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KR920004514B1 - 반도체소자 제조장치 - Google Patents

반도체소자 제조장치 Download PDF

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KR920004514B1
KR920004514B1 KR1019880004778A KR880004778A KR920004514B1 KR 920004514 B1 KR920004514 B1 KR 920004514B1 KR 1019880004778 A KR1019880004778 A KR 1019880004778A KR 880004778 A KR880004778 A KR 880004778A KR 920004514 B1 KR920004514 B1 KR 920004514B1
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KR
South Korea
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wafer
mat
convex spherical
tape
spherical portion
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KR1019880004778A
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KR880014643A (ko
Inventor
마사노리 니시구찌
다께시 세끼구찌
노부요시 다또우
Original Assignee
스미도모덴기고오교오 가부시기가이샤
나까하라 쯔네오
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Priority claimed from JP10811987A external-priority patent/JP2567396B2/ja
Priority claimed from JP62108117A external-priority patent/JPS63272509A/ja
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Publication of KR880014643A publication Critical patent/KR880014643A/ko
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체소자 제조장치
제 1 도는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 반도체소자 제조장치의 개략측면도.
제 2 도 a와 b는 압압수단에 의해 압압되는 경우 웨이퍼가 어떻게 변형되는지를 도시한 부분단면도.
제 3 도 및 제 4 도는 본 발명의 제 2 및 제 3 실시예에 의한 장치의 개략측면도.
제 5 도는 종래장치의 개략측면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
(11), (21) : 베이스 (12) : 매트
(13) : 웨이퍼 (15), (25) : 직립포우스트
(16) : 압압판 (17) : 반구체
(18), (19), (28), (38) : 테이프 (26) : 압압블록
(29) : 웨이퍼링
본 발명은 반도체소자 제조장치에 관한 것으로, 특히 반도체웨이퍼상에 형성된 반도체칩을 개개로 분할하는 장치에 관한 것이다.
1매의 웨이퍼상에 형성된 다수의 칩을 개개로 분할하는 기술을 "다이싱(dicing)"이라 한다. 분할하는 방법으로서, 레이저 또는 다이아몬드 바늘에 의해 칩을 따라서 웨이퍼에 절삭홈을 형성하여 기계적으로 웨이퍼를 분할하는 스크라이빙(scribing) 방식과, 얇은 다이아몬드 브레이드의 고속회전에 의해 깊게 커팅하여서, 칩을 기계적으로 분할하거나 또는 절단시에 분할가능한 다이싱 소오(dicing saw)방식이 있다.
상기 스크라이빙 혹은 다이싱소오에 의해서 하아프커트(half-cut)된 웨이퍼는, 기계적 수단에 의해 개개의 칩은 분할된다. 제 5 도는 상기 웨이퍼를 분할하는 종래의 장치의 구성개략도이다.
제 5 도에 도시된 장치는, 베이스(1)를 구비하고 있고, 이 베이스(1)의 위에는, 고무제의 매트(2)가 부설되어 있다. 칩이 형성되어 있는 제 1 면과 제 2 면이 서로 대향하고 있는 하아프커트된 웨이퍼(3)를, 매트(2)위에, 웨이퍼(3)의 칩이 형성되어 있는 제 1 면과 매트(2)의 상부면이 서로 마주 하도록 재치한다. 웨이퍼(3)를 상기 매트위에 재치하기 전에, 웨이퍼(3)의 제 2 면에는 미리 접착테이프(5)를 붙여 놓아서, 웨이퍼(3)가 분할되어도, 칩이 흩어지지 않고, 원래의 위치관계를 유지 하도록 할 수 있다.
다음에, 일반적으로 원통형의 막대형상의 로울러(4)의 측면을 웨이퍼(3)의 제 2 면에 대해서 누르면서, 로울러(4)를 그의 세로축에 대해 회전운동시켜서, 웨이퍼(3)을 분할한다. 분할된 웨이퍼의 각 칩은 테이프(5)상에서 분리되고, 분리된 칩은, 필요에 따라 적절히 절단되어서 사용에 제공된다.
