KR950010131B1

KR950010131B1 - 열 전류 공급원 및 집적 전압 조절기

Info

Publication number: KR950010131B1
Application number: KR1019870011089A
Authority: KR
Inventors: 지. 바이넘 바이런
Original assignee: 모토로라 인코포레이티드; 빈센트 죠셉 로너
Priority date: 1986-10-06
Filing date: 1987-10-05
Publication date: 1995-09-07
Anticipated expiration: 2007-10-05
Also published as: EP0264563B1; JPH0760352B2; EP0264563A1; DE3788033D1; DE3788033T2; JPS6398159A; KR880005501A

Abstract

내용 없음.

Description

열 전류 공급원 및 집적 전압 조절기

제1도는 본 발명의 열 전류 공급원의 개략도.

제2도는 본 발명의 제2열 전류 공급원의 개략도.

제3도는 본 발명의 제3열 전류 공급원의 개략도.

제4도는 제3도의 열 전류 공급원을 포함하는 전압 조절기를 도시하는 개략도.

본 발명은 전류 공급 회로에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 셋팅가능한 온도계수 및 크기를 갖는 전압조절기의 전압을 발생시키는데 적합한 조절된 크기 및 소정의 온도 특성을 갖는 전류를 발생할 수 있는 집적 회로(IC)에 관한 것이다.

공급 전압에 의존하지 않는 조절된 크기 및 소정의 온도계수(TC)를 갖는 전류를 제공하는 공급원 및 전류 공급원을 필요로 하는 회로 및 시스템 응용이 많이 있다. 보다 구체적으로 절대온도에 따라 직접적으로 변화하는 포지티브 TC크기의 전류를 제공하는 전류 공급 회로를 사용하는 것이 바람직하다.

차동쌍 트랜지스터의 PN 접합 고유의 네가티브 TC를 없애는데 상기 전류가 이용될 수 있으며, 예를 들면, 차동쌍 트랜지스터를 포함하는 차동 증폭기의 이득이 온도 변화에도 기본적으로 일정하게 유지되도록 하는데 이용될 수 있다. IC는 일반적으로 다수의 차동 증폭기를 포함하고 있기 때문에, 각각 소정의 크기 및 온도계수를 갖는 다수의 전류를 제공할 수 있는 형태의 전류공급 회로를 필요로 할 수도 있다. 상기 열전류 공급원을 다른 회로와 관련하여 사용함으로써, 공지된 TC를 갖는 조절된 출력전압을 제공하게 된다. 이러한 열 전류는 포지티브 TC를 갖는 저항 양단의 전압을 발생하는데 사용될 수 있는데, 상기 저항은 제로 TC 출력 전압을 제공하도록 네가티브 TC의 베이스-메이커 전압을 갖는 NPN 트랜지스터와 직렬로 배열된다. 상기 형태의 전압 조절기는 때때로 상기 기술에 숙련된 사람에 의해 밴드갭(bandgap) 전압 조절기로 언급된다.

종래 기술의 전압 조절기는 다른 전류 밀도에서 작동되는 한쌍의 트랜지스터를 포함한다. 상기 두 트랜지스터는 관련 회로와 상호 접속되어, 각각의 베이스-에미터 전압(ΔV_be)에서의 차에 비례하는 전압을 발생하게 된다. 상기 차 전압은 상기 한 트랜지스터의 에미터에 전류를 셋팅하는데 사용되며, 포지티브 온도계수(TC)를 갖는다. 상기 열 에미터 전류는 절대온도에 따라 직접적으로 변화하는 전압을 발생시키는데 이용되며, 상기 전압은 실질적으로 제로 TC를 갖는 결합 전압을 발생시키도록 네가티브 TC 전압과 결합된다.

비록 상기 종래 기술의 조절기가 중요한 장점을 갖는다 할지라도, 대부분은 심각한 한계에 부딪힌다. 예를 들면, 두 트랜지스터의 콜렉터-에미터 전압의 차에 의해 야기될 수도 있는 열 전류에서의 에러를 방지하기 위해, 종래 기술의 조절기는 두 장치의 부정합(mismatch)을 억제하는 복합 궤한 구조를 요구한다. 상기 구조는 과도한 칩 영역이 필요하므로 집적 회로의 설계에서는 바람직하지 않다. 부가적으로, 상기 종래 기술 조절기의 조절된 출력 전압의 레벨 및 온도계수는 독자적으로 셋팅될 수 없고, 오히려 차 전압 ΔV_BE의 크기에 의해 결정된다. 더우기, 종래 기술의 조절기는 트랜지스터의 V_BE전압갑보다 작은 조정가능의 TC 조절 전압을 발생할 수 없다.

