KR890001106B1 - 고속 은도금 - Google Patents
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Abstract
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Description
본 발명은, 고속 은도금 분야에 관한 것으로, 특히, 구리, 구리합금, 철, 철합금, 니켈, 니켈함금 등의 은보다 천한 금속으로 된 기재를 침지하여도, 은의 치환 석출이 생기지 않도록,
(R1, R2는 수소 또는 알킬기 또는 알릴기)의 티오우레일렌기를 환내에 함유하는 환상 화합물을 함유시킨 고속 은 도금액 및 전처리액에 관한 것이다. 상기 화합물은, 은의 치환 석출 방지제로서 작용하며, 도금액에 직접 첨가해도 되고 혹은 도금전에 기재를 침지하기 위한 전처리액으로서 사용해도 된다.
최근에는, 전자부품재료에 은도금을 처리할 때 경제적 관점에서, 고속도 도금법이 널리 채용되고 있다. 이 방법은, 은의 도금속도를 크게 하기 위해서, 도금액을 고온으로 하여, 도금액 중의 은 농도를 높이고, 도금액의 유속을 크게 해서 행하여진다. 이 방법에 사용되는 고속 은 도금액은, 유리(游離)된 시안화물의 농도를 충분히 낮게 유지하지 않으면 안된다. 이것은, 유리된 시안화물의 고온에서 격심하게 분해하여, 다량의 시안가스를 발생해서 위험하게 되기 때문이다. 그래서, 고속 은 도금액에는, 은염을 시안화 은 알칼리의 형태로 도입하고, 또한 전해시에 음극으로부터 생성하는 유리된 시안화물을 서서히 분해시켜서 제거하여, 측적되지 않도록 하기 위해서, 액의 pH를 7.5~9.0정도로 유지하기 위한 pH 완충계를 형성하는 것이 특징이다. 여기서, 유리된 시안화물이라 함은 금속이온과 착체(錯體)를 형성하고 있지 않는 시안화물을 말한다.
또, 현재로서는, 고가격인 은을 보다 더 유효하게 이용하기 위하여 고속으로, 도금 필요부분에만 도금을 행하는 고속 부분도금법이 행해지고 있다. 이 고속 부분도금법은, 도금 불요부분에 마스크를 해서, 피도금부분에 은 도금액을 펌프에 의해서 고속으로 분출시켜, 피도금 기재와 불용성 양극 사이에 전류를 흐르게 하므로서, 도금을 한다는 제트도금법이 주체이다.
이와 같은, 고속도 도금, 특히, 고속도 부분도금에 있어서의 종래의 최대의 문제점은, 은 도금액 중의 은농도가 대단히 높으므로, 은도금을 처리하고 싶은 은 보다 천한 금속 기재상에, 은 도금액에 침지시킨 것만으로 은이 치환 석출되어 버린다고 하는 것이다. 이 은의 치환 석출은 금속 기재로서, 구리, 구리합금, 철, 철합금, 니켈, 니켈합금을 사용했을 때에 현저한다. 이 치환 석출된 은은, 통상 기재와의 밀착성이 나쁘고, 이 위에 전해로 은도금을 했을 경우, 도금피막이 벗겨지거나 가열시에 부풀음이나 변색이 생겨서, 도금불량의 원인이 된다. 이 도금불량은, 전자부품의 은도금에 관해서는 특히 치명적이다. 또 이 뿐만 아니라, 부분도금의 경우는 도금 불요부분에 석출되기 때문에, 고가격의 은이 손실되어 버린다. 또한, 도금액이 은과의 치환반응에 의해서 용출한 구리등 비금속의 이온에 의해서 오염된다. 종래의 도금방법에서는, 이와 같은 밀착성이 나쁜 은의 치환 석출을 방지하기 위해서는, 은 농도가 낮은 도금액으로부터, 스트라이크도금이라고 불리우는 얇은 도금을 하고, 그 후, 통상의 도금을 그 위에 처리하고 있다. 그러나, 이러한 2단계의 도금작업은 귀찮은 것이다. 더우기 부분도금에 관해서는 스트라이크도금을 행하는 것은, 도금의 밀착성을 향상시킬 수는 있으나, 도금 불요부분에도 스트라이크도금을 행하지 않으면 안되기 때문에 은 손실이 된다.
