KR900005747B1 - 화상형성 장치의 정착기에 대한 온도 제어장치 - Google Patents

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내용 없음.

Description

화상형성 장치의 정착기에 대한 온도 제어장치

제1도는 종래의 화상형성장치의 정착기에 대한 온도 제어장치의 회로 구성도.

제2도는 본 발명의 온도 제어장치가 접속된 화상형성장치의 정착기의 일부를 단면으로 도시한 개략 구성도.

제3도는 본 발명의 온도 제어장치의 일 실시예를 도시하는 회로 구성도.

제4도는 제3도에 도시한 회로 구성의 동작을 설명하는 타임도 및 그 타임도에 따른 피가열 부재의 온도 특성도.

제5도는 본 발명의 온도 제어장치의 타 실시예를 보이는 회로 구성도.

제6도는 제5도에 도시한 구성의 동작을 설명하는 타임도 및 타임도에 따른 가열 로울의 온도 특성도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

5 : 가열로울 6 : 히터

14 : 더미스터 20 : AND게이트

21 : 레디회로 24 : 전원

25 : 발진기 30 : 마이크로 프로세서유닛

V_I',V_I": 기준전압 Q₃: 비교기

본 발명은, 상용 전원의 고압회로의 단선 검지를 저압의 온도 제어회로중에서 수행할 수 있는 화상형성장치의 정착기에 대한 온도 제어장치에 관한 것이다.

전자복사 장치등의 화상형성장치의 정착기에 대한 온도 제어는 정착에 필요한 일정온도를 유지하기 위하여 여러가지 온도제어 회로를 사용하고 있다. 예를 들면 더미스터 등의 감온소자를 사용하여 가열로울의 주면 온도를 검출하고, 그 결과에 따라 히터등의 가열소재의 통전을 온, 오프제어 하여 정착에 최적한 온도를 유지하고 있다. 제1도는 종래의 일반적인 이런 종류의 정착기에 대한 온도제어 회로를 표시하며, 상용 전원회로내의 가열소자를 포함한 고압 회로부와, 감온소자를 포함한 저압제어 회로부등으로 구성된다. 이 온도제어 회로에 있어서, 통상, 가열소자의 단선을 검지하는 회로는 고압회로부에 포함된다.

이 도면의 회로는 더미스터(TH)와 저항(R₁, R₂, R₃)으로 구성되는 브리지회로 및 비교기(COMPARATOR)(Q₁). 트리거회로(1), 트랜지스터(Q₂), 저항(R₄-R₆)으로 구성되는 온도 제어회로와, 트라이액(2), 히터(H), 교류전원(3) 및 전류 검출회로(4)로 구성된 히터 단선검지 회로등으로 구성되어 있다.

이 회로는 통상 전원전압(VCC)을 저항(R₃)과 더미스터(TH)등으로 분할한 전압(V_N)과, 저항(R₁, R₂)으로 분할한 기준전압(V₁)을 비교기(Q₁)로 비교하고, 그 비교출력에 의하여 트랜지스터(Q₂) 및 트리거 회로(1)를 통하여 트라이액(2)을 온, 오프제어하고, 히터(H)에 교류전류를 도통 또는 차단하는 회로이다. 그리고, 이 동작중 전류 검출회로(4)는 비교기(Q₁)의 출력을 감시하며, 전류 검출회로(4)는 이 비교기(Q₁)의 출력이 높은 신호일때, 본래 폐회로에서 통전하고 있어야 할 교류 전원(3)에서 전류가 공급되어 있지 않으면, 단선신호(a)를 출력하여, 히터(H)가 단선하고 있음을 알려주는 것이다.

그러나, 종래의 온도 제어장치에서는 히터(H)의 단선검지는 가능하나, 전류 검출회로(4)가 상용전원인 교류전원(3)에 접속되어 있으므로, 전류 검출회로(4)를 고내압의 회로로 구성할 필요가 있었으며, 단가면에서도 극히 불리하였다. 또한, 수출국별의 전원사양에 맞추지 않으면 안되므로, 부품의 공통화도 문제로 지적되고 있었다.

