KR900007993B1

KR900007993B1 - 반도체검사장치 및 반도체검사방법

Info

Publication number: KR900007993B1
Application number: KR1019860005081A
Authority: KR
Inventors: 즈요시 시라가사와; 마사히데 스가노; 마사하루 노요리
Original assignee: 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤; 다니이 아끼오
Priority date: 1985-06-27
Filing date: 1986-06-25
Publication date: 1990-10-23
Also published as: US4761607A; KR870000599A; JPS622552A

Abstract

내용 없음.

Description

반도체검사장치 및 반도체검사방법

제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체검사방법의 개략블록도.

제2도는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체검사방법의 상세블록도.

제3도는 광여기전류측정결과를 도시하는 설명도.

제4도는 2진화에 의한 광여기전류의 논리표시도.

제5도는 LSI 내부회로의 일부구성도.

제6도는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체검사방법의 흐름을 도시하는 플로우챠트.

제7도는 양부판정방법을 도시하는 설명도.

제8도는 고장회로의 예를 도시하는 설명도.

제9도는 고장추정과 프로빙에 사용되는 데이타를 도시하는 설명도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

(10) : 반도체장치 (12) : 신호입력수단

(14) : 비교수단 (16) : X-Y 스테이지

(18) : 비접촉프로빙수단 (20) : 프로브노우드 결정수단

(22) : 판정수단 (24) : 로직테스터

(26) : 레이저광원 (40) : OBIC 검출기

(54) : 컨트롤컴퓨터 (62) : 호스트컴퓨터

본 발명은 IC, LSI등의 반도체장치의 고장해석에 이용되는 검사장치 및 검사방법에 관한 것으로서, 특히 미세화 및 고밀도 고집적화된 LSI의 고장을 효과적으로 검출할 수 있는 반도체검사장치 및 반도체검사방법에 관한 것이다.

LSI가 고집적화될수록, LSI 테스터를 사용하는 전기적방법만으로는 고장의 해석이 곤란하다. 따라서, LSI 내부회로의 전기적상태를 직접측정 및 관찰해야 한다.

종래에는 상기 목적을 위해서 LSI 내부의 A1 배선패턴에 프로브를 기계적으로 접촉시키고, 전기적상태를 측정하여 고장위치를 발견하였다. 그러나, 이 방법은 LSI가 미세화될수록, 프로브의 LSI 내부의 A1 배선에 대한 정확한 기계적접촉이 곤란하므로 오늘날의 고집적화 LSI의 해석에는 적용할 수 없다. 또한, 프로브 혹은 배선에 부유하는 용량은 측정정밀도를 열화시키는 등의 문제가 있다.

근년, 상기문제를 해결하기 위해서, 한 예로서 "니케이 일렉트로닉스 3-15(1985)의 P 172-201"에 개시되어 있는 바와 같이 주사형전자현미경(S.E.M.)을 사용하는 전자비임프로브의 연구 및 개발을 집중적으로 행하여 LSI의 해석에 응용하고 있다. 본 장치는 진공중의 LSI 표면에 전자비임을 조사하고, LSI 표면에서 방출된 2차전자 신호를 검출하여 LSI 내면의 전기적상태를 비접촉관찰하기 위한 것으로서, 미세화된 LSI에 적용할 수 있다.

한편, 미세촛점으로 축소시킨 레이저비임을 LSI에 조사하여 LSI의 내부상태를 해석하는 레이저프로브의 개발을 행하였다. 이 방법은 진공대신에 대기중에서 LSI 내부의 로직상태를 비접촉 해석하는 방법이다.

그러나, 상술한 2개의 비접촉프로빙수단으로 대규모 LSI의 고장위치를 검출하는 것은 극히 곤란하다.

비접촉프로빙기술을 이용하여 LSI의 고장의 해석을 행하는 경우에 있어서, LSI의 고장의 검출은 외부단자에서부터 순차적으로 LSI의 내부를 향하여 프로빙을 하고, 프로빙결과의 양부를 판정해야 할 필요가 있다. 이 경우에, 오늘날의 LSI는 그 회로규모가 거대하기 때문에, 막대한 수의 노우드전체를 프로빙하고, 각 결과의 양부를 판정하는 것은 거의 불가능하다. 이에 따라서, LSI의 고장에 관계되는 노우드(내부회로의 특정부분)에 대하여만 프로빙 및 판정을 행하는 것이 효과적이라도 생각된다. 그러나, LSI 고장의 증상에 따라 프로빙해야할 노우드를 결정하고, 그 결과의 판정을 매번 조작자가 손수행하는 것은 비효율적이다. 또, 프로빙대상노우드의 선택 및 프로빙결과의 판정은 LSI 회로구성 및 패턴배치에 대한 충분한 지식을 가진자만이 행할 수 있다.

