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KR940003027A - 디램셀의 제조방법 - Google Patents

디램셀의 제조방법 Download PDF

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Publication number
KR940003027A
KR940003027A KR1019920012596A KR920012596A KR940003027A KR 940003027 A KR940003027 A KR 940003027A KR 1019920012596 A KR1019920012596 A KR 1019920012596A KR 920012596 A KR920012596 A KR 920012596A KR 940003027 A KR940003027 A KR 940003027A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
polysilicon
region
manufacturing
dram cell
Prior art date
Application number
KR1019920012596A
Other languages
English (en)
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KR960002778B1 (ko
Inventor
김영관
Original Assignee
문정환
금성일렉트론주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 금성일렉트론주식회사 filed Critical 문정환
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Publication of KR940003027A publication Critical patent/KR940003027A/ko
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/01—Manufacture or treatment
    • H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/01—Manufacture or treatment
    • H10D1/041—Manufacture or treatment of capacitors having no potential barriers
    • H10D1/042—Manufacture or treatment of capacitors having no potential barriers using deposition processes to form electrode extensions

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명은 커패서터의 표면적을 증가시킬 수 있는 디램셀의 제조방법에 관한 것으로 기판(20)위에 산화막(21)과 질화막(22)을 형성하고, 선택적 에치하여 액티브 영역과 필드영역을 한정한후 액티브 영역에 선택적 에피택시를 이용하여 실리콘(23)을 성장시키고 실리콘(23)위에 게이트(24) 및 비트라인(27)을 형성하며 필드산화막(21)과 N+영역(26)에 걸쳐 노드용 콘택을 형성한후 노드용 폴리실리콘(30), 커패시터 절연막, 플레이트용 폴리실리콘(31)을 형성하여 결국 커패시터의 용량을 증가시킬 수 있다.

Description

디램셀의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 디램셀의 공정단면도.
제3도는 제2g도의 A-A선 단면도.
제4도는 제2c도의 사시도.

Claims (3)

  1. 기판(20) 위에 산화막(21), 질화막(22)을 차례로 형성하고 선택적 에치하여 액티브 영역을 한정하는 공정과, 상기 에치된 액티브 영역에 실리콘(23)을 선택적 에피택시를 이용하여 성장시키고 실리콘(23) 위에 게이트(24), 측벽(25), N+영역(26), 비트라인(27)을 형성한 후 질화막(28)과 산화막(29)을 형성하는 단계와, 스토리지 노드용 콘택을 형성하고 스토리지 노드용 폴리실리콘(30)을 증착하는 단계와, 상기 질화막(28)을 에치 스톱 포인트로 하여 산화막(29)을 제거하는 단계와, 노출된 스토리지 노드용 폴리실리콘(30)에 커패시터 절연막을 형성하고 전면에 플레이트용 폴리실리콘(31)을 증착하는 단계를 포함하여서 된 디램셀의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 기판(20)과 실리콘(23)을 p형으로 하는 디램셀의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 스토리지 노드용 콘택은 N+영역(26)과 필드산화막(21) 일부분을 포함한 부분에 형성하는 디램셀의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920012596A 1992-07-15 1992-07-15 디램셀의 제조방법 KR960002778B1 (ko)

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