그러므로, 종래 기술의 열 전류 공급원 회로의 문제점을 극복한 개선된 집적 열 공급원 회로가 필요하다.

또한, 종래 기술 조절기의 상기 한계에 부딪히지 않고, 출력 전압 제공을 위한 복합 궤한 회로를 필요로 하지 않으며, 정밀한 열 전류 공급원을 사용하여 어떤 전압 및 온도 계수에서도 셋팅될 수 있는 조절기 회로가 필요하다.

따라서, 본 발명은 개선된 열 전류 공급된 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 또한 집적 회로 형태로 제조되기에 적합하며, 조절된 크기 및 온도계수를 갖는 전류를 발생하는 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 또한 개선된 전압 조절기를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 또한 소정 전압 레벨 및 온도 계수로 셋팅될 수 있는 출력 전압을 제공하는 개선된 집적 전압 조절기 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 또한 조정 가능한 온도 계수를 갖는 전류를 공급하기 위해 열 전류 공급원을 포함하는 전압 조절기를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 상기 목적 및 또다른 목적에 따라 제공되는 전압 조절기의 열 전류 공급원과 저항성 회로를 포함하는데, 상기 열 전류 공급원은 다른 전류 밀도로 작동되는 제1 및 제2트랜지스터와, 상기 제1 및 제2트랜지스터 사이에 차 전압을 형성하기 위해 포지티브 TC를 갖는 궤환 전류에 응답하여, 상기 제2트랜지터로부터 전류를 싱크(sink)하는 회로 노드와 상기 제2트랜지스터의 에미터사이에 직렬로 접속 콜렉터-에미터 도전 경로를 갖는 제3트랜지스터 및 상기 회로 노드에서 제어 가능한 크기 및 네가티브 TC를 갖는 전류를 발생하기 위해, 상기 제3트랜지스터의 베이스와 에미터 사이에 접속된 회로를 구비하는데, 상기 차 전압은 상기 제3트랜지스터를 흐르는 콜렉터 전류를 셋팅하도록 이용된다. 상기 저항성 회로는 상기 회로 노드에 접속되어 그 공급된 전류를 합에 비례하는 전압을 발생한다.

이제 도면을 참조하면, 집적 회로 형태로 제조되기에 적합하며, 조절된 전압을 형성하는데 사용되는 본 발명의 열 전류 공급원의 몇가지 실시예가 도시되어 있다.

도면에서 일치하는 구성요소는 동일 참조번호로 지정된다. 제1도는 열 전류 공급원(10)의 기준 셀의 상호 접속 및 기본 구성요소를 나타낸다. 열 전류 공급원(10)은 단자(20)에 접속된 NPN 트랜지스터(14), (16), (18)와 같은 여러 전류 공급원에 팬 아웃(fan out)을 제공하기에 적합하다. 상기 전류 공급원 트랜지스터의 콜렉터는 절대 온도에 따라 변화하는 소정의 온도 특성을 갖는 전류를 요구하는 전류 이용회로(22), (24), (26)에 각각 접속된다.

열 전류 공급원(10)의 기준 셀(12)은 한쌍의 NPN 트랜지스터(28), (30)를 포함하는데, 상기 트랜지스터의 에미터는 각각 저항(32), (34)을 통해 NPN 트랜지스터(36)의 베이스에 접속된다. 트랜지스터(36)의 콜렉터-에미터 경로는 네가티브의 접지 기준 전압-V가 공급되는 네가티브 공급원 컨덕터(38)와 트랜지스터(30)에 에미터 사이에 접속된다.

트랜지스터(28)는 다이오드로서 접속되는데 그 콜렉터와 베이스가 상호 접속되어, 다이오드로서 트랜지스터(30)의 베이스에 접속된다. 한쌍의 전류 공급원(40), (42)은 전류 I₁과 I₂를 트랜지스터(28), (30)의 콜렉터에 각각 공급하며, 포지티브 동작 전압 Vcc가 공급된 전력 공급원 컨덕터(44)에 접속된다. 버퍼 NPN 트랜지스터(46)에 의해 상기 트랜지스터(36)의 베이스에 궤환이 제공되는데, 상기 버퍼 NPN트랜지스터(46)의 베이스는 트랜지스터(30)의 콜렉터에 결합되고, 컨덕터(44)와 출력 노드(20) 사이의 콜렉터-에미터 경로는 저항(48)과 직렬로 네가티브 공급원 컨덕터(38)에 결합된다.

