CN114815950B - 电流产生电路、芯片及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提出一种电流产生电路、芯片及电子设备，该电流产生电路包括：第一电流产生电路，用于生成正温度系数电流；第二电流产生电路，与第一电流产生电路并联连接，用于生成无温度系数电流；第三电流产生电路，分别与第一电流产生电路和第二电流产生电路并联连接，生成负温度系数电流；第四电流产生电路，分别与第一电流产生电路、第二电流产生电路和第三电流产生电路连接，并基于正温度系数电流、无温度系数电流及负温度系数电流，生成混合温度系数电流。本申请提供的电流产生电路能够产生多种温度系数的温度电流，且结构简单实用。

Description

电流产生电路、芯片及电子设备

技术领域

本申请属于集成电路技术领域，具体涉及一种电流产生电路、芯片及电子设备。

背景技术

随着电子技术的不断发展，各种电子元件的应用越来越广泛，集成电路已应用在人们生活的方方面面。例如，电流产生电路(将直流电能转换为具有一定频率的交流电能)及集成该电路的芯片，在量测、自动控制、无线电通讯及遥控等许多领域均有着广泛应用。

但是，现有的电流产生电路的输出频率受温度的影响，可能会使输出频率较预期发生变化，从而导致振荡器输出频率不稳定及不准确等。

发明内容

本申请提出一种电流产生电路、芯片及电子设备，该电流产生电路能够产生多种温度系数的温度电流。

本申请第一方面实施例提出了一种电流产生电路，包括：

第一电流产生电路，用于生成正温度系数电流；

第二电流产生电路，与所述第一电流产生电路并联连接，用于生成无温度系数电流；

第三电流产生电路，分别与所述第一电流产生电路和所述第二电流产生电路并联连接，生成负温度系数电流；

第四电流产生电路，分别与所述第一电流产生电路、所述第二电流产生电路和所述第三电流产生电路连接，并基于所述正温度系数电流、所述无温度系数电流及所述负温度系数电流，生成混合温度系数电流。

在本申请一些实施例中，所述第一电流产生电路包括第一运放电路和第一电流开关；所述第一运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成正温度系数的电流；

所述第一电流开关与所述第一运放电路连接，用于控制所述正温度系数电流的输出。

在本申请一些实施例中，所述第一运放电路包括第一运放器、第一MOS管、第一电阻、第一三极管、第二MOS管、第二电阻、第三电阻及第二三极管；

所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极均连接供电电压，所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的漏极连接所述第一电阻，所述第二MOS管的漏极连接所述第二电阻；

所述第一三极管的集电极和所述第二三极管的集电极均接地，所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极连接，所述第一三极管的发射极与所述第一电阻连接，所述第二三极管的发射极与所述第三电阻连接；

所述第二电阻与所述第三电阻连接；

所述第一运放器的正向输入端连接在所述第二电阻和所述第三电阻之间，反向输入端连接所述第一三极管的发射极，输出端分别连接所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极。

在本申请一些实施例中，所述第一电流开关包括多个第三MOS管，每个第三MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第三MOS管的栅极均分别与所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极连接。

在本申请一些实施例中，所述第二电流产生电路包括第二运放电路和第二电流开关；所述第二运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成无温度系数的电流；

所述第二电流开关与所述第二运放电路连接，用于控制所述无温度系数电流的输出。

在本申请一些实施例中，所述第二运放电路包括第二运放器、第四MOS管、第五MOS管及第四电阻；

所述第四MOS管的源极连接供电电压，所述第四MOS管的漏极和栅极均连接所述第五MOS管的源极，所述第五MOS管的漏极连接所述第四电阻，且所述第四电阻接地；

所述第二运放器的正向输入端连接所述第五MOS管的漏极，反向输入端连接第二参考电压，输出端连接所述第五MOS管的栅极。

在本申请一些实施例中，所述第二电流开关包括多个第六MOS管，每个第六MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第六MOS管的栅极均分别与所述第四MOS管的栅极连接。

