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KR920006132B1 - 다단 신호 전송장치 - Google Patents

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KR920006132B1
KR920006132B1 KR1019840004811A KR840004811A KR920006132B1 KR 920006132 B1 KR920006132 B1 KR 920006132B1 KR 1019840004811 A KR1019840004811 A KR 1019840004811A KR 840004811 A KR840004811 A KR 840004811A KR 920006132 B1 KR920006132 B1 KR 920006132B1
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KR
South Korea
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control
temperature
amplifier stage
amplification degree
signal
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KR1019840004811A
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KR850002184A (ko
Inventor
린더레 하인쯔
씨글 마틴
Original Assignee
텔레풍켄 엘렉트로닉 게엠베하
클라우스 봄하르트·한스-위르겐 마우테
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Publication date
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Abstract

내용 없음.

Description

다단 신호 전송장치
제1도는 다단신호 전송 장치의 도시도.
제2도는 전류원에 의해 제어된 단의 구성도.
제3도는 전압원에 의해 제어된 단의 구성도.
제4도는 전류성분의 분배도.
제5도는 전압성분의 분배도.
제6도는 제어 특성도.
제7도는 증폭되는 신호와 제어신호가 인가되는 공통 입력을 가진 회로도.
제8도는 전압 제어의 도시도.
제9도는 2개의 전류성분 발생의 도시도.
제10도는 전류 제어를 전압제어로 변환하는 저항의 사용에 대한 도시도.
제11도는 증폭제어 및 온도보상에 요구되는 제어 크기의 처리에 대한 도시도.
제12도는 전류성분의 발생의 도시도.
제13도는 전위차계에 의한 제어 전류의 셋팅에 대한 도시도.
제14도는 디지탈 제어신호에 의한 증폭의 셋팅에 대한 도시도.
제15도는 트랜지스터, 저항 및 예비저항을 가진 제어 회로도.
제16도는 처리회로와 접속된 증폭기단의 도시도.
제17도는 증폭기단의 일실시예.
제18도는 제어회로를 가진 증폭기 입력회로의 연결도.
제19도는 증폭기회로와 제어회로로 구성된 결합도.
제20a도는 제어 가능한 IF(중간 주파수) 증폭기단의 회로도.
제20b도는 제어회로의 일실시예.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 수신기 입력회로 2 : 제1 IF단
3 : IF 증폭기 4 : 제어입력
5 : 신호입력
6, 26, 27, 31, 32, 36, 39, 40, 43, 44, 55, 56 : 트랜지스터
7, 11, 25, 28, 29, 45, 46, 47, 48, 57 : 저항 8, 9, 15, 30, 58, 60 : 전압원
12, 17, 66 : 전위차계 19 : 제어회로
20, 21 : 디지탈 제어회로 22, 23 : 예비저항
24 : 제어회로 34 : 전류원
35 : 반전증폭기 37, 38 : 차동 증폭기
49 : 입력단자 51, 53 : 캐패시터.
본 발명은 신호 전송회로에 관한 것으로, 특히 다단신호 전송장치에 관한 것이다.
다단신호 전송장치는 예를들어 방송수신기 내에 사용된다. 여기에서, 다단신호 전송장치는 예를들어 전치증폭기, 믹서기, IF 증폭기 및 LF 증폭기로 구성된다. 이러한 신호 전송회로에 있어서 개개의 단내의 증폭도가 공전영향을 받고 온도에 영향을 받는 문제점이 발생한다. 이 결과 모노/스테레오 전환의 스위칭 문턱값과 같은 스위칭 문턱값에서 바람직하지 않은 변화가 일어난다.