따라서, 본 발명의 근본목적은 고집적화 LSI의 고장해석을 효율적으로 행할 수 있는 수단을 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 반도체의 고장부분 혹은 고장노우드에 대한 정보를 사용자에게 제공하는 개량된 반도체검사장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 반도체의 고장부분을 검출할 수 있는 개량된 반도체검사방법을 제공하는데 있다.

이러한 목적들은 본 발명, 즉 반도체장치의 테스트신호입력수단과, 반도체장치의 출력을 기대치와 비교하는 비교수단과, 반도체를 X-방향 또는 Y-방향으로 이동시키는 X-Y 스테이지와, 반도체 내부의 전기적 상태를 비접촉프로빙하는 프로빙수단과, 프로빙의 위치결정, 그 결과의 양부판정 및 실행하는 수단을 구비하여서된 반도체검사장치와, 혹은 반도체의 입력단자에 테스트신호를 인가하고, 상기 반도체의 출력단자에 나타나는 출력신호를 기대치와 비교하여 출력신호와 기대치의 일치여부를 검출하고, 불일치하는 경우에는 상기 출력단자에 나타나는 오신호를 사용하여 비접촉프로빙수단을 제어하여서 상기 반도체의 특정부분을 프로빙하고, 이 프로빙결과와 상기 프로빙부분의 기대치를 비교하여 상기 반도체의 고장부분을 검출하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체검사방법에 의해서 성취된다.

본 발명에 의하면 특히 다음과 같은 잇점을 얻을 수 있다.

① 반도체의 고장부분은 노우드의 번호에 의해서 자동적으로 구체화될 수 있다.

② 비접촉프로빙기술을 이용하여 미세영역을 해석할 수 있고, 고집적화 LSI의 막대한 수의 노우드중 LSI의 고장에 관계되는 노우드를 효과적으로 프로빙하여 막대한 수의 테스트입력신호에 대한 프로빙결과를 자동적으로 판정할 수 있다.

본 발명의 신규한 특징은 특허청구범위에 기술하는 한편, 다음에 본 발명을 기타 목적 및 특징과 함께 도면에 의거하어 상세히 설명한다.

본 발명의 반도체조사장치의 실시예를 제1도 및 제2도를 참조하여 설명한다. 테스트패턴신호가 신호입력수단(12)로부터 LSI등의 반도체장치(10)에 인가되고, 이때 반도체장치(10)으로부터의 출력신호는 비교수단(14)에 의해서 비교수단(14)에 미리 기억된 기대치(정상출력신호)와 비교된다. 반도체장치(10)은 X-Y스테이지(16)상에 놓이게 되고, X-방향 또는 Y-방향으로 이동가능하게 된다. 비교수단(14)가 반도체장치(10)의 출력데이타와 기대치와의 불일치를 판단하는 경우는, 반도체장치(10)의 고장을 의미한다. 이러한 고장이 검출되는 경우에, 상기 테스트입력신호상태와 고장이 검출된 반도체장치의 출력단자번호 및 기타정보가 비교수단(14)에 기억된다. 반도체장치(10)의 고장위치를 검출하기 위해서, 본 발명의 반도체검사장치는 반도체장치(10)의 내부회로의 전기적상태를 비접촉검출하는 비접촉프로빙수단(18)을 가진다. 반도체장치(10)의 내부회로의 프로빙위치는 반도체장치(10)의 고장증상에 따라 다르다. 따라서, 본 발명의 반도체검사장치는 반도체장치(10)의 고장증상에 따라 반도체장치(10) 내부의 프로빙위치를 자동결정하는 프로브노우드결정수단(20)을 가지고, 이 수단에 의해서 선택된 위치를 프로빙수단으로 프로빙하고, 이 프로빙결과는 판정수단(22)에 의해서 기대치(프로빙부분의 정상동작치)와 자동적으로 비교된다.

