KR950010242B1 - 비전도체의 금속화 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 발명은 비전도체의 직접 금속화 방법에 관한 것이다. 이 방법에서는, 비전도체에 흡착된 산화제와의 접촉에 의해 5원 헤테로사이클의 초기의 비전도성 올리고머, 단량체 또는 이의 각종 단량체 혼합물 또는 올리고머-단량체 혼합물의 수용액(가능한 한 가용화제를 함유함)으로부터 접착성이 강한 불용성의 고중합 생성물을 비전도체 표면상에 침착시킴으로써 이들 고중합 생성물이 전기도금조(galvanic bath)중에서 전류가 적용되는 경우 금속이 당해 중합체 표면에 침착되기에 충분한 전기전도도를 갖게 된다.
상기와 같은 비전도체용 피복물로서의 전기전도성 헤테로사이클릭 중합체는 널리 공지된 바 있다.[참조 : 독일연방공화국(FRG) 특허 제3520980호, 제3132218호 및 제3535709호와 유럽 특허 제0206133호]. 본 발명자는 본원에서, 단량체 피롤 및 강산화제를 사용하여 폴리피롤을 비전도체상에 침착시킬 수 있는 방법에 대해서도 기술할 것이다. 이러한 전도성 비전도체의 이용은 특정 적용 분야에 있어서는 기본이다.
또 다른 특허 문헌(독일연방공화국 특허 제3806884 C1호)에는 단량체 및 강산화제로부터 제조된 고유 전기전도도를 갖는 중합체를 인쇄 회로판에 관통 - 접속기(through-connections)를 설치하는데 사용하는 것에 대해 기술하고 있다.
유럽 특허 제0206133호 및 독일연방공화국 특허 제3806884호는 강산 및 강산화제의 사용에 의존한다. 이들은 목적하는 결과를 수득하는데 필요한 가공 허용도가 매우 좁기 때문에 고도의 전문 기술을 필요로 한다.
이들 헤테로사이클을 사용하는 경우, 바람직하지 못한 부작용을 야기시킨다는 사실이 공지되어 있다 ; 예를 들면, 피롤은 광 또는 산의 존재하에서 쉽게 중합된다.이들 산은 단량체로부터 폴리피롤이 신속하게 생성되는 것을 용이하게 한다 ; 이는 추가로 가공하기 어려운 흑색의, 불용성 무정형 침착물로서 침전된다.
본 발명의 목적은 가용성이며 비전도성인, 5원 헤테로사이클 그룹의 유도체를 온화한 산화제의 존재하에서 단 하나의 가공 단계 및 단 하나의 용액을 사용하여 전기전도성 중합체로 전환시키는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 본원의 특허청구의 범위의 독립항들인 제1항, 제2항 및 제3항에서 특징화한 방법에 의해 성취된다. 본원의 특허청구의 범위의 다른 종속항들은 본 발명의 특정 양태에 대해 기술하고 있다.
본 발명에 따르면, 공정을 수행함에 있어 인쇄 회로판의 예비 처리를 선행할 수 있다. 피롤루자이트(이산화망간)와 같은 산화제 피복물을 절연 물질로부터 제조된 인쇄 회로판에 도포시킨다.이는, 예를 들면 인쇄회로판을 과망간산칼륨 용액에 액침시키고, 이에 의해 인쇄 회로판 물질이 회로판 표면상에서 과망간산염과 반응되도록 수행된다. 망간(Ⅶ)의 망간(Ⅳ)으로 환원된다. 반응 생성물은 인쇄 회로판 표면의 비전도성 영역의 공극내에 삽입되거나 인쇄 회로판 표면에 의해 흡착된다. 망간의 산화도 +(Ⅳ)는 인쇄 회로판의 비전도성 영역전체, 특히 보오호울(borehole)의 벽이 약한 피롤루자이트 산화제로 피복되게 한다. 본 발명에 따르면, 이 흡착된 이산화망간은 세정공정중에 제거시킬 수 없기 때문에 본 발명의 방법에서 유효한 산화제가 된다.