본 발명은 상기의 문제점을 제거하고, 가열소자의 단선 검지 회로를 AND게이트 등의 간단한 저압회로 만으로 구성할 수 있으며, 단가도 저렴할뿐 아니라 각국의 전원사양에도 영향받지 않는, 부품의 공통화를 도모할 수 있는 화상형성장치의 정착기에 대한 온도제어장치를 제공함을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 화상형성장치의 정착기에 대한 온도 제어장치는 상용전원의 폐회로에 포함되며, 열원에 의하여 통전 가열되는 가열로울과 ; 저압전원 입력을 받는 브리지 회로의 하나의 아암에 접속되는 상기 가열로울의 온도를 검지하는 더미스터와 ; 상기 더미스터의 출력과 상기 가열로울의 온도를 소정온도로 설정하기 위하여, 상기 브리지 회로의 출력단에서 얻어지는 기준전압을 입력으로 하고, 양출력의 비교결과에 따라서 상기 가열로울의 통전제어를 하는 비교기를 가지는 화상형성장치의 정착기에 대한 온도제어장치에 있어서, 상기 비교기의 출력을 받아, 이 출력에 맞추어 상기 기준전압을 변화시키는 기준전압 변경수단과; 상기 비교기의 출력과, 상기 기준 전압의 변경수단의 출력등을 받아, 양 출력에 따라 이상 검지 출력을 발생하는 AND게이트로 구성된다. 상기 구성으로 함으로써, 본 발명의 화상형성장치의 정착기에 대한 온도 제어장치는가열로울의 단선 검지회로를 AND게이트 등의 간단한 저압회로만의 구성으로 검출할 수 있으므로 회로로서 고내압회로가 필요없으며, 또 예를 들면 수출국별로 전원사양이 틀려도 부품의 공통화가 가능하게 되는 이점이 있게 된다.

이하 도면에 따라 본 발명의 화상형성장치의 정착기에 대한 온도제어장치의 일 실시예에 대하여 설명한다. 제2도에서와 같이, 가열로울(5)은 내부에 히터등의 열원(6)을 가지며, 주변에는 내열성 및 토너의 형을 분리하는 성질을 갖는 테프론 등의 수지(5a)를 도포하고 있으며, 이 가열로울(5)은 도시의 화살표 방향으로 회전한다.

가압로울(7)은 주면이 내열성 및 탄성을 갖는 실리콘 고무등에 의하여 피복되며, 상기 가열로울(5)에 압접된다.

상기 양 로울이 압접되어 형성되는 닙(nip) 부(8)에는 토너 화상이 형성된 용지(9)가 도시의 화살표 방향으로 물리어 통과한다. 상기 용지(9)는 카셋트(10)내에 접혀져서 수납되며, 급지 솔레노이드(11) 및 급지 로울러(12)의 동작에 의해 상기 닙부(8)를 향하여 급지된다. 상기 용지(9)가 상기 양 로울(5,7)사이를 누르면서 통과하면 이때 상기 히터(6)의 가열 작용 및 상기 가압로울(7)의 가압작용에 의하여 토너 화상을 상기 용지(9)위에 열 응착시켜 정착동작을 하게 된다. 상기 가열로울(5)의 용지 배출측에는 박리돌부(13)가 배치되며. 이 돌부선단의 상기 닙부(8)에서 박리되고. 다시 그 용지(9)를 배지로울(16)에 유도하여, 여기에서 기외로 배출된다. 상기 가열로울(5)의 주면에 접촉하여 온도 검출용 더미스터(14)가 설치된다. 이 더미스터(14)는 아암(15)에 취부되어 있으며, 축(15a)을 중심으로 하여 회동자재하게 되어 있다. 상기 히터(6)와 상기 더미스터(14)에는 온도 제어부(17)가 접속된다.

이상과 같은 외관구성을 갖는 정착기에의 온도제어 장치로서 제3도에서 표시한 온도제어회로가 형성되고 있다.

이 도면에 있어서, 감온소자인 더미스터(14)와 저항(R₇)의 직력회로는 저항(R₈,R₉,R₁₀)의 직력 회로와 병렬 접속되어 브리지 회로를 구성하고 있다. 또 더미스터(14)와 저항(R₇)의 접속점은 비교기(Q₃)의 비반 전입력에 접속되고, 저항(R₈)과 저항(R₉)의 접속점은 비교기(Q₃)의 반전입력에 접속되어 있다. 또 비교기(Q₃)의 출력은 저항(R₁₁)과 저항(R₁₂)의 접속점에 접속되어 있다. 또 비교기(Q₃)의 출력은 AND게이트 (20)의 입력과 레디회로(21)에도 접속되어 있다. 저항(R₁₂)에는 다시 저항(R₁₃)이 접속되며, 상기 저항(R₁₁,R₁₂,R₁₃)등으로 직렬회로가 구성되고 있다. 또 이 저항(R₁₂와 R₁₃)의 접속점에는 트랜지스터(Q₄)의 베이스단자가 접속되어 있다. 이 트랜지스터(Q₄)의 에미터 단자는 접지되고, 콜렉터단자에는 트리거 회로(22)가 접속되어 있다.