이와 같이, 전체형상이 원형인 웨이퍼상에 형성된 칩을 분할하는 종래의 장치에서는, 베이스상에 재치된 탄력성이 풍부한 고무제 매트가 지지하는 웨이퍼를, 원통의 막대형상의 로울러로 압압하여 분할하고 있다. 원통의 막대형상 로울러로 압압된 웨이퍼 및 매트는, 아래로 볼록한 곡면형상으로 변형된다. 이 때문에, 한 방향으로 밖에 웨이퍼를 나눌 수 없고, X축과 Y축의 2방향으로 웨이퍼를 절단하기 위해서는, 2번의 처리가 필요하였다.
더우기, 상기 원통의 막대형상 로울러의 회전운동에 의해 얻어지는 압압면은 평면상인 한편, 웨이퍼의 주변부에는 SiN 막과 같은 막이 남아 있는 경우가 많아서 중앙부보다 두껍게 되어 있기 때문에, 웨이퍼의 주변부에 중앙부 보다 큰 압압력이 작용한다.
이상과 같이, 종래의 장치에 의하면, 원형상의 웨이퍼의 일부에 과대한 압압력이 걸려서 칩에 결합이 생기거나, 배선이 손상을 받거나 하는 문제가 있었다. 이러한 문제를 피하기 위해서는, 압압력의 조정이 필요하지만, 이와 같은 장치는 제작비가 비싸지는 문제가 있었다. 또 칩을 분할한 후 그 접착테이프를 확장하여 칩을 분리해야만 하므로, 고정수가 증가하는 문제가 있었다.
본 발명은 종래 장치의 상기 문제점을 제거하기 위한 관점에서 창안된 것으로, 그 목적은 웨이퍼의 일부에 과대한 압압력을 인가함이 없이, 한점의 처리로, 칩을 정확하게 분리할 수 있는 향상된 반도체소자 제조장치를 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 1 실시예에 의한 반도체 제조장치는 가요성을 가진 매트와, 상기 가요성 매트를 대략수평으로 지지하는 수단과, 볼록구면부를 가지고 상하움직임이 자유롭게 지지된 압압수단과, 상기 압압수단 및 웨이퍼의 한쪽을 압압수단 및 웨이퍼의 다른 쪽에 대해서 상하로 구동하는 구동수단을 구비하고, 칩이 형성되어 있는 제 1 면과 칩이 형성되어 있지 않은 제 2 면이 대항하고 있는 웨이퍼는, 상기 칩이 상기 매트와 마주 하도록 상기 매트위에 재치되고, 상기 웨이퍼의 제 2 면에 대해 상기 압압수단의 볼록구면부를 압압하여 이 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 것을 특징으로 한다.
또, 바람직하게는, 가요성을 가진 매트는 원형이고, 고무제이다.
또한, 바람직하게는, 구동수단은 웨이퍼에 상대적인 압압수단을 구동하기에 적합하다.
또한, 바람직하게는, 압압수단은, 상기 지지수단에 수직으로 장착된 적어도 3개의 로드와, 이 3개의 로드에 의해 지지되고 볼록구면부를 가진 압압판으로 구성되고, 상기 볼록구면부는 상기 웨이퍼 보다 실질적으로 큰 표면적을 가진다.
상기, 본 발명의 제 1 실시예에 의하면, 제 1 면이 가요성을 가진 매트상에 대향하여 놓인 웨이퍼는, 이 웨이퍼의 제 2 면에 접촉하는 볼록구면부를 가지는 압압수단에 의해 소정의 압력으로 압압된다. 이와 같이 압압된 웨이퍼는, 상기 압압수단의 볼록구면부의 형상과 정합하는 형상으로 변형되어, 웨이퍼는 그의 중앙부에서 균열되기 시작하고, 이미 균열된 부분에는 소정압력이상의 힘이 작용하지 않는다.
