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KR910005585B1 - 동기식 반도체 기억 장치 - Google Patents

동기식 반도체 기억 장치 Download PDF

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KR910005585B1
KR910005585B1 KR1019880012627A KR880012627A KR910005585B1 KR 910005585 B1 KR910005585 B1 KR 910005585B1 KR 1019880012627 A KR1019880012627 A KR 1019880012627A KR 880012627 A KR880012627 A KR 880012627A KR 910005585 B1 KR910005585 B1 KR 910005585B1
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KR
South Korea
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write
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light
clock signal
signal
Prior art date
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Application number
KR1019880012627A
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English (en)
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KR890005749A (ko
Inventor
찌가이 오노
미찌유끼 히라따
Original Assignee
후지쓰 가부시끼가이샤
야마모도 다꾸마
후지쓰 브이 엘 에스 아이 가부시끼가이샤
나까노 히로유끼
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Filing date
Publication date
Application filed by 후지쓰 가부시끼가이샤, 야마모도 다꾸마, 후지쓰 브이 엘 에스 아이 가부시끼가이샤, 나까노 히로유끼 filed Critical 후지쓰 가부시끼가이샤
Publication of KR890005749A publication Critical patent/KR890005749A/ko
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Publication of KR910005585B1 publication Critical patent/KR910005585B1/ko
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  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

동기식 반도체 기억 장치
제1도는 종래의 비동기식 RAM의 한 예를 나타내는 회로도.
제2a도 내지 2f도는 제1도에 도시된 종래의 비동기식 RAM의 동작을 설명하기 위한 타이밍도.
제3도는 동시식 RAM의 회로도.
제4a도 내지 제4h도는 제3도에 도시된 동기식 RAM의 동작을 설명하기 위한 타이밍도.
제5도는 본 발명에 따른 반도체 기억 장치의 한 실시예를 도시하는 시스템 블록도.
제6도는 제5도에 도시된 실시예의 회로도.
제7a도 내지 제7f도는 제 6도에 도시된 실시예의 동작을 설명하기 위한 타이밍도.
제8도는 제6도에 도시된 반도체 기억장치내에 있는 라이트 펄스 발생 회로의 실시예를 도시하고 있는 회로도.
제9a도 내지 제9f도는 제8도에 도시된 라이트 펄스 발생회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍도.
본 발명은 반도체 기억 장치에 관한 것이고, 특히 라이트 데이터와 라이트 명령을 수신하기 위한 래치회로를 갖는 동기식 랜덤 엑세스 메모리와 같은 동기식 반도체 기억장치에 관한 것이다.
제1도는 종래의 비동기식 랜덤 엑세스 메모리(RAM)의 한 예를 도시하고 있다. 이 RAM은 일반적으로 외부의 라이트 명령(라이트 인에이블 신호)
Figure kpo00001
를 수신하는 라이트 명령 입력 버퍼 회로 1, 라이트 데이터DIN을 수신하는 라이트 데이터 입력 버퍼 회로 2, 라이트 제어 회로 3, 레벨 시프트 회로4, 다수의 메모리 셀 MC를 갖는 메모리 셀 어레이 5등으로 되어 있다. GND 와 VEE는 전압전원을 나타내고, VRI과 VR2는 기준전압을 나타낸다. 라이트 모루드에서, 라이트 제어 회로 3은 메모리 셀 어레이 5에 라이트 데이터 DIN을 공급한다. 리이드 모우드에서, 라이트 제어 회로 3은 메모리 셀 어레이 5에 라이트 데이터 DIN을 공급한다. 리이드 모우드에서, 라이트 제어 회로 3은 메모리 셀 어레이 5에 공급하는 라이트 데이터 DIN을 차단하고, 그 대신에 일정한 리이드 전위를 공급한다. 라이트와 리이드 모우드는 라이트 명령
Figure kpo00002
에 따라 제어되는데, 라이트 모우드는 로우-레벨의 라이트 명령
Figure kpo00003
에 의하여 선택되고, 리이드 모우드는 하이-레벨의 라이트 명령
Figure kpo00004
에 의하여 선택된다. 라이트 명령
Figure kpo00005
을 받는 입력 버퍼 회로1의 출력신호가 라이트 제어 회로 3의 트래지스터 Q32와 Q34에 인가된다.
잡음 제거용 트렌지스터 Qa는 제1도에 가상선으로 나타낸 바와 같이 입력 버퍼 회로 1과 2에 접속된다. 라이트 프로세스 이외의 시간에 라이트 데이터 DIN의 변화는 잡음의 원인이 되며, 만일 트랜지스터 Qa가 제공되지 않으면 잡음이 라이트 제어 회로 3에 전달된다. 이 경우에, 그 잡음은 라이트 제어 회로 3을 통과하여 메로리 셀 MC의 정보 내용을 파괴시킨다. 여기서, 트랜지스터Qa는 잡음의 메모리 셀 MC와 정보 내용파괴를 방지하기 위하여 라이트 프로세스 신호의 전위를 클램핑하는 기능을 갖는다.
제2a도 내지 제2f도는 종래의 비동기식 RAM이 잡음 제거용 트랜지스터 Qa를 가질때와 가지지 않을 때의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다. 제2a도와 2b도는 각각 라이트 데이터 DIN과 라이트 명령
Figure kpo00006
를 도시하고 있으며, 제2c도와 2d도는 각각 트랜지스터 Qa가 제1도에 제공되지 않았을 때의 노드(nod) A1과 B1에서 나타나는 라이트 프로세스 신호 Sa1과 Sb1이며, 한편 제2e도와 2f도는 각각 트랜지스터 Qa가 제1도에 제공되었을때의 노드 A1과 B1에 나타나는 라이트 프로세스 신호 Sa2와 Sa2이다. 제2c도와 2d도에서, N1은 라이트 데이터 DIN의 변화에 따라 도입된 잡음원을 나타낸다.