본 발명의 개념은 (1) 포지티브 온도계수(TC)를 갖는 차 전압을 발생시키는 것, (2) 콜렉터 전류는 전대 온도에 따라 변화하는 크기를 갖는 트랜지스터(36)의 콜렉터 전류를 셋팅하기 위해 상기 차 전압을 이용하는 것, (3) 네가티브 TC를 갖는 전류를 저항(56)을 통해 발생시키기 위해 트랜지스터(36)의 네가티브 TC 베이스-에미터 전압강하, V_BE를 이용하는 것, (4) 조정가능한 전압값 및 온도계수를 갖는 결합 전압을 발생시키도록 노드(62)에서 상기 두 전류를 합하는 것으로 이루어진다.

트랜지스터(28), (30)를 다른 전류 밀도로 작동시킴으로써 차전압이 발생되는데, 즉, 상기 두 트랜지스터의 에미터 사이에 포지티브 차 전압 V_BE를 발생한다. 본 발명에 있어서, 트랜지스터(30)의 에미터 영역보다 트랜지스터(28)의 에미터 영역을 N배 크게 만들고(여기서 N은 양수), 또한 I₁을 I₂와 같은 셋팅함으로써 트랜지스터(28)는 트랜지스터(30) 보다 낮은 전류 밀도에서 작동된다. 만일, 저항(32)과 저항(34)이 동일하면, 트랜지스터(28)의 베이스-에미터와 저항(32)를 통해 발생되는 전압은 트랜지스터(30)의 베이스-에미터와 저항(34)을 통해 발생되는 전압과 같게 된다. 그러나, 트랜지스터(28)는 보다 낮은 전류 밀도에서 작동되므로 그 베이스-에미터 전압은 트랜지스터(30)의 베이스-에미터 전압보다 작게 되며, 상기 두 트랜지스터의 에미터 사이에서 상기 차 전압이 설정된다.

그러나 초기에는 트랜지스터(28)가 전류 I₁을 모두 싱크(sink)하고 다이오드처럼 작동하므로, 상기전압을 트랜지스터(30)에 셋팅한다. 트랜지스터(30)이 에미터는 트랜지스터(28)의 에미터 보다 1/N배 작은 크기이기 때문에, 트랜지스터(30)는 초기에 전류 I₂의 크기보다 작은 콜렉터 전류를 싱크하게 된다. 이렇게 함으로써 트랜지스터(30)의 콜렉터 전압이 상승하게 되고, 궤한 트랜지스터(46)가 도통된다. 그후 트랜지스터(46)는 트랜지스터(36)에 베이스 전류를 공급하고, 이로써 트랜지스터(30)를 흐르는 전류가 I₁과 동일한 전류 I₂와 같게 될 때까지 트랜지스터(30)의 에미터로부터 트랜지스터(36)의 콜렉터로 흐르는 전류 I_T를 싱크하도록 트랜지스터(36)가 도통된다. 트랜지스터(30)를 통해 흐르는 전류가 트랜지스터(28)를 통해 흐르는 전류와 같도록 함으로써, 회로 궤한 동작은 상기 두 트랜지스터의 에미터 사이에 차 전압을 발생시킨다. 이것은 트랜지스터(36)에 의해 싱크된 전류 I_T를 설정한다. 그러므로 상기로부터 정상 동작 조건에서 다음과 같이 나타낼 수 있다.

I₁R₃₂+V_BE28=V_BE30+(I₂-I_T)R₃₄

V_BE30-V_BE28=ΔV_BE

I₁R₃₂=I₂R₃₄이므로

I_T=ΔV_BER₃₄이다.

여기서 ΔV_BE(KT/q)1n N ;

