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KR950012636A - 디클로로실란과 육플루오르화 텅스텐을 사용하여 반도체 기판상에 규화 텅스텐 박막을 증착시키기 위한 방법 - Google Patents

디클로로실란과 육플루오르화 텅스텐을 사용하여 반도체 기판상에 규화 텅스텐 박막을 증착시키기 위한 방법

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KR950012636A
KR950012636A KR1019940026363A KR19940026363A KR950012636A KR 950012636 A KR950012636 A KR 950012636A KR 1019940026363 A KR1019940026363 A KR 1019940026363A KR 19940026363 A KR19940026363 A KR 19940026363A KR 950012636 A KR950012636 A KR 950012636A
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KR
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semiconductor substrate
deposition chamber
tungsten
dichlorosilane
tungsten silicide
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KR1019940026363A
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창 메이
텔포드 수잔
추 쳉 멩
Original Assignee
제임스 조셉 드롱
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Publication date
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Abstract

본 발명은 저압 화학적 증기 증착 반응기 내에서 디클로로실란과 육플루오르화 텅스텐을 사용하여 규화 텅스텐(WSix)을 박막으로서 증착시키기 위한 방법을 제공하려는 것이다 질소가 존재하게 되면, 기판상, 특히 다중 규소층 상으로의 규화 텅스텐(WSix)막의 고착이 저하된다. 그러므로, 증착된 박막을 만들어내기 위해서는 증착전에 기판으로부터 질소를 제거해야 하고, 저압 화학적 증기증착 챔버로부터 질소를 제거해야 한다. 증착챔버는 아르곤과 같은 희가스의 분위기를 포함하여야 한다. 아르곤은 캐리어가스로서도 사용될 수 있다.

Description

디클로로실란과 육플루오르화 텅스텐을 사용하여 반도체 기판상에 규화 텅스텐 박막을 증착시키기 위한 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 텅스텐 증착챔버의 개략적인 단면도,
제 2도는 반도체 기판들을 처리하기 위한 다중챔버식 반도체 처리장치의 개략적인 평면도.

Claims (17)

  1. 저압 화학적 증기 증착챔버내에서 반도체 기판의 표면상으로 규화텅스텐(WSif)을 증착시키기 위한방법으로서, 상기 반도체 기판의 표면으로부터 모든 질소를 제거하는 단계, 및 500 내지 575℃의 온도와 0.5 내지 10torr의 압력하에서 희(noble)가스, 디클로로실란 및 육플루오르화 텅스텐의 혼합물을 상기 증착 챔버내로 유동시키는 단계를 포함하고 있으며, 이에의해, 상기 반도체 기판상에 규화텅스텐(WSix)막이 증착되는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 희가스가 아르곤인 방법.
  3. 제1항에 있어서, 아른곤을 이용한 정화에 의해서 상기 반도체 기판의 표면으로부터 질소가 제거되는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 100 내지 1000sccm 유량의 아르곤, 130 내지 300srcm 유량의 디클로로실란 및 1내지 6sccm 유량의 육플루오르화 텅스텐이 사용되는 방법.
  5. 제1항에 있어서. 상기 온도가 550℃인 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 압력이 1 내지 3torr인 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판이 실리콘 웨이퍼인 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판이 vy면상에 다중규소층을 갖는 실리콘 웨이퍼인 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판이 표면상에 실리콘 산화물 층을 갖는 실리콘 웨이퍼인 방법.
  10. 제1항에 있어서. 상기 증착챔버가 운반챔버에 부착되민 있고, 상기 운반챔버는 아르곤 분위기를 갖는 방법.
  11. 단일 웨이퍼용 저압 화학적 증기 증착챔버에 연결된 운반챔버를 포함하는 다중챔버 진공장치에서 실리콘 웨이퍼의 표면위로 규화텅스텐(WSiX)을 증착시키기 위한 방법에 있어서, 상기 운반챔버내에 희(noble)가스 분위기를 유지하는 단계, 및 500 내지 575℃의 온도와 0.5 내지 10torr의 압력하에서 희가스 캐리어, 디클로로실란 및 육플루오르화 텅스텐의 혼합물을 상기 증착챔버내로 유동시키는 단계를 포함하고 있으며, 이에의해, 상기 웨이퍼 상에 규화텅스텐(WSX)층이 증착됨을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 희가스가 아르곤임을 특징으로 하는 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 웨이퍼가 다중 규소층을 가짐을 특징으로 하는 방법.
  14. 저압 화학적 증기 증착 챔버내에서 반도체 기판의 표면위로 규화 텅스텐(WSX)을 증착시키기 위한 방법으로서, 상기 반도체 기판의 표면으로부터 모든 질소를 제거하는 단계, 및 희가스, 디클로로실란 및 육플루오르화 텅스텐의 혼합물을 상기 증착챔버내로 유동시키는 단계를 포함하고 있으며, 이에 의해, 상기 반도체 기판상에 규화 텅스텐(WSX)막의 증착되는 방법.
  15. 제14항에 있어서. 상기 증착챔버가 0.5 내지 10torr의 압력하에서 유지되는 방법.
  16. 제14항에 있어서. 상기 증착챔버가 500 내지 575℃의 온도하에서 유지되는 방법.
  17. 제14항에 있어서, 규화텅스텐(WSX)으로 이루어진 초기의 얇은 층이 1torr또는 그 이상의 압력하에서 증착되고. 상기 압력은 1torr 또는 그 이하로 감소되며, 감소된 압력하에서도 증착이 연속적으로 이루어지는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940026363A 1993-10-14 1994-10-14 디클로로실란과 육플루오르화 텅스텐을 사용하여 반도체 기판상에 규화 텅스텐 박막을 증착시키는 방법 KR100214906B1 (ko)

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US13652993A 1993-10-14 1993-10-14
US08/136,529 1993-10-14
US8/136,529 1993-10-14

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