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KR900005439A - Eeprom 메모리 셀용 구동 회로 - Google Patents

Eeprom 메모리 셀용 구동 회로 Download PDF

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KR900005439A
KR900005439A KR1019890012643A KR890012643A KR900005439A KR 900005439 A KR900005439 A KR 900005439A KR 1019890012643 A KR1019890012643 A KR 1019890012643A KR 890012643 A KR890012643 A KR 890012643A KR 900005439 A KR900005439 A KR 900005439A
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KR
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voltage source
source
transistor
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circuit
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드아리고 세바스티아노
이몬디 기우리아노
웨이 린 성
길 맨저
Original Assignee
엔.라이스.머레트
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
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Abstract

내용 없음

Description

EEPROM 메모리 셀용 구동 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 개량된 회로의 한 실시예의 회로도.
제2도는 본 발명의 회로의 제2실시예의 회로도.

Claims (12)

  1. 상기 워드라인(WL)에 정 및 기준 전압(VSV,VPP,VSS)를 스위칭하기 위한 회로 수단(10), 소오스-드레인 경로가 상기 워드라인(WL)과 상기 회로 수단(10)내의 반대 채널 형의 각각의 트랜지스터의 소오스-드레인 경로사이에 접속된 한 채널 형의 최소한 하나의 제1분리 트랜지스터(T1), 및 소오스-드레인 경로가 부의 소거 전압원(Ver/HI)와 상기 워드라인(WL)사이에 접속된 상기 한 채널형의 제2분리 트랜지스터(T2)로 구성된 것을 특징으로 하는 부동-게이트-형 EEPROM셀 어레이내의 워드라인(WL)에 판독, 프로그래밍 및 소거전압(VSV,VPP,Ver)을 인가하기 위한 구동기 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1분리 트랜지스터(T1)의 게이트가 공급/감지/신호 전압원(Vdd,VSV,VCP,SW4)에 접속된 것을 특징으로 하는 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1분리 트랜지스터(T1)의 게이트가 공급/신호 전압원 (Vdd/VCP,SW4)에 접속된 것을 특징으로 하는 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1분리 트랜지스터(T1)의 탱크가 프로그래밍/감지 전압원(VPP,VSV,SW1)에 접속된 것을 특징으로 하는 회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2분리 트랜지스터(T2)의 게이트가 상기 소거 전압원 (Ver/HI)에 접속된 것을 특징으로 하는 회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2분리 트랜지스터(T2)의 탱크가 프로그래밍/감지 전압원(VPP,VSV,SW1)에 접속된 것을 특징으로 하는 회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2 트랜지스터(T1,T2)가 P-채널 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 회로.
  8. 제1항에 있어서, 상기 소거 전압원(Ver/HI)가 부의 소거 전압 펄스들 사이의 간격들중에 고 임피던스를 갖는 것을 특징으로 하는 회로.
  9. 제1항에 있어서, 상기 회로 수단(10)이 프로그래밍/감지 전압원(VPP,VSV,T1)과 기준 전압원(VSS)사이에 직렬로 접속된 소오스-드레인 경로들을 갖고, 게이트들이 공급/기준 전압원(Vdd,VSS,SW2)에 접속된 P-채널 트랜지스터(T4)및 N-채널 트랜지스터(T5)로 구성되고, 상기 직렬 소오스-드레인 경로들 사이에서 상기회로수단(10)의 출력(A)에 접속된 반전기(T4,T5)를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로.
  10. 제1항에 있어서, 상기 회로 수단(10)이 프로그래밍/감지 전압원(VPP,VSV,T1)과 방해-보호/기준전압원(VdP,VSS,SW3)사이에 직렬로 접속된 소오스-드레인 경로들을 갖고, 게이트들이 공급/기준 전압원(Vdd,VSS,SW2)에 접속된 P-채널 트랜지스터(T4) 및 N-채널 트랜지스터(T5)로 구성되고, 상기 직렬 소오스-드레인 경로들사이에서 상기 회로 수단(10)의 출력(A)에 접속된 반전기(T4,T5)를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로.
  11. 제1항에 있어서, 상기 회로 수단(10)이 프로그래밍/감지 전압원(VPP,VSV,T1)과 기준 전위(VSS)사이에 직렬로 접속된 소오스-드레인 경로들을 갖고, 게이트들이 N-채널 제3분리 트랜지스터(T3)의 소오스-드레인 단자에 접속된 P-채널 트랜지스터 (T4) 및 N-채널 트랜지스터(T5)로 구성되고, 상기 직렬 소오스-드레인 경로들사이에서 상기 회로 수단(10)의 출력(A)에 접속된 반전기(T4,T5)를 포함하고, 상기 제3분리 트랜지스터의 다른 소오스-드레인 단자가 공급/기준 전압원(Vdd,VSS,SW2)에 접속되고, 상기 제3분리 트랜지스터(T3)의 게이트가 상기 공급 전압원(Vdd)에 접속된 것을 특징으로 하는 회로.
  12. 제1항에 있어서, 상기 회로 수단(10)이 프로그래밍/감지 전압원(VPP,VSV,SW1)과 공급/기준 전압원(Vdd,VSS,SW2)사이에 직렬로 접속된 소오스-드레인 경로를 갖고, 게이트들이 공급기준 전압원(Vdd,VSS,SW2)에 접속된 P-채널 트랜지스터(T4) 및-N-채널 트랜지스터(T5)로 구성되고, 상기 직렬 소오스-드레인 경로들 사이에서 상기 회로 수단(10)의 출력(A)에 접속되고, 소오스-드레인 경로가 상기 프로그래밍/감지 전압원(VPP,VSV,SW1)과 상기 공급/기준 전압원(Vdd,VSS,SW2)사이에 접속되고 게이트가 상기 회로 수단(10)의 상기 출력(A)에 접속된 P-채널 궤환 트랜지스터(T6)를 갖고 있는 반전기(T4,T5)를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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