또 이 트리거회로(22)의 트리거 출력에는 트라이액(23)의 게이트 단자가 접속되며, 이 트라이액(23)과 히터(6)와 교류전원(24)은 폐회로를 구성하고 있다.

한편, 상술한 래디회로(21)의 출력은 발진기(25)의 입력에 접속되고, 발진기(25)의 출력은 인버터(26)를 통하여 상술한 AND게이트(20)의 입력에 접속되어 있다.

그리고 AND게이트(20)는 후술하는 조건이 갖추어지면 히터(6)의 단선신호(ⓑ)를 출력한다.

또 상술한 발진기(25)의 출력은 저항(R₁₄)을 통하여 트랜지스터(Q₅)의 베이스 단자에도 접속되고 있다.

이 트랜지스터(Q₅)의 콜랙터 단자는 상술한 브리지회로를 구성하고 있는 저항(R₉와 R₁₀)의 접속점에 접속되고, 에미터단자는 접지되어 있다.

이상과 같이 구성된 회로를 갖는 본 실시예의 온도 제어장치의 회로동작 설명을 하면, 먼저 도시없는 스위치를 온하고, 단자(27,28) 사이에 전원을 공급하여 본 회로를 동작상태로 한다.

이 전원 투입시, 상술한 가열로울(5)의 표면 온도는 실온과 같다.

따라서 더미스터(14)의 저항은 높으며, 저항(R₇)과 더미스터(14)의 접속점의 전압(V_N')은 저항(R₈과 R₉)의 접속점의 전압(V_1')보다도 높다.

그러므로 비교기(Q₃)의 출력은 고신호로 되고, 트랜지스터(Q₄)를 온하고. 트리거회로(22)를 온하며, 트라이액(23)의 게이트에 고신호를 공급한다.

이 일련의 동작으로 트라이액(23)은 도통되고, 교류전원(24), 히터(6), 트라이액(23)으로 구성되는 폐회로에 교류전류가 흐른다.

따라서 제2도에 표시한 히터(6)에 의하여 가열로울(5)은 가열되고, 서서히 가열로울(5)의 주변온도는 상승한다.

이 가열동작으로 가열로울(5)은 서서히 가열되고 더미스터(14)는 토너의 정착가능온도(약 180℃)를 검지하면, 미리 저항(R₉)의 저항치와의 비교로 온도(180℃)에 대응한 전압치(V_1')가 비교기 (Q₃)의 반전입력단자에 인가되어 있으므로 (단, 이때 후술하겠으나, 트랜지스터(Q₅)는 온하고, 저항(R₉)의 일단은 접지 전위와 대체로 동일하다), 비교기(Q₃)의 입력전압(V_N')과 (V_1')의 크기는 상기와는 반대로 되고, 비교기(Q₃)의 출력은 저신호로 된다,

그러므로, 트랜지스터(Q₄)는 오프되고, 트리거회로(22)도 오프로 되며, 교류전원(24), 히터(6), 트라이액(23)의 폐회로를 흐르고 있던 교류전류가 차단된다.