본 발명의 기본 목적은 가능한 간단한 방법으로 전체 장치에 대한 증폭도의 전자적 조정 및 간단한 온도변화 보상을 할 수 있는 다단 신호 전송장치를 제공하는 데에 있다. 더구나 그 셋팅은 어떠한 식으로든 서로간에 영향을 주지 않는다. 본 발명에 의하면 다단 신호 전송장치내에 증폭조정 및 온도 보상을 할 수 있는 단이 주어지는데, 이 단은 증폭 셋팅과 무관한 온도 보상을 하며 증폭기단으로 되어 있다.
서두에서 예로써 언급한 방송 수신기에 대한 다단 신호 전송장치에 있어서, 제1 IF 증폭기단은 예를들어 본 발명에 의한 제어가 가장 적합한 단이다.
본 발명의 다른 개선에 의하면, 제어 단의 증폭도는 증폭도 셋팅을 위해 이 단에 인가되는 제어신호에 따라 지수적이다.
본 발명의 또 다른 개선에 의하면, 증폭도 제어를 위한 제어신호, 증폭되어질 IF 신호 및 온도변화 보상에 대한 제어신호는 제어 가능한 단의 공통입력(단자)에 인가된다.
이하 본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상제히 설명하기로 한다.
제1도는 수신기 입력회로(1), 제1 IF 단(2) 및 IF 증폭기(3)로 구성된 본 발명에 의한 다단 신호 전송장치를 도시한다. 수신기 입력회로는 선정선택기단(preselector)과 믹서기 단으로 구성되어 있다. 일반적으로 IF 증폭기(3)는 검출기 이외의 여러개의 증폭기단으로 구성된다. 제1도의 실시예의 제어단은 제1 IF단 (2) 이다.
제2도는 제어 단(2)의 구성을 도시하며, 여기에서 제어는 전류(1l)에 의한다. 전류(i2)은 전체 장치의 온도변환 보상과 증폭도 제어에 대한 전류 성분을 포함한다.
제2도와 반대로, 제어는 전류원에 의하지는 않지만 제3도의 실시예 내의 전압원(U2)에 의해 이루어진다.
제4도는, 온도 변화 보상에 대한 전류성분을 나타내는 1T와 증폭제어에 대한 전류성분을 나타내는 is를 가지는 전류성분의 분배를 도시한다. 제5도는 동일방법으로 제어 전압성분(UT, US)의 분배를 도시한다. 제2도 내지 제5도에서는 제어 입력(4)과 신호 입력(5)이 분리되어 있다.
제6도는 제어특성, 즉 반-대수 표시 형태로 각각의 제어크기(il, U2)상의 증폭도(V)의 의존 특성을 도시한다. 이러한 표시형태의 의존특성은 선형이다. 점선은 역방향으로도 될 수 있음을 가리킨다.
제7도는 본 발명의 일실시예를 도시하며, 여기에서 공통입력(5')은 증폭되어질 입력신호와 제어신호(i1)양자 모두를 위해 존재한다. 다른 입력들(4 및 5)은 입력단자들을 절약하기 위한 본 실시예에서는 생략된다. 이런점이 본 발명에 따른 회로가 집적될 경우 매우 중요하다.
제8도는 전압제어에 대한 대응표시를 도시한다.
제9도는 2개의 전류성분(iT, is)이 어떻게 발생되는 가에 대한 예를 도시한다. 온도-의존 제어크기(iT)를 발생하기 위해, 전압원(8 및 9) 이외에 트랜지스터(6) 및 저항(7)으로 구성된 트랜지스터 회로가 제공된다. 이 회로의 이러한 부분에 대한 기능은 트랜지스터(6)에 의해 발생된 전류(iT)가 온도에 의존한다는 사실에 기초를 두는데, 이는 전압원(8)의 전압 및 저항(7)의 크기에 의존한 온도 의존도를 갖는다. 여기서, 트랜지스터(6)가 전송장치의 구성군 중 어느 하나와 함께 집적되지 않는 경우가 온도변화 보상의 기능에 유리하다. 증폭도를 제어하기 위한 제어전류(is)는 전류원(10)에 의해 표시된다.
제10도의 회로는 전류제어를 전압제어로 변환시키는 또다른 저항(11)이 있다는 사실에 의해 제9도의 회로와는 다르다. 또한 제10도에서는 전압원(9)이 증폭기단(20)을 포함하는 구성원으로 집적될 수 있다.
제11도의 회로는 증폭도 제어와 온도변화 보상에 요구된 제어크기의 또 다른 처리를 도시한다. 제11도의 실시예에서 온도 의존 제어신호(UT)의 발생은 제10도와 관련하여 설명된 트랜지스터 회로에 의해 이루어진다. 증폭도 제어에 대한 제어전압은 전위차계(12)로부터 유도된다.
제12도는 트랜지스터 회로에 의한 제어 전류성분의 발생을 도시하는데, 증폭도를 변형시키기 위한 제어전류가 상기의 바로 그 회로에 의해 발생한다. 이는 전압원(15)의 전압을 변화시킴에 의해 행해질 수 있다.
제13도 내에 도시된 실시예에서 증폭도에 대한 제어전류의 조정은 전위차계(17)에 의하여 트랜지스터(6)의 베이스 전위롤 제어시킴에 의해 이루어질 수 있다.
제14도는 디지탈 제어신호(20, 21)에 의하여 행해질 수 있는 증폭도 셋팅을 도시한다. 제어회로(19)는 이러한 목적으로 요구된다.
제14도의 제어회로(19)는 제15도에 따라 트랜지스터(6'), 저항(7), 예비저항(22 및 23)으로 구성된다. 더욱 미세한 증폭도 조정을 얻기 위하여 여러개의 입력이 제공될 수 있다. 그리고 역시 여러개의 저항도 제공될 수 있다. 예를들어 이러한 형태의 증폭도 셋팅에 의해 마이크로 프로세서 제어된 장치를 통하여 자동적인 증폭도 조정이 이루어지게 된다.
제16도는 증폭기단을 제어하는 전류(i3)에 대한 처리회로와 접속된 증폭기단(2)을 포함하는 회로를 도시한다. 이러한 회로에 있어서 제어신호(i1)은 저항(25)을 통하여 트랜지스터(26)의 베이스-에미터부에 인가된다. 트랜지스터(26)의 콜렉터는 그 베이스와 트랜지스터(27)의 베이스에 접속된다. 트랜지스터(27)의 에미터는 저항(28 및 29)으로 구성된 전압 분배기에 접속되며 전압원(30)에 의해 공급된다. 트랜지스터(27)의콜렉터는 트랜지스터(31), 트랜지스터(32), 저항(33) 및 전류원(34)으로 구성된 반전 증폭기를 제어한다. 반전 증폭기(35)의 출력은 트랜지스터(36)의 베이스에 접속된다. 트랜지스터(36)의 콜렉터는 자체 출력전류(i3)를 갖는 증폭기단을 제어한다.
트랜지스터(26 및 27)를 구비한 회로에 있어서, 온도와 무관하게 제6도의 특성 곡선으로 된 전류 관계식i2/i3의 온도변화가 발생된다. 이는 트랜지스터(26 및 27)(전압 분배기(28 및 29)에 의하여)의 에미터 전위의 전압에 대한 적절한 차이에 의해 실현되는데, 제어전류(i1)와 가능한한 무관하게 트랜지스터(27)의 에미터 전위에 대해 충분히 작고 저항(28 및 29)의 절대 크기를 유지하는데 유리하다. 입력신호(i1)의 증폭도 변화의 지수적 의존도는 저항(33)에서의 전압 감하에 따라서 반전 증폭기의 출력에서 변화하는 저항(33)을 통하여 트랜지스터(27)의 콜렉터 전류(i2)가 흐르는 사실에 의한다. 입력전류(i1)상의 출력 전류(i3)의 지수적 의존도는 트랜지스터의 지수적 특성 곡선에 기인한다.
제17도는 증폭기단(2)에 대한 실시예를 도시한다. 제17도에 의하면, 증폭기단(2)은 차동 증폭기(37 및 38)로 구성된다. 차동 증폭기(37)는 저항(41 및 42)과 마찬가지로 트랜지스터(39 및 40)로 구성된다. 차동증폭기(38)는 저항(45, 46, 47 및 48)이외에 트랜지스터(43 및 44)로 구성된다. 차동 증폭기(37)가 귀환회로(countercoupling)를 갖지 않는 반면 차동 증폭기(38)는 귀환회로(저항 45 및 46)를 특징으로 한다. 제어전류(i3)는 귀환 접속되지 않은 제1 차동 증폭기(37)로 인가되며 따라서 증폭도를 전류에 비례적으로 변형시킨다. 차동 증폭기(38)의 귀환회로는 전체 증폭도 조정영역을 통하여 이단내에서 신호 제한을 받지 않지만, 차동 증폭기(37)내에서는 제한을 가진다. 이는 입력 단자에 관하여 증폭기의 제한 작동이 증폭도 셋팅과는 대체로 무관한 장점을 가진다. 제17도에 의한 회로의 또 다른 장점으로는 제어전류(i3)의 잡음전류 성분이 증폭기(2)의 출력신호에 대하여 차동 증폭기(38)로부터 공통 모드 간섭으로서 억제된다.
제18도는 제어회로(24)의 증폭기 입력신호에 대한 증폭기 입력 회로의 결합도를 나타낸다.
제19도는 증폭도를 제어하는 신호와 증폭 제어될 신호에 대한 공통입력을 가진 제19도에 도시된 원리에 따라서 증폭기 회로와 제어회로의 결합에 대한 실시예를 도시한다. 두 형태의 신호는 입력단자(49)에 인가된다. 증폭기 회로와 제어회로(24)는 캐패시터(51)에 의하여 직류에 대하여 서로 분리된다. 증폭도내에서 제어되는 입력신호는 출력단자(50)에서 취출될 수 있다. 제어회로(24')는 제16도에 도시된 바와 같이 부분회로(24)에 대응한다. 제16도에 도시된 회로(24)와 대조적으로 제19도에 의한 제어회로(24')의 예비저항(25)은 기준전위로부터 캐패시터(52)에 의해 차단되는 두개의 저항들 사이의 접속점을 가진 2개의 부분(25a 및 25b)으로 분리된다. 더우기 캐패시터(53)는 저항(33)에 평행으로 접속된다. 2개의 캐패시터는 그들이 제어회로(24')를 통하여 제어되는 증폭기에 다다르는 동작 주파수 범위내에서 어떠한 간접신호라도 억제하도록 크기가 정해진다. 그러한 간접신호들로는 입력신호 및 잡음신호 성분의 양자가 될 수가 있다. 더우기 제어회로(24')는 제16도에 의한 회로(24)와 비교하여 제19도 내의 전류 미러회로(34')에 의해 대치된 전류원(24)(제16도)의 실제적인 실시예를 도시한다.
점선에 의해 싸여지지 않은 제19도의 회로부분(2')은 차동 증폭기단(37 및 38)으로 구성된 제17도의 증폭기 회로의 형태와 일치한다.
그러나 이 증폭기 회로는 제17도의 증폭기 회로와 비교하여 다음에 주어진 변화 혹은 부가를 포함한다: 즉 제17도에 의한 차동 증폭기 회로(38)의 외부 저항(48)이 제19도에 의한 회로의 저항(48a 및 48b)으로 분리된다. 저항(48a 및 48b)의 저항치의 합에 의해 차동 증폭기(38)의 증폭도가 결정되고 저항(48b)의 크기에 의해 증폭기 회로의 출력 임피던스가 결정된다. 제17도에 의한 저항(47)은 트랜지스터(54) 및 저항(47')으로 구성된 전류원에 의해 제19도에 따른 회로에서 대치된다. 제17도에 의한 회로와 비교하여 제19도에 의한 증폭기 회로의 추가물은 트랜지스터(56)와 저항(57)을 가진 전류원 회로와 접속된 트랜지스터(55)를 가지는 출력 증폭기단으로 구성된다.
전압원(58)은 차동 증폭기(37)의 트랜지스터의 베이스 이외에 트랜지스터(54 및 56)의 베이스에 대하여 일정한 전위를 제공한다. 저항(48b)의 크기는 회로의 출력 측상의 차동 내부 저항이 선정된 값(예로 330오옴)으로 되도록 크기가 정해진다. 이는 입력 측상에 어떠한 한정 임피던스를 요하는 세라믹 필터가 증폭기의 출력에 접속되어야만 할때 유리하다. 전압원(58, 30 및 60)의 전위는 전압원(58)이 가장 낮은 전위를 가지며 전압원(60)이 전압원의 각각의 양극에서 가장 높은 전위를 갖도록 크기가 정해진다. 증폭도는 제19도에 의한 회로에 있어서 제어 전류 혹은 단자(49)에 인가되는 제어전압에 의해 영향을 받는다. 제19도에 도시된 회로에 의한 제어전압 및 제어전류의 제어 효과는 양성 제어신호가 증가하는 것처럼 증폭도가 지수적으로 증가하므로 발생한다(제6도에 도시된 바와같이), 이는 일정한 양 만큼의 제어신호의 변화가 각각의 다른 제어신호 변화와 무관한 온도변화 영향과 증폭도 변화에 대한 동일 크기의 증폭도 변화의 결과를 초래하는 것이 특징인 "dB 선형" 제어특성과 대응한다.
제20a는 증폭도를 제어하는 신호와 증폭되어질 신호에 대한 오직 하나의 입력(49)을 가진 본 발명에 의한 제어 가능한 IF 증폭기단(61)의 회로를 도시한다. 장치(61)의 내부 회로는 제19도에 의한 회로와 일치한다. 증폭되어질 신호는 세라믹 필터(62)를 통하여 회로(61)의 단자(49)에 인가되며 증폭도를 제어하는 신호는 필터의 단부 저항(63)을 통하여 인가된다. 캐패시터(64)는 신호 주파수에 대한 차단 캐패시터이다. 증폭도가 제어되는 신호는 출력 단자(50)에서 취출되어 세라믹 필터(65)를 통하여 다음 회로(예로, IF 증폭기)로 통과된다. 트랜지스터(6), 저항(13 및 14) 그리고 전압원(15)을 가지는 제어신호 처리용 회로(66)의 형태는 제12도의 하나와 일치한다. 이러한 회로(66)에 의해, 신호 전송장치의 온도변화의 보상에 대한 증폭도 셋팅 및 온도 의존도가 초래된다.
제20b도는 온도변화 보상에 대한 트랜지스터가 제공되지 않고 전위차계(66)와 접속된 전압원(58)의 안정화 전압이 증폭도 제어에 사용되는 제어회로(66)의 일실시예를 도시한다. 이 회로 자체는 제19도에 의한 제어회로(24')와 관련하여 증폭도 온도변화를 초래한다. 이 온도변화는, 제19도의 트랜지스터(26)의 베이스-에미터 전압이 온도와 함께 변화하고 저항(25a 및 25b)의 값과 연관된 전류(i1)이 단자(49)에 공급된 일정한 제어 전압에 상응하게 변하므로 기인한다. 이 효과는 제20a도에 의한 회로에서와 같이, 단자(49)가 전류 제어될 시에는 생기지 않는다.