K=볼쯔만 상수

T=절대온도

q=전자 전하량

그러므로 I_T는 열 전류인데 상기 열 전류의 크기는 R₃₄의 값에 의해 조정가능하게 셋팅될 수 있으며, 절대온도에 비례한다. NPN 트랜지스터(46)는 콜렉터 전류를 정확히 싱크하도록 트랜지스터(36)의 베이스를 바이어스 하는 궤환 전류를 제공한다. 트랜지스터(46)는 또한 트랜지스터(28), (30)의 작동에 영향을 미치지 않도록 전류 공급된 트랜지스터(14), (16), (18)의 팬 아웃 베이스 전류를 버퍼한다. 트랜지스터(46)내의 적정 바이서스 전류를 보장하기 위해 저항(32), (34)을 통해 흐르는 전류의 합계보다 큰 전류를 싱크하도록 저항(48)이 선택된다. 트랜지스터(36)의 에미터를 접지하고, 전류 공급원 트랜지스터(14), (16), (18)를 단자(20)에 결합함으로써 상기 트랜지스터(14), (16), (18)의 모든 콜렉터 전류는 I_T가 변화함에 따라 변화하는 열 전류가 조된다. 예를 들어, 상기 전류는 에미터 저항을 사용함으로써 혹은 에미터 영역 비율에 의해 소정의 필요한 크기를 갖도록 비율이 정해질 수 있다. 그러므로 트랜지스터(16)는 에미터 경로에 저항(49)을 갖추며, 트랜지스터(18)는 다수의 에미터를 갖는 것으로 도시되어 있다. 열 전류 공급원 셀(12)은 트랜지스터(28), (30)의 콜렉터-에미터 전압이 잘 정합되므로 전력 공급원 전압에서의 변화에 비교적 독립적인데, 이것은 상기 두 트랜지스터의 콜렉터-베이스 전압이 실질적으로 0과 같기 때문이다.

제2도를 참조하면, 열 전류 공급원(10)의 정밀도를 개선한 한쌍의 NPN 트랜지스터(50), (52)가 도시되어 있다.

전력공급원 컨덕터(44)와, 트랜지스터(28, 30)의 베이스 사이에 결합된 콜렉터-에미터 경로와, 전류 공급원(40)에 접속된 베이스를 갖는 트랜지스터(50)는 I₁과 I₂사이에 에러를 저감시키기 위해 트랜지스터(28, 39)로 흐르는 베이스 전류를 버퍼한다. 비슷하게, 전력 공급원 콘덕터(44)와 트랜지스터(46)의 베이스 사이에 결합된 콜렉터-에미터 경로와, 전류 공급원(42)에 접속된 베이스를 갖는 트랜지스터(52)는 트랜지스터(46)의 베이스 전류를 버퍼한다.

전류 공급원(10)에 관해 상기 개시한 개념을 이용하여 조정가능한 온도 계수를 갖는 출력 전류 I_OUT를 제공하는 열전류공급원(54)이 제3도에 도시되어 있다. 열 전류 공급원(54)은 기준 셀(12)의 트랜지스터(36)의 베이스와 에미터 사이에 결합된 추가적인 저항(56)을 포함한다. 그러므로 I_OUT는 다음과 같다.

I_OUT=I_T+V_BE36/R₅₆

I_OUT=ΔV_BE/R₃₄+V_BE36/R₅₆

여기서, V_BE36은 트랜지스터(36)의 베이스-에미터 전압이며, R₅₆은 저항(56)의 저항값이다.

V_BE는 포지티브 Tc를 갖고 V_BE36은 네가티브 Tc를 갖기 때문에, R₃₄와 R₅₆의 비율의 선택은 I_OUT의 출력을 포지티브, 혹은 네가티브 또는 제로로 셋팅할 수 있다. 트랜지스터(36)의 콜렉터 전류가 V_BE/R₃₄이므로 트랜지스터(36)의 V_BE는 잘 조정된다.

예를 들어, 저항(32), (34)은 트랜지스터(36)의 베이스에 상호 접속된 것으로 상기에서 설명되어 있다. 그러나, 트랜지스터(30)의 포화가 금지되는 한, 저항(32, 34)은 공통 노드에서 어떤 기준 전위 공급원에도 접속될 수 있음이 본 발명으로부터 명백하다. 또한 제2도에서 설명된 바와 같이 트랜지스터(52)는 트랜지스터(46)를 버퍼하는데 사용될 수 있음을 알 수 있다.

제4도는 상기 열 전류 공급원(54)를 포함하는 본 발명이 전압 조절기(60)를 나타낸다. 상기 양호한 실시예에서 출력노드(62)에 추가의 저항(64)이 직렬로 접속된다.