노드 A1은 라이트 프로세스 신호 Sa1 혹은 Sa2가 공급되는 라이트 제어 회로 3의 트랜지스터 Q33의 베이스에 연결되고 노드 B1은 라이트 프로세스 신호 Sb1혹은 Sb2가 공급되는 라이트 제어 회로 3의 트랜지스터 Q31의 베이스에 연결된다.
트랜지스터 Qa가 제 1도에 제공되지 않았을 때, 입력 버퍼2로부터 출력되어 각각 노드 A1과 B1을 통하여 라이트 제어 회로 3에 공급되는 라이트 프로세스 신호 Sa1과 Sb1은 RAM이 라이트 모우드에 있던지, 리이드 모우드에 있던지에 상관없이 라이트 데이터 DIN이 변화할 때에만 변화한다. 이러한 이유로 이이드 모우드에서의 라이트 데이터 DIN의 변화는 각각 노드 A1과 B1에서의 라이트 프로세스 신호 Sa1과 Sb1를 변화시키며, 라이트 제어회로 3에서 잡음원이 된다. 한편, 리이드 모우드에서의 라이트 제어 회로 3은 메모리 셀 어레이 5에 일정한 리이드 전위를 공급한다. 따라서, 제2c도와 2d도에 도시된 바와 같이 잡음원 N1은 리이드 모우드에서의 리이드 전위를 변화시키고, 메모리 셀 어레이 5의 메모리 셀들 MC에 악영향을 준다.
다시 말하면, 리이드 전위에서의 잡음은 트랜지스터Tr을 통하여 접지에 결합된 비트선 BL상에서 메모리 셀MC의 정보내용 검출하기 위한 검출전위서의 잡음이 된다. 따라서, 잡음은 RAM의 엑세스 시간을 나쁘게 하며, 최악의 경우에는 메모리 셀MC의 정보 내용을 반전시켜 잘못된 라이트 동작을 일으킨다.
상술된 문제들을 제거하기 위하여 종래의 비동기식 RAM은 입력 버퍼2의 입력 단계에서 라이트 데이터 DIN의 변화를 클램프하기 위한 트랜지스터를 사용한다. 트랜지스터 Qa의 베이시는 입력버퍼 1로부터의 라이트 명령
Figure kpo00007
에 의하여 제어된다. 리이드 모우드에서, 트랜지스터 Qa는 실제로 하이-레벨의 라이트 명령
Figure kpo00008
에 따라 라이트 데이터 DIN을 하이 레벨로 고정시킨다. 이 경우에, 제2e도와 2f도에 각각 도시된 라이트 프로세스 신호 Sa2와 Sb2의 전위 변화는 단지 라이트 사이클, 즉 라이트 모우드에서 라이트 명령
Figure kpo00009
가 로우-레벨인 동안에만 일어나며, 그렇지 않으면 라이트 프로세스 신호 Sa2와 Sb2의 전위는 라이트 데이터 DIN의 변화에 상관없이 고정된다. 그러므로, 라이트 데이터 DIN의 변화에 의하여 발생하는 라이트 제어 회로3의 잡음원을 완전하게 제거할 수 있다.
한편 , 래치 회로를 가지며, 클릭 신호 CLK에 따라 외부의 라이트 명령
Figure kpo00010
와 라이트 데이터 DIN을 제어하는 동기식 RAM이 제3도에 도시되어 있다. 그러나 트랜지스터 Qa가 제3도에 도시된 동기식 RAM에 연결될 때에 데이터 DIN의 변화에 따라 일어나는 잡음문제를 제거할 수 없다.
제3도의 동기식 RAM은 일반적으로 라이트 명령
Figure kpo00011
를 수신하는 라이트 명령 입력 래치 회로 6, 라이트 데이터 DIN을 수신하는 라이트 데이터 입력 래치 회로7, 라이트 제어 회로8, 내부의 라이트 펄스 신호를 발생하는 라이트 펄스 발생 회로9, 클럭 신호 CLK와 라이트 명령
Figure kpo00012
에 따라 내부의 라이트 펄스 신호가 발생되도록 개시 신호를 라이트 펄스 발생 회로 9에 출력하는 클릭 게이트 회로 10등으로 구성된다.
GND와 VEE는 전압전원을 나타내며, VR1, VR2, VR3등은 기준 전압을 나타낸다. 라이트 모우드에서, 라이트 제어 회로 8은 메모리 셀 어레이(도시되지 않았음)에 라이트 데이터 DIN을 공급한다.
한편, 리이드 모우드에서 라이트 제어 회로 8은 라이트 데이터 DIN의 공급을 차단하고, 메모리 셀 어레이에 일정한 리이드 전위를 공급한다. 트랜지스터 Qa는 제3동에 가상선으로 나타낸 바와 같이 연결된다.
제4a도 내지 제4h도는 동기식 RAM이 잡음 제거용 트랜지스터 Qa을 가질때와 가지지 않을때의 동작을 설명하는 타이밍도이다. 제4a도, 제4b도, 제4c도, 제4d도 등은 각각 클릭신호 CLK, 라이트 데이터 DIN 라이트 명령
Figure kpo00013
, 노드 C1에서의 신호SC1을 나타내며, tS와 tH는 각각 래치 회로 6의 세트업 시간과 홀드시간을 나타낸다. 노드 C1에서의 신호 SC1은 라이트 발생 회로 9로부터 출력된 출력된 내부의 라이트 펄스 신호이다. 이내부의 라이트 펄스 신호 SC1은 라이트 제어 회로 8의 트랜지스터Q82와 Q84에 베이스에 인가된다.
