 형성되는 전도체 패턴과; 결합 패드가 접촉된 절연 지지부의 영역에 제공되거나, 또한 결합 패드가 접촉된 절연 지지부의 영역 및 그영역 근처에 제공되며, 상기 절연 지지부의 두께 방향으로 진행하는 적어도 하나의 미소 스루-홀과; 접착패드가 접촉되어 있는 절연 지지부의 영역에 제공되는 스루-홀에 형성되고 금속 물질로 만들어진 전도성통로 및; 전도성 통로상에 형성되어 절연 지지부의 정면으로부터 돌출되는 범프형 금속 돌출부는 포함하고있는 배선 기판이 제공되어 있다.

본 발명의 제2관점에 따라, (a) 절연 지지부의 적어도 한 표면 위에 결합 패드를 가지고 있는 전도체 패턴을 형성하는 단계와, (b) 결합 패드가 접촉된 절연 지지부의 영역이나, 또는 결합 패드가 접촉된 절연지지부의 영역 및 그 영역 근처에, 결합패드의 폭보다 더 작은 거리로 서로 떨어져 있으며, 절연 지지부의 두께 방향으로 진행하는 적어도 하나의 미소 스루-홀을 형성하는 단계와, (c) 전도체 패턴이 형성되어 있는절연 지지부의 표면을 마스크시킨 후 전도체 패턴을 전극으로 사용하여 전기 도금을 하고, 그럼으로써 결합 패드가 접촉되어 있는 절연 지지부의 영역에 형성된 스루-홀에 금속 물질을 침착시키고 성장시켜, 전도성 통로가 스루-홀에서 형성되며, 그후 전도성 통로상에 범프형 금속 돌출부를 형성하는 단계를 포함하는 배선 기판 제조 방법이 제공된다.

본 발명의 제3관점에 따라, 표면상에 리드를 가지고 있는 절연 박막과, 상기 리드가 접촉되어 있는 절연박막의 영역에 제공되거나, 또는 상기 리드가 접촉되어 있는 절연 박막의 영역 및 그 영역근처에 제공되며, 절연 박막의 두께 방향으로 진행하는 적어도 하나의 미소 스루-홀과, 상기 리드가 접촉된 절연 박막의 영역에 제공되어 잇는 스루-홀에 형성되는 금속 물질로 만들어진 전도성 통로 및; 전도성 통로상에 형성되어 리드가 형성된 절연 박막의 표면의 반대면으로부터 돌출되어 있는 범프형 금속 돌출부를 포함하고 있는박막 캐리어가 제공된다.

본 발명의 제4관점에 따라, 상기의 박막 캐리어에 반도체 소자를 접속시킴으로써 만들어진 반도체 장치가 제공된다.

본 발명의 제5관점에 따라, 하나의 표면상에 리드를 가지고 있는 절연 박막을 포함하는 박막 캐리어에 반도체 소자를 접속시킴으로써 획득된 상기의 반도체 장치와 외부 기판을 포함하고 있는 반도체 장치의 장착 구조가 제공되며, 이러한 장착 구조는, 외부 기판의 랜드부가 접촉되어 있는 절연 박막의 결합 영역에 제공되거나, 또는 외부 기판의 랜드부가 접촉되어 잇는 절연 박막의 결합 영역 및 그 결합 영역의 근처에제공되는 제공된 적어도 하나의 미소 스루-홀과; 상기 결합 영역에 제공된 스루-홀에 채워지는 금속 물질 및; 상기 금속 물질 위에 형성된 범프형 금속 돌출부를 포함하는데, 상기 리드는 이 범프형 돌출부를 통하여 랜드부에 접속된다.

본 발명은 첨부한 도면을 참고로 할 때 다음의 상세한 설명으로부터 충분히 이해될 수 있을 것이다.

제1도 및 제2도는 각각 본 발명에 따른 배선 기판의 한 실시예를 도시한 횡단면도이다. 제1도에서, 범프형 금속돌출부(즉, 빔프)(6)는 금속 물질(5)로 채워진 스루-홀(throuhg-hole)(4)에 형성된다. 제2도에서, 빔프(6)는 금속물질(5)로 채워진 다수의 스루-홀(4)이 동시에 폐쇄될 수 있도록 형성된다.

상기 각 도면은, 상부에 반도체 소자(1)가 장착되어 접속되고, 반도체 소자(1)의 접속 표면위에 형성될 외부 접속 전극은 도시생략된 배선기판을 도시한다.

제1도에서, 절연 지지부(2)를 구성하는 물질은 절연성을 가지고 있다면 특별하게 제한되지 않으며, 열 경화성 수지 또는 열가소성 수지가 사용될 수 있다. 그러한 물질의 예로는 폴리에스테르수지(polyesterresins), 에폭시 수지(epoxy resins), 우렌탄 수지(urethane resins), 폴리스티렌 수지(polysWrene resins), 폴리에틸렌 수지(polyethylene resisn), 폴리아미드 수지(∞1yamide resins), 폴리이미드 수지(polyimideresms), ABS 수지, 폴리카보네이트 수지(polycarbonate resins) 및 실리콘 수지가 있다.