따라서, 웨이퍼의 주변부는 SiN 막과 같은 막이 남아있기 때문에 중앙부보다 두껍게 되어 있는 경우에도, 웨이퍼는 중앙부에서 균열되기 시작하므로, 갑자기 웨이퍼의 주변부에 중앙부보다 큰 압압력이 작용하는 일은 없고, 하아프커트된 웨이퍼상의 각 칩에는, 균일한 소정의 압압력이 작용하면서, 웨이퍼의 중앙부에서 반경방향 바깥 쪽을 향해서 점진적으로 분리된다.
그러므로 칩에 손상이 발생하는 일없이, 웨이퍼를 정확하게 한번의 처리로 분할 할 수가 있다. 가요성을 가진 매트가 원형이면, 압압수단에 의해 압압된 웨이퍼도 원형이고, 또 매트와 웨이퍼는 모두 압압수단이 적용되는 경우 압압수단의 볼록구면부의 굴곡을 따르도록 서로 동시에 변경될 수 있기 때문에, 이와 같이 웨이퍼에 가해진 압압력은, 칩의 분할시에 발생할 수 있는 어떠한 손상도 피할 수 있을 정도로 전체 칩에 균일하게 작용된다.
본 발명의 제 2 실시예에 있어서, 반도체소자 제조장치는 또한 상기 매트의 아래쪽에서, 웨이퍼가 상부에 장착된 테이프를 팽팽하게 잡아당겨 지지하는 수단과, 압압수단의 볼록구면부를 가열하는 가열수단으로 구성된다.
본 발명의 제 2 실시예에 의하면, 압압수단은 볼록구면부 주위에 상하운동 자유롭게 지지된 웨이퍼링과, 이 웨이퍼링을 상하로 구동하는 링구동 수단으로 이루어진다. 더우기, 압압수단의 볼록구면부는 약 60℃로 가열된다.
본 발명의 제 2 실시예에 의한 장치는, 제 1 실시예와 마찬가지로 동작하는 한편, 소정의 온도로 가열된 볼록구면부는 테이프를 개재해서 웨이퍼의 제 2 면을 압압하여 칩을 분할함과 동시에, 테이프를 확장하여 칩이 완전히 분할 되도록 한다. 볼록구면부의 가열은 테이프를 쉽게 확장하여 칩이 완전히 분할 되도록 한다. 볼록구면부의 가열은 테이프를 쉽게 확장하여 웨이퍼로 부터 칩의 분할을 쉽게 하거나 칩의 손상을 방지한다.
테이프지지수단의 사용은 특히 다음의 이점이 있다. 소정의 온도로 가열된 압압수단의 볼록구면부가 테이프와 접촉하게 되면, 테이프는, 테이프 지지수단에 의해 팽팽하게 지지되면서 신장율을 증가 하도록 가열된다. 그러므로, 그 후 압압수단이 웨이퍼의 제 2 면에 대해 압압되어 칩이 개개로 분할된 경우, 그렇게 분할된 칩은 테이프에 접착된다. 웨이퍼로 부터 떨어진 압압수단의 계속적 분할은 웨이퍼링의 대응운동에 의해 수반되어서, 웨이퍼링에 팽팽하게 유지된 테이프는 웨이퍼의 제 2 면에 자동적으로 고정되어 분할된 칩을 유지한다. 이와 같이, 테이프의 도포, 웨이퍼의 분할 및 테이프의 확장은 모두 본 발명에 의한 장치에서 자동적으로 실행된다.
어쨌든, 본 발명의 실시에 있어서, 압압수단은 매트에 의해 지지된 웨이퍼의 아래쪽이나 위쪽 어디에도 위치될 수 있다. 압압수단이 웨이퍼 아래쪽에 위치되면, 웨이퍼가 압압수단에 밀접하게 향하거나 멀어지는 방향으로 구동수단에 의해 구동되는 동안 압압수단은 정지상태로 유지된다. 이 대신에 압압수단이 웨이퍼의 위쪽에 위치되면, 압압수단이 웨이퍼에 밀접하게 향하거나 멀어지는 방향으로 구동수단에 의해 구동되는 동안 웨이퍼는 정지상태로 유지된다.
이러한 본 발명의 목적과 다른 목적 및 특징은 첨부도면을 참고하면서 바람직한 실시예와 관련된 다음의 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 설명을 진행하기 전에, 참고로 같은 부분에는 같은 번호로 표시하였음에 유의하기 바란다.
