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KR940006258A - 반도체장치 및 고체촬상장치의 수평레지스터 - Google Patents

반도체장치 및 고체촬상장치의 수평레지스터 Download PDF

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KR940006258A
KR940006258A KR1019930011589A KR930011589A KR940006258A KR 940006258 A KR940006258 A KR 940006258A KR 1019930011589 A KR1019930011589 A KR 1019930011589A KR 930011589 A KR930011589 A KR 930011589A KR 940006258 A KR940006258 A KR 940006258A
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KR
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ground line
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KR1019930011589A
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Inventor
히데토 이소노
히로시 히비
Original Assignee
오오가 노리오
소니 가부시끼가이샤
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    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs

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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

본 발명은 신호입력선에 가하여진 정전충격을 접지선에 접속한 보호회로에 의해 완화함으로써, 반도체장치로서 예를 들면 MOS형 트랜지스터의 게이트나 고체촬상장치의 수평레지스터의 출력트랜지스터 및 그 주변의 절연막등의 파괴를 방지하는 것을 목적으로 한다.
그 구성을 보면, 신호입력선(2)과 접지선(5)을 접속한 것으로, 반도체 기판(도시생략)에 형성한 반도체장치(1)이며, 신호입력선(2)과 접지선(5)에 접속하는 보호회로(60를, 당해 반도체방치(1)에 대하여 병렬로 접속한 것이며, 이 보호회로(6)는 예를 들면 바이폴라 트랜지스터, 다이오드 혹은 MOS형 트랜지스터등에 의해 구성된다.

Description

반도체장치 및 고체촬상장치의 수평레지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실시예의 블록도이다.
제2도는 MOS형 트랜지스터의 보호회로도이다.
제3도는 MOS형 트랜지스터의 보호회로의 개략구성도이다.
제4도는 MOS형 트랜지스터의 보호회로도이다.
제5도는 MOS형 트랜지스터의 보호회로도이다.

Claims (8)