이와 같은 고속 부분도금에 있어서의 은의 치환 석출을 방지하는 목적으로, 메르캅트 화합물을 함유시킨 은도금액도 제안되어 있다. (일본 특개소55-34699호). 그러나, 여기서 추천되고 있는 티오유산(乳酸)이나 티오능금산은 악취를 가진 위에 구리이론의 존재하에서는, 은의 치환 석출을 방지하는 효과가 소실되기 쉬운 결점을 가지고 있다. 따라서, 예를 들면, 구리기재 위에 은도금을 행할 경우에, 은의 치환 석출이 조금씩 일어나서 구리이온의 액중에 축적되거나, 또 외부로부터 구리이온이 혼입하는 등으로 인하여, 액중의 구리이온의 농도가 높아지면, 그 후는, 같은 메르캅트 화합물을 첨가해서 치환 석출을 방지할려고 해도 치환 석출을 방지하는 효과는 곧 소실되어 버린다. 이러한 일은, 액의 관리를 곤란하게 하는 것이다.
또 이외에도, 은의 치환 석출을 방지하는 목적으로,“환상핵에 직접 결합된 메르캅트기를 가진 방향족 또는 복소환 화합물을 함유하는 은 도금액″(일본 특개소57-43995호)나 ″디티오카르바민산 혹은 그 염 및/또는 티오세미카르바지드 혹은 그 염을 첨가해서 된 은 도금액(일본 특개소57-131382호)나 전처리액(일본 특개소57-140891호)도 제안되어 있다. 그러나, 이와 같이 제안되어 있는 화합물은 유리된 시안화물의 농도가 높은 은 도금액 중에 첨가하면 은 보다 천한 금속의 침지에 의한 은의 치환 석출을 방지할 수 있으나, 고속도 도금에서 사용되는 유리된 시안화물이 충분히 저하되어 있는 은 도금액 중에서는 난용성의 침전물을 발생시키며, 치환 석출을 방지하는 효과는 갖고 있지 않다. 또, 전처리액으로서 사용하는 경우, 이 유기 화합물은, 기재 표면상에 흡착되어, 피막을 형성해서 은의 치환도금을 방지하는 것이나, 때때로, 두터운 피막을 형성하여, 은도금을 할 때의 색얼룩 등의 유해한 작용을 나타낸다.
이상과 같이, 현재까지의 기존 기술에서는 부분도금을 포함한 고속도 은도금에 있어서, 은의 치환 석출을 방지해서 밀착성이 양호한 은도금 피막을 얻고, 은의 손실을 방지하는 것은 반드시 충분하지는 않다.
본 발명은, 상기와 같은 기존 기술의 결점을 해결하는 것을 목적으로 한다. 특정한다면, 본 발명은, 유리된 시안화물 농도가 충분히 낮은 고속도 은 도금액에 있어서 은의 치환 석출을 방지하고, 은 스트라이크도금없이 그 기재 위에 말착성이 양호한 은도금을 하는 것을 목적으로 한다.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명자는,
(R1, R2는 수소 또는 알킬기 또는 알릴기)인 티오우레일렌기를 환내에 함유하는 화상 화합물이 이러한 목적에 적합한 은 석출 방지제로서 극히 뛰어나고 있음을 발견하였다. 이 환상 화합물이 은의 치환 석출을 방지하는 효과는 극히 높으며, 더우기 악취를 갖고 있지 않고, 구리이온의 존재하에 있어서도 효과가 소실되기 어렵다. 또, 유리된 시안화물 농도가 충분히 낮은 고속 은 도금액 중에 첨가해도 침전이 생기지 않는다. 또, 이 화합물은 전처리액으로서 사용되었을 경우에는 기재의 표면에 얇고 균일한 피막을 형성하여, 이후의 도금작업에 유해한 작용을 미치게 하지 않는다.