이 회로 동작으로 히터(6)는 가열동작을 정지한다. 히터(6)의 가열동작이 정지되고, 더미스터(14)의 검출 온도가 저하 하면, 제차 비교기(Q)의 출력은 반전한다. 상기의 동작을 반복하여 소정의 온도(180℃)에 도달하도록 가열로울(5)의 온도제어가 이루어진다. 한편, 레디회로(21)에서는, 비교기(Q₃)의 출력이 고신호에서 저신호로 일단 변화하면, 제4도의 타임도 겸 온도특성도의 C에서와 같이, 그때까지의 저신호로서 변하여 고신호를 발진기(25)에 출력한다. 발진기(25)에서는 이 고신호의 입력으로, 예를 들면 10초마다 0.2초의 펄스신호를 AND게이트(20)에 출력한다. 그러므로 트랜지스터(Q₅)는 발진기(25)의 출력이 제4(b)도에 표시한 저신호일때 오프로 되고, 저항(R₉)과 저항(R₁₀)의 직렬 회로가 형성된다. 따라서 비교기(Q₃)의 반전입력단자에는 지금까지 인가되었던 기준전압(V_1')에 대신하여 기준전압(V_1")이 인가된다. 이 기준전압(V_1")은, 더미스터(14)로 검출되는 온도가 150℃일때에 대응한 저항치가 비교기(Q₃)의 출력이 반전하는 저항치로 되게 설정되어 있다. 따라서 발진기(25)의 출력이 저신호일때, 비교기(Q₃)에서는 가열로울(5)의 온도가 150℃이하일때만 고신호를 출력한다. 이 가열로울(5)의 온도가 150℃이하로 되는 것은 전원을 오프하지 않는한 히터(6)를 단선했을때뿐이다. 예를 들면, 전사지가 정착기를 통과한 경우에는 제4(a)도의 기간(T)으로 표시한 바와 같이 150℃이하로 가열로울(5)의 온도가 저하하지는 않는다. 또 이 150℃의 온도는 정착기 토너를 열 정착하기 위하여 필요한 최저온도이며, 통상은 180℃전후가 토너를 정착하기에 바람직 하나, 150℃이상이면 특히 정착불량등을 일으키는 사례는 없다.

한편, AND게이트(20)에는 비교기(Q₃)의 고신호 또는 저신호와 동시에, 상술한 발진기(25)에서의 펄스 신호(0.2초/10초) 또 인버터(26)를 통하여 입력되고 있으며, 이 AND게이트(20)는 인버터(26)에서 고신호가 입력되었을때 출력하여, 비교기(Q₃)의 출력이 있음을 확인할 수가 있다. 이때, 비교기(Q₃)의 출력이 저신호이면, 즉 제4도의 타임도 겸 온도 특성도에 있어서, 시간(T₁)의 상태이면, AND게이트(20)에서 단선 신호(ⓑ)가 출력되는 일은 없다. 그러나, 제4도의 온도 특성곡선(B)은 시간(T₂)의 시점에서 히터(6)가 단선하면, 시간(T₂→T₃→T₄)으로 경과함과 동시에, 가열로울(5)의 온도가 저하하고, 시간(T₄)에 있어서, 비교기(Q₃)의 고신호 출력을 검지하면, 발진기(25)에는 레디회로(21)에서의 저입력이 있고 AND게이트(20)에서 단선신호(ⓑ)를 출력한다. 이 단선신호(ⓑ)는 도시없는 마이크로 컴퓨터 등의 제어장치로 출력되어 복사금지, 이상표시등의 처리를 하게 된다.

이상과 같이 본 실시예의 온도제어장치는 비교기(Q₃)에 정착가능 온도와 통상의 정착온도등으로 대응하는 2개의 기준전압을 설정하고, 소정의 주기 예를 들면, 10초마다 정착가능온도 예를 들면 150℃에 대응한 전위를 비교기(Q₃)에 더미스터(14)의 검출온도와 비교시켜, 이때 가열로울(5)이 소정의 온도이하이면 비교기(Q₃)가 고신호를 출력하면 AND게이트(20)에서 단선회로(ⓑ)틀 출력하여, 히터(6)가 단선하고 있음을 검지할 수가 있다.

또 상술한 실시예는 정착기에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 정착기에 한하지 않고 예를 들면 난방기구 등에 사용하여 히터의 온도를 피드 백 제어하는 온도제어장치를 갖는 전기 기기에 사용할 수 있음은 당연하다.

또 본 실시예에서는, 비교기(Q₃)로 비교하는 기준전압에 대응한 가열로울(5)의 온도(더미스터(14)의 검출온도)를 180℃와 150℃로 설정했으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

다음 본 발명의 기타 실시예를 제5도와 제6도를 따라 설명한다. 제2도에 표시한 정착기의 개략구조는 동일하다.