또한, 본 실시예의 실제구조를 제2도에 의거하여 설명한다.

제2도에 있어서, 해석을 행할 LSI(반도체장치)(10)에는 전원전압과 로직테스터(24)로부터의 테스트패턴신호가 인가되고, LSI(10)의 출력단자로부터 출력된 출력신호는 로직테스터(24)에 기억된 기대치와 비교되고, 이 비교결과는 로직테스터(24)에 기억된다. 이와같이, 로직테스터(24)는 필요전압 및 테스트패턴의 인가와, 출력신호 및 기대치신호의 비교판단의 양기능을 하게 된다. 즉, 로직테스터(24)는 신호입력수단(12)와 제1도의 비교수단(14)의 양기능을 가진다. 비교판단의 결과, 불일치가 검출되는 경우에, 불량 LSI는 다음 프로빙에 의해서 고장위치가 검출된다.

본 실시예에 있어서, LSI 내부회로의 동작상태를 해석하기 위한 비접촉프로빙수단(18)로서, 레이저프로버가 사용된다. 레이저광원(26)(본 실시예에서는 He-Ne 레이저 : λ=6328Å)에서 방출된 레이저비임(28)은 레이저광학계(30)과 전력제어 및 펄스제어를 하는 A.O.M(음광변조기)(32)를 통해서 광학현미경(34)에 입사된다. 광학현미경(34)에 입사되는 레이저비임은 대물렌즈(36)에 의해 축소되어 미세레이저비임(38)로되어 LSI(10)의 표면을 조사한다. 이때, LSI(10)은 개봉되어 반도체칩의 표면이 노출되어야 한다.

레이저프로빙법의 원리는, LSI를 구성하는 MOSFET의 드레인 영역으로 레이저비임을 조사하고, LSI의 전원단자에서 나타나는 광여기전류(이하 OBIC로 약칭함)를 측정하므로써, 레이저조사중의 MOSFET의 전기적상태(온/오프)가 해석된다는 것이다. 즉, 레이저비임이 조사될때, LSI(10) 내부의 한쌍의 전극은 레이저 비임조사에 의해 여기되고, 레이저비임이 조사된 회로노우드의 전기적 상태에 대응하는 OBIC는 LSI(10)의 전원단자 또는 GND 단자로 흐른다. 이 OBIC는 OBIC 검출기(40)에 의해 측정되고, 측정결과는 OBIC 메모리(42)에 연속적으로 기억된다.

로직테스터(24), A.O.M(32), OBIC 검출기(40) 및 OBIC 메모리(42)는 타이밍적으로 동시동작되어야하므로, 타이밍컨트롤러(44)에 의해서 타이밍제어된다. 상기 A.O.M(32)는 A.O.M 드라이버(46)에 의해서 타이밍제어되면서 동작한다.

본 실시예에 있어서, 레이저비임(38)이 조사되는 LSI(10)의 부분은 TV 카메라(48)과 모니터 TV(50)에 의해서 관찰가능하다.

LSI(10)은 X-Y 스테이지(16)상에 위치한다. 스테이지컨트롤러(52)에 의한 X-Y 스테이지(16)의 이동에 의해서, 레이저비임(38)은 LSI(10)표면의 소정위치에 조사가능하다. 이때, X-Y 스테이지(16)은 X-Y방향외에 Z축 방향회전축의 조정기구를 가지므로, LSI(10) 표면의 레이저스폿의 촛점조정 및 LSI(10)의 평행도조정이 가능하다.

컨트롤컴퓨터(54)는 상기 로직테스터(24), OBIC 메모리(42), 타이밍컨트롤러(44), A.O.M 드라이버(46) 및 스테이지컨트롤러(52)를 프로그램제어하고, OBIC 메모리(42)에 기억된 데이타를 해석한다. 측정데이타와 해석결과는 필요에 따라서 자기디스크메모리(56)에 기억될 수 있다. 또, 기억보존된 측정데이타 및 해석결과가 필요한 경우에는 판독가능하고, 필요에 따라 처리되어 표시장치(58)에 표시된다. 상기 구성에 있어서, LSI 내부회로의 동작상태의 비접촉프로빙이 가능하다. 상기 컨트롤컴퓨터(54)는 후술할 LSI 설계데이타를 참조하여 LSI 내부회로의 프로빙위치를 결정하도록 신호회선(60)을 통하여 호스트컴퓨터(62)에 접속된다.