본 발명은, 상기 화합물을 첨가한 도금액의 형태로 구현할 수 있으며, 혹은 도금전에 기재를 침지하는 전처리액의 형태로도 구현할 수 있다.
본 발명은, 제1의 양상에 있어서, 구리, 구리합금, 구리도금 소지 또는 철, 철합금, 니켈, 니켈합금 등의 은 보다 천한 금속의 어느 하나로 된 기재상의 은을 전기도금하기 위한 은 도금액에 있어서,
(R1,R2는 수소 또는 알킬기 또는 알릴기)인 티오우레일렌기를 환내에 함유한 환상 화합물을 은의 치환 석출을 방지하는데 충분한 양을 첨가하여, 침지에 의한 이 기재상에의 은의 치환 석출을 방지하는 것을 특징으로 하는 고속 은 도금액을 제공한다.
본 발명은, 제2양상에 있어서, 구리, 구리합금, 구리도금기재 등, 은 보다 천한 금속의 어느 하나로 된 기재표면에 은을 전기도금함에 있어서, 은의 치환석출을 방지하기 위해서, 은도금에 앞서서 상기 기재를 침지시키는 전처리액으로서,
로 표시되는 티오우레일렌기를 환내에 포함한 환상 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 은도금 처리액을 제공한다.
본 발명에 사용되는
(R1, R2는 수소 또는 알킬기 또는 알릴기)인 티오우레렌기를 환내에 함유한 환상 화합물은, 티온기의 양쪽에 N원자가 붙어 있을 것, 또한 환상으로 되어 있어야 한다는 것으로, 고속도금을 행할 경우의 고온, 고유속, 고전류밀도라고 하는 엄격한 조건하에서도 분해되기 어렵고, 안정화 되어 있다. 이에 비해, 같은 티오우레일렌기를 가지고 있어도 환상이 아닌 화합물이나, 환상일지라도, 티온기의 양쪽 공히 N원자가 붙어 있지 않는 화합물에서는 고속도금이 행해지는 조건하에서는 분해되기 쉽다.
이와 같은 분해 반응에 대해서는
인 티오우레일렌기를 함유한 환상 화합물이고, 더우기 환아 5원환 또는 6원환으로서, 환의 다른 구성 원자가 C 또는 N인 화합물이 특히 안정되어 있다.
대표적인 것으로서 2-이미다졸리딘티온, 2-티오바르비투르산, 1-페닐-2-테트라졸린-5-티온 또는 이들의 유도체를 들 수 있다.
이하, 도금액과 전처리액의 경우로 나누어서 설명한다.
도금액
이들 환형상 화합물의 첨가량은, 은의 치환 석출을 방지하는데 필요하고 또한 충분한 양을 첨가하면 좋으나, 일반적으로 욕(浴)에 대해서 10~300mg/l의 첨가량이 호적하다.
이들 화합물은, 통상의 유리된 시안화물 농도가 충분히 낮은 고속도 은 도금액에, 0.05g/l 함유시키면 완전히 치환 석출을 방지할 수 있으며, 완전히 치환 석출을 방지할 수 있으며, 조건에 따라서는 0.02g/l라도 충분한 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 고속 은 도금액은 통상의 장치를 사용하고, 통상의 고속도금을 행할 때의 조건으로 사용할 수 있다. 예를 들면, 은염의 농도는, 은으로서 50~80/ℓ, 액 온도는 40~80℃, 전류밀도는 20~200A/d㎡, pH는 7.5~9.0 사이에서 사용할 수 있다. 이와 같은 조건에서 적당한 유속으로 고속도금을 행하면, 얻어지는 은도금 피막은 밀착성이 좋고, 균일, 평활하며, 경도도 낮아, 전자부품용의 은도금으로서는 최적의 것이다. 단지, 광택은 낮으나, 만약 광택이 높은 도금피막을 얻고 싶을 경우에는, 셀렌 화합물 등의 광택제를 첨가하면 된다. 또 사용자의 목적에 따라서 안티몬 화합물, EDTA, 기타의 계면활성제 등 당업자에 공지된 성분을 첨가하여, 도금피막의 성질이나 도금조건을 개선하는 것을 거부하는 것은 아니다.