제5도에 있어서, 감온소자인 더미스터(14)와 저항(R₇)의 직렬회로는 저항(R₈,R₉,R₁₀)의 직렬회로와 병렬 접속되어 브리지회로를 구성하고 있다. 또 더미스터(14)와 저항(R₇)의 접속점은 비교기(Q₃)의 비반전 입력에 접속되고, 저항(R₈)과 저항(R₉)의 접속점은 비교기(Q₃)의 반전입력에 접속되어 있다. 또 비교기(Q₃)의 출력은 저항(R₁₁)과 저항(R₁₂)의 접속점에 접속되어 있다. 또 비교기(Q₃)의 출력은 AND게이트(20)의 입력과 마이크로 프로세서유닛(MPU)(30)의 입력 포트(I₀)에도 접속되어있다. 저항(R₁₂)에는 다시 저항(R₁₃)이 접속되며, 상술한 저항(R₁₁과 R₁₂,R₁₃)등으로 직렬회로를 구성하고 있다. 또 이 저항(R₁₂과 R₁₃)의 접속점에는 트랜지스터(Q₄)의 에미터 단자가 접속되고, 콜렉터단자에는 트리거 회로(22)가 접속되어 있다.

또 이 트리거 회로(22)의 트리거 출력에는 트라이액(23)의 게이트 단자가 접속되며, 이 트라이액(23)과 히터(6)와 교류전원(24)이 폐회로를 구성하고 있다.

한편, 상술의 MPU(30)의 입력 포트(I₁)에는 프린트 보턴(31)이 입력되며. 출력포트(O₀)로부터는 인버터(26)를 통하여 상술한 AND게이트(20)의 입력이 접속되어 있다.

그리고 AND게이트(20)는 후술하는 조건을 갖추면 히터(6)의 단선 신호(ⓑ)를 출력한다.

또 출력 포트(O₀)는 저항(R₁₄)을 통하여 트랜지스터(Q₅)의 베이스 단자에도 접속되어 있다.

이 트랜지스터(Q₅)의 콜렉터 단자는 상술한 브리지회로를 구성하고 있는 저항(R₉와 R₁₀)의 접속점에 접속되고, 에미터단자는 접지되어 있다.

또 MPU(30)는 다시 출력 포트(O₁)를 가지며, (O₁)의 출력은 드라이버인 인버터(32)를 통하여 제2도에서와 같이 용지를 카셋트로 급송하기 위하여 급지 로울러를 회전시키는 솔레노이드(11)에 접속되어 있다.

또 MPU(30)는 복사장치 전체의 제어를 하게 되나, 타의 입, 출력은 생략하고 있다.

이상과 같이 구성된 회로를 갖는 본 실시예의 장치의 회로동작을 설명한다.

먼저 도시없는 스위치를 온하고, 단자(27,28)사이에 전원을 공급하며, 본 회로를 동작상태로 한다. 이 전원 투입시, 상술한 가열로울(5)의 표면온도는 실온과 같다. 따라서 더미스터(14)의 저항은 높으며, 저항(R₇)과 더미스터(14)의 접속점의 전압(V_N')은 저항(R₈과 R₉)의 접속전압(V_1')보다도 높다.

그러므로, 비교기(Q₃)의 출력은 고신호로 되고, 트랜지스터(Q₇)를 온하고, 트리거 회로(22)를 온하며 트라이액(23)의 게이트에 고신호를 공급한다. 이 일련의 동작에 의하여 트라이액(23)은 도통되고, 교류전원(24), 히터(6), 트라이액(23)으로 구성되는 폐회로에 교류전류가 흐른다.

따라서, 히터(6)에 의하여 가열로울(5)은 가열되어 서서히 가열로울(5)의 주면 온도는 상승한다.

이 가열동작으로 가열로울(5)은 서서히 가열되어 더미스터(14)는 토너의 정착가능온도(약180℃)를 검지하면, 미리 저항(R₉)의 저항치와, 저항(R₉)의 저항치와의 비교로 온도(180℃)에 대응한 전압치(V_1')는 비교기(Q₃)의 반전입력단자에 인가되어 있으므로(단, 이때 후술하겠으나, 트랜지스터(Q₅)는 온하고, 저항(R₉)의 일단은 접지전위와 대체로 동일하다), 비교기(Q₃)의 입력전압(V_N'과 V_1')의 크기는 전압(V_1')이 전압(V_N')보다 높아지고, 비교기(Q₃)의 출력은 저신호로 된다. 그러므로 트랜지스터(Q₄)는 오프로 되고, 트리거회로(22)도 오프로 되며, 교류전원(24), 히터(6), 트라이액(23)의 폐회로를 흐르고 있던 교류전류가 차단된다.