제 1 도에 있어서, 도시된 제 1 실시예에 의한 반도체소자 제조장치는 상부에 원판형상의 고무제 매트(12)가 장착되어 그의 개구부가 폐쇄되어 있는 링형상베이스⑾를 구비하고 있다. 베이스의(11) 상단면에는, 적어도 3개, 바람직하는 4개의 직립포우스트(15)가 베이스(11)의 주변 방향에 같은 거리로 떨어져서 수직방향으로 연장되어 장착되어 있다. 직립포우스트(15)는 상부에 원형압압판(16)을, 수평으로 즉, 직립포우스트(15)의 어느하나에 수직인 면에 놓고, 직립포우스트(15)를 따라 고무제 매트(12)쪽으로 접근하거나 매트로부터 떨어지는 방향으로 움직이도록 운반한다. 압압판(16)의 한면에는 고무제 매트(12)를 향하여 아래쪽으로 돌출한 반구체(17)가 형성되어 있다. 직립포스트(15)를 따라 고무제 매트(12)쪽으로 접근하거나 매트(15)로 부터 멀어지는 방향으로 압압판(16)을 이동하는데 사용되는 구동기구는 예시하지 않았지만, 종래의 구성으로 하면된다.
제 1 도를 참조하여 상기 설명된 구성의 장치가 작동되는 경우, 칩이 형성되어 있는 제 1 면, 즉 표면과 칩이 형성되어 있지 않은 제 2 면, 즉 뒤면이 서로 대항하고 있는 웨이퍼(13)는, 고무제 매트(12)와 웨이퍼(13)사이에 놓인 표면보호테이프(18)를 개재하여 고무제 매트(12)위에 위치된다. 이와 같이 위치되는 동안, 웨이퍼(13)의 칩이 형성된 제 1 면을 표면보호 테이프(18)에 접하도록 하고 제 2 면을 위쪽으로 향하도록 하여 고무제 매트(12)위에 웨이퍼(13)를 조심해서 놓아야만 한다. 웨이퍼(13)의 제 2 면에는 테이프(19)가 도포되어 있으므로, 상기 설명한 것과 같은 방법으로 웨이퍼(13)를 고무제 매트(12)에 놓는 경우, 웨이퍼(12)의 제 2 면위의 테이프(19)는 고무제 매트(12)에 대항하는 방향, 즉 위쪽으로 향한다.
웨이퍼(13)의 설치 후, 구동기구는 직립포우스트(15)를 따라 고무제 매트(12)위의 웨이퍼(13)쪽으로 접근하는 방향 즉, 아래쪽으로 압압판(16)을 움직이도록 작동된다. 압압판(16)의 하향운동의 결과, 압압판(16)위의 반구체(17)는 제 2a 도에 도시된 바와 같이 테이프(19)를 개재해서 웨이퍼(13)와 접촉하게 된다. 압압판(16)이 더욱 아래로 움직하면서 반구체(17)가 웨이퍼(13)와 접촉하게 된 후, 고무제 매트(12)와 함께 웨이퍼(13)는 반구체(17)로 부터 가해진 압압력에 의해 아래쪽으로 변형 즉 오목하게 되어 제 2b 도에 도시한 바와 같이 반구체(17)의 곡률을 따르는 만곡된 오목부를 나타낸다. 웨이퍼(13)가 고무제 매트(12)와 함께 그렇게 변형되므로서, 웨이퍼(13)는 그 중앙부에서 균열이 시작되어 웨이퍼(13)의 주변부를 향하여 계속 균열되나, 반구체(17)에서 웨이퍼로 인가된 압압력은, 칩을 개개로 분할 하도록 균열이 일단 발생된 웨이퍼에는 더이상 작용하지 않는다.
따라서, SiN막과 같은 막이 있기 때문에 웨이퍼의 두께가 그의 중앙부에서 보다 주변부에서 더 두꺼울지라도, 웨이퍼(13)상에 형성된 칩은, 반구체(17)로 부터 전달된 균일한 압압력을 받는다. 웨이퍼(13)상의 칩에 이러한 균일한 압압력이 인가되므로서, 칩에 가해지는 손실이 최소화될 뿐만 아니라, 서로 수직인 X축 및 Y축의 양방향으로 칩을 분할할 수 있게 된다.
제 3 도에 도시된 제 2 실시예에 있어서, 반도체소자 제조장치는, 적어도 3개., 바람직하게는 4개의 직립포우스트가 위쪽방향으로 뻗도록 고정되어 있는 베이스(21)와, 상기 직립포우스트(25)를 따라 베이스(21)쪽으로 접근하거나 베이스로 부터 멀어지는 방향으로 운동하기 위하여 대략 링형상의 부재를 개재해서 상기 직립포우스트상에 장착됨과 동시에, 수평으로 즉 직립포우스트(25)중의 어느 하나에 수직인 평면에 놓여 있는 대력 원형의 고무제매트(12)를 구비하고 있다. 또한, 고무제매트(12)를 지지하고 있는 링형상 부재는, 웨이퍼(13)가 상부에 재치되는 테이프(28)는 고무제매트(12) 바로 아래쪽에 위치하게 된다.
또, 상기 반도체소자 제조장치는, 베이스와 일체로 형성되어 웨이퍼(13)와 마주하도록 위쪽으로 돌출한 반구체(17)를 가지며 베이스(21)상에 고정장착되어 있는 압압블록(26)과, 반구체(17)를 둘러싸고, 지지포우스트의 어느 하나에 평행한 방향으로 상하운동하기 위하여 복수의 지지포우스트위에 지지된 웨이퍼링(29)을 구비하고 있다. 반구체(17)는, 반구체(17)를 소정의 온도 예를들면 60°정도로 가열하기 위해 히이터를 내장한 형태이다.
제 2 실시예에 의한 장치가 작동되는 경우, 웨이퍼(13)는, 칩이 형성된 제 1 면이 고무제매트(12)와 마주한 상태로 테이프(28)위에 놓인다. 그 후, 구동기구(도시하지않음)는 테이프(28) 및 고무제매트(12)와 함께 웨이퍼(13)를 반구체⑺쪽으로 접근하는 방향 즉 아래쪽으로 이동시키므로써, 웨이퍼(13)가 반구체(17)와 접촉하면서, 웨이퍼(13)가 반구체(17)의 곡률을 따른 만곡된 오목부를 나타내도록 고무제매트(12)와 함께 변형된다. 웨이퍼(13)가 반구체(17)와 접촉하여 변형되기 바로 전에, 반구체(17)가 테이프(28)와 접촉하게 되므로, 이 테이프는 반구체(17)와 접촉하여 가열된다. 이와같이 테이프(28)가 가열되면, 테이프(28)는 연성이 증가된다.
웨이퍼(13)가 고무제 매트(12)와 함께 상기와 같이 변형되면, 웨이퍼(13)는 그 중앙부에서 부터 균열이 개시되어, 웨이퍼(13)의 주변부를 향하여 균열이 계속되지만, 반구체(17)로 부터 웨이퍼에 인가된 압압력은, 칩을 개개로 분할 하도록 일단 균열이 발생된, 웨이퍼에는 더이상 작용하지 않는다.
웨이퍼(13)에 균열이 발생한 후, 고무제매트(12)는, 칩을 개개로 분할하면서 테이프(28)를 신장시키거나 팽창시키도록 웨이퍼(13)와 함께 소정의 거리만큼 아래쪽으로 움직인다. 그 후, 웨이퍼링(29)은 사전에 팽창되어 있던 테이프(28)가 아래쪽에서 부터 웨이퍼(13)에 붙도록 지지포우스트를 따라 적절한 구동기구(도시하지않음)에 의해 위쪽으로 이동된다.
그래서, 상기의 설명으로 부터, 본 발명의 제 2 실시예에 의한 장치에 의하면, 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할할 수 있을 뿐 아니라, 웨이퍼에 테이프를 붙일 수 있으므로, 반도체소자의 제조에 요하는 공정의 수를 최소화할 수 있음은 명백하다.
