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KR950005965B1 - 광자기 기록 매체 - Google Patents

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  • Inorganic Chemistry (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

광자기 기록 매체
제1도는 종래 광자기 기록 매체의 구조도.
제2도는 본 발명의 광자기 기록 매체의 구조도.
제3도는 자계 감도 특성을 나타낸 그래프.
제4도는 내산화성 특성을 나타낸 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : PC기판 2, 4 : 보호막
5 : 반사막 6 : 기록막
본 발명은 광자기 기록 매체에 관한 것으로, 특히 기록막 조성물에 크롬(Cr)을 첨가하여 외부자계에 대한 기록 감도를 향상시킴과 함께 내산화성을 증대시키는 것에 관한 것이다.
현재, 고밀도 대용량의 기록 매체에 대한 요구가 증대됨에 따라 각광을 받고 있는 것 중의 하나가 광자기 디스크이다. 그러나 제1세대 광자기 디스크는 기록시에 먼저 소거 과정을 거친 후 제기록하는 방식이기 때문에 제기록용 CD(Compact Disk), 이미지 처리용 정보기록, 고속화를 요하는 응용분야에서는 사용이 제한을 받아왔다.
따라서, 소거 과정이 필요없이 직접 기록이 가능한 제2세대 광자기 디스크로 중첩쓰기형 광자기 디스크가 개발되고 있는데, 여기서는 광을 변조하고 일정한 외부자장을 이용하는 광변조형과 외부 자장만을 변조하는 자계 변조용으로 구분된다.
이중 기존의 기술을 쉽게 이용할 수 있다는 용이성때문에 자계 변조형에 대한 연구가 집중되고 있는데 핵심되는 기술로는 기록막이 작은 외부 자장에서도 반응하여 기록이 쉽게 되어야 하는 것이다.
즉, 기존의 정보기록은 외부에서 원하는 방향으로 200~300Oe 정도의 자장에서 반응하였으나, 중첩쓰기를 가능하게 하기 위해서는 약 100Oe 이하의 작은 외부 자계에서도 기록이 가능하여야 한다.
그 이유는 자장의 크기에 따라 소모되는 power가 달라지게 되는데 power소모는 외부 자장세기(H), 헤드와 디스크 사이의 거리(h)의 제곱근 및 변조수(frequency)에 비례한다.
즉, 변조수와 h는 시스템 설계상의 제약조건이므로 H를 제어하여야만 하는데 H를 줄일수록 드라이브(Drive) 마진이 높아진다.
종래의 자계 변조형 중첩쓰기 광자기 디스크구조는 제1도에 나타난 바와같이, PC(poly carbonate)기판(1)위에 질화물계(SiNx 또는 AIN)를 이용하여 보호막(2)이 형성된다. 이때 SiNx막은 스퍼터링 법으로 제작되는데 Si타겟(target)을 사용하고 Ar가스와 N2가스를 주입하면서 RF power를 인가시켜 성막한다.
이렇게 성막된 SiNx막은 통상 보호막과 기록신호로 검출되는 Kerr-회전막을 증폭하는 기능으로 사용된다.
상기한 보호막(2)위에 자기광 효과에 의해 실제기록 Bit가 소거, 기록,재생되는 부분으로 회토류-천이 금속(RE-TM)계인 DyTbFeCo, TbFeCo, GdFeCo, GdTbFeCo 등으로 된 기록막(3)이 형성된다.
그리고 기록막(3) 위에 상기한 보호막과 같은 재질로서 보호막(4)을 형성하고, 그위에 Al로된 반사막(5)이 형성된다.
이와같이 구성된 광자기 디스크는 기록시 외부에서 인가해주는 변조자장을 120 Oe이상으로 크게 해야 하므로 외부자장의 제곱에 비례하는 power소모가 커서 시스템(Drive 등) 구성상에 제약조건이 되며, 회토류-천이금속의 산화에 대한 열화문제가 있어 내산화성을 높일 필요가 있다.
이에 본 발명의 기존의 기록막 조성물에는 크롬을 첨가시켜 자계감도를 향상시킴과 함께 내산화성 증대시키고자 하는데 그 목적이 있다.
이하 본 발명을 설명한다.
본 발명은 기판상에 보호막, 기록막, 보호막, 반사막과 같은 4층 구조를 갖는 광자기 기록매체에 있어서, 기록막을 조성한 회토류-천이금속에 크롬(Cr)을 첨가하여서 된 것이다.
이때 기록막의 조성범위는 (TbDy)28-x(FeCo)72Crx의 산식으로서 x의 범위는 5~12at%로 이루어진다.
제2도는 본 발명의 광자기 디스크 구조도로서, 4층을 이루는 전체의 구조는 제1도인 종래와 같으나, 기존의 기록막을 이루는 회토류-천이 금속이 Cr을 첨가한 것이 본 발명의 기록막(6)이다.
이와같은 기록막은 기존의 DyTbFeCo 타겟(target)과 Cr타겟을 Co-sputtering 법을 이용하여 DyTbFeCoCr의 혼합조성막을 형성시킨다. 이때 기록막의 두께는 100-300Å으로 한다.
본 발명에 첨가되는 Cr은 Tb 또는 Dy와 결합하여 Tb 및 Dy의 수직자기 이방성을 낮게 해주는 역할을 하여 외부자계에 대한 감도를 향상시켜 주므로서 약 70 Oe의 약한 외부자계에서도 제3도와 같이 자화가 반전되는 효과를 얻을 수 있다.
또한, Cr은 내식성이 우수한 물질로 회토류-천이금속과 결합하여 TbDyFeCoCr이 되었을 경우 Tb의 산화를 방지해주므로서 제4도에 나타난 바와같이 내산화성을 향상시킬 수 있다.
상기와 같은 조성물로된 기록막을 가진 본 발명은 기존의 중첩쓰기 광자기 디스크보다 외부자계 감도가 뛰어난 낮은 외부 자계에서도 소거/기록이 가능하여 시스템(Drive 등)에 대한 높은 자계 Margin을 갖고 있으며 또한 낮은 자계에서도 동작이 가능하므로 Drive의 전력 소모도 경감시킬 수 있는 효과를 가지므로 음악용 MD(Mini Disk)와 같은 휴대용 장치에서 전력소모를 극소화시킬 수 있는 장점을 가지고 있다. 또한, Cr에 의해 기록막의 내산화성이 우수해지므로 신뢰성이 높은 Disk의 제조가 가능하다.

Claims (2)

  1. 기판상에 보호막/기록막/보호막/반사막의 적층구조를 갖는 광자기 기록매체에 있어서, 기록막의 조성이 (TbDy)28-x(FeCo)72Crx이고, X는 5-12at%인 것을 특징으로 하는 광자기 기록매체.
  2. 제1항에 있어서, 기록막의 두께 100-300Å임을 특징으로 하는 광자기 기록매체.
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