이 회로동작에 의하여 히터(6)는 가열동작을 정지한다. 히터(6)의 가열동작이 정지되고 더미스터(14)의 검출온도가 저하하면, 재차 비교기(Q₃)의 출력은 반전하고, 그 출력은 고신호로 되고 상술한 동작을 반복하여 소정의 온도(180℃)가 되도록 가열로울(5)의 온도제어를 한다.

이하 제6도의 타임도 겸 온도특성도를 사용하여 제5도의 회로동작을 설명한다. MPU(30)의 입력포트(30)에의 입력이 고레벨에서 저레벨로 절환하면, 시간(T₁)에서 MPU(30)는 정착장치의 래디 상태를 판단한다. T₁이후에 제6(b)도에 표시한 바와 같이 프린트 보턴(31)을 누르면 출력포트(O₀)는 약 0.1초간 저레벨을 출력한다(제6(c)도).

그러므로 트랜지스터(Q₅)는 오프하고, 저항(Q₉)과 저항(R₁₀)의 직렬회로가 형성된다. 따라서 비교기(Q₃)의 반전 입력단자에는 기준전압(V_1')에 대신하여 기준전압(V_1")이 인가된다. 이 기준전압(V_1")은, 더미스터(14)로 검출되는 온도가 150℃일때에 대응한 더미스터(14)의 저항치가 비교기(Q₃)의 출력이 반전하는 저항치로 되게 설정되어 있다. 따라서 출력포트(O₀)의 출력은 저신호일때, 비교기(Q₃)에서는 가열로울(5)의 온도가 150℃이하일때만 고신호를 출력한다. 이 가열로울(5)의 온도가 150℃이하로 되는 것은 전원을 오프하지 않는 한 히터를 단선했을때뿐이다. 예를 들면 전사지가 정착기를 통과한 경우에도 제6도의 기간(T)에 표시한 바와 같이 150℃이하로 가열로울(5)의 온도가 저하하는 일은 없다.

또 이 150℃의 온도는, 정착기가 토너를 열정착하기 위하여 필요한 최저온도이며, 통상은 180℃전후가 토너를 정착하기 위해 바람직하나, 150℃이상이면 특히 정착불량등을 일으키는 일이 없다.

한편, AND게이트(20)에는 비교기(Q₃)의 고신호 또는 저신호와 동시에, 상술한 출력포트(O₀)에서의 펄스신호도 인버터(26)를 통하여 입력되고 있으며, 이 AND게이트(20)는 인버터(26)에서 고신호가 입력될때만 출력을 하여, 그 결과 비교기(Q₃)의 출력을 확인 할수가 있다. 이때, 비교기(Q₃)의 출력이 저신호이면, 즉 제6도의 타임도 겸 온도특성도에 있어서 시간(T₁-T₃)의 상태이면, AND게이트(20)에서 제6도 E로 표시한 바와같은 단선신호(ⓑ)가 출력되는 사례는 없다. 출력포트(O₀)의 출력이 고레벨인 시점에서 단선신호(ⓑ)가 출력되지 않으면, 제6도 D에 표시한 바와 같이 솔레노이드(11)가 온되어 제2도에 표시한 바와 같은 급지 로울러가 회전하여 복사동작을 시작한다.

일 복사 사이클이 종료하는때마다 출력포트(O₀)의 출력을 약 0.1초 고레벨에서 저레벨로 절환하여, 히터(6)의 단선을 확인한다. 이 복사사이클은 약 8초정도이므로 8초에 1회의 첵크가 이루어지는 것이 된다. 각 첵크시점에서 이상이 없으면. 설정매수의 복사를 끝내어 복사동작을 끝낸다.

그러나, 제6도의 온도 특성곡선(B)이 시간(T₂)의 시점에서 히터(6)가 단선한 것으로 하면, 시간(T₂→T₃→T₄)이 경과함에 따라 가열로울(5)의 온도는 저하하고, 시간(T₃)에 있어서, 비교기(Q₃)에서 고신호가 출력되면 시간(T₄)에 있어서 AND게이트(20)에서 단선신호(ⓑ)가 출력된다. 이 단선신호(ⓑ)는 MPU(30)의 입력포트(I₂)에 입력되고, 복사금지, 이상표시등의 처리가 이루어진다.

