[go: up one dir, main page]

KR950004514A - 기판에 표식하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

기판에 표식하기 위한 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950004514A
KR950004514A KR1019940015169A KR19940015169A KR950004514A KR 950004514 A KR950004514 A KR 950004514A KR 1019940015169 A KR1019940015169 A KR 1019940015169A KR 19940015169 A KR19940015169 A KR 19940015169A KR 950004514 A KR950004514 A KR 950004514A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
gas
current
gap
holder
Prior art date
Application number
KR1019940015169A
Other languages
English (en)
Inventor
예 얀
굽타 아난드
에스. 유리트스키 유리
Original Assignee
제임스 조셉 드롱
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제임스 조셉 드롱, 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 제임스 조셉 드롱
Publication of KR950004514A publication Critical patent/KR950004514A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67282—Marking devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H01J37/3045—Object or beam position registration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

기판에 표식하기에 적당한 장치는, 기판을 고정하기 위한 홀더 및 기판을 전기적으로 접지하기 위한 접지를 포함한다. 적어도 하나의 바늘전극은 기판에 근접해 위치한 팁을 가지며, 따라서 기판 및 팁 사이에 갭이 있게 된다. 고전압 소스는 전극팁에 전류를 제공하여 갭속의 가스를 이온화시키고, 따라서 이온화된 가스는 기판에 충돌하여 표식을 형성할 수 있다.

Description

기판에 표식하기 위한 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도는 본 발명의 표식장치의 도식도, 제1b도는 제1a도의 표식장치의 또다른 버젼에 대한 도식도, 제2도는 제1도의 장치를 사용하여 표시된 기판.

Claims (27)

  1. 기판에 표식하기 위한 장치에 있어서, (a) 기판을 고정하는 홀더; (b) 기판을 전기적으로 접지하기 위한 접지; (c) 기판이 홀더에 고정되었을 때, 전극팁 및 기판이 그 사이에 갭을 한정하도록 홀더에서 떨어져 근접해 있는 팁을 가진 적어도 하나의 바늘전극; (d) 갭에 있는 가스를 이온화시켜, 상기 이온화된 가스가 기판에 충돌하여 표식하도록 전극팁에 전류를 공급하기 위한 고전압 소스로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 장치.
  2. 제1항에 있어서, 접지가 홀더에 접촉하여 전기적으로 홀더를 접지시키는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 장치.
  3. 제1항에 있어서, 홀더는 관통하는 구멍이 있고, 접지는 홀더에 있는 구멍을 통하여 기판을 접촉할 수 있는 전기적으로 접지된 핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 장치.
  4. 제1항에 있어서, 기판에 다수의 표식을 동시에 형성하도록 다수의 바늘전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 표시하기 위한 장치.
  5. 제1항에 있어서, 추후 가스를 갭에 전달하기 위한 가스전달장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 장치.
  6. 제5항에 있어서, 가스전달장치는 충분한 고압으로 가스를 제공하여 표식 과정에서 형성된 오염물을 불어내버릴 수 있는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 장치
  7. 제6항에 있어서, 가스전달장치는 가스가 갭을 향하도록 하는 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 장치.
  8. 제1항에 있어서, 갭은 약 100㎜ 이하의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 장치.
  9. 제8항에 있어서, 갭은 약 10㎜ 이하의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 장치.