제 4 도에 있어서, 도시된 장치는 제 1 도에 도시된 장치와 유사하다. 그러나, 제 4 도에 도시된 장치는 제 1 도의 장치의 변형예로서, 제 3 도에 도시되고 이 제 3 도를 참조하여 설명한 웨이퍼링(29)에 상당하는 기능을 가진 웨이퍼링(29)이 웨이퍼(13)에 테이프를 자동적으로 붙이기 위하여 설치되어 있다. 이를 위하여, 제 4 도에 도시된 장치는 웨이퍼링(29)뿐 아니라 직립포우스트(15)를 따라 상하운동하기 위해 직립포우스트(15)위에 미끄럼가능하게 장착된 지지링도 설치되어 있다. 상기 지지링에는, 반구체(17) 바로 아래에 놓이도록 이 지지링위에 테이프(38)가 팽팽하게 걸려 있다. 제 4 도의 장치에서 사용된 웨이퍼링(29)은, 웨이퍼링(29)으로 부터 위쪽으로 뻗음과 동시에 압압판(16)을 독립적으로 상하로 운동시키기위하여 압압판을 개재해서 미끄럼자유롭게 뻗어있는 복수개의 슬라이드로드를 가지며, 상기 슬라이드로드는 링구동기구(도시하지않음)와 결합하여 차례로 구동된다.
특히, 제 4 도에 도시된 장치는 다음과 같이 작동하도록 설계되어 있다.
제 1 면에 칩을 가지는 웨이퍼(13)를, 이 칩이 고무제매트(12)와 접하여 유지되도록 고무제매트(12)위에 놓는다. 웨이퍼(13)의 재치후, 구동기구는 직립포우스트(15)를 따라 고무제매트(12)위의 웨이퍼(13)를 향하여 접근하는 방향으로, 즉 아래쪽으로 압압판(16)을 이동시킨다.
압압판(16)의 하향운동 동안, 약 60°로 가열된 반구체(17)는 테이프(38)와 접촉하여 테이프(38)의 연성을 증가시킨다. 그 후, 압압판(16)은, 반구체(17)가 고무제매트(12)위의 웨이퍼(13)와 접촉하게 될 때 까지 아래쪽으로 움직인다. 압압판(16)이 더욱 아래쪽으로 이동하는 동안, 반구체(17)는 웨이퍼(13)와 접촉하게된 후, 고무제매트(12)와 함께 웨이퍼는, 반구체(17)로 부터 압압력이 가해지므로써 아래쪽으로 변형 즉, 반구에(17)의 곡률을 따른 만곡된 오목부로 된다. 웨이퍼(13)가 고무제매트(12)와 함께 그렇게 변형되면, 웨이퍼(13)는 그 중앙부에서 균열이 시작되어, 웨이퍼(13)의 주변부를 향하여 계속 균열되지만, 반구체(17)로 부터 웨이퍼에 인가된 압압력은, 칩이 개개로 분할 되도록 일단 균열이 일어난 웨이퍼에는 더 이상 작용하지 않는다.
웨이퍼(13)에 균열이 발생한 후, 웨이퍼링(29)은 하강하여 고무제매트(12)에 대해 테이프(38)를 압압된 상태로 유지시킨다. 그후, 하강된 위치에서의 압압판(16)이 상승하여 고무제매트(12)로 부터 떨어지면, 웨이퍼링(29)에 의해 확장된 테이프(38)는 웨이퍼(12)에 붙게된다. 그 후, 웨이퍼링(29)은, 도포된 테이프(38)에 의해 제위치에 유지된 분할된 칩의 제거를 쉽게 하기 위하여 위로 이동된다.
본 발명을 첨부한 도면을 참조하면서 바람직한 실시예로서 충분히 설명하였으나, 당업자에 의해 여러변경과 수정을 할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그러한 변경과 수정은 본 발명의 범위로 부터 벗어나지 않는 한 본 발명에 속하는 것으로 간주할 수 있다.

