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KR940026953A - 반도체 메모리 장치 - Google Patents

반도체 메모리 장치 Download PDF

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Publication number
KR940026953A
KR940026953A KR1019940007671A KR19940007671A KR940026953A KR 940026953 A KR940026953 A KR 940026953A KR 1019940007671 A KR1019940007671 A KR 1019940007671A KR 19940007671 A KR19940007671 A KR 19940007671A KR 940026953 A KR940026953 A KR 940026953A
Authority
KR
South Korea
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voltage
memory device
semiconductor memory
bit line
field effect
Prior art date
Application number
KR1019940007671A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0132006B1 (ko
Inventor
우찌다 도시야
Original Assignee
세끼사와 다까시
후지쓰 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세끼사와 다까시, 후지쓰 가부시끼가이샤 filed Critical 세끼사와 다까시
Publication of KR940026953A publication Critical patent/KR940026953A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0132006B1 publication Critical patent/KR0132006B1/ko

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Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract

반도체 메모리장치는 각각 공핍형 필드효과 트랜지스터와 직렬로 접속된 캐퍼시터를 갖는 메모리셀, 상기 메모리셀에 접속된 비트라인, 비트라인의 전위를 증폭하는 증폭유니트, 및 증폭유니트에 의해 비트라인에 인가된 전압을 제한하는 전압제어 유니트를 포함한다.

Description

반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 제1 실시예의 회로도.

Claims (15)

  1. 공핍형 필드효과 트랜지스터와 직렬로 접속된 캐퍼시터를 갖는 메모리셀, 상기 메모리셀에 접속된 비트라인, 비트라인의 전위를 증폭하는 증폭수단, 및 증폭수단에 의해 비트라인에 인가된 전압을 소정장치로 제한하는 전압제어수단으로 구성되는 반도체 메모리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소정치의 절대치가 상기 공핍형 필드효과 트랜지스터의 임계전압 이상인 반도체 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 공핍형 필드효과 트랜지스터가 N채널형을 갖고, 전압제한수단이 P채널 필드효과 트랜지스터로 구성되는 반도체 메모리장치.
  4. 제1항에 있어서, 공핍형 필드효과 트랜지스터가 메모리 셀을 비트라인에 접속할때 비트라인에 인가된 전압과 같은 전압을 갖는 선택신호를 수신하는 게이트를 갖는 반도체 메모리장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전압제한수단이 상기 소정치에 의해 비트라인에 인가된 전압을 제한하는 수단으로 구성되는 반도체 메모리장치.
  6. 제1항에 있어서, 비트라인에 인가된 전압이 접지전위와 같고, 상기 공핍형 필드 효과 트랜지스터가 접지전위에 설정된 기판으로 구성되는 반도체 메모리장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 공핍형 필드효과 트랜지스터 P채널형을 갖고, 상기 전압제한수단이 N형 필드효과 트랜지스터로 구성되는 반도체 메모리장치.
  8. 제7항에 있어서, 공핍형 필드효과 트랜지스터가 메모리셀을 비트라인을 접속할때 비트라인에 인가된 전압과 같은 선택신호를 수신하는 게이트를 갖는 반도체 메모리장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 전압제한수단이 상기 소정치에 의해 비트라인에 인가된 전압을 제한하는 수단으로 구성되는 반도체 메모리장치.
  10. 제7항에 있어서, 비트라인에 인가된 전압이 접지전위와 같고, 상기 공핍형 필드 효과 트랜지스터가 접지전위에 설정된 기판을 갖는 반도체 메모리장치.
  11. 제3항에 있어서, 상기 전압제한수단의 P채널 필드효과 트랜지스터가 공핍형 필드 트랜지스터의 임계전압 이상인 임계전압을 갖는 반도체 메모리장치.
  12. 제7항에 있어서, 상기 N채널 필드효과 트랜지스터가 공핍형 필드효과 트랜지스터의 임계전압 이상인 임계전압을 갖는 반도체 메모리장치.
  13. 제1항에 있어서, 공핍형 필드효과 트랜지스터가 선택되지 않을 비트라인에 인가된 전압 이하인 전압을 수신하는 게이트를 갖는 반도체 메모리장치.
  14. 제1항에 있어서, 전압 이하인 소정의 전압 사이에 전압제한수단을 거쳐 비트라인의 전위를 감지하는 감지증폭기로 더 구성되는 반도체 메모리장치.
  15. 제1항에 있어서, 반도체 메모리장치가 비트라인에 메모리셀을 선택적으로 접속하는 스위치수단으로 더 구성되며, 상기 전압제어수단이 소정치로 증폭기 수단에 의해 비트라인에 인가된 제 1 전압 또는 제2전압중 어느하나를 제한하고 제한된 전압을 스위치 수단에 인가하는 수단으로 구성되고, 제1전압이 제2전압보다 높은 반도체 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개한는 것임.
KR1019940007671A 1993-05-20 1994-04-12 반도체 메모리 장치 KR0132006B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5118666A JPH06333386A (ja) 1993-05-20 1993-05-20 半導体記憶装置
JP93-118666 1993-05-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940026953A true KR940026953A (ko) 1994-12-10
KR0132006B1 KR0132006B1 (ko) 1998-04-14

Family

ID=14742213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940007671A KR0132006B1 (ko) 1993-05-20 1994-04-12 반도체 메모리 장치

Country Status (3)

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US (1) US5555206A (ko)
JP (1) JPH06333386A (ko)
KR (1) KR0132006B1 (ko)

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Also Published As

Publication number Publication date
KR0132006B1 (ko) 1998-04-14
US5555206A (en) 1996-09-10
JPH06333386A (ja) 1994-12-02

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