라이트 명령
Figure kpo00014
가 제4c도의 ①과 같은 파형을 가질 때, 제4e도와 4f도는 각각 제3도의 노드 A2와 B2에서의 라이트 프로세스 신호 Sa3과 Sb3을 나타낸다. 한편으로는 라이트 명령
Figure kpo00015
가가 제4c도의 ②와 같은 파형을 가질 때, 제4g도와 제4h도는 각각 제3도의 A2와 B2에서의 라이트 프로세스 신호 Sa4와 Sb4를 나타낸다. 제4g도와 제4h도에서 N2와 N3은 가각 라이트 데이터 DIN의 변화에 따라 라이트 프로세스 신호 Sa4와 Sb4에 도입되는 잡음원을 나타낸다. 라이트 프로세스 신호 Sa3, Sb3, Sa4, Sb4등은 입력 래치 회로 7에 인가되는 라이트 데이터 DIN에 따라 형성된 내부의 라이트 데이터 신호들이다. 노드 A2가 라이트 제어 회로 8의 트랜지스터 Q83의 베이스에 연결되어, 라이트 프로세스 신호 Sa3 혹은 Sa4를 트랜지스터 Q83의 베이스에 공급한다. 노드 B2가 라이트 제어 회로 8의 트랜지스터 Q81의 베이스에 연결되어 라이트 프로세스 신호 Sb3혹은 Sb4를 트랜지스터 Q81의 베이스에 공급한다.
다음에는 제3도와 같이 트랜지스터 Qa가 제공될때에 동기식 RAM에서의 잡음을 제거할 수 없는 이유가 서술될 것이다.
제4c도에서, 동기식RAM의 라이트 명령
Figure kpo00016
에 대한 설정은 래치 회로 6이 데이타 저장 기능을 갖기 때문에 [tS(min)+tH(min)]시간 동안에만 “트루(true)”로 만들면 된다. 여기에서, tH(min)와 tS(min)은 각각 클럭 신호 CLK의 상승 모서리에 대한 최소의 홀드시간과 세트업 시간이다. 다시말하면, 클럭 신호 CLK의 1싸이클내의 라이트 혹은 리이드 모우드는 클럭 신호를 CLK의 상승 모서리에서 라이트 명령
Figure kpo00017
의 “하이”혹은 “로우”레벨 상태에 의하여 결정된다. 따라서, 라이트 명령
Figure kpo00018
는 적어도 클럭 신호 CLK의 상승 모서리 이전의 ts(min)시간과 클럭 신호 CLK의 상승 모서리 이후의 tH(min) 시간동안에 ＂하이＂ 혹은 ＂로우＂ 레벨로 고정되는 조건을 가져야 한다. 그러므로, 라이트 명령
Figure kpo00019
는 [tS(min)+tH(min)]기간 이외에서도 변화할 수 있으며, 그 변화는 라이트 혹은 리이드 동작에 대한 유효 신호가 되지 않는다.
그러므로, 첫 번째 경우에 라이트 명령
Figure kpo00020
는 라이트 싸이클 직전(즉, 클럭신호 CLK의 상승 모서리 이전의 최소의 세트업 시간 TtS(min)에서와 제4c도의 실선 ①로 나타낸 바와 같이 클럭 신호 CLK의 상승모서리 이후의 최소 홀드시간 tH(min)끝에서 “로우”로 된다. 한편, 두 번째 경우에 라이트 명령
Figure kpo00021
는 제4c도의 점선 ②로 나타낸 바와 같이 최소 홀드시간 tH(min)이 클럭 신호 CLK의 상승 모서리로부터 경과한 후에도 “로우”를 유지하거나, 혹은 리이드 싸이클에서의 최소 홀드시간 tH(min) 직후에서“로우”가 된다.
내부의 라이트 펄스 신호 SC1은 라이트 펄스 발생회로 9에 의하여 형성되며, 이것을 클럭 신호 CLK의 상승모서리에서 유입된 로우-레벨의 라이트 명령
Figure kpo00022
에 의하여 트리거된다. 이 내부의 라이트 펄스 신호 SC1은 전술된 바와 같이 라이트 제어 회로 8의 트랜지스터 Q82와 Q84의 베이스에 인가된다.
입력 래치 회로 6과 7은 클럭 신호 CLK의 상승 모서리에서 라이트 데이터 DIN을 수신하기 위하여 제공되며, 라이트 데이터 DIN은 클럭 신호 CLK의 하이-레벨 기간 동안에 래치된다. 한편, 라이트 데이터 DIN은 실제로 클릭 신호 CLK의 로우-레벨동안에 통과된다.
상술한 첫 번째와 두 번째 경우에서 라이트 데이터 DIN은 로우-레벨의 라이트 명령
Figure kpo00023
에 따라 라이트 모우드에서 수신된다. 그러나, 트랜지스터 Qa가 하이-레벨의 라이트 명령
Figure kpo00024
에 따라 클램프 동작을 수행할 때, 노드 A2와 B2에서의 전위는 첫 번째와 두 번째 경우에 있어서의 서로 다른 과정을 통하여 고정된다. 동기식 RAM에서, 외부의 라이트 명령
Figure kpo00025
는 클럭 신호 CLK의 상승 모서리 전후의 소정시간 동안에 단지 “로우”혹은 “하이”가 되면 된다. 한편 라이트 데이터 DIN이 예를들면 리이드 싸이클에서 “로우”로 변화하거나 혹은 “로우”로 됨에 따라 라이트 명령
Figure kpo00026
는 “로우”로 변화하거나 “로우”로 된다. 결과적으로, 라이트 명령
Figure kpo00027
에 따라 클램핑 동작을 수행하는 트랜지스터 Qa의 단순한 사용은 잡음원을 제거할 수 없으며, 클램핑은 리이드 모우드에서 수행되지 않는다.
다시 말하면, 첫벗째 경우에, 라이트 명령WE가 입력 래치 회로 6의 최소 홀드 시간 tH(min)의 직후에서“하이”레벨로 변화할때에 트랜지스터 Qa의 클램핑 동작을 위하여 준비에 들어가며, 래치 회로 7은 그 다음에 일어나는 클럭 신호 CLK의 하강 모서리에서 클램핑 전위에 들어간다. 결과적으로, 각 노드 A2와 B2에서의 라이트 프로세스 신호 Sa3와 Sb3은 고정 단위로 된다. 라이트 명령
Figure kpo00028
가 리이드 싸이클에서 “하이”레벨에 머물러 있기 때문에, 라이트 데이터 DIN의 변화는 RAM안의 노드 A2와 B2에 전달되지 않는다. 여기에서, 제1도와 제2a도 -제2f도로 전술된 종래의 비동기식 RAM의 경우에서와 같이 라이트 명령
Figure kpo00029
가 라이트 모우드에서만“로우”로 되는 첫 번째 경우에서는 트랜지스터 Qa의 사용에 의하여 잡음원을 제거할 수 있다.
그러나 두 번째 경우에, 라이트 명령WE가 “로우”레벨에서 “하이”레벨로 변화함에 따라 시작되는 트랜지스터 Qa의 구동은 리이드 싸이클에서 클럭 신호 CLK의 상승모서리(즉 최소 세트업 시간 tS(min)직전에서만 단지 수행된다. 이러한 이유로서, 라이트 명령
Figure kpo00030
가 클럭 신호 CLK의 “로우”상태(즉, 입력 래치 회로 7이 실제로 라이트 데이터 DIN을 통과시키는)에서 변화하고, 라이트 명령WE가“로우”(즉, 클램핑 동작을 수행하지 않는)일 때, 잡음원 N2는 라이트 프로세스 신호 Sa4와 Sb4의 전위 변화에 따라 노드 A2와 B2에 전달된다. 더욱이, 라이트 명령WE가 “로우”로 되고 클럭 신호CLK가 리이드 싸이클의 후반에서 “로우”로 되기 때문에 라이트 데이터 DIN의 다음 변화는 잡음원 N3으로서 RAM의 내부에 전달된다.
따라서, 비록 첫 번째 경우에 트랜지스터 Qa의 사용에 의하여 잡음의 제거가 가능하다 할지라도, 라이트 명령
Figure kpo00031
가 전술된 소정시간 이외의 기간 동안에 “로우”로 되는 두 번째 경우에서는 트랜지스터 Qa가 쓸모 없다. 여기서, 두 번째 경우에서는 라이트 데이터 DIN의 변화가 잡음원 N2 혹은 N3으로서 메모리 셀 어레이에 전달되고, 메모리 셀이 파괴되거나 혹은 잘못된 라이트 동작이 수행되는 문제가 발생한다.
따라서, 본 발명의 일반적인 목적은 상술된 문제들이 제거된 편리하고 유용한 반도체 메모리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 라이트 데이터 DIN의 변화에 따라 일어나는 잡음이 메모리 셀어레이에 전달되는 것으로부터 보호하기 위한 잡음 제거부를 갖는 동기식 반도체 메모리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 반도체 메모리 장치에 따라 메모리 셀 어레이의 메모리 셀의 정보 내용이 파괴되는 것을 방지하고, 라이트의 오동작을 방지할 수 있다.
본 발명의 또다른 목적은 클럭신호와 동기화 하여 라이트 명령을 래치하기 위한 첫 번째 래치 회로화, 클럭 신호와 동기화하여 라이트 데이터를 래치하고, 그 래치된 라이트 데이터에 의하여 2개의 라이트 프로세스 신호를 출력하기 위한 두 번째 래치 회로와 첫번째 래치 회로에서 래치된 라이트 명령을 기초로 하여, 동기식 반도체 메모리 장치의 라이트 모우드에서만 첫 번째 논리 레벨을 갖는 내부의 라이트 펄스 신호를 발생하는 펄스 발생부와, 라이트 프로세스 신호들과 내부의 라이트 펄스 신호가 공급되고 동기식 반도체 메모리 장치의 라이트와 리이드 동작을 제어하기 위한 라이트 제어부와, 두 번째 래치 회로에서 래치된 라이트 데이터를 저장하는 메모리부와, 두 번째 래치 회로와 제어부에 연결되어 있고, 내부의 라이트 펄스 신호에 따르는 라이트 모우드에서만 라이트 제어부에 라이트 프로세스 신호를 공급하고, 라이트 모우드 이외의 기간 동안에 라이트 프로세스 신호들을 고정전위로 설정하기 위한 잡음 제거부와로 이루어진 동기식 반도체 메모리 장치를 제공하기 위한 것이다. 본 발명의 반도체 메모리 장치에 따라 라이트 데이터의 변화에 의하여 발생된 잡음이 메모리부에 악영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 이것은 라이트 프로세스 신호들이 라이트 모우드이외의 기간 동안에 고정되기 때문이다.
본 발명의 다른 목적들과 특징은 수반된 도면을 기초로 하여 서술된 명세서에 의해서 더욱 명백해질 것이다.
제5도는 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치의 실시예를 도시하고 있다. 반도체 메모리 장치는 일반적으로 첫 번째와 두 번째 래치 회로 11고 12, 라이트 제어부 13, 메모리부 14, 잡음 제거부 15, 클릭 게이트부16, 클럭 발생부17, 라이트 펄스 발생회로21등으로 구성된다. 첫 번째 래치회로 11은 라이트 명령
Figure kpo00032
를 래치하고, 두번째 래치 회로 12는 라이트 데이터DIN을 래치한다. 라이트 제어부 13은 반도체 메모리 장치의 라이트와 리이드 동작을 제어하고, 메모리부 14는 두 번째 래치 회로 12에서 래치된 라이트 데이터 DIN을 저장한다. 잡음 제거부 15는 두 번째 래치 회로 12와 라이트 제어부 13 사이에 결합되며, 클럭 신호 CLK와 라이트 명령
Figure kpo00033
를 기초로 하여 라이트 펄스 발생 회로 21에서 형성된 내부의 라이트 펄스 신호 SC2에 따라는 모우드에서만, 래치된 라이트 데이터 DIN을 라이트 프로세스 신호Sa와 Sb로서 라이트 제어부 13에 공급한다. 한편, 잡음 제거부 15는 라이트 프로세스 신호 Sa와 Sb를 고정전위로 설정한다.
본 실시예에 따라서, 잡음 제거부 15는 라이트 명령
Figure kpo00034
와 클릭 신호 CLK로부터 형성된 내부의 라이트 펄스 신호 SC2에 의하여 제어를 수행한다. 그러므로, 라이트 제어부 13에 제공하는 라이트 프로세스 신호 Sa와 Sb는 두 번째 래치 회로 12의 출력측에서 클램프되고, 라이트 프로세스 신호 Sa와 Sb의 전위는 고정된다. 이러한 이유로서, 트랜지스터 Qa의 사용에 의하여 제거할 수 없는 잡음이 라이트 제어부 13에 전달되는 것을 방지할 수 있다. 라이트 제어부 13에 전달되는 것으로부터 방지되는 이 잡음은 제4b도에 도시된 바와 같이 리이드 싸이클 직전 혹은 리이드 싸이클 동안의 세트업 시간 이전에 일어나는 라이트 데이터 DIN의 변화에 의하여 일어난다.
그러므로, 본 실시예에 따라서, 잡음 때문에 메모리 셀의 정보 내용이 파괴되고 라이트의 오동작이 수행되는 문제들을 제거할 수 있다.
제6도는 제5도에 도시된 실시예의 회로도이다. 제6도에 도시된 반도체 메모리 장치는 동기식 RAM으로서, 라이트 명령 입력 래치 회로 18은 첫 번째, 래치 회로 11에, 라이트 데이터 입력 래치 회로 19는 두 번째 래치 회로 12에, 라이트 제어 회로20은 라이트 제어부 13에, 클럭 게이틀로 22는 클럭 게이트부 16에, 잡음 제거 회로 23은 잡음 제거부 15에 각각 대응한다. 메모리부 14와 클럭 발생부 17의 설명은 제6도에서 생략되었고, VEE는 전압전원을, VR1-VR4는 기준 전압들을 각각 나타낸다.
입력 래치 회로 18과 19는 각각 클럭 신호 CLK의 상승 모서리에서 명령
Figure kpo00035
와 라이트 데이터DIN이 들어가며, 클럭 신호 CLK의 하이-레벨동안에는 라이트 명령
Figure kpo00036
와 라이트 데렌 DIN을 홀드하고, 클럭 신호 CLK의 로우-레벨 동안에는 라이트 명령
Figure kpo00037
와 라이트 데이터 DIN을 그대로 통과시킨다. 제7a도-제7f도는 제 6도에 도시된 동기식 RAM의 동작을 설명하는 타이밍도로서, 제7a도, 제7b도, 제7c도 등은 각각 클럭 신호 CLK, 라이트데이차 DIN, 라이트 명령
Figure kpo00038
를 도시한다.
라이트 모우드에서, 제1도에 도시된 종래의 RAM의 경우에서와 같이 라이트 제어 회로 20은 메모리 셀어레이의 트랜지스터에 라이트 데이터 DIN을 공급하고, 리이드 모우드에서는 메모리 셀 어레이의 트랜지스터(제1도에 있는 트랜지스터)에 일정한 리이드 전위를 공급하는 라이트 데이터 DIN의 공급을 차단한다. 라이트 펄스 발생 회로 21은 내부의 라이트 펄스 발생 신호 SC2를 발생하고, 클럭 게이트 회로 22는 클럭 발생부(도시되지 않았음)로부터의 클럭 신호 CLK와 라이트 명령
Figure kpo00039
를 기초로 하여 내부의 라이트 펄스 신호 SC2의 발생을 시작하는 개시 신호를 라이트 펄스 발생 회로 21에 공급한다. 본 실시예에서, 클럭 게이트 회로 22는 라이트 명령
Figure kpo00040
와 클럭 신호 CLK의 반전 신호의 논리합을 얻음으로써 개시 신호를 발생한다.
잡음 제거 횔 23은 본 발명의 중용한 부분이며, npn형 트랜지스터 Q231과 Q232, 멀티-에미터 구조를 갖는 트랜지스터 Q233, 정전류원 I1-I3, 저항 R231와 R232등으로 구성된다.
라이트 펄스 발생회로 21로부터의 내부 라이트 펄스 신호SC2는 트랜지스터 Q231의 베이스에 인가되고, 기준전압 VR4는 트랜지스터 Q232의 베이스에 인가된다. 두 트랜지스터 Q231과 Q232의 출력간 전압차는 바이어스저항 R231과 로드저항 R232에 의하여 분압되고, 입력 래치 회로로부터 출력된 라이트 프로세스 신호 Sa5와 Sb5를 제어하기 위하여 트랜지스터 Q233의 베이스에 인가된다. 내부의 라이트 펄스 신호 SC2, 라이트 프로세스 신호 Sa5와 Sb5등은 각각 제7d도, 제7e도, 제7f도에 도시되어 있다.
노드 A3은 라이트 프로세스 신호 Sa5를 수신하기 위하여 라이트 제어 회로 20의 트랜지스터 Q201의 베이스에 연결되어 있고, 노드 B3은 라이트 프로세스 신호 Sb5를 수신하기 위하여 라이트 제어 회로 20의 트랜지스터 Q203의 베이스에 연결된다. 노드 C2는 내부의 라이트 펄스 신호 SC2를 수신하기 위하여 라이트 제어 회로 20의 트랜지스터 Q202와 Q204의 베이스에 연결된다.
제8도는 라이트 펄스 발생 회로 21의 실시예를 도시하고 있다. OR게이트 100은 클럭 게이트 22의 출력부분에 있으며, 라이트 펄스 발생회로 21은 시간 td1만큼 지연시키기 위한 지연 요소군 101, 와이어드(wired) OR게이트 102, 시간 td2만큼 지연시키기 위한 지연 요소군 103, 도시된 바와 같이 연결된 RS플립-플롭 104등으로 구성되어 있다.제9a도와 제9b도에 각각 도시된 반전 클럭 신호
Figure kpo00041
와 라이트 명령
Figure kpo00042
는 OR게이트 100에 공급되며, 제9c도에 도시된 신호는 OR게이트 100의 출력측상에 있는 노드 A에서, 제9d도에 도시된 펄스 신호는 OR게이트 102의 출력측상에 있는 노드 B에서, 제9e도에 도시된 펄스 신호는 지연 요소군 103의 출력측상에 있는 노드 C에서 각각 얻어진다.
노드 B와 C에서의 펄스 신호는 각각 플리-플롭 104의 세트 단자 S와 단자 R에 인가된다. 여기서 제9f도에 도시된 내부의 라이트 펄스 신호 SC2는 출력단지 105를 통하여 제6도에 도시된 잡음제거회로 23과 라이트 제어 회로 20에 공급된다.
다음에는 제7a-제7b도에 의거하여 제6도에 도시된 동기식 RAM의 잡음 제거 동작을 서술한 것이다. ts(min)와 tH(min)은 입력 래치 회로 18의 최소 세트업 시간과 최소 홀드시간을 각각 나타낸다.
첫 번째, 라이트 싸이클에서 로우-레벨의 라이트 명령
Figure kpo00043
는 클럭 신호 CLK의 상승 모서리에서 입력 래치 회로 18로 들어가며, 라이트 명령
Figure kpo00044
의 로우-레벨은 클럭 신호 CLK의하이-레벨 동안에 홀드된다. 따라서, 입력 래치 회로 18로 들어가며, 라이트 명령WE의 로우-레벨은 클럭 신호 CLK의 하이-레벨 동안에 홀드된다.
따라서, 입력 래치 회로 18의 출력 신호는 하이-레벨에서 로우-레벨로 변화한다. 동시에, 클럭 신호 CLK가 클럭 게이트 회로 22에 들어가며, 입력 래치 회로 18의 출력 신호와 클럭 신호 CLK의 반전신호
Figure kpo00045
의 논리합인 개시 신호가 라이트 펄스 발생 회로21에 인가된다. 라이트 펄스 발생회로 21은 클럭 게이트 회로 22의 출력 개시 신호에 의하여 트리거되어 소정의 시간(폭) 동안에만 로우-레벨을 가지는 내부의 라이트 펄스 신호 SC2를 출력한다.
내부의 라이트 펄스 신호 SC2가 로우-레벨을 갖는 시간 동안에 트랜지스터Q231은 OFF되고 트랜지스터 Q233의 베이스에서 신호레벨은 “로우”되어 클램핑 동작을 최소한다. 결과적으로, 내부의 라이트 펄스 신호 SC2의 로우-레벨 기간 동안에 입력 래치 회로 19에 의하여 홀드된 라이트 데이터 DIN은 라이트 프로세스 신호 Sa5와 Sb5로서 라이트 제어회로 20에 전달된다. 트랜지스터 Q202과 Q204는 로우-레벨의 내부 라이트 펄스 신호 SC2에 따라 모두 OFF되고, 트랜지스터 Q201과 Q203은각각 ON과 OFF되거나 혹은 보수의 라이트 프로세스신호 Sa5와 Sb5에 따라서 그 반대로 된다. 트랜지스터 Q201과 Q203의콜렉터에서의 신호레벨은 메모리 셀 어레이(도시되지 않았음)의 비트선에 있는 트랜지스터에 전달된다.
내부의 라이트 펄스 신호 Sc2가 하이-레벨로 되돌아왔을 때, 트랜지스터 Q231은 ON되고, 각 노드 A3과 B3에서의 라이트 프로세스 신호 Sa5와 Sb5는 모두 하이-레벨로 클램프된다.
이 경우에, 비록 라이트 명령
Figure kpo00046
가 제7c도에 점선 ②로 나타낸 바와 같이 변화할지라도 라이트 데이터 DIN의 변화에 의한 잡음은, 각 노드 A3과 B3에서의 라이트 프로세스 신호 Sa5와 Sb5가 동기식 RAM안에서 발생된 라이트 펄스 신호 SC2에 의하여 하이-레벨로 클램프되기 때문에 제3도에서와 같이 동기식 RAM의 안쪽으로 전달되지 않을 것이다.
더우기, 클램핑 동작이 입력 래치 회로 19의 출력단계에서 수행된다는 사실은 또한 다음의 이유로서 본 발명의 중요한 특징이다. 즉, 동기식 RAM은 라이트 데이터 DIN이 수신되고, 크럭 신호 CLK의 상승모서리에서 홀드되도록 설계되어 있다. 이러한 이유로서, 클램핑 동작이 크랜지스터 Qa를 가지는 제3도의 동기식 RAM의 경우에서와 같이 유사하게 입력 래치회로 19의 입력 단계에서 수행될 때, 클럭 신호 CLK의 상승 모서리에서 라이트 데이터 DIN의 수신이 불가능하게 된다.
다음에는 리이드 싸이클에서, 입력 래치 회로18은 클럭 신호 CLK의 상승모서리에 하이 -레벨의 라이트 명령
Figure kpo00047
를 수신하여 홀드시킨다. 여기에서, 라이트 펄스 발생 회로 21은 항-레벨로 유지된 레벨을 간즌 내부의 라이트 펄스 신호 SC2를 출력한다. 따라서, 트랜지스터 Q231은 ON되고, 트렌지스터Q233의 베이스에서의 신호레벨은“하이”로 되어 입력 래치 회로의 출력 신호를 하이-레벨로 클램프한다. 그러므로, 라이트 프로세스 신호 Sa5와 Sb5는 모두 하이-레벨로 클램프 된다. 비록 라이트 명령
Figure kpo00048
가 오우-레벨로 변화할지라도 라이트 데이터 DIN의 변화는 동기식 RAM안으로 전달되지 않을 것이다. 트랜지스터 Q202와 Q204는 하이-레벨의 내부 라이트 펄스 신호 SC2에 따라 ON되고, 라이트 제어 회로 20의 출력 신호는 소정의 리이드 기준 레벨로 제어된다.
더우기, 본 발명은 이러한 실시예들로만 제한되지 않으며, 본 발명의 범위를 벗어나지 않고, 수정과 변경을 가할 수 있다.

Claims (9)

  1. 클럭 신호와 동기화하여 라이트 명령을 래치하는 첫 번째 래치 수단과, 클럭 신호와 동기화하여 라이트 데이터를 래치하고, 래치된 라이트 데이터를 기초로하여 2개의 라이트 프로세스 신호들을 출력하는 두 번째 래치 수단과, 상기 첫 번째 래치 수단에 의하여 래치된 라이트 명령을 기초로 하여, 동기식 반도체 메모리 장치의 라이트 모우드시에서만 첫 번째 논리 레벨을 갖는 내부의 라이트 펄스 신호를 발생하는 펄스 발생 수단과, 상기 내부의 라이트 펄스 신호와 상기 라이트 프로세스 신호들이 공급되고, 동기식 반도체 메모리 장치의 라이트와 리이드 동작을 제어하는 라이트 제어 수단과, 상기 두 번째 래치 수단에서 래치된 라이트 데이터를 저정하는 메모리 수단과, 상기 두 번째 래치 수단과 상기 라이트 제어 수단에 결합되고, 라이트 모우드시에서만 상기 라이트 프로세스 신호들을 상기 내부의 라이트 펄스 신호에 따라 상기 라이트 제어 수단에 공급하고, 상기 라이트 프로세스 신호들을 라이트 모우드이외의 시간 동안에 고정 전위로 설정하는 잡음 제거 수단과로 이루어진 동기식 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 라이트 제어 수단이 라이트 모우드에서는 상기 두 번째 래치 수단에서 래치된 라이트 데이터를 상기 메모리 수단에 공급하고 동기식 반도체 메모리 장치의 리이드 모우드에서는 상기 메모리 수단에 일정한 리이드 전위를 공급하기 위하여 상기 메모리 수단에 공급되는 라이트 데이터를 차단하는 동기식 반도체 메모리 장치.
  3. 1항에 있어서, 상기 첫 번째와 두번째 래치 수단이 첫 번째 논리-레벨에서 두 번째 논리 레벨로 전이 되는 클럭 신호의 전이시에 라이트 명령과 라이트 데이터를 래치하고, 클럭 신호가 첫 번째 논리 레벨을 가질때에 라이트 명령과 라이트 데이터를 홀드하고, 클럭 신호가 두 번째 논리 레벨을 가질때에는 라이트 명령과 라이트 데이터를 통과시키는 동기식 반도체 메모리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 라이트 펄스 발생 수단이, 라이트 명령과 클럭 신호의 반전 신호와의 논리합인 개시 신호를 출력하기 위하여 클럭 신호와 첫 번째 래치 수단에서 래치된 라이트 명령이 공급되는 클럭 게이트 회로를 포함하며, 상기 클럭 게이트 회로로부터의 개시 신호에 따르는 클럭 신호를 기초로 하여 상기 내부의 라이트 펄스 신호를 출력하는 동기식 반도체 메모리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 잡음 제거 수단이, 상기 내부의 라이트 펄스 신호가 두 번째 논리 레벨을 갖는 동안에는 라이트 프로세스 신호를 두 번째 논리 레벨로 클램프하고, 상기 내부의 라이트 펄스 신호가 첫 번째 논리 레벨을 갖는 동안에는 라이트 프로세스 신호들의 클램핑을 취소하는 클램프회로를 갖는 동기식 반도체 메모리 회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 라이트 명령어, 첫 번째 논리 레벨에서 두 번째 논리 레벨로 변화하는 클럭 신호의 전이 이전의 세트업 시간에 두 번째 논리 레벨로부터 첫 번째 레벨로 변화하는 첫 번째 전이와, 클럭 신호의 상기 전이로부터의 홀드 시간 이후에 첫 번째 논리 레벨로부터 두 번째 논리 레벨로 변화하는 두번째 전이와, 첫 번째 논리 레벨로부터 두 번째 논리 레벨로 변화하는 두 번째 클럭 신호의 다음 전이 이전에 적어도 세트업 시간등을 갖고, 상기 세트업 시간과 상기 홀드 시간이 상기 첫 번째 래치 수단의 세트업 시간과 홀드 시간인 동기식 반도체 메모리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 라이트 펄스 신호가 소정의 시간 동안에만 첫 번째 논리 레벨을 갖고, 상기 소정의 시간이 상기 세트업 시간과 상기 홀드 시간의 합인 동기식 반도체 메모리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 내부의 라이트 펄스 신호가 소정의 시간 동안에만 첫번째 논리 레벨을 갖는, 동기식 반도체 메모리 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 잡음 제거 수단이, 내부의 라이트 펄스 신호가 첫번째 논리 레벨을 갖는 라이트 모우드에서는 상기 두 번째 래치 수단에 의하여 래치된 라이트 데이터를 라이트 프로세스 신호로서 상기 라이트 제어 수단에 전달하고, 내부의 라이트 펄스 신호가 두번째 논리 레벨을 갖는 리이드 모우드에서는 라이트 프로세스 신호들을 두번째 논리값으로 클램프하는 동기식 반도체 메모리 장치.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5014242A (en) * 1987-12-10 1991-05-07 Hitachi, Ltd. Semiconductor device for a ram disposed on chip so as to minimize distances of signal paths between the logic circuits and memory circuit
US6112287A (en) 1993-03-01 2000-08-29 Busless Computers Sarl Shared memory multiprocessor system using a set of serial links as processors-memory switch
US4916670A (en) * 1988-02-02 1990-04-10 Fujitsu Limited Semiconductor memory device having function of generating write signal internally
US5995443A (en) * 1990-04-18 1999-11-30 Rambus Inc. Synchronous memory device
US6751696B2 (en) 1990-04-18 2004-06-15 Rambus Inc. Memory device having a programmable register
IL96808A (en) * 1990-04-18 1996-03-31 Rambus Inc Introductory / Origin Circuit Agreed Using High-Performance Brokerage
US6324120B2 (en) 1990-04-18 2001-11-27 Rambus Inc. Memory device having a variable data output length
US5649160A (en) * 1995-05-23 1997-07-15 Microunity Systems Engineering, Inc. Noise reduction in integrated circuits and circuit assemblies
US6810449B1 (en) 1995-10-19 2004-10-26 Rambus, Inc. Protocol for communication with dynamic memory
US6470405B2 (en) * 1995-10-19 2002-10-22 Rambus Inc. Protocol for communication with dynamic memory
US6266379B1 (en) 1997-06-20 2001-07-24 Massachusetts Institute Of Technology Digital transmitter with equalization
US6401167B1 (en) 1997-10-10 2002-06-04 Rambus Incorporated High performance cost optimized memory
US6343352B1 (en) 1997-10-10 2002-01-29 Rambus Inc. Method and apparatus for two step memory write operations
US6963626B1 (en) 1998-10-02 2005-11-08 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Noise-reducing arrangement and method for signal processing
US6675272B2 (en) 2001-04-24 2004-01-06 Rambus Inc. Method and apparatus for coordinating memory operations among diversely-located memory components
US7301831B2 (en) 2004-09-15 2007-11-27 Rambus Inc. Memory systems with variable delays for write data signals
JP4709641B2 (ja) * 2005-12-20 2011-06-22 大王製紙株式会社 使い捨て紙おむつの製造方法
DE102007051839B4 (de) * 2007-10-30 2015-12-10 Polaris Innovations Ltd. Kontrollschaltung, Speichervorrichtung mit einer Kontrollschaltung und Verfahren zum Durchführen eines Schreibkommandos bzw. zum Betrieb einer Speichervorrichtung mit einer Kontrollschaltung
KR102489320B1 (ko) 2022-06-25 2023-01-18 (주)케이셈테크놀러지 외팔보 쿼드 타입 반도체 다이 본딩장치 및 그 본딩방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5634186A (en) * 1979-08-29 1981-04-06 Hitachi Ltd Bipolar memory circuit
JPS59124075A (ja) * 1982-12-29 1984-07-18 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JPS59151386A (ja) * 1983-01-31 1984-08-29 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JPS6166292A (ja) * 1984-09-10 1986-04-05 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
US4675846A (en) * 1984-12-17 1987-06-23 International Business Machines Corporation Random access memory
JPH0778993B2 (ja) * 1985-11-05 1995-08-23 株式会社日立製作所 半導体メモリ
JP2585602B2 (ja) * 1987-06-10 1997-02-26 株式会社日立製作所 半導体記憶装置

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