트랜지스터(30)의 콜렉터와 트랜지스터(46)의 베이스 사이에 결합된 베이스-에미터와, 컨덕터(44)에 결합된 콜렉터를 갖는 트랜지스터(52)는 또한 노드(66)에서 그 접속된 부하 장치에 공급된 부하전류에 영향을 미치지 않도록 트랜지스터(30)의 콜렉터를 버퍼한다. 또한 트랜지스터(52)는 두 트랜지스터(28), (30) 사이에 부정합을 방지하기 위해 트랜지스터(30)의 콜렉터 전압을 트랜지스터(28)의 콜렉터 전압과 같게 되도록 보장한다. 저항(68)은 트랜지스터(52)의 에미터와 출력단자(66) 사이에 접속되는데, 상기 출력단자(66)에서는 조절된 출력 전압 V_OUT이 발생된다. 결합 전압 V_OUT을 발생하도록 트랜지스터(36)의 V_BE와 결합된 전류 I_OUT에 비례하는 전압이 저항(64) 양단에서 발생된다. 그러므로 V_OUT은 다음과 같다.

V_OUT=V_BE36(1+R₆₄/R₅₆)+ΔV_BER₆₄/R₃₄

여기서, R₆₄는 저항(64)의 저항값이다. 그러므로, 저항 비율을 적당히 선택함으로써, V_OUT은 독립적으로 임의의 소정의 전압과 임의의 온도계수에 셋팅될 수 있다.

비록 상기 양호한 실시예에서는 V_OUT이 출력 노드(66)에서 취해졌지만, 상기 조절기의 출력 전압으로 사용될 수 있는 조절된 출력 전압이 노드(62)에서도 발생된다는 것을 알 수 있다.

비록 본 발명의 몇가지 실시예가 본 명세서에 상세하게 설명되어 있지만, 첨부한 특허청구의 범위를 벗어나지 않고 변형이 이루어질 수 있다는 것을 알 수 있다.

그러므로, 상기에서 설명된 새로운 전압 조절기는 조정 가능한 온도 계수를 갖는 열전류를 제공하기 위한 열전류 공급원을 구비하고, 상기 열 전류에 비례하는 전압을 발생시켜, 독자적으로 조절될 수 있는 온도계수 및 크기를 갖는 결합전압을 발생하기 위해 다른 온도계수의 전압과 상기 전압을 결합하는 수단을 구비한다.