Claims (9)

  1. 증폭기단은 증폭기단의 증폭도를 전자적으로 조정할 수 있는 제어신호를 받기 위한 제어 입력 수단을 가지며, 증폭도에 대한 바람직하지 않은 온도 영향이 보상되는, 증폭도가 전자적으로 조정되는 증폭기단을 포함한 다단 신호 전송장치에 있어서, 증폭도 성분을 포함하는 제어신호를 발생시키기 위한 그리고 상기 증폭기단의 증폭도를 셋팅하기 위한, 상기 제어 입력수단과 접속된 수단, 및 온도 보상수단을 포함하여 상기 증폭기단의 증폭도의 셋팅과 무관하게 상기 증폭기단을 경유하여 온도변화 보상을 일으키기 위한, 상기 제어 입력수단과 접속된 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 다단 신호 전송장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 증폭기단의 증폭도는 상기 제어 입력수단에 공급되는 제어신호에 지수적으로 의존적인 것을 특징으로 하는 다단 신호 전송장치.
  3. 제1항에 있어서, 증폭도의 대수 대 제어신호는 온도와 무관한 기울기를 가지는 제어 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 다단 신호 전송장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 온도 보상 수단은 제어신호의 온도 의존 성분을 이루는 온도 의존 신호를 발생하며, 온도 의존성분은 증폭도 성분과 함께 상기 증폭기단에 공급되는 것을 특징으로 하는 다단 신호 전송장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 증폭기단의 제어 입력수단은 공통 입력을 포함하며 온도 의존성분과 증폭도 성분은 상기 공통 입력에 제공되는 것을 특징으로 하는 다단 신호 전송장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 온도 보상수단은 온도 의존 베이스-에미터 전압을 가지는 트랜지스터를 포함한 제어회로를 포함하며, 상기 증폭기단의 증폭도를 셋팅하기 위한 제어신호가 온도와 무관하며, 상기 제어회로는 제어전류의 형태로 제어신호의 온도 의존 성분을 발생하며 제어전류의 온도 의존도는 상기 제어 회로에서 트랜지스터의 베이스-에미터 전압의 온도 의존도에 의해 초래되는 것을 특징으로 하는 다단 신호 전송장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제어 입력수단은 공통 입력을 포함하며 증폭될 신호 및 상기 제어신호가 상기공동 입력에 공급되는 것을 특징으로 하는 다단 신호 전송장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 증폭기단에 전류를 공급하기 위한 전류공급 회로를 포함하며, 상기 증폭기단, 상기 온도 보상수단 및 상기 전류공급 회로는 공동 반도체에 집적되는 것을 특징으로 하는 다단 신호 전송장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 증폭도 성분은 제어전압의 형태이며, 상기 공동 반도체에 집적된, 상기 제어전압을 처리하기 위해 상기 제어 전압에 커플링된 전압원 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 다단 신호 전송장치.
KR1019840004811A 1983-08-17 1984-08-10 다단 신호 전송장치 KR920006132B1 (ko)

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DE19833329663 DE3329663A1 (de) 1983-08-17 1983-08-17 Mehrstufiges signaluebertragungssystem

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KR850002184A KR850002184A (ko) 1985-05-06
KR920006132B1 true KR920006132B1 (ko) 1992-07-31

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