상기와 같은 방법으로 예비처리한 인쇄 회로판을 사용하여 본 발명에 따른 방법을 수행한다.
상기와 같은 방법으로 예비처리한 인쇄회로판은, 5원 헤테로사이클의 초기의 비전도성 올리고머, 단량체 또는 이의 각종 단량체 혼합물 또는 단량체-올리고머 혼합물의 산성 수용액(가능한 한 가용화제를 함유함)과의 접촉을 통해 접착성이 강한, 불용성의 고중합 생성물을 함유하는 전기 전도성 필름으로 피복된다.
본 발명에 따른 방법은 전술한 기타의 방법에 비해 몇몇 잇점을 제공한다.
전도성 중합체 필름은 단 하나의 용액을 사용하여 하나의 가공 단계로 생성시킨다. 이는 하나의 가공 단계가 제거되어 가공 비용을 감소시킴을 의미한다(금속화 공장에 대한 투자 비용이 감소되며 ; 공정의 제어, 사용한 용액의 처리 및 보관에 대한 지출이 적어진다).
또한, 중합 반응이 헤테로사이클 용액과 기재 표면과의 첫 접촉직후에 발생하기 때문에 반응 공정이 엄격히 제어될 수 있다. 그 결과, 헤테로사이클릭 화합물을, 반응 후속 단계에서 중합시키기 위해 후속의 가공용액으로 이동시킬 필요가 없다. 따라서, 본 발명의 방법을 사용하는 경우, 상기와 같은 후속단계에 있어서 기재 표면상에서 반응하지 않은 과잉의 단량체 용액으로부터의 바람직하지 못한 슬러리 생성을 배재해 준다. 또한, 이러한 방법은 화학 물질의 불필요한 사용을 피하게 해줌으로써 과잉으로 사용한 화학물질을 처분해야 하는 필요성을 제거한다.
기타의 공정에 대해 문헌에 기술된 바와 같이 기재 표면을 헤테로사이클 용액으로 습윤시키는 것은 본 발명의 방법에 있어서는 중요한 단계가 아니다. 표면 필름을 먼저 기재표면에 도포시키고 이 필름을 추가의 처리 단계에서 산화 반응에 의해 전도성 중합체로 전환시키는 경우, 전도성 필름이 적합한 특성을 보유할 수 있도록 하기 위해 공정 조건(단량체 용액의 점도, 기재 표면의 조도, 단량체 습윤 단계와 산화단계 사이의 피복시간 등)을 매우 엄격하게 결정하여 조절해야만 한다. 이러한 단계는 본 발명에 따른 방법에서는 불필요하며, 그 이유는 단량체 및/또는 올리고머 용액으로 습윤시키는 단계와 산화 반응이 하나의 가공 용액중에서 발생되기 때문이다.
본 발명의 추가의 잇점은 전도성 중합체 필름을 생성시키기 위해 산성 용액을 사용한다는 것이다. 이러한 방법에 있어서는, 구리 표면, 특히 인쇄 회로판 기술에 있어서의 구리 표면에 생성된 산화물 필름이 제거된다 ; 그 결과, 산화제이구리(Ⅱ)의 산화 작용은 구리 표면에서 중합반응을 유도할 수 없다.
본 발명의 방법에서, 5원-헤테로사이클로서 푸란, 티오펜, 피롤 및 이의 유도체를 사용한다.
이들 헤테로사이클의 주목할만한 유도체는 3 또는 4위치 또는 3 및 4위치 및/또는 헤테로원자에서 하나 또는 2개의 알킬 또는 알케닐 라디칼, 특히 하나 또는 2개의 메틸, 에틸 또는 프로필 그룹을 갖는 유도체이다. 할로겐-치환된 푸란, 티오펜 또는 피롤이 또한 적합하다. 3-클로로, 3-브로모, 4-클로로, 4-브로모, 3,4-디클로로 및 3,4-디브로모 유도체가 언급할만하다. 할로겐-치환된 화합물과 유사한 포르밀 및 카복실 유도체 뿐만 아니라 피롤의 유도체, 특히 N-메틸-, N-에틸-, N-비닐-피롤 및 2,2'-디피롤 유도체 또한 적합하다.