Claims

직접 전압 조절기(60)로서, 소정의 온도계수를 차 전압을 발생하기 위해 다른 전류 밀도에서 작동되는 제1트랜지스터(28) 및 제2트랜지스터(30)와, 전류의 일부를 싱크하도록 상기 제2트랜지스터(30)의 에미터에 접속된 제1저항(34)과, 상기 2트랜지스터(30)의 에미터와 제1회로 노드(62) 사이에 접속된 콜렉터-에미터 경로를 갖는 제3트랜지스터(36) 및, 상기 제2트랜지스터(30) 및 제2회로 노드에 응답하는 궤환 회로 수단을 포함하는 열 전류 공급원 수단(12)과, 상기 제3트랜지스터(36)를 흐르는 전류의 온도 계수에 역으로 변화하는 온도 계수 및 소정의 크기를 갖는 전류를 상기 제1회로 노드(62)에 제공하기 위해, 상기 제2트랜지스터(36)의 에미터와 베이스 사이에 결합된 제2저항(56), 및 독립적으로 셋팅될 수 있는 크기 및 온도계수를 갖는 조절된 전압이 그 양단에 발생되도록, 상기 제3트랜지스터(36)와 상기 제2저항(56)을 흐르는 전류가 합류되는 상기 제1회로 노드(62)에 접속된 제3저항(64)를 구비하며, 상기 궤환 회로 수단은 상기 제2트랜지스터(30)에 응답하여 상기 제3트랜지스터(36)의 베이스에 피드백 신호를 공급하며, 이로써, 상기 제2트랜지스터(30)의 에미터로부터 소정 크기의 전류가 싱크되고, 상기 제3트랜지스터(36)를 흐르는 전류는 상기 소정의 온도 계수를 갖는 것을 특징으로 하는 집적 전압 조절기.
제1항에 있어서, 상기 제3트랜지스터(36)의 베이스를 상기 집적 전압 조절기(60)의 출력에 결합시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 전압 조절기.
제2항에 있어서, 상기 제3트랜지스터(36)의 베이스에서 상호 접속되는 상기 제1트랜지스터(28)의 에미터와 상기 제1저항(34) 사이에 제4저항(32)이 접속되는 것을 특징으로 하는 집적 전압 조절기.
제3항에 있어서, 상기 궤환 회로 수단은 상기 제2트랜지스터(30)의 콜렉터에 접속된 베이스 및 상기 제3트랜지스터(36)의 베이스와 제1전력 공급원 컨덕터(44) 사이에 콜렉터-에미터 경로를 갖는 제4트랜지스터(46)을 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 전압 조절기.
제4항에 있어서, 상기 제1전력 공급원 컨덕터(44)와 상기 제1 및 제2트랜지스터(28, 30)의 콜렉터들 사이에 결합되어 전류(I₁,I₂)를 공급하는 전류 공급원 수단(40, 42) 및, 상기 제1트랜지스터(28)의 콜렉터를 그 베이스에 접속시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 직접 전압 조절기.
제5항에 있어서, 상기 제1트랜지스터(28)의 에미터 영역은 상기 제2트랜지스터(30)의 에미터 영역보다 N배 크며, 여기서 N은 양수이고, 상기 궤환 회로 수단(36)은 상기 제1 및 제2트랜지스터(28, 30)에 의한 전류를 실질적으로 같게 만드는 것을 특징으로 하는 집적 전압 조절기.
열 전류 공급원 회로(10)로서, 각각의 콜렉터-에미터 도전 경로를 통해 전류가 흐르도록 배열되고 그 베이스들이 함께 결합된 제1 및 제2트랜지스터(28, 30)와, 상기 제2트랜지스터(30)의 에미터에 결합된 콜렉터 도전 경로를 갖는 제3트랜지스터(36)와, 상기 제1트랜지스터(28)를 흐르는 전류가 흐르게 될 때 제1저항(32) 및, 상기 제2트랜지스터(30)를 흐르는 전류의 일부가 또한 흐르게 될 제2저항(34) 및, 상기 제2트랜지스터(30)의 콜렉터와 상기 제3트랜지스터(36)의 베이스 사이에 결합되어, 상기 제2트랜지스터(30)로부터 전류를 싱크하도록 상기 제3트랜지스터(36)를 도전시키는 바이어스 전류를 공급하는 궤환 회로 수단을 포함하며, 상기 제2트랜지스터(30)를 흐르는 전류는 상기 제1트랜지스터(28)를 흐르는 전류에 대해 비율이 정해지고, 이로써, 상기 에미터들간에 소정의 TC를 갖는 전압 차를 발생시키며, 상기 제3트랜지스터(36)의 콜렉터 전류는 조절된 크기 및 상기 소정의 TC를 갖는 것을 특징으로 하는 열 전류 공급원 회로.
제7항에 있어서, 상기 제1저항(32) 및 상기 제2저항(34)의 상호 접속점은 상기 제3트랜지스터(36)의 베이스에 접속되며, 상기 궤환 회로 수단은 상기 제3트랜지스터(36)의 베이스에 결합된 에미터와, 제1전력 공급원 콘덕터(44)에 결합된 콜렉터와, 상기 제2트랜지스터(30)의 콜렉터에 결합된 베이스를 갖는 제4트랜지스터(46) 및, 상기 제4트랜지스터(46)의 에미터와 제2전력 공급원 컨덕터(38) 사이에 결합되어 상기 제4트랜지스터(46)로부터 소정의 전류를 싱크를 회로 수단(48)를 포함하는 것을 특징으로 하는 열 전류 공급원 회로.
제8항에 있어서, 상기 제1트랜지스터(28)의 에미터 영역이 상기 제2트랜지스터(30)의 에미터 영역보다 N배 크며, 여기서 N은 양수이고, 상기 제1트랜지스터(28)의 콜렉터를 그 베이스에 접속시키는 제1도전 수단과, 상기 제1 및 제2트랜지스터(28, 30)의 콜렉터들에 전류(I₁,I₂)를 공급하는 전류 공급원 수단(40, 42) 및, 상기 제3트랜지스터(36)의 에미터를 상기 제2전력 공급원 컨덕터(38)에 접속시키고 그 베이스를 상기 열 전류 공급원 회로(10)의 출력에 접속시키는 제2도전 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전류 공급원 회로.
제9항에 있어서, 상기 제2트랜지스터(30)의 콜렉터에 결합된 베이스와, 상기 제1전력 공급원 컨덕터(44)에 결합된 콜렉터 및, 상기 제4트랜지스터(46)의 베이스에 결합된 에미터를 갖는 제5트랜지스터(52)를 포함하며, 상기 제1도전 수단은 상기 제1트랜지스터(28)의 콜렉터에 결합된 베이스와, 상기 제1전력 공급원 컨덕터(44)에 결합된 콜렉터 및 상기 제1트랜지스터(28)의 베이스에 결합된 에미터를 갖는 제6트랜지스터(50)를 포함하는 것을 특징으로 하는 열 전류 공급원 회로.