Claims (14)

  1. 가요성을 가진 매트(12)와, 상기 가요성 매트를 대략 수평위치로 지지하는 수단(11)과, 볼록구면부(17)를 가지고 상하움직임이 자유롭게 지지된 압압수단과, 상기 압압수단 및 웨이퍼(13)중의 한쪽을 이 압압수단 및 웨이퍼의 다른쪽에 대해서 상하로 구동하는 구동수단을 구비하고, 상기 웨이퍼(13)는 칩이 형성되어 있는 제 1 면과 제 2 면이 서로 대항하고 있으며, 상기 웨이퍼는 상기 칩이 상기 매트와 마주 하도록 상기 매트위에 재치되고, 웨이퍼의 제 2 면에 대해 상기 압압수단의 볼록구면부(17)을 압압하여 이 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 가요성을 가진 매트(12)는 원형인 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 가요성을 가진 매트(12)는 고무로 만든것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 압압수단은, 크기가 상기 웨이퍼보다 대략 더 큰 볼록구면부(17)를 가지는 압압판(16)과 적어도 3개의 직립로드(15)로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
  5. 가요성을 가진 매트(12)와, 상기 매트를 대략 수평위치로 지지하는 수단과, 상기 매트(12)아래쪽에서, 웨이퍼(13)가 상부에 장착된 테이프(28)를 수평으로 팽팽하게 잡아당겨 지지하는 수단과, 상하운동을 위하여 테이프(28) 아래에 지지되고 볼록구면부(17)를 가지는 압압수단(26)고, 소정의 온도로 볼록구면부(17)를 가열하는 가열수단과, 상기 테이프지지수단 및 상기 매트지지수단을 상기 압압수단에 대해서 상대적으로 구동하는 구동수단을 구비하고, 상기 웨이퍼(13)는 칩이 형성되어 있는 제 1 면과 제 2 면이 서로 대항하고 있으며, 압압수단의 상기 볼록구면부(17)에 대해 웨이퍼의 제 2 면을 압압하여 이 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할함과 동시에, 상기 테이프를 확장해서 칩을 완전히 분할하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 가요성을 가진 매트(12)는 원형인 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 가요성을 가진 매트(12)는 고무로 만든 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
  8. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 소정의 온도는 약 60℃인 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
  9. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상하로 운동하기 위해 지지된 웨이퍼링(29)과 이 웨이퍼링을 구동하는 링구동수단으로 이루어지고, 상기 볼록구면부(17)의 크기는 웨이퍼(13)보다 대략 큰 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
  10. 가요성을 가진 매트(12)와, 상기 매트를 대략 수평위치로 지지하는 수단(11)과, 상기 매트위쪽에서 테이프(38)를 수평으로 잡아당겨 지지하는 수단과, 상하운동을 위하여 테이프위쪽에 지지되고 볼록구면부(17)를 가지는 압압수단과, 소정의 온도로 볼록구면부(17)를 가열하는 가열수단과, 상기 테이프지지수단 및 상기 매트지지수단에 대해서 상대적으로 상기 압압수단을 구동하는 구동수단을 구비하고, 상기 웨이퍼(13)는 칩이 형성되어 있는 제 1 면과 제 2 면이 서로 대항하고 있으며, 압압수단의 상기 볼록구면부(17)을 웨이퍼(13)의 제 2 면에 대해 압압하여 이 웨이퍼를 개개의 칩으로 분할함과 동시에, 상기 테이프를 확장해서 칩을 완전히 분할하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 가요성을 가진 매트(12)는 원형인 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 가요성을 가진 매트(12)는 고무로 만든 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
  13. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 소정의 온도는 약 60℃인 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
  14. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 압압수단은 매트지지수단에 직각으로 지지된 적어도 3개의 직립로드(15)와, 상기 직립로드(15)의 어느 하나에 수직으로 뻗도록 직립로드위에 미끄럼자유롭게 장착되고 볼록구면부(17)를 가지는 압압판(16)과, 상하운동을 하기 위하여 볼록구면부 주위에 지지된 웨이퍼링(29)과, 웨이퍼링을 구동하는 링구동수단으로 이루어지고, 상기 볼록구면부(17)의 크기는 웨이퍼(13) 보다 대략 큰 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
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