또한, 약산을 사용하여 헤테로사이클, 특히 피롤을 상응하는 이의 올리고머로 전환시킬 수 있다. 약산과의 접촉은 가용화제를 함유할 수 있는 헤테로사이클 화합물의 수용액중에서 발생한다. 이 올리고머화 반응은 용액의 빙점 미만의 저온에서 수행될 수 있다. 또한 반응은 실온 또는 50oC에서 수행될 수도 있다. 올리고머화 반응의 온도는 침전된 중합체 물질의 전도도 및 용액의 안정성에 영향을 미친다.
포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 옥살산, 숙신산, 푸마르산, 말레산, 아젤라산, 시트르산, 말산, 아스코르브산 또는 인산과 같은 약산을 올리고머화 반응에 사용할 수 있다. 상응하는 염을 사용할 수도 있다 ; 이들 산은 수성계중에서 가수분해를 통해 방출된다.
올리고머, 단량체 또는 각종 단량체 혼합물 또는 올리고머와 단량체와의 혼합물의 농도는 0.1 내지 200g/l, 바람직하게는 0.5 내지 50g/l 이다.
본 발명의 방법을 수행하기 위해 인쇄 회로판에 흡착되는 산화제는, 이산화망간 이외에, 예를 들면 과망간산염, 망간산염, 세륨(Ⅳ)염 및/또는 과요오드염일 수 있다. 인쇄 회로판은 pH가 1 내지 14인 산화조중에서 처리된다. 계면 활성제 또는 기타의 표면-활성 물질을 산화조에 가할 수도 있다.
인쇄 회로판을 본 발명에 따른 방법에 따라 처리한 후, 전류를 적용시켜 중합체 필름의 전기전도성에 의해 전기도금조로부터 금속을 침전시킬 수 있다. 본원에서 특히 언급할 만한 방법은 전기 구리도금법이다.
본 발명에 따른 방법은 액침 및/또는 분무 과정을 통해 수행될 수 있다. 당해 방법은 예를들면, 인쇄 회로판을 수평으로 연속통과시켜 처리하는 경우에 특히 적합하다.
본 발명에 따른 방법은 유리 섬유의 금속화에도 적합하다. 알칼리성 이온을 피롤 용액에 가하는 경우, 양호한 금속화 결과가 성취될 수 있다. 이와 동등하게 양호한 금속화는, p-페놀설폰산, 벤젠설폰산 및/또는 벤젠디설폰산 또는 기타의 산을, 강하게 분극될 수 있는 음이온과 함께 가하는 경우 성취될 수 있다.
산성 피롤 용액을 안정화시키는 한 방법은 용액중에서 수소를 생성시키는 것이다. 이를 수행하기 위한 매우 양호한 수단은 음극 표면에서의 전기분해에 의한 생성이다.
본 발명에 따른 방법이 매우 중요한 이유중 하나는 이의 다작용성의 특성때문이다. 이는 산화제로서 과망간산염을 사용하는 경우, 이산화망간 필름이 침착되어 유리한 방법으로 비전도체 표면을 조면화시킴으로써, 이산화망간으로부터 제조된 매우 양호한 흡착력을 갖는 필름을 제공하고 동시에 중합체 생성용 산화제를 제공함을 의미한다.
본 발명에 따른 방법을, 인쇄 회로판에 관통-접속기를 설치하기 위해 하기와 같이 변형시킬 수 있다.
1. 예를 들어, 알칼리성 과망간산칼륨 용액의 작용에 의해, 보오호올 벽의 비전도성 영역상에 산화 필름을 생성시킨다.
이러한 처리에 선행하여, 예를 들면 산화제 필름(예 : 이산화망간)의 효과적인 생성을 위한 수지상 표면을 제공하는 각종 예비단계를 수행할 수 있다.