상기 구성의 반도체검사장치를 사용하여 LSI 내부동작해석의 일례를 제3도를 참조하여 설명한다. 제3도는 제5도에 도시한 LSI(10)의 제어회로(64)등의 한 내부회로에 접속된 게이트회로(66)의 8개의 노우드(A∼H)의 레이저프로빙에 의한 OBIC 측정결과를 도시한다. 이때, 상술한 테스트패턴신호가 LSI(10)의 입력단자에 인가된다. 제3도에서 알수 있는 바와 같이, 테스트패턴신호스텝의 진행에 따라서, OBIC 값은 A∼H의 노우드가 레이저비임에 의해서 프로빙됨에 따라 변화한다. LSI(10)은 논리 LSI로서, 내부회로의 동작은 "1", "0"에 대응하고, 측정 OBIC도 "1", "0"에 대응한다. 제4도는 제3도에 도시한 OBIC의 2진화 논리표시를 도시한다.

다음은 반도체검사방법의 개요를 본 발명의 반도체검사장치에 관한 프로빙노우드 결정수단과 함께 설명한다.

제6도는 반도체검사방법의 일실시예의 흐름을 도시한다. 우선, 스텝(1) 및 스텝(2)의 테스트패턴이 신호입력수단(12)를 통해서 LSI(10)에 입력되고, LSI(10)은 비교수단(14)에 의해서 양부가 판정된다. 판정결과, LSI(10)이 양품으로 판정되면, 고장해석을 행할 필요가 없고, 처리가 종료된다. 그러나, LSI(10)이 불량품으로 판정되면, 고장이 검출되는 LSI(10)의 출력단자는 스텝(3)에서 "0"오신호 혹은 "1"오신호등의 고장상태로 해석되고, 스텝(4)에서는 출력단자로 고장을 출력하는 조건, 즉 상기 출력단자에 접속된 LSI(10)내부의 게이트회로의 입력노우드중 고장 또는 고장전파 가능성이 있는 노우드의 수와 번호를 검사한다. 이때, 고장 또는 고장전파가능성이 있는 입력노우드의 수가 한개뿐인 경우에는, 이 한개의 노우드를 출력하는 게이트회로를 해석대상으로 하여 스텝(3)을 재실행한다. 고장 또는 고장전파가능성이 있는 입력노우드의 수가 복수인 경우에는, 스텝(5)에서 상기 복수입력노우드의 정상노우드 포함여부를 해석하여 고장 또는 고장전파가능성이 있는 입력노우드의 수를 한정한다. 이 결과는 스텝(6)에서 판정하고, 고장 또는 고장전파가능성이 있는 입력노우드의 수가 한개로 판정되면, 이 한개의 노우드를 출력하는 게이트회로를 해석대상으로하여 스텝(3)을 재실행한다. 또, 스텝(6)의 판정결과, 고장 또는 고장전파가능성이 있는 입력노우드의 수가 복수인 경우에, 이 노우드는 스텝(7)에서 상기 비접촉프로빙수단(18)(본 실시예에서는 레이저프로버)에 의해 프로빙된다. 이때, 대상노우드에는 레이저비임(38)이 조사된다.

본 발명의 장치는 X-Y 스테이지(16)를 이동시켜서 레이저비임(38)은 대상노우드에 조사하고, 그 결과는 제3도, 제4도 및 제5도에 설명된 바와 같이 얻어진다. 복수노우드의 프로빙 결과는 스텝(8)에서 판정되고, 실제로 고장 혹은 고장전파가능성이 있는 노우드의 수가 한개로 판정되면, 이 한개의 노우드를 출력하는 게이트회로를 해석대상으로 하여 스텝(3)을 재실행한다. 실제로 고장 혹은 고장전파가능성이 있는 노우드의 수가 복수인 경우에는, 이러한 노우드를 출력하는 게이트회로를 해석대상으로 하여 스텝(3)을 재실행한다. 이때, 상기 복수의 노우드가 공통노우드의 간접적으로 접속되는 경우에는, 이 공통노우드를 해석대상으로 하여 스텝(3)을 실행하는 것이 더욱 효율적이다.

다음은 본 발명의 반도체검사장치 및 반도체검사방법을 이용하여 실제로 LSI의 고장을 해석하는 구체적인 실시예를 제7도, 제8도 및 제9도에 의거하여 설명한다.