결합 패드(3)를 포함하고 잇는 전도체 패턴은 금, 은, 구리, 철, 니켈 또는 코발트와 같은 금속으로 만들어지거나, 또는 이러한 금속을 주성분으로 함유하고 있는 합금으로 만들어진다. 전도체 패턴은 절연지지부(2)상에 다음의 방법으로 형성될 수 있다. 즉,(1) 전도체 패턴은 다양한 평면화 방법과 증기 침착 방법등에 의해 절연 지지부 의에 형성될 수 있고,(2) 금속층과 절연 지지부의 적층(laminate)을 사용하여, 금속층의 한 부분이 스퍼터링에 의해 제거되어 절연 지지부 위에 전도체 패턴을 형성하고,(3) 절연 지지부를 위한 물질의 용액(폴리이미드 용액 등)이 전도체 패턴을 위한 금속층에 코팅된다. 상기의 (3) 방법은 또한 (2)방법에서 사용된 적충을 생성시키기 위해 사용될 수 있다.

제3(a)도 내지 제3(c)도는 본 발명의 배선 기판을 얻는 제조 단계를 구현하는 개략도이다.

제3(a)도는 결합 패드(3)를 포함하고 있는 전도체 패턴이 절연 지지부(2)의 한 표면 위에 형성되어 있음을 도시한 것이다.

제3(b)도는 결합 패드(3)가 접속되는 절연 지지부(2)의 영역 및 그 영역 근처에서, 결합 패드의 폭보다 더 작은 거리로 서로 떨어져 있고 절연 지지부의 두께 방향으로 전행되는 적어도 하나의 미소 스루-홀(4)이 형성되는 것을 도시한 것이다.

스루-홀(4)은 기계 작업, 레이저, 광, 화학적 애칭에 의해 형성될 수 있다. 스루-홀(4)의 크기는 다음단계에서 스루-홀에 침착될 금속 물,질의 전기 저항을 감소시키기 위해 인접 스루-홀(4)이 서로 접속되지 않을 정도로 크게 만들어지는 것이 바람직하다.

이러한 스루-홀(4)은 결합 패드(3)가 접촉되어 있는 절연 지지부(2)의 영역에만 제공될 수도 있고, 결합패드(3)가 접촉되어 있는 절연 지지부(2)의 영역 및 그 영역 근처 모두에 제공될 수도 있다.

제3(c)도는 전도체 패턴이 형성된 구멍 뚫린 절연 지지부(2)의 표면(즉, 절연 지지부의 하부 표면)이 마스크되고, 그후 결합 패드(3)를 보유하고 있는 전도체 패턴을 전극으로 사용함으로써 전기도금이 수행되고, 그럼으로써 결합 패드(3)와 접촉된 스루-홈(4)에 금속 물질(5)을 침착시키고, 뒤이어 절연 지지부(2)의 상부 표면으로부터 돌출된 범프형 금속 돌출부(6)를 금속 물질(5)위에 형성시키는 것을 도시하고 있다.

추가로, 제3(c)도에 도시된 단계는 다음과 같이 수행될 수도 있다. 즉, 금속 물질의 두께가 선정된 값(일반적으로 8㎛ 내지 50㎛ 이지만 절연 지지부의 두께에 의존함)이 될 때 금속물질의 충전을 정지시키고, 마스크된 상태를 유지하면서, 절연 지지부(2)를 땜납통에 담금으로써, 금속 물질이 부분적으로 채워져 있는스루-홀(4)내에 땜납을 채우고, 뒤이어 땜납통에 초음파 진동을 인가시키거나 또는 전기 도금에 의해 범프형 금속 돌출부를 형성시킨다. 또한 땜납은 전기 도금에 응용될 수 있다.

범프형 금속 돌출부와 스루-홀(4)에 채워진 금속 물질은 다수의 금속 물질로 이루어진 다중충의 구조로 형성된다. 예를들면, 제4도에 도시된 바와 같이, 스루-홀(4)에 형성되어 결합 패드(3)에 접촉되어 있는 제1층은 구리와 같은 값싼 금속 물질(5a)로 만들어질 수 있고, 반도체 소자(1)와 접촉된 제3층은 접속에 대한 고신용도를 가진 금과 같은 금속 물질(5c)로 만들어질 수 있으며, 제1층과 제3충 사이에 놓여 있는 제2충은 상기의 금속 물질(5a,5b)사이에서 반응을 방지하는 장벽으로서 작용하는 니켈과 같은 금속 물질로 만들어질 수 있다.

제3(a)도 내지 제3(c)도에 도시된 배선 기판용 제조단계는 다음의 실시예를 참고로 하여 예증될 것이다. 35㎛두께의 구리층으로 형성된 전도체 패턴은 20㎛두께의 폴리이미드 저지부의 한 표면 위에 형성되었다. 전도체 패턴에 보유된 결합 패드의 폭은 90㎛였다.

엑시머(excimer)레이저 빔은 지지부중 45㎛의 홀 간격으로 25㎛직경의 미소 홀을 가지고 있는 니켈로 만들어진 차폐 스크린을 통하여 전도체 패턴이 형성되는 표면 이외의 표면에 조사됨으로써 전도체 패턴에 도달하는 스루-홈을 형성한다. 이때에, 미소 홀이 형성된 차폐 스크린의 영역은 결합 패드가 겁촉하는 지지부의 영역으로 한정되고 스루-홀이 제3(b)도에 도시된 바와같이 형성되도록 상기 지지부 영역 근처로 한정된다.

엑시머 레이저 빔의 조사는 248㎚의 파장, 250mJ의 펄스 에너지, 100㎐의 복사율 및, 한 숏(shot)당 0.1㎛내지 0.5㎛의 융삭율의 조건하에서 시도되었다.

전도 패턴의 표면은 마스킹 테이프로 마스크되고, 그 전도 패턴을 전극으로 사용하여 구리에 의한 전기도금을 수행함으로써 스루-홀에 구리층을 침착시킨다. 마지막으로 금에 의한 전기 도금이 수행되어 지지부로부터 돌출된 범프형 금 돌출부를 형성함으로써 본 발명에 따른 배선 기판이 얻어진다.