이상과 같이, 본 발명의 고속 은 도금액은, 구리, 구리합금, 철, 철합금, 니켈, 니켈합금 등의 은 보다 천한 금속기재에 대해서 고속도금을 처리할 때, 은의 치환 석출을 방지하기 때문에, 도금피막의 밀착성이 높여지고, 은의 손실을 없앨 수 있다. 더우기, 구리이온 등의 불순물에 의해서 이 효과가 손실되지 않고, 극히 액의 관리가 용이하며, 소모성분을 수시 보충하여, 정기적으로 활성탄 여과를 행하면 반영구적인 사용이 가능하다.
전처리액
본 발명의 전처리액은, 구리, 구리합금 등 은 보다 천한 금속기재에 대해서, 당업자에 공지된 방법에 의해서, 알칼리탈지, 산세척을 한 후에 사용된다. 이 사용법은, 이 기재를 3 내지 30초간 침지하는 것만으로 된다. 이 전처리와 은도금 사이에 수세공정을 넣어도 되나, 수세를 생략해서 전처리 후 즉시 은도금을 해도 전혀 문제가 없다.
본 발명의 전처리액은,
로 표시되는 티오우레일렌기를 환내에 함유하는 환상 화합물을 용해할 수 있는 수성 혹은 알코올성의 용액이면 되나, 시안알칼리성인 은 도금액에의 액 혼입을 고려하면 통상 KOH 또는 NaOH 0.1~2.0g/ℓ정도의 알칼리성의 용액을 사용하는 것이 바람직하다. 이 전처리액 중의
본 발명의 은도금 전처리액은, 기재 표면상에 두꺼운 피막을 형성하지 않으므로, 은도금할 때의 색얼룩 등은 생기지 않는다. 또, 은이온과 난용성의 화합물을 만드는 것이 아니므로, 고속 은도금용의 욕에 들여넣어도 침전이 생기는 일도 없다. 따라서, 전처리액 및 은 도금액의 관리는 대단히 용이하게 행할 수 있게 된다.
은 석출 방지제를 도금액에 직접 첨가할 경우, 치환 석출방지를 위한 전처리공정을 생략할 수 있으므로 공정단축의 이점이 있다. 그러나, 장기 조업에 있어서는, 전처리공정과 도금공정을 따로하는 편이 다음과 같은 문제점에 있어서 유리하다.
① 기재를 은 도금액에 침지하였을 때, 치환 석출 방지제의 효과가 나타날 때까지의 극히 근소한 시간에 일어나는 기재 금속용출이 방지된다.
② 은 도금액에의 치환 석출 방지제의 혼입이 방지된다.
③ 따라서 은 전착층에의 치환 석출 방지제 성분의 혼입이 방지된다.
④ 또, 은 도금액 중에의 치환 석출 방지제 혼입으로 일어날 수 있는 도금 작업상의 어떠한 유해 작용이 예방된다.
이상과 같이, 본 발명의 은도금 전처리액은 은 보다도 천한 금속, 예를 들면 구리나 구리합금으로 된 기재에 대해서 고속 은도금을 하기전에 사용되며, 그로 인해서 은도금 작업시의 은의 치환 석출 방지효과를 얻고, 따라서 은도금 피막의 기재에의 밀착성을 높이고, 또, 은의 손실을 저감시킬 수 있다.
이하에 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다.
[실시예 1]
다음의 조성으로 이루어지는 고속 은 도금액을 만들었다.