  1. 신호입력선과 접지선을 접속한 반도체소자와, 상기 신호입력선과 상기 접지선과의 사이에, 상기 반도체소자에 대하여 병렬한 접속한 보호회로에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 신호입력선과 접지선을 접속한 반도체소자를 MOS형 트랜지스터로 구성하는 동시에, 보호회로를, 부전위를 공급하는 부전위선과, 적어도 베이스를 상기 부전위선에 접속하는 동시에 에미터를 상기 신호 입력선에 접속한 제1바이폴라 트랜지스터와, 베이스를 상기 부전위선에 접속하는 동시에 컬렉터를 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 컬렉터에 접속하고 에미터를 상기 접지선에 에미터를 상기 접지선에 접속한 제2바이폴라 트랜지스터에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1항에 있어서, 신호입력선과 접지선을 접속한 반도체소자를 MOS형 트랜지스터로 구성하는 동시에, 보호회로를, 전원전위를 공급하는 전원선과, 부전위를 공급하는 부전위선과, 상기 신호입력선에서 상기 전원선으로 순방향전류가 흐르는 상태로, 당해 신호입력선과 당해 부전위선에 접속한 제1다이오드와, 상기 부전위선에서 상기 신호입력선으로 순방향전류가 흐르는 상태로, 당해 부전위선과 상기 신호입력선에 접속한 제2다이오드와, 상기 접지선에서 상기 전원선으로 순방향전류가 흐르는 상태로, 당해 접지선과 당해 전원선에 접속한 제3다이오드와, 상기 부전위선에서 상기 접지선에 순방향전류가 흐르는 상태로, 당해 부전위선과 당해 접지선에 접속한 제4다이오드에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제1항에 있어서, 신호입력선과 접지선을 접속한 반도체소자를 MOS형 트랜지스터로 구성하는 동시에, 보호회로를 공급하는 부전위선과, 상기 신호입력선과 상기 부전위선에 접속하는 동시에, 당해 부전위선을 채널이 형성되는 제1웰영역에 접속한 제l1MOS형 트랜지스터와, 상기 제1MOS형 트랜지스터의 게이트와 상기 신호입력선과의 사이에 직렬접속한 제1커패시터와, 상기 제1MOS형 트랜지스터의 게이트와 상기 부전위선과의 사이에 직렬 접속한 제1저항과, 상기 접지선과 상기 부전위선에 접속하는 동시에, 당해 부전위선을 채널이 형성되는 제2웰영역에 접속한 제2MOS형 트랜지스터와, 상기 제2MOS형 트랜지스터의 게이트와 상기 접지선과의 사이에 직렬 접속한 제2커패시터와, 상기 제2M0S형 트랜지스터의 게이트와 상기 부전위선과의 사이에 직렬접속한 제2저항으로 구성한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 고체촬상장치의 수평레지스터에 있어서, 상기 수평레지스터의 게이트에 접속하는 신호입력선과 당해 수평레지스터의 출력게이트에 접속하는 접지선과의 사이에, 보호회로를 당해 수평레지스터에 대하여 병렬로 접속한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 수평레지스터.
  6. 제5항에 있어서, 신호입력선과 접지선과의 사이에 당해 수평레지스터에 대하여 병렬로 접속한 보호회로를, 부전위를 공급하는 부전위선과, 적어도 상기 부전위선에 베이스를 접속하는 동시에 상기 신호입력선에 에미터를 접속한 제1바이폴라 트랜지스터와, 상기 부전위선에 베이스를 접속하는 동시에 컬렉터를 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 컬렉터에 접속하고 상기 접지선에 에미터를 접속하는 제2 바이폴라 트랜지스터로 구성한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 수평레지스터.
  7. 제5항에 있어서, 신호입력선과 접지선과의 사이에 당해 수평레지스터에 대하여 병렬로 접속한 보호회로를, 부전위를 공급하는 부전위선과, 전원전위를 공급하는 전원선과, 상기 신호입력선에서 상기 전원선으로 순방향전류가 흐르는 상태로, 당해 신호입력선과 당해 전원선에 접속한 제1다이오드와, 상기 부전위선에서 상기 신호입력선으로 순방향전류가 흐르는 상태로 당해 부전위선과 당해 신호입력선에 접속한 제2다이오드와, 상기 접지선에서 상기 전원선으로 순방향전류가 흐르는 상태로, 당해 접지선과 당해 전원선에 접속한 제3다이오드와, 상기 부전위선에서 상기 접지선으로 순방항전류가 흐르는 상태로, 당해 부전위선에서 상기 접지선으로 순방향전류가 흐르는 상태로, 당해 부전위선과 당해 접지선에 접속한 제4다이오드로 구성한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 수평레지스터.
  8. 제5항에 있어서, 신호입력선과 접지선과의 사이에 당해 수평레지스터에 대하여 병렬로 접속한 보호회로를, 부전위를 공급하는 부전위선과, 상기 신호입력선과 부전위선에 접속하는 동시에, 당해 부전위선을 채널이 형성되는 제1웰영역에 접속한 제1MOS형 트랜지스터와, 상기 제1MOS형 트랜지스터의 게이트와 상기 신호입력선과의 사이에 직렬접속한 제1커패시터와, 상기 제1MOS형 트랜지스터의 게이트와 상기 부전위선과의 사이에 직렬접속한 제1저항과, 상기 접지선과 상기 부전위선에 접속하는 동시에, 당해 부전위선을 채널이 형성되는 제2웰영역에 접속한 제2MOS형 트랜지스터와, 상기 제2MOS형 트랜지스터의 게이트와 상기 접지선과의 사이에 직렬 접속한 제2커패시터와, 상기 제2MOS형 트랜지스터의 게이트와 상기 부전위선과의 직렬접속한 제2저항으로 구성한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 수평레지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930011589A 1992-06-29 1993-06-24 반도체장치및고체촬상장치의수평레지스터 KR100296147B1 (ko)

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