그렇게 해서 얻어진 배선 기판이 전기 도금될 때, 제2도 도시된 바와같이 결합 패드가 접촉되어 있는 지지부의 영역에 형성된 스루-홀을 메우는 범프형 돌출부를 형성하도록 금속층이 성장되었다.

상술된 실시예와 같은 방법으로, 구리가 스루-홀에 채워질 때, 구리를 채우는 것은 구리층이 절연 지지부의 표면에 도달되면 정지되고, 그후 지지부를 땜납통에 담그기 거기에 초음파 진동을 가하여 제4도에 도시된 바와 같은 범프형 금속 돌출부를 형성함으로써 본 발명에 따른 배선 기판이 얻어지게 된다.

이렇게 얻은 배선 기판에 반도체 소자를 접속시키도록 결합이 수행되어 전기 및 기계적 접속이 뛰어난반도체 장치가 얻어진다.

본 발명에서, 절연 지지부는 반도체 장치를 패키지시키는 방법과 같은 TAB방법에 응용할 수 있도록 배선 기관을 더 얇게 하기 위해 절연 박막의 형태로 사용되는 것이 바람직하다. 즉, 반도체 소자가 장착되는 배선 기판으로서 굴곡성 박막 캐리어가 사용될 수 있다. 본 발명은 그러한 굴곡성 박막 캐리어와 반도체장치에 이롭게 적용될 수 있다.

제5도는 본 발명에 따른 박막 캐리어를 사용함으로써 제조된 반도체 장치의 한 실시예를 도시한 횡단면도이다.

제5도에 도시된 바와같이, 제l도와 같은 방법으로, 다수의 스루-홀(4)은 절연 박막(2')의 영역에 형성되며, 리드(3')는 그러한 영역과 인접하고 접촉된다. 리드(3')가 접촉되어있는 절연 박막의 영역에 형성된 스루-홀(4)만이 금속 물질(5)로 채워지며, 범프형 금속 돌출부(6)는 그 위에 제공된다.

범프형 금속 돌출부(6)는 반도체 소자(1)의 한 표면 위에 형성된 알루미늄 전극과 같은 외부 접속 전극(7)에 접속된다. 그럼으로써 반도체 장치가 얻어지게 된다.

제5도에서, 절연 지지부(2)의 경우에서와 같이, 절연 박막(2')을 형성하는 물질은 절연 성질만 가지고 있으면 특별한 물질로 제한되지 않으며, 열 경화성 수지 또는 열 가소성 수지가 각각 사용될 수 있다. 그러한 물질의 예로는 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, ABS 수지, 폴리카보네이트 수지 및 실리콘 수지가 있다·이러한 물질중에서 폴리이미드 수지로 만들어진 박막은 열-저항 성질과 기계 강도의 관점에서 볼 때 특히 양호하다.

절연 박막(2')의 한 표면에 제공될 리드(3')는 금, 은, 구리, 니켈 또는 코발트와 같은 금속을 포함하는 절연 물질로 만들어지거나 또는 주 성분으로서 이러한 금속을 함유하고 합금으로 만들어지며, 전기적으로 반도체 소자(1)에 접속된다. 리드(3')는 또한 양호한 선형 패턴으로 형성되므로 반도체 소자(1)는 적절하게 기능할 수 있다.

절연 박막(2')에 형성될 스루-홀(4)은 외부 접속 전극(7)에 리드(3')을 접속시키기 위해 중요한 것이다. 그래서, 리드(3')가 접속되는 절연 박막(2')의 영역과 그 영역 근처에서, 절연 박막(2')의 두깨 방향으로 진행하고 리드(3')의 폭보다 더 작은 거리로 서로 떨어져 있는 적어도 하나의 미소 스루-홀(4)이 형성된다.

스루-홀(4)은 기계 처리, 레이저 처리, 광 처리, 화학적 에칭 등으로 형성되어, 필요한 홀 크기 및 필요한 홀 간격을 얻을 수 있게 된다. 액시머레이저 빔의 조사는 스루-홀을 형성시키기 위해 양호하게 사용된다. 다음 단계에서 스루-홀에 침차고딜 금속 물질의 전기 저항을 감소시키기위해, 스루-홀(4)의 크기는 인접한 스루-홀(4)이 서로 접속되지 않을 정도로 가능한 크게 만들어지고, 홀 간격은 리드와 접촉된 스루-홈(4)의 숫자를 증가시킬 수 있도록 가능한 작게 만들어지는 것이 바람직하다.

그래서 얻어진 그러한 스루-홀(4)중에서, 리드(3')가 접촉되어 있는 절연 박막의 영역에 형성된 스루-홀에는, 금속물질(5)을 충전시킴으로써 전도성 통로가 형성된다. 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로미터(예를들면, 약 0.5㎛내지 100㎛, 양호하게는 약10㎛ 내지 80㎛이지만 용도에 좌우됨)의 높이를 가지고 있는 범프형 금속 돌출부가 금속 물질(5)위에 형성되며, 그럼으로써 본 발명의 박막 캐리어가 얻어진다.

금속 물질(5)로 만들어진 전도성 통로와 범프형 금속 돌출부는 전극으로서 리드(3')를 사용하여 전기 도금 전도함으로써 리드(3')와 접촉되어 있는 스루-홀에만 형성된다.

본 발명의 박막 캐리어에 제공된 스루-홀에 채워진 금속물질과 범프형 금속 돌출부는 본 발명의 배성기판의 경우에서와 같이 다수의 금속 물질로 만들어진 제4도에서와 같은 다중충의 구조로 형성될 수도 있다.