  10. 제1항에 있어서, 고전압 소스는 약 1,000 volts 내지 약 10,000 volts의 전압을 제공할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 장치.
  11. 제10항에 있어서, 고전압 소스는 약 2,000 volts 내지 약 6,000 volts의 전압을 제공할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 장치.
  12. 제10항에 있어서, 고전압 소스는 약 1㎂내지 약 50㎂의 전류를 제공하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 장치.
  13. 제12항에 있어서, 고전압 소스는 약 1㎂내지 약 10㎂의 전류를 제공하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 장치.
  14. 기판에 표식하기 위한 방법에 있어서, (a) 안에 가스를 가진 전극팁 및 기판 사이의 갭이 생기도록 기판에 근접하게 적어도 하나의 바늘전극의 팁을 위치시키는 단계; (b) 기판에 대해 전기적으로 바늘전극을 바이어스시키는 단계; (c) 전극팁을 통해 충분한 고전압을 가진 전류를 통과시켜서 갭 사이에 있는 가스를 이온화시키고, 그 결과 이온화된 가스가 기판에 충돌해서 표식을 내게 하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 방법.
  15. 제14항에 있어서, 전기적으로 바이어스시키는 단계는 기판을 전기적으로 접지하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 방법.
  16. 제15항에 있어서, 기판을 전기적으로 접지시키는 단계는 전기적으로 접지된 홀더에 기판을 위치시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 방법.
  17. 제15항에 있어서, 전기적으로 기판을 접지시키는 단계는 전기적으로 접지된 핀과 기판을 접촉시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 방법.
  18. 제14항에 있어서, 추후 갭속으로 가스를 도입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 방법.
  19. 제18항에 있어서, 갭속에 가스를 도입하는 단계는 충분한 압력으로 가스를 도입하여 상기 표식방법에 의해 형성된 오염물을 불어버리는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 방법.
  20. 제18항에 있어서, 갭속에 가스를 도입하는 단계는 Ar, Xe 및 He로 구성된 그룹에서 선택된 가스를 도입하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 방법.
  21. 제18항에 있어서, 갭속에 가스를 도입하는 단계는 O2, O3, F2, CI2, Br2, BCI3, SF6, CF4및 C2F6으로 구성된 그룹에서 선택된 가스를 도입하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 방법.
  22. 제14항에 있어서, 기판에 근접하게 바늘전극의 팁을 위치시키는 단계는 기판에서 약 100㎜ 이하의 거리에 전극을 위치시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 방법.
  23. 제22항에 있어서, 기판에 근접하게 바늘전극의 팁을 위치시키는 단계는 기판에서 약 10㎜ 이하의 거리에 전극을 위치시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 방법.
  24. 제14항에 있어서, 바늘전극팁을 통하여 전류를 통과시키는 단계는 약 1,000volts 내지 약 10,000volts의 전압을 가진 전류를 통과시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 방법.
  25. 제24항에 있어서, 바늘전극팁을 통하여 전류를 통과시키는 단계는 약 2,000volts 내지 약 6,000volts의 전압을 가진 전류를 통과시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 방법.
  26. 제24항에 있어서, 바늘전극팁을 통하여 전류를 통과시키는 단계는 약 1㎂ 내지 약 50㎂의 전류를 통과시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 방법.
  27. 제26항에 있어서, 바늘전극팁을 통하여 전류를 통과시키는 단계는 약 1㎂ 내지 약 10㎂의 전류를 통과시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 표식하기 위한 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940015169A 1993-07-19 1994-06-29 기판에 표식하기 위한 방법 및 장치 KR950004514A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8/094,653 1993-07-19
US08/094,653 US5474640A (en) 1993-07-19 1993-07-19 Apparatus for marking a substrate using ionized gas