이상과 같이 본 실시예의 온도 제어장치는 비교기(Q₃)에 정착가능온도와 통상의 정착온도등에 대응한 2개의 기준전압치를 설정하고, 소정의 타이밍으로 정착가능온도 예를 들면 180℃의 대응한 전위와 더미스터(14)의 검출온도등을 비교기(Q₃)로 비교시켜, 이때, 가열로울(5)이 소정의 온도 이하이면 즉 비교기(Q₃)가 고신호를 출력하면 AND게이트(20)에서 단선신호(ⓑ)를 출력하여, 히터(6)가 단선하고 있는 것을 검지하는 것이다.

또 본 실시예에서는 비교기(Q₃)로 비교하는 기준전압에 대응한 가열로울(5)의 온도 더미스터(14)의 검출 온도를 180℃와 150℃로 설정했으나, 이들 온도에 한하는 것은 아니다.

또 상술의 실시예는 온도첵크를 급지 개시전 즉, 솔레노이드(11)가 온상태로 되기전에 했으나, 기타 일복사 사이클마다 이루어지는 여러가지 동작, 예를 들면 광학계의 스캐닝(scanning)개시, 스위치의 동작등과 관련시켜도 된다.

또 본 발명의 주요지는 정착기 이외의 온도제어장치, 예를 들면 형광등의 관벽온도 제어장치에의 응용도 가능하다. 또 복사기 이외의 화상형성장치, 예를들면 LED, 레이저, 액정등을 인자헤드에 사용한 페이지 프린터의 정착장치에의 적용도 가능함은 물론이다.

Claims (7)

1. 상용전원(24)의 페회로에 포함되어 히터(6)로 통전 가열되는 가열로울(5)과 ; 저압전원입력(27,28)을 받는 브리지회로(R₇,R₈,R₉,R₁₀,14)의 아암에 접속되는 상기 가열로울(5)의 온도를 검지하는 더미스터(14)와 ; 상기 더미스터(14)의 출력(V_N')과, 상기 가열로울(15)의 온도를 소정온도로 설정하기 위해, 상기 브리지 회로의 출력단에서 얻어지는 기준전압(V_I')을 입력으로 하고, 양 출력의 비교결과에 따라서 상기 가열 로울(5)의 통전제어를 하는 비교기(Q₃)를 가지는 화상형성장치의 정착기에 대한 온도제어장치에 있어서, 상기 비교기(Q₃)의 출력을 받아, 이 출력에 맞추어 상기 기준전압(V_I')을 변화(V_I")시키는 기준전압 변경수단(21,25,30)과, 상기 비교기(Q₃)의 출력과, 상기 기준전압 변경수단(21,25,30)의 출력을 받아 양 출력에 따라서 이상검지 출력(ⓑ)을 발생하는 AND게이트(20)로 이루어진 화상형성장치의 정착기에 대한 온도제어 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 기준전압 변경수단은 상기 브리지회로(R₇,R₈,R₉,R₁₀,14)의 출력단에서 얻어지는 기준전압(V_I')을 소정의 주기에서 변화시키는 수단(25,30)을 포함하는 온도제어장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 기준전압을 소정의 주기에서 변화시키는 수단은 상기 비교기(Q₃)에서의 출력을 받아, 소정주기에서 발생하는 출력에 의하여 상기 기준전압(V_I')을 변화시키는 발진기(25)를 포함하는 온도제어장치.
4. 제2항에 있어서, 상기 기준전압(V_I')을 소정의 주기에서 변화시키는 수단은 상기 비교기(Q₃)에서의 출력을 받아, 소정주기에서 발생하는 출력에 의하여 상기 기준전압(V_I')을 변화시키는 마이크로 프로세서유닛(30)을 포함하는 온도제어장치.
5. 제4항에 있어서, 상기 마이크로 프로세서유닛(30)이 상기 기준전압(V_I')을 변경시키기 위하여 발생하는 출력은 급지동작에 동기하여 발생하는 온도제어장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 기준전압 변경수단은, 상기 비교기(Q₃)가 상기 더미스터(14)에서 소정의 온도에 도달했음을 나타내는 출력을 받아서 통전 제어를 하기 위한 출력을 발행한 후에 기준전압의 변경을 하는 온도제어장치.
7. 제1항에 있어서, 상기 기준전압 변경수단은 변경후의 기준전압이 변경전의 기준전압보다 높아지도록 변경하는 온도제어 장치.

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