2. 산성 용액중에서, 본 발명에 따른 헤테로사이클릭 화합물 함유 용액을 전도성 중합체 필름이 생성될 기재 표면에 작용시킨다.
3. 전기 도금에 의해 금속화시킨다. 이 가공 단계에 앞서, 예를 들면 예비 처리조를 사용하여 구리 표면의 세정을 선행할 수 있다.
3a. 전체 인쇄 회로판을 필름 두께가 약 5㎛가 되도록 전기 구리도금한다. 이어서, 통상의 기술을 사용하여 광 프린트한 후, 유전로(conduction pathway)[구리 및, 예를 들면 내식막(acid resist)]를 광 프린트 후에 블랭크로 남아 있는 영역에서 형성시키고, 최종적으로 감광성 내식막(photo resist)을 제거하고 에칭공정을 수행하여, 필요한 경우 내식막을 제거시킨다. 이러한 순서를 특별한 시방서를 충족시키기 위해 변경시킬 수 있다.
3b. 인쇄 회로판 전표면을 필름의 두께가 약 30㎛가 되도록 전기 구리도금한다. 통상의 기술을 사용하여 광 프린트한 후 에칭 공정을 수행하고 내식막을 제거한다. 이 순서 또한 특별한 시방서를 충족시키기 위해 변경시킬 수 있다.
3c. 전기 구리도금 전에, 광 프린트한다. 이어서, 필름의 두께가 30㎛가 되도록 전기도금하여 금속화시키고, 필요한 경우 내식막 피복물을 침착시킨다. 이어서, 금속성 내식막을 제거한다. 이 순서는 특별한 시방서를 충족시키기 위해 변경시킬 수 있다.
충분한 전도도를 갖는 중합체 필름을 수득하기 위해, 전기 구리도금 직전에 표면을 산 및/또는 산화제를 함유하는 용액 중에서 처리한다. 황산/과황산나트륨 또는 기타 용액을 상기의 목적을 위해 사용할 수 있다.
다른 변형된 가공 방법도 고려할 수 있다. 하기 실시예는 본 발명을 명료하게 하기 위함이다.
[용액 Ⅰ]
피롤 20ml를 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 및 이소프로판올의 혼합물 110ml에 용해시키고 물 70ml 및 디클로로아세트산(K=0.0332) 10g과 혼합한다.
수분 후, 용액의 색상은 황색에서 녹색으로 변한다. 침전물은 관찰되지 않는다.
에폭시 수지판을 하기와 같이 처리한다 :
1. N-메틸 피롤리돈을 함유하는 용액중에서 에폭시 수지판을 출발시킴.
2. 물로 세정함.
3. 알칼리성 과망간산염 용액속에서 에칭시킴.
4. 연속 세정으로 물로 세정함.
5. 물로 세정함.
6. 용액 I중에서 20oC에서 5분 동안 액침시킴.
7. 물로 세정함.
8. 온풍으로 에폭시 수지판을 건조시킴. 전기 저항은 28킬로오옴(kOhm)이다.
[실시예 2]
에폭시 수지판을 실시예 1과 같이 처리한 후 물로 세정(단계 7)하고, 이어서 산성의 전기도금 구리 전해질중에서 구리도금시킨다. 전류 밀도는 2A/qdm이다. 5분 후에 필름은 완전히 구리도금된다.
[실시예 3]
[용액 Ⅱ]
피롤 20ml를 N-메틸 피롤리돈 70ml에 용해시키고 물 110ml 및 옥살산(K=0.059) 10g과 혼합한다.
용액은 수시간 후 녹색으로 변한다. 침전물은 관찰되지 않는다.
에폭시 수지판을 실시예 1(단계 1 내지 5)과 같이 예비 처리한후, 5분 동안 용액 Ⅱ중에서 처리(단계 6)하고 세정하고 건조시킨다. 건조시, 플리피롤 필름의 저항은 35킬로오옴이다.