在本申请一些实施例中，所述第三电流产生电路包括第三运放电路和第三电流开关；所述第三运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成负温度系数的电流；

所述第三电流开关与所述第三运放电路连接，用于控制所述负温度系数电流的输出。

在本申请一些实施例中，所述第三运放电路包括第三运放器、第七MOS管、第八MOS管及第五电阻；

所述第七MOS管的源极连接供电电压，所述第七MOS管的漏极和栅极均连接所述第八MOS管的源极，所述第八MOS管的漏极连接所述第五电阻，且所述第五电阻接地；

所述第三运放器的正向输入端连接所述第八MOS管的漏极，反向输入端连接所述第二三极管的发射极，输出端连接所述第八MOS管的栅极。

在本申请一些实施例中，所述第三电流开关包括多个第九MOS管，每个第九MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第九MOS管的栅极均分别与所述第七MOS管的栅极连接。

在本申请一些实施例中，所述第四电流产生电路包括：

电流输入模块，分别与所述第一电流产生电路、所述第二电流产生电路及所述第三电流产生电路连接，用于接入所述正温度系数电流、所述无温度系数电流及所述负温度系数电流中的任意两种；

电流选择模块，与所述电流输入模块连接，根据所述电流输入模块接入的电流，确定所述混合温度系数电流在不同温度条件下的温度特性；

电流输出模块，与所述电流选择模块连接，用于输出所述混合温度系数电流。

在本申请一些实施例中，所述电流输入模块包括并联的正温度系数模块和其它温度系数模块，所述正温度系数模块用于接入正温度系数电流源，所述其它温度系数模块用于接入负温度系数电流源或者无温度系数电流源；

所述电流选择模块包括第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管及第十五MOS管；

所述第十MOS管，栅极接地，源极连接所述其它温度系数模块，漏极连接所述第十四MOS管的漏极和栅极；

所述第十一MOS管，源极连接所述其它温度系数模块，漏极连接所述第十五MOS管的漏极和栅极，栅极连接所述第十二MOS管；

所述第十二MOS管，源极连接所述正温度系数模块，漏极连接所述第十四MOS管的栅极；

所述第十三MOS管，源极连接所述正温度系数模块，漏极连接所述第十五MOS管的漏极和栅极，栅极连接所述第十MOS管的栅极；

所述第十四MOS管的源极接地，栅极连接所述电流输出模块；

所述第十五MOS管的源极接地。

在本申请一些实施例中，所述电流输出模块包括第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第六电阻及第四电流开关；

所述第十六MOS管，源极接地，栅极连接所述第十四MOS管的栅极，漏极分别连接所述第十七MOS管的栅极和所述第六电阻；

所述第六电阻另一端连接所述第十七MOS管的漏极；

所述第十七MOS管，源极连接所述第十八MOS管的漏极，漏极还分别连接所述第十八MOS管的栅极和所述第四电流开关；

所述第十八MOS管，源极连接供电电压，栅极还连接所述第四电流开关。

在本申请一些实施例中，所述第四电流开关包括多个第十九MOS管，每个第十九MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第十九MOS管的栅极均分别与所述第十八MOS管的栅极和所述第十七MOS管的漏极连接。

在本申请一些实施例中，还包括二分频电路，所述二分频电路连接所述信号生成电路的输出端，用于调整所述交流信号的占空比。

本申请第二方面的实施例提供了一种一种芯片，其上集成有第一方面所述的电流产生电路。

本申请第三方面的实施例提供了一种电子设备，应用第二方面的芯片。

本申请实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

本申请实施例提供的电流产生电路，包括四个子电流产生电路，分别用于生成正温度系数电流、无温度系数电流、负温度系数电流及混合温度系数电流，可以对振荡器电路的电流源进行任意种温度系数的补偿，以满足各种电子设备或集成电路的设计需求。且该混合温度系数电流基于另外三个子电流产生电路生成，优化了整体电流产生电路的结构，使得该电流产生电路的实用性和可实施性更强。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。