제7도에 있어서, 테스트패턴은 신호입력수단(12)로부터 LSI의 입력단자(1)(2)(3)에 인가되고, 상기 테스트패턴에 대응하는 출력신호가 출력단자(4)로부터 출력된다. 이 출력신호는 LSI(10)의 기대치(정상동작시의 출력신호)와 비교되고, LSI(10)의 양부가 판정된다. LSI(10)이 불량으로 판정되는 경우에는 다음동작을 행한다.

일반적으로, LSI는 CAD(컴퓨터 에이디드 디자인)를 사용하여 설계되는 경우가 많고, CAD용 컴퓨터는 LSI회로접속데이타(네트데이타), LSI마스크레이아웃데이타, 로직시뮬레이터의 로직시뮬레이션 결과등의 LSI 디자인데이타를 보존한다. 따라서 본 실시예에 있어서는, 해석에 이용되는 테스트입력데이타, LSI 테스트결과(양부판정), LSI의 상기 회로접속데이타 및 테스트입력데이타의 LSI 로직 시뮬레이션결과를 이용하여, 상기 양부판정결과 고장이 검출된 LSI의 출력단자에서부터 LSI 내부를 향하여 검사를 행하여 LSI 내부회로에 고장 또는 고장전파가능성이 있는 노우드를 추정하고, 추정이 곤란한 경우에는, 조작자에게 실제프로빙을 촉구하고, 동시에 프로빙해야하는 LSI 내부의 노우드의 번호(또는 노우드의 명칭)을 통지하는 방법을 이용하는 것이다.

제8도는 제7도에 도시한 LSI(10)의 내부회로의 부분구성도이고, 제9도는 해석에 이용한 테스트입력, 로직시뮬레이션데이타 및 테스트결과를 도시한다.

예를 들면, 제8도에 도시한 LSI(10)의 노우드(6)은 S-a-0(0축 퇴고장)의 경우로 설명된다. 제9도에 도시한 테스트입력으로 테스트하는 경우에, 테스트스텝(t₇)에서 "0"오신호(본래, "1"로 검출되어야 하는 신호가 "0"로 검출)는 출력단자번호(4)에서 출력되고, 고장회로로 판정된다. 이 시점에서 LSI 내부회로의 고장위치추청방법을 필요한 프로빙방법과 함께 이하에 설명한다. 이하설명의 스텝번호는 제6도에 도시한 스텝번호에 대응한다.

스텝(2) : t₇에서 출력단자(4)의 "0"오신호 검출.

스텝(3) : t₇에서 G₆의 입력노우드(7)(8)(9)의 상태해석.

스텝(4) : 이 결과, 노우드(9)에 "0"오신호가 존재하는 것으로 추정.

스텝(3) : t₇에서 노우드(9)의 "0"오신호의 조건해석.

스텝(4) : 이 결과, G₅는 AND 게이트이므로, G₅입력단자(2) 또는 노우드(6), 또는 G₅입력단자(2)와 노우드(6) 모두가 "0"오신호인 것으로 추정.

스텝(5) : 과거의 테스트(t₁∼t₆)에 의해 입력단자(2), 노우드(6)의 S-a-0의 부정가능성여부를 판단.

스텝(6) : 입력단자(2)의 S-a-0의 부정조건은, 노우드(8)(9)는 "0", 노우드(7)은 "0"오신호가 발생하고, 출력단자(4)는 "0"오신호가 발생하지 않는 것이다. 노우드(6)의 S-a-0 부정조건은, 노우드(7)(8)은 "0", 노우드(9)는 "1"오신호가 발생하고, 출력단자(4)는 "0"오신호가 발생하지 않는 것이다. 그러나, t₁∼t₆에서는 상기 조건을 만족할만한 테스트가 없다.

스텝(7) : 입력단자(2)와 노우드(6)에는 "0" 고장가능성이 있으므로, 입력단자(2)와 노우드(6)을 프로빙한다.

스텝(8) : 프로빙에 의해서, 입력단자(2)는 "1" 및 "0"의 양상태가 나타나므로 입력단자(2)의 S-a-0는 부정된다. 노우드(6)은 "1" 고장상태가 나타나지 않았기 때문에 노우드(6)은 S-a-0 가능성이 높다.