[실시예 4]
보오호올 및 양면에 구리 적충물을 갖는 인쇄 회로판을 실시에1(단계 1 내지 5)과 같이 예비처리한 후 용액 Ⅱ에서 5분 동안 처리한다. 인쇄 회로판을 물로 세정한 후, 단시간 동안 전기 구리도금시킨다.
보오호올의 벽은 단지 5분 동안 전기도금한 후에도 만족할만하게 구리 도금된다.
[실시예 5]
피롤 25ml, 인산(85%) 15ml 및 물 950ml로 이루어진 새로운 용액중에서 알칼리성 과망간산칼륨 용액으로 예비처리한 에폭시 수지판상에 전도성 폴리피롤을 침착시킨다.
중합체 필름의 저항은 5 내지 6킬로오옴이다. 필름은 결함없이 전기적 구리도금된다(전류 밀도 4A/dm).
[실시예 6]
피롤 25ml, 인산(85%) 25ml 및 물 950ml로 이루어진 24시간 방치한 용액중에서 실시예 5와 같이 예비처리한 에폭시 수지판상에 폴리피롤을 침칙시킨다. 중합체 필름의 저항은 700킬로오옴이다. 필름은 더이상 전기 구리도금할 수 없다.
[실시예 7]
피롤 25ml, 인산(85%) 25ml 및 물 950ml로 이루어진 용액중에서 전기 분해에 의해 수소를 스테인레스스틸 그레이트 상에 발생시킨다[양극부분은 전기분해 키(electrolytic key)에 의해 격리된다].
48시간후, 실시예 1과 같이 예비처리 (단계 5까지)한 에폭시 수지판을 상기 용액중에서 폴리피롤로 피복시킨다.
중합체 필름의 저항은 105킬로오옴이다. 전기 구리 도금은 만족할 정도로 성취된다.
[실시예 8]
피롤 7.5g, 물 990ml 및 인산(pH 2.5까지)으로 이루어진 용액중에서 실시예 1과 같이 예비 처리(단계 5까지)한 에폭시 수지판에 전도성 중합체를 침착시킨다. 중합체 필름의 저항은 150 내지 200킬로오옴이다. 필름을 전기 도금에 의해 강화시킨다(전류 밀도 4A/dm). 용액은 안정성이 있으며, 1주일이 지난 후에도 동일하게 양호한 전도도를 갖는 필름을 생성한다.
[실시예 9]
피롤 7.5g, 물 990ml 및 인산(pH 3.5까지)으로 이루어진 용액중에서 실시예 1과 같이 예비 처리(단계 5까지)한 에폭시 수지판에 전도성 중합체를 침착시킨다. 중합체 필름의 저항은 6500킬로오옴이다. 필름을 전기 도금에 의해 강화시킬수 없다. 용액은 안정성이 있다.
[실시예 10]
피롤 7.5g, 결정성 인산수소이나트륨 5.0g, 결정성 인산수소나트륨 5.0g, 물 980ml 및 인산(pH 2.5까지)으로 이루어진 용액중에서 실시예 1과 같이 예비 처리(단계 5까지)한 에폭시 수지판에 폴리피롤을 침작시킨다. 중합체 필름의 저항은 30 내지 40킬로오옴이다. 필름을 단시간 내에 전기 구리도금시킨다(전류밀도 4A/dm).
상기 용액중에서 폴리피롤 필름의 저항을 증가시키지 않으면서 1주일에 걸쳐 전도성 중합체를 침작시킨다.
[실시예 11]
피롤 7.5g, 인산수소이칼륨 25.0g, 인산 수소칼륨 25.0g, 물 960ml 및 인산(pH 2.5까지)으로 이루어진 용액중에서 실시예 1과 같이 예비 처리(단계 5까지)한 에폭시 수지판에 폴리피롤을 침착시킨다. 중합체 필름의 저항은 10 내지 15킬로오옴이다. 필름을 수분내에 전기 구리도금시킨다(전류 밀도 4A/dm).
용액은 안정성이 있으며, 용액을 일주일동안 방치한 후에도 양호한 전도도를 갖는 폴리피롤 필름이 침작된다.