在附图中：

图1示出了本申请一实施例中电流产生电路的结构示意图；

图2示出了本申请一实施例中电流产生电路的部分结构示意图；

图3示出了本申请一实施例中第一电流产生电路的放大结构示意图；

图4示出了本申请一实施例中电流产生电路的另一部分结构示意图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本申请的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请的范围完整的传达给本领域的技术人员。

需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域技术人员所理解的通常意义。

现有相关技术中，电流源是振荡器电路的重要组成部分，电流源提供的电流会随温度的变化而变化，使得振荡器的输出频率也受到温度的影响，从而呈现一定的温度特性。但在实际应用中，振荡器所表现的温度特性，可能会使输出频率较预期发生变化，从而导致振荡器输出频率不稳定及不准确等。

为解决上述问题，本申请实施例提出的一种电流产生电路、芯片及电子设备。该电流产生电路包括四个子电流产生电路，分别用于生成正温度系数电流、无温度系数电流、负温度系数电流及混合温度系数电流，可以对振荡器电路的电流源进行任意种温度系数的补偿，以满足各种电子设备或集成电路的设计需求。且该混合温度系数电流基于另外三个子电流产生电路生成，优化了整体电流产生电路的结构，使得该电流产生电路的实用性和可实施性更强。

如图1和图2所示，为本申请实施例提供的电流产生电路，该电流产生电路包括：第一电流产生电路，用于生成正温度系数电流；第二电流产生电路，与第一电流产生电路并联连接，用于生成无温度系数电流；第三电流产生电路，分别与第一电流产生电路和第二电流产生电路并联连接，生成负温度系数电流；第四电流产生电路，分别与第一电流产生电路、第二电流产生电路和第三电流产生电路连接，并基于正温度系数电流、无温度系数电流及负温度系数电流，生成混合温度系数电流。

其中，正温度系数电流，电流的数值会随着温度的升高而上升；负温度系数电流，电流的数值会随着温度升高而电流下降；无温度系数电流，电流的数值不随着温度变化而上升或下降。

本实施例通过设置多个电流产生电路，使得该电流产生电路可以生成多种温度系数的电流，可以对信号生成电路的电流源进行任意温度系数的补偿，从而对任意温度系数的输出频率均可进行调节。

需要说明的是，本实施例对第一电流产生电路、第二电流产生电路、第三电流产生电路及第四电流产生电路的具体电路结构均不做具体限定，只要能生成各自对应的温度系数电流即可。

其中，如图2所示，第一电流产生电路包括第一运放电路和第一电流开关；第一运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成正温度系数的电流；第一电流开关与第一运放电路连接，用于控制正温度系数电流的输出。第二电流产生电路包括第二运放电路和第二电流开关；第二运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成无温度系数的电流；第二电流开关与第二运放电路连接，用于控制无温度系数电流的输出。第三电流产生电路包括第三运放电路和第三电流开关；第三运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成负温度系数的电流；第三电流开关与第三运放电路连接，用于控制负温度系数电流的输出。

如此，分别通过三个运放电路生成三种温度系数电流，且通过三个电流开关，使得各电路可独立控制，并可根据需要选择任意一个或多个运放电路，使得该振荡器电路的调节更加灵活、可靠。

具体地，第一运放电路包括第一运放器、第一MOS管、第一电阻、第二MOS管、第二电阻、第三电阻及第一三极管和第二三极管；第一MOS管的源极和第二MOS管的源极均连接供电电压，第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极连接，第一MOS管的漏极连接第一电阻，第二MOS管的漏极连接第二电阻；第一三极管的集电极和第二三极管的集电极均接地，第一三极管的基极和第二三极管的基极连接，第一三极管的发射极与第一电阻连接，第二三极管的发射极与第三电阻连接；第二电阻与第三电阻连接；第一运放器的正向输入端连接在第二电阻和第三电阻之间，反向输入端连接第一三极管的发射极，输出端分别连接第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极。