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950004514A true KR950004514A (ko) 1995-02-18

Family

ID=22246394

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940015169A KR950004514A (ko) 1993-07-19 1994-06-29 기판에 표식하기 위한 방법 및 장치

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5474640A (ko)
JP (1) JPH07169821A (ko)
KR (1) KR950004514A (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3521587B2 (ja) * 1995-02-07 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 基板周縁の不要物除去方法及び装置並びにそれを用いた塗布方法
US5985680A (en) * 1997-08-08 1999-11-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for transforming a substrate coordinate system into a wafer analysis tool coordinate system
US6037259A (en) * 1998-05-11 2000-03-14 Vanguard International Semiconductor Corporation Method for forming identifying characters on a silicon wafer
JP2002190504A (ja) * 2000-12-22 2002-07-05 Umc Japan マーク形成方法、マーク形成装置および解析装置
KR100765539B1 (ko) * 2001-05-18 2007-10-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 화학기상 증착장비
US6936546B2 (en) * 2002-04-26 2005-08-30 Accretech Usa, Inc. Apparatus for shaping thin films in the near-edge regions of in-process semiconductor substrates

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3428872A (en) * 1965-07-31 1969-02-18 Hitachi Ltd Body comprising a mark for indirect detection of an objective part and method of detecting the position of said objective part
US3583561A (en) * 1968-12-19 1971-06-08 Transistor Automation Corp Die sorting system
US3783044A (en) * 1971-04-09 1974-01-01 Motorola Inc Photoresist keys and depth indicator
US4316093A (en) * 1979-02-12 1982-02-16 International Business Machines Corporation Sub-100A range line width pattern fabrication
JPS5827663B2 (ja) * 1979-06-04 1983-06-10 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
CH643397A5 (de) * 1979-09-20 1984-05-30 Ibm Raster-tunnelmikroskop.
US4382186A (en) * 1981-01-12 1983-05-03 Energy Sciences Inc. Process and apparatus for converged fine line electron beam treatment of objects
JPS582018A (ja) * 1981-06-26 1983-01-07 Toshiba Corp ウエハ及び半導体装置の製造方法
EP0136364B1 (de) * 1983-09-23 1988-07-20 Ibm Deutschland Gmbh Verfahren und Anordnung zum selektiven, selbstjustierten Aufbringen von Metallschichten und Verwendung des Verfahrens
US4550257A (en) * 1984-06-29 1985-10-29 International Business Machines Corporation Narrow line width pattern fabrication
US4610774A (en) * 1984-11-14 1986-09-09 Hitachi, Ltd. Target for sputtering
US4785189A (en) * 1985-04-29 1988-11-15 International Business Machines Corporation Method and apparatus for low-energy scanning electron beam lithography
US4724318A (en) * 1985-11-26 1988-02-09 International Business Machines Corporation Atomic force microscope and method for imaging surfaces with atomic resolution
EP0273351B1 (en) * 1986-12-26 1993-05-05 Seiko Instruments Inc. Apparatus for repairing a pattern film
JP2710935B2 (ja) * 1987-08-08 1998-02-10 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2569139B2 (ja) * 1988-08-24 1997-01-08 株式会社日立製作所 イオンビーム加工方法
US4874459A (en) * 1988-10-17 1989-10-17 The Regents Of The University Of California Low damage-producing, anisotropic, chemically enhanced etching method and apparatus
US5062364A (en) * 1989-03-29 1991-11-05 Presstek, Inc. Plasma-jet imaging method
KR0177148B1 (ko) * 1989-05-16 1999-04-15 고스기 노부미쓰 웨이퍼 얼라인먼트 마크 및 그 제조방법
JPH0687003B2 (ja) * 1990-02-09 1994-11-02 株式会社日立製作所 走査型トンネル顕微鏡付き走査型電子顕微鏡
US5091052A (en) * 1990-10-01 1992-02-25 Presstek, Inc. Method for producing individualized labels
US5047649A (en) * 1990-10-09 1991-09-10 International Business Machines Corporation Method and apparatus for writing or etching narrow linewidth patterns on insulating materials
JP2831847B2 (ja) * 1990-11-29 1998-12-02 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5149404A (en) * 1990-12-14 1992-09-22 At&T Bell Laboratories Fine line scribing of conductive material

Also Published As

Publication number Publication date
US5474640A (en) 1995-12-12
US5628870A (en) 1997-05-13
JPH07169821A (ja) 1995-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6407382B1 (en) Discharge ionization source
EP2295959B1 (en) Ionization analysis method and device
US4390774A (en) Method and apparatus for treating electrically non-conductive workpieces
DE69617645D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zu filtern von Makropartikeln aus einem Plasmastrahl
KR870009766A (ko) 정전 분무장치
AR002569A1 (es) Un instrumento electroquirurgico, el aparato que contiene al mismo y metodo electroquirugico de tratamiento de tejido.
SE8804447D0 (sv) Anordning vid en koronaurladdningsanordning foer avlaegsnande av vid urladdningen alstrade skadliga aemnen
WO2003018878A3 (en) Segmented counterelectrode for an electrolytic treatment system
ES2175029T3 (es) Cabezal para la expulsion de liquido, dispositivo para la expulsion de liquido y metodo para la expulsion de liquido.
KR950004514A (ko) 기판에 표식하기 위한 방법 및 장치
WO2002001930A3 (en) Electrostatic methods and apparatus for mounting and demounting particles from a surface having an array of tacky and non-tacky areas
ATE211072T1 (de) Apparat und verfahren zum ausstossen
ATE104495T1 (de) Vorrichtung zur beseitigung elektrostatischer ladungen.
GB2285604A (en) Method and system for drop marking and a drop deflector for use therewith
KR900003701A (ko) 기록부재로부터의 유체토너 진공제거장치
ATE250289T1 (de) Überspannungsschutzelement
ATE396790T1 (de) Direkter auftrag von metallischen leitermustern auf isolierflächen
FR2654294B1 (fr) Torche a plasma a amorcage par court-circuit.
DE3688056D1 (de) Blitzableiter.
ATE77512T1 (de) Druckgasschalter fuer hoch- oder mittelspannung mit von der lichtbogenenergie entnommener ausschaltenergie.
US4740799A (en) Liquid applicator
US4013004A (en) Ink mist type high speed printer
KR900019076A (ko) 일렉트릿과 그 일렉트릿의 제조 방법 및 장치
DE59800427D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Innenbeschichtung eines Metallrohres
ATE70926T1 (de) Vorrichtung zum veraendern des statischen, elektrischen potentials durch koronaentladung an der aus isoliermaterial gebildeten oberflaeche eines bewegten elements.

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19940629

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid