KR920003156B1 - 이온빔을 안정적으로 인출할 수 있는 마이크로파 방전형의 이온원 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 종래의 마이크로파 이온원의 구조를 나타낸 설명도.
제2도는 방전상자와 그 근방부를 나타낸 사시도.
제3도는 방전상자와 그 근방부를 나타낸 단면도.
제4도는 본원 발명의 일실시예애 있어서의 마이크로파 이온원의 방전상자와 그 근방부를 나타낸 단면도.
제5도는 제4도에 있어서의 A-A 단면을 나타낸 단면도.
제6도는 본원 발명의 일실시예에 있어서의 마이크로파 이온원의 전체구조를 나타낸 설명도.
제7도는 가스도입구의 위치와 이온빔출구슬릿부에 있어서의 석출물의 석출속도와의 관계를 나타낸 그래프.
제8a도와 제8b도는 각각 본원 발명의 다른 일실시예에 있어서의 마이크로파 이온원의 방전상자와 그 근방부를 나타낸 단면도와 평면도.
제9도는 본원 발명의 또 다른 실시예에 있어서의 마이크로파 이온원의 방전상자와 그 근방부를 나타낸 단면도.
제10도와 제11도는 각각 본원 발명의 또 다른 각 실시예에 있어서의 마이크로파 이온원의 전체구조를 나타낸 설명도.
본원 발명은 이온타입기(打入機), 이온가공기등에 사용되는 이온원(ion source)에 관한 것이며, 특히 장시간 이온빔을 안정적으로 인출할 수 있는 마이크로파 방전형의 이온원에 관한 것이며, 특히 B 이온빔을 얻는데 적합한 마이크로파 방전형의 이온원(이하 마이크로파 이온원이라고 함)에 관한 것이다.
제1도는 종래의 마이크로파 이온원의 구조를 나타낸 설명도이다.
마이크로파 이온원은 마이크로파를 전파(傳播)하는 도파관(導派管)인 4각형 도파관(2a) 및 (2b), 리지도 파관 구조를 형성하는 전극(4), 리지도파관의 사이에 설치된 보론나이트라이드제의 방전상자(5) 및 이온빔(21)을 인출하는 인출전극계(8a), (8b), (8c)로 구성된다. 또한, 방전상자(5)에는 자장발생기인 코일(13)의 여자(勵磁)에서 발생되는 축방향자장이 인가되며, 방전용 가스가 도입파이프(6)를 통해 도입된다.
제2도는 방전상자와 그 근방의 상세를 나타낸 사시도이다. 또, 제3도는 방전상자(5)와 그 부근을 나타내는 단면도이며, 방전상자(5), 가스도입구(10) 및 이온빔출구슬릿(7)의 부분을 설명하는 것이다. 또, 각 도면의 (1)은 마이크로파 발생기, (3)은 마이크로과 도입플랜지, (5a)는 방전상자(5)의 라이닝, (7a)는 이온빔출구슬릿 근방부분, (11)은 유전체충전물, (12)는 절연애자이다.
제1도의 이온원에 있어서, 반도체용 이온타입에서 사용되는 P+(인), As+(비소)이온 등의 빔을 얻는 경우, 방전용 가스에는 수소화합물인 PH3(포스핀), AsH3(아르신)등이 사용된다. 이 경우, P+, As+, 이온빔은 장시간 안정되게 인출된다. 그러나, 반도체용의 이온타입에서 필요로 하는 B 이온빔을 얻기 위해 BF 가스를 도입하면, 다음의 문제점이 발생하여, 장시간에 걸쳐서 대전류이온빔을 안정적으로 인출하는 것은 곤란했었다.
(가) 이온빔인출개구부(즉 이온빔출구슬릿(7))에서의 석출물(析出物)의 퇴적
(나) 방전상자(5)내의 석출물의 퇴적이 발생한다.
상기 (가)가 있으면 개구부의 면적이 감소되기 때문에 인출빔전류의 감소를 일으킨다. 즉, 종래의 이온원에서는 가스도입구(10)가 방전상자(5)의 중앙부근으로 되어 있었기 때문에, BF 등과 같을 할로겐화물의 가스로 플라즈마를 발생시키면, 방전상자의 라이닝(5a)을 구성하고 있는 BN(질화붕소)의 특히 가스도입구(10)부근이 에칭되며, 다른 부분 특히 이온빔출구슬릿(7)의 부분에 에칭시의 생성물(대부분이 BN)이 석출되어 슬릿폭이 좁아져서, 결과적으로 전류가 감소되어 버린다고 하는 결점이 있었다. 참고로, BF3가스를 도입한 실험에 의하면, 약 4시간의 이온원의 운전후, 개구부의 면적은 약 절반으로 된다. 또한, 이 석출물이 플라즈마나 이온빔으로 맞았을때, 이온빔출구슬릿 (7)으로부터 벗겨겨서 이온을 인출하기 위한 전계가 걸려있는 공간에 튀어나오는 일이 있으며, 이 박리물질이 전극(8b)을 때려 이것으로부터 발생하는 2차전자가 화종(火鐘)으로 되어 플러스의 고전압이 인가된 전극(8a)과, 마이너스의 고전압이 인가된 전극(8b)사이에서 이상방전이 발생했다. 이것이 이온원의 안정성을 나쁘게 하는 원인으로 되어 있었다.
한편, 상기 (나)의 경우에도 석출물이 자주 박리되며, 이 때문에 풀라즈마 상태가 불안정해지고, 또 상기 (가)의 경우와 마찬가지로 전극간의 이상방전이 발생하여 이온원의 안정성을 해친다.
이상과 같이 종래의 마이크로파 이온원에서는 BF3등과 같은 할로겐화물의 가스로 플라즈마를 방생시키면, 인출이온빔 전류가 감소되는 동시에, 이온원의 안정성이 나빠진다.
BF3또는 BCl3가스 사용시에 석출이 발생하는 이유로서는 마이크로파방전으로 발생되는 불소 또는 염소 원자가 화학적으로 매우 활성이기 때문에 방전상자(5)의 라이닝(5a)을 구성하고 있는 재질인 보론나이트라이드 BN를 부식, 해리(解離)하기 때문이라고 생각된다. 사실, 석출물을 물리분석했던바, 보론나이트라이드라는 것이 동정(동정)되었다. 이와같은 석출물의 발생을 방지하기 위해, 방전상자를 열절연구조로 하고, 그 온도를 올려, 석출물을 열해리 또는 증발시키는 연구가 유효하다. 그러나, 방전상자의 열절연에 대한 구조상의 제약에서 온도상승에도 한도가 있으며 800-900℃ 정도까지 이다. 따라서, 열절연법만으로 실용상 문제가 되지 않는 레벨까지 석출량을 억제하는 것은 곤란했었다.
그리고, 이 분야에 있어서의 기술의 상황을 나타낸 참조문헌으로서 일본국 특개소 56-132754호를 들 수 있다.
본원 발명의 목적은 상기 종래기술의 난점을 해소하고, 방전상자내에 도입하는 방전용 가스로서 BF3, BCl3등과 같은 할로겐화물의 가스를 사용하여도 이온빔출구슬릿이 좁아지지 않으며, 장시간 이온빔을 안정적으로 인출할 수 있는 이온원, 특히 마이크로파 방전형의 이온원을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본원 발명의 이온원은 방전용 가스에서의 플라스마로부터 이온을 인출하기 위한 이온빔출구슬릿 근방에 가스도입구를 설치한 것이다. 또한, 방전상자에 도입하는 방 전용 가스로서 산소, 수소 또는 산소를 포함하는 화합물의 가스와 같은 붕소와 반응해서 화합물을 만드는 가스 또는 그 혼합가스를 상기 할로겐화물가스의 최소한 1가스에 혼입한 가스를 사용함으로써, 본원 발명의 효과를 더욱 높일 수 있다.
가스도입구와 이온빔출구슬릿이 설치되어 있는 방전상자 끝면과의 거리를 d라고 하고, 방전상자의 가스 도입구의 어느 부분의 벽면과 이것에 대향하는 벽면과의 거리를 d'라고 할 때, d는 2d' 이하, 바람직하게는 d' 이하로 하고, 가스도입구를 보다 이온빔출구슬릿에 근접시키면 더욱 양호한 결과가 얻어진다.
상기 이온빔출구슬릿 근방에 가스도입구를 설치한 구조에서는 이온빔출구슬릿 근방의 가스압력이 높아져, 방전상자내의 벽과 같이 출구슬릿부분도 에칭되며, 출구슬릿부분으로서의 석출부의 퇴적을 감소시킬 수 있다.
한편, 상기 할로겐화물가스에 혼입하는, 붕소와 반응하여 화합물을 만드는 가스의 양은 압력비로 할로겐 화물가스의 최소한 o.1% 이상으로하고, 그 양이 증가함에 따라 본원 발명의 효과도 현저해진다. 그 가스량이 0.1% 미만에서는 본원 발명의 효과가 인정되지 않는다. 산소등의 혼입가스량이 증가하면 혼입량과 비례해서, 인출되는 이온빔중에 포함되는 목적으로 하는 이온의 양은 감소되므로, 혼입가스량은 이온원의 사용 목적에 의해 그 상한이 정해지게 된다. 혼입가스가 수소일 경우의 혼입량도 상기 산소의 경우와 마찬가지이다. 상기 산소를 포함하는 화합물로서는 예를들면 CO, CO2, NO, N2O, SO2, H2O를 들 수 있다. 혼입가스는 상기 수소, 산소, 산소를 포함하는 여러가지 화합물의 가스의 어느 일종이라도 좋고, 또 2이상의 가스를 복합하여 혼입가스로 해도 좋다. 상기와 같은 방전상자내에 도입하는 가스중에 산소등의 혼입가스를 첨가하는 것은 가스도입구를 이온빔출구슬릿 근방에 설치하는 것과 병용해서 효과가 있다는 것은 물론이지만, 단독으로 사용해도 이온빔인출의 안정화에 효과가 있다.
그리고, 플라즈마발생수단으로서는 일반적으로 자장중의 마이크로파가 사용되고 있으며, 본원 발명의 이온원도 사용할 수 있다.
그런데, 자장중의 마이크로파방전으로 생성되는 플라즈마의 이용분야로서는 이온원 플라즈마에의 응용외에 이 플라즈마에 의한 Si등의 에칭이 있다. 마이크로파 플라즈마에칭의 기술에 의하면, 일반적으로 산소가스의 혼입에 의해 에칭속도가 저하되는 것이 알려져 있다. 또, 아이크로파 이온원에 있어서, BF3가스를 도입하여 B+빔을 인출할 경우, 진공용기내의 잔류가스인 H2O가 많으면, 산소를 포함한 화합물이온 BO+, BOF+이온등이 비교적 많이 발생검지되는 것이 알려져 있다. 상기한 바에 의해 마이크로파 이온원의 방전용 가스중에 O2가스를 적극적으로 혼입시키면, 방전상자의 재질인 BN의 에칭이 억제되는 동시에, 해리된 BN 분자가 BO+, BOF+등으로 변하여 석출이 방지되는 것을 알 수 있다. 또, 석출물이 가령 발생해도 이 석출물이 BO+, BOF+의 형으로 도피하므로, 석출속도의 현저한 감소를 기대할 수 있다.
그리고, B+의 mA 급의 이온빔을 얻는 이온원으로서는 열필라멘트에 의한 저전압아크방전을 이용한 이온원이 있다. 이와같은 이온원에서도 BF3가스가 사용된다. 한편, 열필라멘트는 산소가스에서 심하게 부식되기 때문에 안정된 B 빔취득을 목적으로 하여 산소가스 O2를 도입해도 장시간동작은 기대할 수 없다. 이런 의미에서 O2 가스도입도 열필라멘트를 포함하지 않는 마이크로파 이온원에 특징적으로 활용할 수 있는 수법이다.
상기 설명에서는 산소가스를 대표예로 들었지만, 붕소와 반응하여 용이하게 화합물을 형성하는 것으로 생각되는 가스, 예를 들면 H2가스등에서도 역시 석출물의 감소효과가 얻어진다.
그리고, 본원 발명의 이온원에 대하여 본원 명세서에 기술되어 있지 않은 사항에 대해서는 이미 이 기술 분야에서 알려져 있는 지견을 이용해도 관계없다.
[실시예 1]
제4도와 제5도는 본 실시예에 있어서의 마이크로파 이온원의 방전상자와 그 근방부의 구조를 나타낸 단면도로서, 제5도는 제4도의 A-A 단면을 나타낸다. 플라즈마를 발생하는 수단으로서 자장중의 마이크로 파방전을 사용하고 있다. 마이크로파는 제4도에 있어서 좌측으로부터 방전전극(4)의 사이를 통해 방전상자(5)내에 인도된다. 또한, 이 마이크로파에 의한 전계와 직교하는 방향으로 자장이 인가되어 있으며, 이들의 상호작용에 의해 방전상자(5)내에 있어서 방전용 가스의 플라즈마를 발생시킨다. 그리고 이온빔 (21)은 방전상자의 한끝면에 설치된 이온빔출구슬릿(7)으로부터 인출된다. 방전용 가스는 이온빔출구슬릿 가까이에 설치된 제5도에 나타낸 복수개(도면에서는 5개)의 가스도입구(110)를 통해 방전상자(5)내에 인도된다. 전술한 바와같이 가스도입구(110)와 이온빔출구슬릿(7)이 설치되어 있는 방전상자끝면(120)과의 거리는 방전상자(5)에의 가스취출구와, 대향하는 방전상자(5)의 벽면과의 거리 d'의 2배 이하고 하고, d'보다도 짧은 것이 더욱 바람직하다. 본 실시예에 의하면 방전용 가스로서 BF3와 같은 할로겐화가스를 사용한 경우, 가스도입구(110) 부근의 방전상자(5)의 내벽과 이온빔출구슬릿(7)에서 플라즈마에 노출되어 있는 면이 에칭효과를 받기 때문에, 이온빔출구슬릿(7)에의 석출을 줄일 수 있다.
그리고, 가스도입구(110)의 직경은 2mm, 이온빔출구슬릿(7)의 길이는 방전상자의 크기와 대략 같으며 두께는 약 1mm, 방전상자(5)는 폭 8mm, 깊이 20mm, 길이 46mm의 크기로 했다. 가 부분의 재료에는 종래와 같은 것을 사용했다. 즉, 방전전극(4)에는 스테인레스강, 유전체충전물(11)에는 BN, 이온상자의 라이닝(5a)에는 BN, 이온빔출구슬릿(7) 근방부분(7a)에는 카본을 사용했다.
제6도는 본 실시예의 마이크로파 이온원의 전체의 구조를 나타낸 설명도이다.
다음에, 본 실시예에 있어서의 가스도입구의 설치에 대해 상세히 검토한다.
제7도는 가스도입구(110)의 설치위치와 이온빔출구슬릿에 있어서의 석출물의 석출량과의 관계를 나타낸 것이다. 제7도의 횡축은 이온빔출구슬릿이 있는 방전상자끝면과 가스도입구와의 거리에 대한 가스취출구와 그것에 대향하는 방전실의 내벽까지의 거리의 비(R)를 나타내며, 종축은 석출속도(mm/hr)를 나타내고 있다. 여기서, 이온빔출구슬릿과 방전상자의 구성은 상기와 같게 하고, 플라즈마에 투입하는 마이크로파 파워를 800W로 하며, 자장강도는 500가우스로 하고, 압력으로 나타낸 도입가스량은 1x10+1Pa로 하며, 이들도 일정하게 유지하는 것으로 한다. 석출속도가 마이너스인 것은 이온빔출구슬릿이 에칭되는 것을 나타낸다.
제7도에서 명백한 것처럼 R＞2의 부분에 있어서는 석출이 많아 바람직하지 않다. O≤R≤2에 있어서, 본 원 발명의 효과가 생기고 있으며, R이 작을 수록 석출량이 감소하고 있다. 특히, R≤1의 부분에서는 이온 타입기용 이온원으로서 실용에 제공할 수 있는 레벨의 수명을 얻을 수 있다. 즉, (타입전류)X(타임시간)=40mA·hr을 확보할 수 있다. 종래의 것에 의하면 10mA·hr이 한도였다. 또한, 실험에 의하면 최대수명은 R=0.25일매에 120mA ·hr(4mA의 전류에서 30hr 사용할 수 있었음)였다.
[실시예 2]
제8a도, 제8b도는 본 실시예에 있어서의 마이크로파 이온원의 방전상자와 그 근방부의 구조를 나타낸 단면도와 평면도이며, 방전용 가스는 제4도에 나타낸 실시예 1의 경우와 같은 방법으로 도입되지만, 본 실시예에서는 다시 이온빔출구슬릿을 복수개로 분할하여 열적으로 절연된 구조로 하고, 이온빔출구슬릿(7)의 플라즈마에 노출되는 부분의 온도가 상승하도록 하고 있다. 즉, 이온빔출구슬릿부분을 (7a), (7b), (7c)의 3부재에 의해 구성하고, (7a)를 스테인레스강, (7b)를 전기적 도전성 질화붕소 BN 및 티탄 Ti의 복합재로, 도전성의 재료(7c)를 카본으로 하여, 분할구조로 함으로써 열절연되는 동시에, 이온빔출구슬릿(7)을 제8b도에 나타낸 바와같이 복수화했다. 이온빔출구슬릿 (7)을 상기와 같이 분할하여 구성함으로써, 슬릿(7)을 열적으로 절연하여 BN의 온도를 상승시켜서, 방전가스가 통과했을 때에 에칭되기 쉽게 한다.
본 실시예애 의하면 시료가스에 의한 이온빔출구슬릿(7)에의 에칭효과를 더욱 증대시킬 수 있으며, 이온빔출구슬릿(7)에의 석출을 없앨 수 있다.
[실시예 3]
제9도는 본 실시예에 있어서의 마이크로파 이온원의 방전상자와 그 근방부의 구조를 나타번 단면도로서, 방전용 가스는 이온빔출구슬릿(7)가까이에 설치된 가스도입구(110)와, 방전상자(5)의 깊숙한 곳의 면(제9도에서는 좌측면)가까이에 추가해서 설치된 가스도입구(110a)의 2개소로부터 도입된다. 또한, 이들 2개의 가스도입구(110), (110a)에 이어지는 가스도입파이프(6), (6a)는 각각 다른 가스유량제어밸브(9a), (9b)를 가지고 있으며, 독자적으로 가스유량을 제어할 수 있도록 되어 있다. 본 실시예의 마이크로과 이온원에 의하면, 이온빔출구슬릿(7)과 방전상자(5)의 깊숙한 면에의 석출상태에 맞추어서 각각의 가스유량을 제어함으로써 방전상자(5)내의 석출을 균형있게 줄일 수 있다.
[실시예 4]
본 실시예의 마이크로파 이온원은 제10도에 나타낸 바와같이 가스도입파이프(6)에 리크밸브(14), (14')를 설치하고, 3블화 붕소 BF3가스와 O2가스를 혼입한 것 이외는 실시예 1에 나타낸 이온원과 같다. O2가스의 혼입량을 5%, 10%, 20%로 했던 바 O2가스의 농도에 비래하여 인출 되는 이온빔에 포함되는 B+의 비율이 약간 감소되는 경향이 있지만, 어느 경우도 방전상자(5)내나 이온빔출구슬릿 (7)의 부분에는 석출물은 관측되지 않았다. 그 결과, 이온원으로부터 인출된 이온빔을 선형(扇形)자 장형질량분리기로 질량분리함으로써, 60keV, 4mA 이상의 B+힘을 4시간 이상에 걸쳐서 안정적으로 취득할 수 있었다. O2농도로서는 BF3가스압의 0.1%부터 석출물이 감소되는 효과가 나타나기 시작하고, O2농도의 증가로 그 효과는 증대했다.
플라즈마중에서는 여러가지 원자, 분자이온의 발생이 있는 외에 화학적으로 활성인 중성의 원자, 분자가 다량으로 발생한다. 그 양이나 성분비는 마이크로파 전력, 온도, 가스압 등에 의해 복잡하게 변화한다. 따라서, O2가스의 도입에 의해 석출물이 없는 방전유지가 가능해진 이유를 명백히 하는데는 금후 보다 상세한 화학적 해석을 할 필요가 있다.
그리고, 상기 BF3대신 3염화붕소 BCl3를 사용해도 같은 효과가 얻어진다.
[실시예 5]
본 실시예의 마이크로파 이온원은 제11도에 나타낸 바와같이, BF3가스와 O2가스를 각각 다른 도입파이프(6), (6')를 퉁해 방전상자(5)내에 도입한 것 이외는 실시예 4의 이온원과 같은 것이다. 본 실시예에서도 제10도의 실시예4와 마찬가지로 석출물을 볼 수없는 안정된 B+빔의 취득을 실현할 수 있었다. 부호(15)와 (15')는 리크밸브이다.
[실시예 6]
상기 제10도, 제11도에 나타낸 실시예 4, 실시예 5에서는 각각 2개의 니들밸브를 사용하여 가스를 혼합했지만, 처음부터 혼합된 가스를 충전한 봄베를 사용하면 제6도와 같이 하나의 니들밸브를 통해 혼합가스를 도입할 수 있으며, 상기 실시예 4, 실시예 5와 같은 효과가 얻어졌다.
[실시예 7]
실시예 4,5,6에 있어서의 산소가스 대신 BF3또는 BCl3가스에 혼입시키는 가스로서, 산소를 포함하는 가스, 예를들면 CO2를 사용했을 때도 산소가스도입의 경우와 같은 효과가 얻어졌다. 또, 분자식중에 산소를 포함하는 가스를 2종류 이상 혼합시켰을 때도 역시 안정된 B+빔이 취득되었다.
[실시예 8]
실시예 4,5,6에 있어서 BF3가스에 혼입한 O2가스대신, H2가스를 약 10% 혼입하여 실험했던 바, 방전상자내애 석출물이 발생하지 않는 안정된 B+빔인출이 실현되었다.
그런데, B의 화합물중에서는 B2H6등의 수소화합물이 비교적 안정되게 존재하는 것이 알려져 있다. 따라서, H2가스를 혼입시킴으로써 반응성의 수소래디칼입자가 석출물등과 반응하여 석출감소효과가 생긴 것으로 생각된다.
전술한 바와같이, 본원 발명에 의하면 방전용 가스로서 BF3또는 BCl3와 같은 할로겐화합물을 사용해도 이온빔출구슬릿에의 석출을 방지할 수 있으므로, 장시간 안정된 이온인출이 가능해지고, 예를들면 4시간 이상에 걸쳐서 4mA 이상의 종래에 없는 대전류의 B+빔을 안정적으로 취득할 수 있었다. 반도체이온타입장치의 생산라인에서의 사용타입전류가 현재 2mA 전후인 것을 생각하면, 본원 발명애 의해 대전류 B+타입이 실용레벨에서 비로서 실시가능해지며, 실용에 제공하여 그 효과는 현저하게 크다.
상기 실시예들은 본원 발명의 특정 실시예에 불과하며, 본원 발명의 범위를 일탈하지 않는 범위에서 변형 및 변경이 이루어질 수 있다.
Claims (13)
- 도입된 방전용 가스에 있어서 발생하는 플라즈마를 갖는 마이크로파 방전상자(5)와, 이 방전상자(5)에 상기 방전용 가스를 도입하기 위한 가스도입구 (110)와, 상기 방전상자(5)에 도입된 방전용 가스에 있어서 발생하는 플라즈마로부터 이온(21)을 인출하기 위한 이온빔출구슬릿(7)을 가지고, 이 이온빔출구슬릿(7)은 상기 방전상자(5)의 끝면(120)에 위하고, 상기 방전상자(5)에 있어서 상기 이온빔출구슬릿(7)이 설치되어 있는 끝면(120)과, 상기 가스도입구(110)와의 거리를 d라고 하고, 상기 방전상자(5)의 가스도입구(110)가 있는 부분의 벽면과, 이것에 대향하는 벽면과의 거리를 d'라고 할때, d≤2d' 의 관계를 갖도록 함으로써 거리 d와 d'가 상기 식을 만족시키지 않을 경우의 석출물에 비해 이온빔출구슬릿(7)의 석출물을 감소시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 방전형의 이온원.