[실시예 12]
인쇄 회로판을 실시예 1과 같이 예비처리(단계 5까지)한 후 실온에서 피롤 7.5g/ι로 이루어진 용액중에서 폴리피롤 및 이어서 전기도금 구리를 인쇄회로판의 보오호올내에 침착시킬 수 있다. 용액이 제조된 지 4일 후 수득한 결과는, 보오호올의 벽을 구리로 도금시킬 수 있는 능력면에서 보아 용액을 제조한 직후에 수득한 결과만큼 양호하다. 또한, 용액을 6일동안 방치한 후의 실험 결과는 도금면에서 보아 더 나쁘다.
[실시예 13]
실시예 12와 동일한 실험을 +5℃에서 피롤 용액을 사용하여 수행한다. 이 경우에는, 12일이 지난 후에도 양호하게 금속화된다.
Claims (35)
- 비전도체에 흡착된 이산화망간 산화제와의 접촉에 의해 5원 헤테로사이클의 초기 비전도성 올리고머 수용액(가능한 한 가용화제를 함유함)으로부터 접착성이 강한 불용성의 중합체 생성물을 1단계 공정으로 비전도체 표면에 침착시킴으로써, 이들 중합체 생성물이, 전기 도금조중에서 전류를 적용시키는 경우 금속이 당해 중합체 표면에 침착되기에 충분한 전기 전도도를 갖게 됨을 특징으로 하는 비전도체의 직접 금속화 방법.
- 비전도체 흡착된 이산화망간 산화제와의 접촉에 의해 5원 헤테로사이클의 초기 비전도성 단량체 또는 각종 단량체 혼합물의 수용액(가능한 한 가용화제를 함유함)으로부터 접착성이 강한 불용성의 중합체 생성물을 1단계 공정으로 비전도체 표면에 침착시킴으로써, 이들 중합체 생성물이, 전기 도금조중에서 전류를 적용시키는 경우, 금속이 당해 중합체 표면에 침착되기에 충분한 전기 전도도를 갖게 됨을 특징으로 하는 비전도체의 직접 금속화 방법.
- 비전도체에 흡착된 이산화망간 산화제와의 접촉에 의해 5원 헤테로사이클의 초기 비전도성 올리고머/단량체 혼합물의 수용액(가능한 한 가용화제를 함유함)으로부터 접착성이 강한 불용성의 중합체 생성물을 1단계 공정으로 비전도체 표면에 침착시킴으로써, 이들 중합체 생성물이, 전기 도금조중에서 전류를 적용시키는 경우, 금속이 당해 중합체 표면에 침착되기에 충분한 전기 전도도를 갖게 됨을 특징으로 하는 비전도체의 직접 금속화 방법.
- 제1항에 있어서, 5원 헤테로사이클 그룹으로부터의 가용성 올리고머의 생성이, 단량체 및 약산의 용액으로부터 가능한 한 용액의 빙점 미만의 저온에서 진행되는 방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 푸란, 피롤, 티오펜 또는 이들의 치환된 유도체를 사용함을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 올리고머, 단량체 또는 이들의 혼합물의 농도가 0.1 내지 200g/ι인 방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 수용액 중에서 양성자에 대한 해리상수가 0.1 내지 0.01인 산 또는 산성 염 또는 이들 둘 다를 사용함을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 산성 전기도금 구리조를 사용함을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 가용화제로서 강한 극성 유기용매를 사용함을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 인쇄 회로판내 비전도성 보오호올(borehole)의 벽을 금속화시킴을 특징으로 하는 방법.
- 제10항에 있어서, 인쇄 회로판을 제조한 다음 전도성 중합체 필름을 형성시킨 후 전기 도금에 의한 금속화를 수행함으로써, 전도성 중합체 필름이 전기 도금에 의한 금속화 직전에 산 또는 산화제 또는 이들 둘 다를 함유하는 하나의 용액으로 처리되는 방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 비전도체를 용액중에 액침시키거나 용액을 비전도체에 분무하거나 이들 두 방법을 조합하여 공정을 수행함을 특징으로 하는 방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 비전도체를 수평으로 연속적으로 통과시켜 가공함을 특징으로 하는 방법.