박막 캐리어를 구성하는 범프형 금속 돌출부(6)는 반도체 소자(1)의 한 표면 위에 형성된 외부 접속 전극(7)에 접속되며, 그럼으로써 양호한 반도체 장치가 얻어진다.

제6(a)도 내지 제6(e)도는 범프형 금속 돌출부가 형성된 절연 박막(2')의 표면상에 열 접착 수지층(8)을 제공함으로써 만들어진 박막 캐리어에 반도체 소자(1)가 접속되어 있는 반도체 광치를 제조하는 처리 단계의 순서를 도시한 것이다.

재6(a)도는 쟤3(b)도와 같은 방법으로 리드(3')와 함께 절연 박막(2')에 스루-홈(4)이 제공되는 단면도 이다.

제6(b)도는 리드(3')에 접촉하는 스루-홀을 전도성 통로로 변경시키기 위해, 범프형 금속 돌출부(6)가형성된 금속 물질(5)로 스루-홀이 채워지는 것을 도시한 단면도이다.

제6(c)도는 제6(b)도의 확대도이다.

제6(d)도는 범프형 금속 돌출부(6)를 덮기 위해서 절연 박막의 표면상에 열 접착 수지층(8)을 제공한 단면도이다.

제6(e)도는 반도체 소자(1)가 접속된 반도체 장치의 단면도이다.

제6(d)도에서, 범프형 금속 돌출부(6)의 상부를 덮고 있는 열 접착 수지층(8)은 열 압축 결합이 제6(e)도에 도시된 바와같이 수행될 때 확장에 의해 제거되어, 범프형 금속 돌출부 (6)는 반도체 소자 위에 형성된외부 접속 전극(7)에 전기적으로 접속된다. 이때에, 상기 수지층(8)의 열 접착 수지는 금속 물질로 채워지지않는 스루-홀에 도입되어 그 스루-홀을 채운다.

열 접착 수지층(8)은 반드시 제6(d)도에 도시된 바와 같이 범퍼형 금속 돌출부(6)를 덮는 그러한 방법으로 절연 박막위에 제공될 필요는 없다. 대신에, 범프형 금속 돌출부의 상부가 노출될 수 있도록 더 얇게 만들어질 수도 있다.

본 발명에 사용된 열 접착 수지층은 반도체 장치의 기계, 전기 및 화학적 신뢰도를 증가시키는데 매우중요하다. 이 수지층(8)의 재료는 에폭시 수지와 같은 열 경화성 수지 또는 불소(F)가 함유된 수지와 같은열 가소성 수지를 각각 이용할 수 있다. 이와 같은 재료의 예로는 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 실리콘수지 및 불소(F) 함유 수지가 있다.

열 접착 수지층(8)은 범프형 금속 돌출부가 제공되는 절연 박막의 전체 표면을 수지 재료로 코팅시키거나 코팅된 수지 재료로 일정한 패턴이 형성되도록 절연 박막 표면을 상기 수지 재료로 코팅시켜 형성될 수있다. 또한 이 절연 박막 위에 박막형 혹은 리본형 열 접착 수지를 푸팅(putting)하여 상기 수지층(8)을 형성시킬 수도 있다.

이 반도체 소자(1)가 열 접착 수지(8)를 통해 박막 캐리어에 접속될 때, 박막 캐리어와 반도체 소자 사이에 열 접착수지층을 형성시킬 수 잇으며, 스루-홀은 이 접착 수지로 채워지고, 높은 접착 특성 및 전기적 접속을 얻을 수 있다. 이 반도체 장치의 표면이 수지층에 의해 보호될 수 있기 때문에, 수지 실(seal)은 전기적 접속과 동시에 효과를 얻으며, 처리 단계의 단순화로 유도된다. 또한, 액세스 수지는 금속 재료로채워지지 않은 스루-홀로 들어감으로써, 스루-홀로부터 공기를 외부로 밀어낸다. 박막 캐리어가 분산하지않기 때문에 높은 신뢰도를 얻는다.

본 발명에 있어서, 박막 캐리어가 외부 접속 전극(7)과 범프형 금속 돌출부(6)를 통해 반도체 소자(1)에 전기적으로 접속되어 반도체 장치를 얻을 수 있다. 이 전기적 접속의 신뢰도를 높이기 위해, 제6도에 도시된 것처럼, 열 접착수지층(8)을 반도체 소자(1)와 박막 캐리어 사이에 삽입시키는 것이 바람직하다. 제6(d)도에 있어서, 박막 캐리어상에 열접착 수지층(8)을 제공한다. 그러나 열 접착 수지층(8)은 다이싱(dicing)이 인가되거나, 인가되지 않는 반도체 소자의 실리콘 웨이퍼에 부착될 수 있으며, 따라서 제7도에 도시된 것처럼 박막 캐리어에 부착될 수 있다.

열 접착 수지를 가열시키거나 혹은 적당한 용매에 용해시켜 녹인 후에, 금속 재료로 채워지지 않은 스루-홀(4)에 열 접착 수지를 채우고 그것을 열로 건조시킴으로써 열접착 수지층(8)을 얻을 수 있다. 외부 접속 전극(7)이 제공되는 반도체 소자(l)의 표면과, 반도체 소자가 박막 캐리어에 접속되는 접속 영역은 완전히 커버되고 보호된다.

또한 열 접착 수지가 상기 방법을 이용하여 스루-홀내에 채워질 때, 수지층이 형성되는 공간내에 존재하는 공기는 그 공간으로부터 추출된다. 결과적으로 이렇게 생성된 수지층내에는 공백이 형성되지 않게 되어, 더 높은 신뢰도를 얻을 수 있다.