(확인) G₂의 입력단자(3)을 프로빙한다. 입력단자(3)은 "1"과 "0"의 양상태가 나타나므로, 노우드(6)의 S-a-O 고장이 확인된다.

상기 프로빙스텝(2) 내지 (6)은 고장 혹은 고장전파노우드의 추정과정이고, 반면에 스텝(7)(8)은 조작자에게 프로빙필요성 및 프로빙대상노우드의 번호를 통지하는 과정이다. 이때, 스텝(7)에서 실제 프로빙이 필요한 것은 고장 또는 고장전파가능성이 있는 노우드가 복수인 경우에는 그 추정과정이 복잡하기 때문이다.

본 발명은, 상기 프로빙과정을 소프트웨어화하여 프로빙대상노우드를 자동적으로 결정하기 때문에, 조작자는 상기 소프트웨어의 프로빙필요에 따라 프로빙대상노우드를 프로빙할 수 있다.

이하 프로빙결과의 부정여부를 판정하여 소프트웨어를 설명한다.

본 실시예에서는, LSI 내부회로의 프로빙결과를 상기 로직시뮬레이션데이타와 비교하여 판정한다. 따라서, 상기 추정과정에서 사용한 로직시뮬레이션데이타를 적용할 수 있으므로, 비교하여 용이하게 판정할 수 있다.

상기 소프트웨어 및 필요한 데이타는 제2도에 도시한 호스트컴퓨터(62)에 있고, 데이타는 제2도의 통신회선(60)을 통해서 프로빙시스템과 교환된다.

본 실시예에서는, 비접촉프로빙수단으로서 레이저프로버가 사용되었으나, 전자비임프로버로 대치하여도 된다. 또, LSI 디자인 데이타의 마스크레이아웃데이타를 이용하여 프로빙대상노우드의 X-Y 좌표를 산출하고 X-Y 스테이지를 자동제어하여 대상노우드를 프로빙하므로서 한층 효과적인 고장해석이 가능하다.

이상에서는 본 발명의 특정실시예를 설명하였으나, 본 발명의 범위내에서는 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.

Claims

검사대상반도체장치에 테스트패턴을 인가하는 신호입력수단과, 상기 반도체장치에서 출력된 출력신호를 상기 테스트패턴에 따라 미리 보존된 기대치와 비교하는 비교수단과, 상기 반도체장치 내부의 전기적상태를 비접촉프로빙하는 비접촉프로빙수단과, 상기 반도체장치와 비접촉프로빙수단의 상대적위치를 조정하는 위치조정수단과, 상기 비교수단의 비교결과와 검사대상 반도체장치의 디자인데이타를 기초로하여 다음 프로빙위치를 자동결정하는 프로빙위치 결정수단과, 프로빙결과를 판독함과 동시에 반도체장치의 고장위치를 안정하는 판정수단을 구비하여서된 반도체검사장치.
제1항에 있어서, 상기 비접촉프로빙수단은 레이저프로버로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체검사장치.
제1항에 있어서, 상기 비접촉프로빙수단은 전자비임프로버로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체검사장치.
제1항에 있어서, 상기 신호입력수단과 비교수단은 로직테스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체검사장치.
제1항에 있어서, 상기 위치조정수단은 조사대상반도체장치가 장착되는 X-Y 스테이지로 구성되는것을 특징으로 하는 반도체검사장치.
제1항에 있어서, 상기 프로빙위치결정수단과 판정수단은 컴퓨터에 프로그래밍하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체검사장치.
제1항에 있어서, 회로접속데이타와 로직시뮬레이션데이타는 반도체장치의 설계데이타로서 포함되는것을 특징으로 하는 반도체검사장치.
검사대상반도체장치의 입력단자에 테스트패턴을 인가하고, 테스트패턴인가시에 상기 반도체장치의 출력단자에서 나타나는 출력신호를 기대치와 비교하여서 상기 출력신호와 기대치와의 일치여부를 검출하고, 상기 출력신호와 기대치의 불일치가 검출되는 경우에는, 반도체장치의 출력단자에 나타나는 오신호를 이용하여 비접촉프로빙수단을 제어하여서 상기 반도체장치의 특정부분을 프로빙하고, 이 프로빙결과를 상기 프로빙부분의 기대치와 비교하여 상기 반도체장치의 고장위치를 검출하는 스텝으로 이루어지는 것을 특징으로하는 반도체검사방법.