其中，各三极管可以但不限于为BJT管(Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管)，采用BJT管，其不仅能够起到集成开关的作用，有利于集成电路设计，还具有放大作用，可以进一步增大输出电流。

本实施例中，第一三极管和第二三极管分别记作BJT管A和BJT管nA，图图2和图3所示，两个BJT管两端的电压相同，且BJT管A和BJT管nA，分别连接电阻R1和R3。假设R3两端电压为ΔV，则图3中向第二电流产生电路输出的参考电压Vref(也是图4中的Vref)的表达式如下公式(1)，继而可得出下面公式(2)。

其中，Vbe是BJT管的基极到发射极的电压，是一个负温度系数的电压；而上述ΔV的温度特性与电阻R3一样，表现为正温度系数。则可通过设计公式(2)等于0，使得参考电压Vref输出为一个无温度系数的电压。

本实施例中，根据运放器的虚短和虚断的特性，使得运放器的两个输入端的电压相等，所以电流产生电路产生的电流源的温度特性，实际与运放器的反向输入端输入的电压的温度特性一致。该第一运放器的反向输入端输入的参考电压与电阻R1两端的电压成正比，与电阻R1一样，表现为正温度系数，使得第一电流产生电路输出正温度系数电流。

进一步地，如图3所示，第一电流开关包括多个第三MOS管，每个第三MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第三MOS管的栅极均分别与第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极连接。如此，设置多个第三MOS管，通过控制第三MOS管的导通数量，便可对第一电流产生电路输出的正温度系数电流的电流值进行调节。

在另一些实施方式中，第二运放电路包括第二运放器、第四MOS管、第五MOS管及第四电阻；第四MOS管的源极连接供电电压，第四MOS管的漏极和栅极均连接第五MOS管的源极，第五MOS管的漏极连接第四电阻，且第四电阻接地；第二运放器的正向输入端连接第五MOS管的漏极，反向输入端连接第二参考电压，输出端连接第五MOS管的栅极。

基于上述生成温度系数电流的原理，根据运放器的虚短和虚断的特性，使得运放器的两个输入端的电压相等，所以电流产生电路产生的电流源的温度特性，实际与运放器的反向输入端输入的电压的温度特性一致。本实施例中，第二运放器的反向输入端输入的参考电压不变，正向输入端输入的电压也不变，故表现为无温度系数，使得第二电流产生电路输出无温度系数电流。

进一步地，第二电流开关包括多个第六MOS管，每个第六MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第六MOS管的栅极均分别与第四MOS管的栅极连接。如此，设置多个第六MOS管，通过控制第六MOS管的导通数量，便可对第二电流产生电路输出的无温度系数电流的电流值进行调节。

在另一些实施方式中，第三运放电路包括第三运放器、第七MOS管、第八MOS管及第五电阻；第七MOS管的源极连接供电电压，第七MOS管的漏极和栅极均连接第八MOS管的源极，第八MOS管的漏极连接第五电阻，且第五电阻接地；第三运放器的正向输入端连接第八MOS管的漏极，反向输入端连接第二三极管的发射极，输出端连接第八MOS管的栅极。

基于上述生成温度系数电流的原理，即根据运放器的虚短和虚断的特性，使得运放器的两个输入端的电压相等，所以电流产生电路产生的电流源的温度特性，实际与运放器的反向输入端输入的电压的温度特性一致。本实施例中，第三运放器的正向输入端输入的电压不变，反向输入端输入的电压随着温度的升高，输入电压而降低，故表现为负温度系数，使得第三电流产生电路输出负温度系数电流。

进一步地，第三电流开关包括多个第九MOS管，每个第九MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第九MOS管的栅极均分别与第七MOS管的栅极连接。如此，设置多个第九MOS管，通过控制第九MOS管的导通数量，便可对第三电流产生电路输出的负温度系数电流的电流值进行调节。

在另一些实施方式中，如图4所示，第四电流产生电路包括：电流输入模块，分别与第一电流产生电路、第二电流产生电路及第三电流产生电路连接，用于接入正温度系数电流、无温度系数电流及负温度系数电流中的任意两种；电流选择模块，与电流输入模块连接，根据电流输入模块接入的电流，确定混合温度系数电流在不同温度条件下的温度特性；电流输出模块，与电流选择模块连接，用于输出混合温度系数电流。

本实施例通过电流输入模块接入上述第一电流产生电路、第二电流产生电路及第三电流产生电路生成的正温度系数电流、无温度系数电流及负温度系数电流，并通过电流选择模块选择混合温度系数电流在不同时段的温度特性，利用正温度系数电流、无温度系数电流及负温度系数电流中的任意两种，混合成一个带有不同电流特性的电流源，例如：Ictat和Iptat混合，低温的时候为负温度系数，而高温的时候为正温度系数。Icon和Iptat混合，低温的时候为无温度系数，而高温的时候为正温度系数。最后通过电流输出模块输出该混合温度系数电流。

需要说明的是，本实施例对电流输入模块、电流选择模块及电流输出模块的具体电路结构不做具体限定，只要其能实现上述相关功能即可。

具体地，电流输入模块可以包括并联的正温度系数模块和其它温度系数模块，正温度系数模块用于接入正温度系数电流源，其它温度系数模块用于接入负温度系数电流源或者无温度系数电流源。

相应地，如图4所示，电流选择模块包括第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管及第十五MOS管；第十MOS管，栅极接地，源极连接其它温度系数模块，漏极连接第十四MOS管的漏极和栅极；第十一MOS管，源极连接其它温度系数模块，漏极连接第十五MOS管的漏极和栅极，栅极连接第十二MOS管；第十二MOS管，源极连接正温度系数模块，漏极连接第十四MOS管的栅极；第十三MOS管，源极连接正温度系数模块，漏极连接第十五MOS管的漏极和栅极，栅极连接第十MOS管的栅极；第十四MOS管的源极接地，栅极连接电流输出模块；第十五MOS管的源极接地。如此，通过第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管及第十五MOS管，实现了混合温度系数电流在不同时段的温度特性选择。

本实施例中，当电流输入模块分别输入负温度系数电流Ictat和和正温度系数电流Iptat时，若温度降低(也可理解为低温时)，参考电压Vref左侧的电流变大，通过如图4所示的电路，电流流经第十MOS管后，流入第十四MOS管，再流入第十六MOS管，使输出电流Igen增大；若温度升高(也可理解为高温时)，参考电压Vref左侧的电流变大，通过如图4所示的电路，电流流经第十MOS管后，流入第十四MOS管，再流入第十六MOS管，使输出电流Igen增大。即，通过该选择模块，使得负温度系数电流Ictat和和正温度系数电流Iptat混合时，低温的时候表现为负温度系数，而高温的时候表现为正温度系数。

当电流输入模块分别输入无温度系数电流Icon和正温度系数电流Iptat时，若温度降低(也可理解为低温时)，虽然参考电压Vref右侧的电流变小，但是左侧的电流不变，所以流入第十四MOS管的电流不变，则整体输出电流Igen不变(输出电流与第十四MOS管的栅极连接)；若温度升高(也可理解为高温时)，参考电压Vref右侧的电流变大，通过如图4所示的电路，电流如第十三MOS管，再经过第十MOS管，流入第十四MOS管，再流入第十六MOS管，使输出电流Igen增大。即，通过该选择模块，使得无温度系数电流Icon和和正温度系数电流Iptat混合时，低温的时候表现为无温度系数，而高温的时候表现为正温度系数。

需要说明的是，本实施例提供的第四电流产生电路不限于生成上述两种混合温度系数的电流，只要是利用正温度系数电流、无温度系数电流及负温度系数电流中的任意两种，混合成一个带有不同电流特性的电流源，都属于本申请的保护范围。

具体地，电流输出模块包括第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第六电阻及第四电流开关；第十六MOS管，源极接地，栅极连接第十四MOS管的栅极，漏极分别连接第十七MOS管的栅极和第六电阻；第六电阻另一端连接第十七MOS管的漏极；第十七MOS管，源极连接第十八MOS管的漏极，漏极还分别连接第十八MOS管的栅极和第四电流开关；第十八MOS管，源极连接供电电压，栅极还连接第四电流开关。

本实施例通过设置第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第六电阻及第四电流开关，实现了混合温度系数电流的输出。

进一步地，第四电流开关包括多个第十九MOS管，每个第十九MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第十九MOS管的栅极均分别与第十八MOS管的栅极和第十七MOS管的漏极连接。如此，设置多个第十九MOS管，通过控制第十九MOS管的导通数量，便可对第四电流产生电路输出的混合温度系数电流的电流值进行调节。

需要说明的是，上述各MOS管中接地的通常为N型MOS管，连接供电电压的通常为P型MOS管。但本实施例可不限于此，例如，上述接地位置也可连接其它电源，则上述各MOS管可均采用P型MOS管。

基于上述相同的构思，本实施例还提供一种芯片，其上集成有上述任一项实施方式的电流产生电路。

本实施例提供的芯片，基于上述电流产生电路相同的构思，故至少能够实现上述能够实现的有益效果，且上述任意实施方式均可应用于本实施例提供的芯片中，在此不再赘述。

基于上述相同的构思，本实施例还提供一种是电子设备，该电子设备应用上述芯片。

具体地，该电子设备可以但不限于如生成时钟信号的振荡器，或者包含该振荡器的其它设备等。

本实施例提供的电子设备，应用上述的芯片，也基于上述电流产生电路相同的构思，故至少能够实现上述能够实现的有益效果，且上述任意实施方式均可应用于本实施例提供的电子设备中，在此不再赘述。

应该注意的是上述实施例对本申请进行说明而不是对本申请进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本申请的权利要求和说明书的范围当中。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来

在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的器件或步骤。位于器件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的器件。本申请可以借助于包括有若干不同器件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。

以上，仅为本申请较佳的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种电流产生电路，其特征在于，包括：

第一电流产生电路，用于生成正温度系数电流；

第二电流产生电路，与所述第一电流产生电路并联连接，用于生成无温度系数电流；

第三电流产生电路，分别与所述第一电流产生电路和所述第二电流产生电路并联连接，生成负温度系数电流；

第四电流产生电路，分别与所述第一电流产生电路、所述第二电流产生电路和所述第三电流产生电路连接，并基于所述正温度系数电流、所述无温度系数电流及所述负温度系数电流，生成混合温度系数电流；

所述第四电流产生电路包括电流选择模块，所述电流选择模块包括第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管及第十五MOS管；

所述第十MOS管，栅极接地，源极接入所述无温度系数电流或者所述负温度系数电流，漏极连接所述第十四MOS管的漏极和栅极；

所述第十一MOS管，源极接入负温度系数电流源或者无温度系数电流源，漏极连接所述第十五MOS管的漏极和栅极，栅极连接所述第十二MOS管的栅极；

所述第十二MOS管，源极接入所述正温度系数电流，漏极连接所述第十四MOS管的栅极；

所述第十三MOS管，源极接入所述正温度系数电流，漏极连接所述第十五MOS管的漏极和栅极，栅极连接所述第十MOS管的栅极；

所述第十四MOS管的源极接地，栅极形成所述混合温度系数电流；

所述第十五MOS管的源极接地。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电流产生电路包括第一运放电路和第一电流开关；所述第一运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成正温度系数的电流；

所述第一电流开关与所述第一运放电路连接，用于控制所述正温度系数电流的输出。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一运放电路包括第一运放器、第一MOS管、第一电阻、第一三极管、第二MOS管、第二电阻、第三电阻及第二三极管；

所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极均连接供电电压，所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的漏极连接所述第一电阻，所述第二MOS管的漏极连接所述第二电阻；

所述第一三极管的集电极和所述第二三极管的集电极均接地，所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极连接，所述第一三极管的发射极与所述第一电阻连接，所述第二三极管的发射极与所述第三电阻连接；

所述第二电阻与所述第三电阻连接；

所述第一运放器的正向输入端连接在所述第二电阻和所述第三电阻之间，反向输入端连接所述第一三极管的发射极，输出端分别连接所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一电流开关包括多个第三MOS管，每个第三MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第三MOS管的栅极均分别与所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极连接。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二电流产生电路包括第二运放电路和第二电流开关；所述第二运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成无温度系数的电流；

所述第二电流开关与所述第二运放电路连接，用于控制所述无温度系数电流的输出。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述第二运放电路包括第二运放器、第四MOS管、第五MOS管及第四电阻；

所述第四MOS管的源极连接供电电压，所述第四MOS管的漏极和栅极均连接所述第五MOS管的源极，所述第五MOS管的漏极连接所述第四电阻，且所述第四电阻接地；

所述第二运放器的正向输入端连接所述第五MOS管的漏极，反向输入端连接第二参考电压，输出端连接所述第五MOS管的栅极。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述第二电流开关包括多个第六MOS管，每个第六MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第六MOS管的栅极均分别与所述第四MOS管的栅极连接。

8.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第三电流产生电路包括第三运放电路和第三电流开关；所述第三运放电路的一端连接供电电压，另一端接地，用于生成负温度系数的电流；

所述第三电流开关与所述第三运放电路连接，用于控制所述负温度系数电流的输出。

9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，所述第三运放电路包括第三运放器、第七MOS管、第八MOS管及第五电阻；

所述第七MOS管的源极连接供电电压，所述第七MOS管的漏极和栅极均连接所述第八MOS管的源极，所述第八MOS管的漏极连接所述第五电阻，且所述第五电阻接地；

所述第三运放器的正向输入端连接所述第八MOS管的漏极，反向输入端连接所述第二三极管的发射极，输出端连接所述第八MOS管的栅极。

10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，所述第三电流开关包括多个第九MOS管，每个第九MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第九MOS管的栅极均分别与所述第七MOS管的栅极连接。

11.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第四电流产生电路还包括电流输入模块和电流输出模块；

所述电流输入模块，分别与所述第一电流产生电路、所述第二电流产生电路及所述第三电流产生电路连接，用于接入所述正温度系数电流、所述无温度系数电流及所述负温度系数电流中的任意两种；

电流输出模块与所述电流输入模块连接，用于输出所述混合温度系数电流。

12.根据权利要求11所述的电路，其特征在于，所述电流输入模块包括并联的正温度系数模块和其它温度系数模块，所述正温度系数模块用于接入正温度系数电流源，所述其它温度系数模块用于接入负温度系数电流源或者无温度系数电流源。

13.根据权利要求12所述的电路，其特征在于，所述电流输出模块包括第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第六电阻及第四电流开关；

所述第十六MOS管，源极接地，栅极连接所述第十四MOS管的栅极，漏极分别连接所述第十七MOS管的栅极和所述第六电阻；

所述第六电阻另一端连接所述第十七MOS管的漏极；

所述第十七MOS管，源极连接所述第十八MOS管的漏极，漏极还分别连接所述第十八MOS管的栅极和所述第四电流开关；

所述第十八MOS管，源极连接供电电压，栅极还连接所述第四电流开关。

14.根据权利要求13所述的电路，其特征在于，所述第四电流开关包括多个第十九MOS管，每个第十九MOS管的源极均连接供电电压，漏极用作电流输出；且每个第十九MOS管的栅极均分别与所述第十八MOS管的栅极和所述第十七MOS管的漏极连接。

15.一种芯片，其特征在于，其上集成有权利要求1-14任一项所述的电流产生电路。

16. 一种电子设备 ，其特征在于，应用权利要求15所述的芯片。