본 발명에 따른 박막 캐리어를 이용하여 만들어진 반도체 장치는 접속 리드를 통해 외부 기판의 랜드부에 접속되어 장착 구조를 제공한다. 이 접속은 외부 리드 결합처럼 사용된다.

제8도는 상기 장착 구조를 나타내는 횡단면도이다.

제8도에 있어서, 반도체 소자(1)는 한 표면 위에 접속 리드(3')를 갖는 절연 박막(2')을 포함하는 박막 캐리어에 장착된다. 이 절연 박막(2')은 범프형 금속 돌출부(제8도에는 도시되지 않고, 절연 박막(2')의 하부표면에 제공됨)를 갖는다. 이 절연 박막(2')은 범프형 금속 돌출부를 통해 외부 기판(9) 위의 금속 배선(10)(즉, 랜드부)에 접속된다.

제9(a)도 및 제9(b)도는 금속 재료(5)가 스루-홀(4)에 채워지고, 범프형 금속 돌출부가 이 금속 재료상에 제공되는 절연 박막의 부분적 단면도를 각각 나타낸다. 제9(a)도는 범프형 금속 돌출부가 금속 재료(5)로 채워진 각각의 스루-홀(4)에 형성된 것을 나타낸다. 제9(b)도는 다수의 스루-홀(4)이 공통 범프형 금속 돌출부를 통해 서로 접속된 것을 나타낸다. 제10도는 반도체 창치가 제9(a)도에 도시된 범프형 금속 돌출부를 통해 금속 배선(10)(즉, 랜드부)에 장착되는 것을 나타낸다.

본 발명에 다른 반도체 장치의 장착 구조에 있어서, 반도체 장치가 외부 기판에 접속되는 접속 영역이 대기로부터 완전히 차단될 수 있고 접속 신뢰도를 높히기 위해 반도체 장치와 외부 기판 사이에 열 접착수지층을 삽입시키는 것이 바람작히다. 예를들어, 제11도에 도시된 것처럼, 보통 5 내지 50μm, 바람직하게는l0 내지 30μm의 두께로 된 열접착 수지층(8)은 범프형 금속 돌출부가 형성되는 절연 박막(2')의 표면에 제공되어 반도체 장치를 만들고, 이 반도체 장치는 외부 기판의 랜드부에 접속되는 것이 바람직하다. 제11도에 도시된 것처럼, 박막 캐리어와 외부 기판 사이에 삽입된 열 접착 수지층(8)이 미리 형성되어 있다. 그러나 이열 접착 수지층은 열 접착 수지가 금속 재료로 채워지지 않은 미소 스루-홀을 통해 박막 캐리어와 외부 기판 사이에 채워지는 방법을 이용하여 형성될 수도 있다.

제12도는 이와같은 방법을 이용하여 얻어진 반도체 장치를 포함하는 장착 구조를 나타내는 단면도이다. 제12도에서, 반도체 소자(1)는 그 한 표면에 리드 (3')를 갖는 절연 박막(2')을 구비한 박막 캐리어에 장착된다. 이 절연 박막(2')은 범프형 금속 돌출부(제12도에는 도시되지 않고, 절연 박막(2')의 하부 표면에 제공됨)를 갖는다. 이 절연 박막(2')은 범프형 금속 돌출부를 통해 외부 기판(9)의 금속 배선(10)(즉, 랜드부)에 접속된다. 지지부와 같은 절연 박막(2")에 부착된 열 접착 수지층(8)은 절연 박막(2')에 형성된 리드(3')에 압력으로 결합된다.

제13(a)도 및 제13(b)도는 각각 제12도에 도시된 장착 구조를 얻기 위한 방법을 확대한 형태로 도시하는부분 단면도이다.

제13(a)도는 접속하기 전의 상태를 나타내고, 제13(b)도는 접속하고난 후의 상태를 나타낸다. 제13(a)도에 있어서, 상기 접착층(8)은 상부에 접속 리드(3')를 갖는 절연 박막(2')의 표면에 접할 수 있도록 절연 박막(2")에 제공된다. 따라서, 이 절연 박막(2')은 외부 기판(9)의 랜드부가 범프형 금속 돌출부에 접속되는 방식으로 외부 기판(9)에 압력으로 결합될 수 있다. 그 결과, 제13(b)도에 도시된 것처럼, 접착층(8)의 접착성물질은 금속 재료로 채워지지 않은 미소 스루-홀(4)을 통해 절연 박막(2')과 외부기판(9) 사이의 공간이 압력으로 채워지므로, 랜드부(10)와 이 근처는 접착 수지로 덮힌다. 이것으로 전기 접속이 안정화되고 기계및 열 충격에 대한 안정화가 얻어진다.

지지부로 사용된 절연 박막(2")은 상기 언급된 절연 박막(2')과 같은 동일한 재료로 형성될 수 있다.

이 열 접착 수지는 스루-홀에 수지를 채울 수 있는 임의의 방법을 사용하여 압력에 의해 채워질 수 도있다. 특히, 열을 가해 수지의 유동성을 상승시키고, 압력으로 유동성 수지로 채우는 가열(hot press)법을 이용하는 것이 특히 바람직하다. 이 가열 압축법은 5 내지 500kg/cm², 양호하게는 20 내지 300kg/cm²(외부 기판이 유리와 같은 부서지지 쉬운 재료로 만들어질 때, 압력은 약 5 내지 100kg/cm²이 양호함)의 압력, 50 내지 200℃, 양호하게는 100 내지 180℃의 온도 및 10 내지 300초, 양호하게는 10 내지 120초의 시간의 조건하에서 실행된다.

