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KR900007919B1 - 전류 밀러 회로 - Google Patents

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KR900007919B1
KR900007919B1 KR1019870010007A KR870010007A KR900007919B1 KR 900007919 B1 KR900007919 B1 KR 900007919B1 KR 1019870010007 A KR1019870010007 A KR 1019870010007A KR 870010007 A KR870010007 A KR 870010007A KR 900007919 B1 KR900007919 B1 KR 900007919B1
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KR
South Korea
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transistor
current
collector
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miller
Prior art date
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KR1019870010007A
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아끼라 야마꼬시
도요히꼬 후지따
구니히꼬 쯔까꼬시
신지 안라꾸
Original Assignee
가부시끼 가이샤 세이꼬샤
요꼬야마 유이찌
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Publication date
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    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • G—PHYSICS
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    • G05F3/02—Regulating voltage or current
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Abstract

내용 없음.

Description

전류 밀러 회로
제1도는 본 발명의 일실시예를 도시한 전기 회로도.
제2도는 종래의 전류 밀러 회로의 일예를 도시한 전기 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
T1: 제1트랜지스터 T2: 제2트랜지스터
T3: 제5트랜지스터 T4: 제4트랜지스터
본 발명은 전류 밀러 회로에 관한 것이다.
일반적으로 사용이 되고 있는 전류 밀러 회로는 제2도와 같은 구성으로 되어 있으며, 다이오드 접속된 트랜지스터 T6에 전류원 I를 접속하므로 같이 도시하는 바와 같은 전류가 통한다. 즉, 트랜지스터 T6, T7의 베이스 전류를 IB라 하면, 트랜지스터 T6및 Tn에는 전류(I-2IB)가 흐르게 된다
상기하는 것에서는, 밀러측의 전류가 2IB만큼 적어지는 결점이 있다.
또한 밀러측의 콜렉터 전위에 의해, 어얼리(early) 효과에 의한 전류 변조를 받아, 트랜지스터 T7의 콜렉터 전류가 변동하는 결점이 있다.
본 발명은 밀러측의 전류감소분을 적게 하는 것과 함께 어얼리 효과에 의한 영향을 억제하는 것을 목적으로 하는 것이다.
본 발명은, 다이오드 접속한 제2의 트랜지스터를 제1의 트랜지스터에 직렬로 접속하여, 제1 및 제2의 트랜지스터의 베이스에 각각 베이스를 접속한 제3 및 제4의 트랜지스터를 직렬로 접속하여, 제1의 트랜지스터의 베이스-콜렉터간에 에미터, 베이스를 접속한 제5의 트랜지스터의 콜렉터를 제4의 트랜지스터의 콜렉터에 접속한 것이다.
실시예
제1도에 있어서, 제1의 트랜지스터 T1에는, 다이오드 접속한 제2의 트랜지스터 T4를 직렬로 접속하고 있으며, 트랜지스터 T1, T4의 베이스에는 각각 제3, 제4의 트랜지스터 T2, T5의 베이스를 접속하고 있다. 또한 제5의 트랜지스터 T3의 에미터, 베이스는 각각 트랜지스터 T1의 베이스, 콜렉터에 접속하고 있으며, 콜렉터는 트랜지스터 T5의 콜렉터에 접속하고 있다.
이상의 구성에 있어서, 전류원 I을 접속하면, 트랜지스터 T4의 콜렉터 전류 ICT4는 ICT4=I-2IB2로 되어, 에미터 전류 IBT4는, 베이스 전류 IB2가 더해져서 IET4=I-IB2로 된다.이때의 트랜지스터 T1의 콜렉터 전류 ICT1는 트랜지스터 T3의 베이스 전류 2IB1/hFE 몫만큼 적어져서 ICT1=I-IB2-2IB1/hFE로 된다. 트랜지스터 T2의 콜렉터 전류 ICT2는 트랜지스터 T1의 그것과 동일하게 되므로, ICT2=ICT1로 된다. 트랜지스터 T5의 콜렉터 전류 ICT5는 이것에서 IB2만큼 적어져서 ICT5=I-2IB2-2IB1/hFE로 된다. 최종적으로 트랜지스터 T5의 콜렉터 전류에 트랜지스터 T3의 콜렉터 전류 2IB1가 더해지므로, ICT5+ICT3=I-2IB2-2IB1/hFE+2IB1로 된다. 여기에서 IB1=IB2=IB=IB로 하면, ICT5+ICT3=I-2IB/hFE로 되며, 밀러 전류측으로의 IB의 영향분은 종래 회로에 비해서 1/hFE로 된다.
또한 트랜지스터 T2의 콜렉터 전위를, 트랜지스터 T5를 케스케이드 접속하므로서, 단자 P와 같은 전위, 즉 트랜지스터 T1내지 T3의 베이스에 미터 전압을 VBE로 하였을 때 2BE로 억제하고 있기 때문에 어얼리효과에 의한 영향도 나타나지 않도록 되어 있다.
본 발명에 의하면, 밀러 전류측의 전류감소분을 1/hFE로 할 수 있음과 동시에 밀러 전류 출력측 트랜지스터의 어얼리 효과를 억제할 수가 있어, 집적화에 알맞는 것으로 할 수가 있다.

Claims (1)

  1. 제1의 트랜지스터에, 다이오드 접속한 제2의 트랜지스터를 직렬로 접속하며, 제1의 트랜지스터의 베이스에 배이스를 접속한 제3의 트랜지스터와 제2의 트랜지스터의 베이스에 베이스를 접속한 제4의 트랜지스터를 직렬로 접속하며, 에미터를 제1의 트랜지스터의 베이스에, 베이스를 제1의 트랜지스터의 콜렉터에, 콜렉터를 제4의 트랜지스터의 콜렉터에 접속한 제5의 트랜지스터로 형성되는 밀러 회로.
KR1019870010007A 1986-09-11 1987-09-10 전류 밀러 회로 Expired KR900007919B1 (ko)

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JP214337 1986-09-11
JP61214337A JPS6369306A (ja) 1986-09-11 1986-09-11 電流ミラ−回路

Publications (2)

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KR880004633A KR880004633A (ko) 1988-06-07
KR900007919B1 true KR900007919B1 (ko) 1990-10-23

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Family Applications (1)

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KR1019870010007A Expired KR900007919B1 (ko) 1986-09-11 1987-09-10 전류 밀러 회로

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JP (1) JPS6369306A (ko)
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HK (1) HK8593A (ko)
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SG115792G (en) 1993-01-29
US4801892A (en) 1989-01-31
KR880004633A (ko) 1988-06-07
GB8721089D0 (en) 1987-10-14
GB2196501B (en) 1990-11-07
HK8593A (en) 1993-02-12
GB2196501A (en) 1988-04-27
JPS6369306A (ja) 1988-03-29

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