- 제1항에 있어서, 상기 d와 d'가 d≤d'의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로파 방전형의 이온원.
- 제1항에 있어서, 다른 가스도입구(110a)를 상기 이온빔출구슬릿(7)근방 이외의 방전상자(5)의 위치에 설치하고, 이에의해 이온빔출구슬릿(7)과 이온빔출구슬릿 (7) 근방이외의 방전상자(5)의 표면의 석출을 균형있게 감소시킬 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 마이크로파 방전형의 이온원.
- 제3항에 있어서, 상기 가스도입구(110)에 이르는 가스도입파이프(6)와 상기 다른 가스도입구(110a)에 이르는 다른 가스도입파이프(6a)를 가지고, 각 가스도입파이프(6,6a)의 각각에 가스유량제어밸브(9a,9b)를 설치한 것을 특징으로 하는 마이크로파 방전형의 이온원.
- 제1항에 있어서, 상기 이온빔출구슬릿(7)은 복수개로 분할되고, 또한 그 근방은 열적으로 절연되어 이루어지는 복수개의 부재(7a,7b,7c)로 형성되고, 상기 이온빔출구슬릿(7)은 부재(7b)에 위치한 복수개의 이온빔출구슬릿으로 구성된 것을 특징으로 하는 마이크로파 방전형의 이온원.
- 제5항에 있어서, 상기 부재(7b)의 최소한 일부에 전기적 도전성 질화붕소 BN 및 티탄 Ti 복합재를 사용한 것을 특징으로 하는 마이크로파 방전형의 이온원.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마를 발생하기 위한 자장발생기(13)와 마이크로파발생기(1)를 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로파 방전형의 이온원.
- 제7항에 있어서, 상기 가스도입구(110)는 붕소의 할로겐화물가스로부터 선택된 최소한 1할로겐화물 가스에, 붕소와 반응하여 붕소화합물을 형성하는 최소한 1가스를 혼입하여 이루어지는 상기 방전용 가스를 도입하고, 또한 상기 이온원은 이온빔출구슬릿(7)과 결합하여 B+이온빔을 인출하기 위한 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로파 방전형의 이온원.
- 제8항에 있어서, 상기 붕소의 할로겐화물가스는 3불화붕소 및 3염화붕소로 이루어지는 군에서 선택된 최소한 1가스이고, 붕소와 반응하여 붕소화합물을 형성하는 상기 최소한 1가스는 산소, 수소, 산소를 포함하는 화합물 가스로 이루어지는 군에서 선택된 최소한 1가스인 것을 특징으로 하는 마이크로파 방전형의 이온원.
- 제9항에 있어서, 상기 산소를 포함하는 화합물가스는 CO, CO2, NO, N2O, SO2또는 H2O인 것을 특징으로 하는 마이크로파 방전형의 이온원.
- 제9항에 있어서, 붕고와 반응하여 붕소화합물을 형성하는 상기 최소한 1가스는 산소인 것을 특징으로 하는 마이크로파 방전형의 이온원.
- 제9항에 있어서, 붕소와 반응하여 붕소화합물을 형성하는 상기 최소한 1가스는 수소인 것을 특징으로 하는 마이크로파 방전형의 이온원.
- 제8항에 있어서, 상기 할로겐화물가스에 붕소와 반응하여 붕소화합물을 형성하는 상기 최소한 1가스를 혼입하는 수단과, 이 혼합가스를 가스도입구에 공급하는 수단을 더 포함하고, 상기 혼입하는 수단은 붕소와 반응하는 상기 가스의 양이 압력비로 상기 할로겐화물가스의 최소한 0.1% 이상인 가스혼합물을 공급하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 방전형의 이온원.
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