제13도에 도시된 것처럼, 채워지는 양의 정밀도 및 실행성(workability)의 관점에서 박막형으로 열 접착수지를 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 제8도 및 제l2도에 도시된 반도체 장치의 장착 구조는 절연 박막(2')에 제공된 금속 재료로 채워진 스루-홀(4)을 통해 랜드부(10)에 리드(3')를 접속시켜 얻는다. 또한, 제14도에 도시된 것처럼, 본 발명에 따른 반도체 장치의 장착 구조는 랜드부(10)에 리드(3')를 직접 접속해도 또한 얻을 수 있다. 제14도에 도시된 장착 구조에 있어서, 외부 결합(즉, 랜드부)이 도전되는 절연 박막의 영역에 제공된 스루-홀에 금속 재료를 채울 필요가 없기 때문에, 제조 공정 단계를 줄일 수 있다.

제14도는 본 발명에 따른 장착 구조의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.

제14도에서, 반도체 소자(1)는 그 한 표면에 접속리드(3')를 갖는 절연 박막(2')을 포함하는 박막 캐리어에 장착된다. 스루-홀(4)이 있는 절연 박막(2')에 형성된 접속리드(3')는 외부 기판(9)에 제공된 랜드부(10)에 직접 접속된다. 이 접속이 이루어질 때, 열 접착성 수지는 스루-홀(4)에 압력으로 채워지므로, 접속 영역 및 그 부근은 수지로 보강되어 덮힌다. 이 반도체 소자(1)는 제5도의 경우처럼 절연 박막(2')의 스루-홀(4)에 채워진 금속 재료를 통해 접속 리드(3')에 전기적으로 접속된다. 그러나, 이와같은 접속은 종래의 방법에서 이용된 범프등을 이용하여 수행될 수도 있다.

제15(a)도, 제15(b)도, 제16(a)도 및 제16(b)도는 제14도에 도시된 박막 캐리어가 외부 기판의 랜드부에 접속되는 방법을 나타내는 확대 단면도를 각각 나타낸다. 특히 제15(a)도 및 제16(a)도는 열 접착 수지층(8)이 접속 리드(3')가 제공된 절연 박막(2') 표면의 반대 측면에 형성되는 접속 이전의 상태를 나타낸다. 제15(b)도 및 제16(b)도는 접속 영역 및 그 부근이 수지로 채워지도록, 열 접착 수지가 스루-홀(4)을 통해 박막 캐리어와 외부 기판(9) 사이의 공간에 압력으로 채워지는 접속후의 상태를 나타낸다·

부수적으로, 제15(a)도 및 제15(b)도는 접속 리드와 병렬 방향으로 잘라서 얻어진 단면도를 나타낸다. 제16(a)도 및 제16(b)도는 접속 리드와 수직 방향으로 잘라서 얻어진 단면도를 나타낸다.

제14도 내지 제16도에 도시된 것처럼, 반도체 장치의 장착 구조에 있어서, 미소 스루-홀(4)은 접속 리드(3')가 외부기판(9)의 랜드부(10)에 접속되어 잇는 절면 박막 영역의 근처에 제공된다. 그러나 대신에 열 접착 수지가 쉽게 채워지도록 스루-홀 보다 큰 크기를 갖는 개구 또는 오목부(recess)가 제공된다. 이와같은 개구 또는 오목부의 애는 제17도 내지 제20도에 도시되어 있다. 이 각 도면에서 (a)는 횡단면도를 나타내고(b)는 평면도를 나타낸다.

이와같은 개구 또는 오목부는 기계적 처리, 레이져 처리, 광 처리 및 화학적 처리 등을 이용하여 형성시킬 수 있다. 이들 처리 방법 가운데, 엑시머레이저 빔에 의한 조사를 이용하는 것이 더 바람직하다.

상기 리드의 보강 및 커버의 관짐에서 접속 리드(3')는 제18도 내지 제20도에 도시된 것처럼 노출된 단부를 가지지 않는 형태를 형성하도록 처리되는 것이 바람직하다.

상기 기술된 것처럼, 본 발명에 따라, 전도 패턴(또는 접속 리드)이 절연 지저부(또는 절연 박막)의 한표면에 형성되는 배선 기판 또는 박막 캐리어를 제공하는데, 전도 패턴(또는 접속 리드)이 접촉되는 절연지저부(또는, 절연 박막)의 영역 및 그 영역 근처에 하나 이상의미소 스루-홀을 제공하고, 전도 패턴(또는,접속 리드)이 접촉되어 있는 절연 지지부(또는, 절연 박막)의 영역에 제공된 스루-홀에 전도 통로를 형성시키고 이 전도 통로에 범프형 금속 돌출부를 형성시킨다.

그러므로 반도체 소자를 배선 기판 또는 박막 캐리어에 접속할 때, 정렬의 정확도를 높일 수 있다. 상당히 값비싼 이방성 전도 박막 또는 페인트(paints)가 사용되지 않기 때문에, 가격이 절감되고, 전기 접속의 신뢰도가 증가한다.

전기 접속 면적은 스루-홀의 사이즈와 홀 사이의 거리를 자유롭게 선택함으로써 자유롭계 설계될 수 있으므로 접속 면적의 소형화를 실현할 수 있다.

특히 열 접착 수지층을 사용할 때, 접속 영역과 그 근처영역은 대기로부터 완전히 차단된다. 그 결과 접속 신뢰도가 더욱 증가되고, 접속 당도 또한 증가된다.