KAg(CN)2120g/l
K2HPO490g/l
2-티오바르비탈산 50mg/l
이것을 pH 8.3으로 조정하여, 통상의 방법으로 알칼리탈지, 산세척을 한 인청등판을 침지시켰던 바, 인청동판상에의 은의 치환 석출은 전혀 생기지 않았다. 또한 이액을 사용해서 동일한 처리를 한 인청동판에 제트도금법으로 고속 부분도금을 행하였다. 전류 밀도는 100A/d㎡), 액 온도 65℃로 했다. 얻어진 은도금 피막은 균일, 평활하고 경도도 낮은 것이였다. 밀착성은 양호하며, 이것을 350℃로 2분간 가열한 바, 부풀림 등의 외관변화는 생기지 않했다.
[실시예 2]
실시예 1의 2-티오바르비투르산 대신에 2-이미다졸리딘티온을 30mg/l 첨가하여 동일한 실험을 하였던바, 거의 같은 결과를 얻었다.
[실시예 3]
다음의 조성으로 이루어지는 고속 은 도금액을 만들었다.
KAg(CN)2120g/l
K4P2O570g/l
H3BO330g/l
1-페닐-2-테트라졸린-2-5-티온 30mg/ℓ
이 용액을 pH 8.3으로 조정하여, 통상의 방법으로 알칼리탈지, 산세척을 한 인청동판을 침지시켰던 바, 인청동판상에의 은의 치환 석출은 전혀 생기지 않았다.
다음에 이 조정의 고속 은 도금액을 사용해서, 동일한 전처리를 한 인청동판에 100A/d㎡의 전류 밀도로 65℃에서 제트도금법으로 고속 부분도금을 행하였다. 얻어진 은도금 피막은, 균일, 평활하고, 밀착성이 양호하며, 이것을 350℃ 2분간 가열해도 부풀음 등의 외관변화는 생기지 않았다.
또한, 실시예 1~3에 있어서, 각각 2-티오바르비투르산, 2-이미다졸리딘티온, 1-페닐-2-테트라졸린-5-티온을 함유하지 않는 용액을 동일한 실험을 행하면, 모두 밀착성이 나쁜 은의 치환 석출이 일어났다.
[비교실험 1]
다음의 조성으로 이루어지는 고속 도금액을 만들었다.
KAg(CN)2120g/l
K2HPO490g/l
이것을 pH 8.3으로 조정하여, 표 1의 화합물을 각각 농도가 100mg/l이 되게 첨가하여, 제트도금법으로 고속 부분도금을 행하기로 하였다.
[표 1]
치환 석출 방지효과란의 표시는, 다음과 같은 것을 뜻한다.
○ : 은의 치환 석출이 전혀 안생기고, 인청동판의 색변화가 없다.
∇ : 은의 치환 석출이 부분적으로 일어나며, 인청동판이 부분적으로 백색화한다.
× : 은의 치환 석출이 표 전체면에서 일어나며, 인청동판이 완전히 백색화한다.
표 1에 표시한 바와 같이, 본 발명의 첨가제인 2-티오바르비투르산, 2-이미다졸리딘티온, 1-페닐-2-테트라졸린-5-티온은 침전을 발생시키지 않했다. 그러나, 비교예로서 들었던 몇개는 침전이 일어났다. 이들 고속 은 도금액에 통상의 방법으로 알칼리탈지, 산세척을 한 인청동판을 30초간 침지하였던 바, 각 첨가제에 의한 은의 치환 석출 방지효과는 표 1에 표시한 바와 같이 되었다.
이와 같은 치환 석출을 발생시키는 고속 은 도금액을 사용해서, 진처리를 한 인청동판에 실시예 1과 같은 조건으로 고속 은도금을 행하면, 도금 불요부분에 다량의 은이 석출했을 뿐만 아니라, 얻어진 은도금 피막은, 외관상 얼룩이 크며, 밀착성이 나쁘고, 350℃에서 2분간 가열을 행하면 변색, 부풀음이 생겼다.