- 제11항에 있어서, 인쇄 회로판을 광 프린트에 의해 제조하는 방법.
- 제2항에 있어서, 푸란, 피롤, 티오펜 또는 이들의 치환된 유도체를 사용함을 특징으로 하는 방법.
- 제2항 또는 제15항에 있어서, 올리고머, 단량체 또는 이들의 혼합물의 농도가 0.1 내지 200g/ι인 방법.
- 제2항에 있어서, 수용액 중에서 양성자에 대한 해리상수가 0.1 내지 0.01인 산 또는 산성염 또는 이들 둘 다를 사용함을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 산성 전기도금 구리조를 사용함을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 가용화제로서 강한 극성 유기용매를 사용함을 특징으로 하는 방법.
- 제2항 또는 제15항에 있어서, 인쇄 회로판내 비전도성 보오호올의 벽을 금속화시킴을 특징으로 하는 방법.
- 제20항에 있어서, 인쇄 회로판을 제조한 다음 전도성 중합체 필름을 형성시킨 후 전기도금에 의한 금속화를 수행함으로써, 전도성 중합체 필름이 전기 도금에 의한 금속화 직전에 산 또는 산화제 또는 이들 둘 다를 함유하는 하나의 용액으로 처리되는 방법.
- 제2항 또는 제15항에 있어서, 비전도체를 용액중에 액침시키거나 용액을 비전도체에 분무하거나 이들 두 방법을 조합하여 공정을 수행함을 특징으로 하는 방법.
- 제2항 또는 제15항에 있어서, 비전도체를 수평으로 연속적으로 통과시켜 가공함을 특징으로 하는 방법.
- 제21항에 있어서, 인쇄 회로판을 광 프린트에 의해 제조하는 방법.
- 제3항에 있어서, 5원 헤테로사이클 그룹으로 부터의 수용성 올리고머의 생성이, 단량체 및 약산의 용액으로 부터 가능한 한 용액의 빙점 미만의 저온에서 진행되는 방법.
- 제3항 또는 제25항에 있어서, 푸란, 피롤, 티오펜 또는 이들의 치환된 유도체를 사용함을 특징으로 하는 방법.
- 제3항 또는 제25항에 있어서, 올리고머, 단량체 또는 이들의 혼합물의 농도가 0.1 내지 200g/ι인 방법.
- 제3항에 또는 제25항에 있어서, 수용액 중에서 양성자에 대한 해리상수가 0.1 내지 0.01인 산 또는 산성염 또는 이들 둘 다를 사용함을 특징으로 하는 방법.
- 제3항에 있어서, 산성 전기도금 구리조를 사용함을 특징으로 하는 방법.
- 제3항 또는 제25항에 있어서, 가용화제로서 강한 극성 유기용매를 사용함을 특징으로 하는 방법.
- 제3항 또는 제25항에 있어서, 인쇄 회로판내 비전도성 보오호올의 벽을 금속화시킴을 특징으로 하는 방법.
- 제31항에 있어서, 인쇄 회로판을 제조한 다음 전도성 중합체 필름을 형성시킨 후 전기도금에 의한 금속화를 수행함으로써, 전도성 중합체 필름이 전기 도금에 의한 금속화 직전에 산 또는 산화제 또는 이들 둘 다를 함유하는 하나의 용액으로 처리되는 방법.
- 제3항 또는 제25항에 있어서, 비전도체를 용액중에 액침시키거나 용액을 비전도체에 분무하거나 이들 두 방법을 조합하여 공정을 수행함을 특징으로 하는 방법.
- 제3항 또는 제25항에 있어서, 비전도체를 수평으로 연속적으로 통과시켜 가공함을 특징으로 하는 방법.
- 제32항에 있어서, 인쇄 회로판을 광 프린트에 의해 제조하는 방법.
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