박막 캐리어를 이용함으로써 생상된 반도체 장치를 외부 기판상에 장착시킬 때, 반도체 소자에 접속되어있는 전도성 스루-홀을 갖는 절연 박막이 사용되므로 전기 접속의 신뢰도가 증가하고 배열하기가 쉽다. 열 접착 수지층을 반도체 장치와 외부 기판 사이에 삽입할 때 전기적 전도가 강해지고 기계적 및 열적 쇼크에 대한 안정이 얻어진다. 더구나 접속부와 그 인접부는 열 접착 수지로 피복되어 있기 때문에 다수의핀을 갖고 있는 반도체 장치에서 조차도 핀들 사이에 누설 전류가 발생하지 않으며, 따라서 극히 높은 접속 신뢰도가 얻어진다.

접속 리드가 반도체 장치의 공간에 홀로 노출되어 있는 종래의 기술과는 반대로, 본 발명의 박막 캐리어에서 리드는 절연 박막상에 설치되어 있어, 리드 그 자체의 굴곡 강도(bending sstrength)가 증가하고, 리드의 굴곡 및 파괴가 발생하지 않는다. 따라서 동작 효율 및 생산성이 증가함은 당연하다 하겠다.

다음의 실시예는 본 발명에 따른 리드의 굴곡 강도를 증명하기 위하여 실행되었다.

폴리이미드 예비 용액은 25μm의 코팅 두께를 가지도록 17μm 두께의 구리박(copper foil)에 코팅되어 단단해지고, 그 결과 박막 캐리어의 지지부로써 작용하는 두 층의 박막이 형성된다. 구리박이 형성되어 있는 박막의 표면에 절연 도료가 코팅되었고 그후, 그 위에 리드부를 갖는 패턴을 형성하기 위해 노출, 현상(developing) 및 에칭이 실시되었다. 이 리드폭은 6μm이었다. 자외선 영역의 레이저 빔을 이용하여 구리박이 제공되는 지지 표면에 건식 에칭이 실행되어 리드를 사이에 삽입된 절연 박막(즉, 폴리이미드 박막)의 일부가 제거되었다. 그 결과 절연박막이 리드의 뒷면에 남아 있는 박막 캐리어가 얻어졌다. 절연 박막의 횡교차부는 80μm의 상부 베이스와 6μm의 하부 베이스를 갖는 사디리꼴을 형성했다.

120개의 리드를 갖는 박막 캐리어를 상기 방법을 이용하여 생산했을 때 리드의 굴곡 또는 파괴가 발생하지 않았음에 반해 리드가 노출되어 있는 종래의 박막 캐리어에서는 24개의 리드에서 파괴 현상이 발생했다.

절연 박막에 설치된 범프형 금속 돌출부에 기인한 접속을 공고히 하기 의하여는 범프형 금속 돌출부가 형성된 후에, 이 금속 돌출부를 둘러싸고 있는 절연 박막의 일부를 에칭으로 제거하여 절연 박막의 두깨를 얇게 만들어 범프형 금속 돌출부의 높이를 증가시키는 것이 바람직하다. 이 경우에 절연 박막의 두께는 굴곡 강도와 접속 신뢰도간의 균형이라는 입장에서 볼 때 범프 직경의 5 내지 200%가 될 수 있도륵 감소시키는 것이 바람직하다.

본 발명이 특정 실시예를 참조로 상세히 설명되었으니 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고도 본 발명 분야에 숙련된 사람이면 변형 및 수정을 할 수 있음은 당연하다 하겠다.

Claims (25)

1. 결합 패드를 가진채 절연 지지부의 후부면에 형성되는 전도체 패턴 ; 상기 결합 패드가 접촉되어 있는상기 절연 지지부의 영역에 제공되거나 또는 상기 결합 패드가 접촉되어 있는 상기 절연 지지부의 영역 및 그 영역 근처에 제공되며 상기 절연 지지부의 두께 방향으로 연창되는 적어도 하나의 미소 스루-홀 ; 상기결합 패드가 접촉되어 있는 상기 절연 지지부 영역에 제공되는 상기 스루-홀에 형성되며 금속 재료로 만들어지는 전도통로 ; 및 상기 전도 통로상에 형성되어 있으며 상기 절연 지지부의 정면으로부터 돌출해 있는 범프형 금속 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
2. 제1항에 있어서, 상기 절연 지지부는 폴리이미드 박막으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 배선 기관.
3. (a) 결합 패드를 갖고 있는 전도체 패턴을 절연 지지부의 적어도 한 표면상에 형성하는 단계와, (b)상기 결합 패드가 접촉되어 있는 상기 절연 지지부의 영역 또는 결합 패드가 접촉되어 있는 상기 절연 지지부의 영역 및 그 영역 근처에, 상기 결합 패드의 폭보다 더 작은 거리로 서로 떨어져 있으며 상기 절연지지부의 두께 방향으로 연장되는 적어도 하나의 미소 스루-홀을 형성하는 단계 및, (c) 상기 전도체 패턴이 형성되는 상기 절연 지지부의 표면을 마스킹한 후에 상기 전도체 패턴을 전극으로 이용하여 전기 도금을 하고 상기 결합 패드가 접촉되는 상기 절연 지지부의 영역에 형성되어 잇는 스루-홀내에 금속 재료를 침착시켜 성장시킴으로써 상기 스루-홀내에 전도성 통로를 형성시키고, 그후 상기 전도 통로상에 범프형 금속돌출부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판 제조 방법
4. 제3항에 있어서 상기 절연 지지부는 폴리이미드 박막으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 배선 기판제조 방법
5. 제3항에 있어서 상기 단계(c)에서 상기 스루-홀내에 형성된 상기 전도 통로의 두께가 예정된 값으로된 후에 상기 스루-홀내에 땜납을 집어넣기 위하여 상기 절연 지지부를 땜납 용기에 담그며, 그에 따라 상기 금속 재료가 상기 전도 통로상에 침착된 후 상기 금속 돌출부가 상기 금속 재료상에 형성되는 것을 특징으로 하는 배선 기판 제조 방법.
6. 한 표면에 리드를 갖는 절연 박막과 ; 상기 리드가 접촉되어 있는 상기 절연 박막의 영역에 제공되거나 또는 상기 리드가 접촉되어 있는 상기 절연 박막의 영역 및 이 영역 근처에 제공되며 상기 절연 박막의 두께 방향으로 연장되는 적어도 하나의 소형 스루-홀과 ; 상기 리드가 접촉되어 있는 상기 절연 박막의 영역에 제공되어 있는 상기 스루-홀에 형성된 금속 재료로 만들어지는 전도 통로 ; 및 상기 전도 통로상에 형성되어 상기 리드가 형성되는 상기 절연 박막 표면의 반대면으로부터 돌출되는 범프형 금속 돌츨부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 캐리어.
7. 제6항에 있어서 상기 전도 통로는 금속 재료를 침착함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 캐리어.
8. 제7항에 있어서, 상기 금속 재료는 도금에 의해 침착되는 것을 특징으로 하는 박막 캐리어.
9. 제6항에 있어서, 상기 전도 통로는 다수의 금속 재료로 이루어지는 다층 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 캐리어.
10. 제6항에 있어서, 상기 범프형 금속 돌출부가 형성되는 상기절연 박막의 표면에 열접착 수지층이 제공되는 것을 특징으로 하는 박막 캐리어.
11. 제6항에 정의된 상기 박막 캐리어의 상기 범프형 금속 돌출부에 접속되는 외부 접속 전극을 갖는 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치
12. 제11항에 있어서, 상기 반도체 소자와 상기 박막 캐리어 사이에 열 접착 수지층이 삽입되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
13. 제12항에 있어서, 상기 열 접착 수지층은 상기 외부 접속 전극이 형성이되는 상기 반도체 소자의 표면에 먼저 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
14. 제12항에 있어서 상기 열 접착 수지층은 상기 반도체 소자가 장착되는 상기 박막 캐리어의 표면에 먼저 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
15. 제l2항에 있어서 상기 전도 통로가 형성되어 있지 않은 미소 스루-홀내로 열 접착 수지가 삽입됨으로써 상기 열 접착 수지층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
16. 한 표면에 리드를 갖고 있는 절연 박막을 포함하는 박막 캐리어에 반도체 소자를 접속시킴으로써 얻어진 제11항에 정의된 반도체 장치와 외부 기판을 포함하는 반도체 장치의 장착구조에 있어서, 상기 외부기판의 랜드부가 접촉되어 있는 상기 절연박막의 결합 영역에 제공되거나 또는 상기 외부 기판의 랜드부가 접촉되어 잇는 상기 절연 박막의 결합 영역 및 이 영역의 근처에 제공되는 적어도 하나의 미소 스루-홀과 ; 상기 결합 영역에 제공되는 상기 스루-홀내로 채워지는 금속 재료 ; 및 상기 금속 재료상에 형성된 범프형 금속 돌출부를 포함하되, 상기 리드는 상기 범프형 돌츨부를 통하여 상기 랜드부에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 장착 구조
17. 제16항에 있어서 상기 금속 재료는 땜납인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 장착 구조
18. 제16항에 있어서 상기 박막 캐리어와 상기 외부 기판 사이에 열 접착 수지층이 삽입되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 장착 구조
19. 제18항에 있어서, 상기 금속 재료가 채워지지 않은 상기 스루-홀을 통하여 상기 박막 캐리어와 상기외부 기판 사이에 열 접착 수지가 삽입됨으로써 상기 열 접착 수지층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 창착 구조.
20. 한면에 접속 리드를 갖는 절연박막을 포함하는 박막캐리어와 외부 기판상에서 상기 박막 캐리어에 접합된 반도체 소자를 구비하는 반도체 장치의 장착 방법에 있어서, 외부 기판상의 랜드부에 접촉될 결합영역내의 절연박막과 상기 결합 영역 근처의 영역내에 접착재 주입을 위한 개구부를 형성하는 단계와, 상기 접속 리드를 상기 외부 기판상의 랜드부에 접속하는 단계와, 상기 절연박막에 형성된 개구를 통해 상기박막 캐리어와 상기 외부 기판사이의 공간 내부로 접찹제를 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는반도체 장치 장착 방법.
21. 제20항에 있어서 상기 접착제의 주입을 위한 개구부는 결합 영역과 이 결합 영역 근처의 영역내의 절연 박막에 형성된 적어도 하나의 미소 스루-홀인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 장착 방법.
22. 제20항에 있어서, 상기 접착제의 주입을 위한 개구부는 상기 접속 리드 근처 부분의 절연박막에 형성된 컷-아웃(cut-out) 개구 또는 구멍인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 장착 방법.
23. 제20항에 있어서 상기 절연박막은 상기 접속 리드측과 반대측에 접착층을 갖는 것을 특징으로 하는반도체 장치 장착 방법.
24. 제20항에 있어서 상기 접착제는 150℃이하의 유리 전이 온도(glass transition temperature)를 갖는것을 특징으로 하는 반도체 장치 장착 방법.
25. 제20항에 있어서, 상기 절연 박막은 폴리이미드 박막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 장착 방법.

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