비교실험 2
비교실험 결과 1과 동일한 조성으로 된 고속 음 도금액을 만들어, 인청동판을 침지해서 구리이온을 용출시켰다. 이 액에 다음의 화합물
○티오유산 ○티오능금산 ○2-티오바르비투르산
○-이미다졸리딘티온 ○1-페닐-2-테트라졸린-5-티온
을 50mg/l씩 첨가했다.
이 용액을 사용해서, 통상의 방법으로 알칼리탈지, 산세척을 한 인청동판을 침지하면 모두가 치환 석출을 발생하지 않했다. 또한, 이들 은 도금액을 사용해서, 실시예 1과 같은 조건으로 고속도 부분도금을 행하였던바, 어느 것이나 양호한 은도금 피막이 얻어졌다.
이 은 도금액을 그 후 72시간 방치했다. 마찬가지로 전처리를 한 인청동판을 침지하였던 바, 티오유산, 티오능금산을 첨가한 용액에서는, 밀착성이 나쁜 은의 지환 석출이 발생했다. 또한 고속도 도금을 행하면, 얻어진 은도금 피막은 밀착성이 나쁘고, 외관상 얼룩이 많은 것이였다.
한편, 본 발명의 첨가제인 2-티오바르비투르산, 2-이미다졸리딘티온, 1-페닐 -2-테트라졸린-5-티온을 첨가한 용액에서는 72시간 방치후에도 전처리한 인청동판상에의 은의 치환 석출은 완전 방지되어 있었다. 고속도금을 행하면, 얻어진 은도금 피막은 이전과 변함이 없고, 양호한 것이였다. 또, 240시간 이상 방치후도 마찬가지 결과가 얻어졌다.
[실시예 4]
상법에 의해서 알칼리탈지, 산세척을 한 인정총판을 2장 준비하여, 그 중 한장을 10초간 2-이미다졸리딘티온 1g/l의 수용액에 침지해서 전처리를 행하였다.
상기 2장의 인청동판을
를 함유하고, pH가 8.5로 조정된 은 도금액에 액온 60℃에 있어서 30초간 침지하였다. 그 결과, 전처리가 끝난 인청동판상에는 은이 치환 석출하지 않고, 인청동판 표면의 색변화는 없었다. 전처리가 되어 있지 않았던 인청동판상에는, 전면에 은이 치환 석출되어, 백색화 되어 있었다.
또한, 상기와 마찬가지인 탈지, 산세척 처리를 한 인청동제 리이드 프레임을 2-이미다졸리딘티온 1g/l의 수용액에 10초간 침지해서 전처리를 행하였다. 전처리가 끝난 리이드프레임에 상기의 은 도금액을 사용해서 제트도금법으로 3.0㎛ 두께가 고속 부분도금을 행하였다. 이 경우의 전류 밀도도 80A/d㎡, 액 온도는 70℃로 했다.
얻어진 은도금 피막은, 색얼룩이 등의 외관 불량이 없고, 저광택이고 순도가 높은 것이였다. 밀착성은 양호하며, 이것을 400℃에서 2분간 가열한 후도, 변색, 부풀음 등의 외관변화는 생기지 않했다.
Claims (9)
- 구리, 구리합금, 구리도금 소지 또는 철, 철합금, 니켈, 니켈합금등 은보다 천한 금속의 어느 하나로된 기재상에 은을 전기도금하기 위한 은 도금액에 있어서,
(R1, R2는 수소 또는 알킬기 또는 알릴기)인 티오우레일렌기를 환내에 함유하는 환상 화합물을 은의 치환 석출을 방지하는데 충분한 양을 첨가하고, 침지에 의한 이 기재상에의 은의 치환 석출을 방지하는 것을 특징으로 하는 고속 은 도금액. - 제1항에 있어서,
(R1, R2는 수소 또는 알킬기 또는 알릴기)인 티오우레일렌기를 환내에 함유하는 환상 화합물은, 환이 5원환 또는 6원환이며, 그리고 환의 다른 구성원자가 C 또는 N인 고속 은 도금액. - 제2항에 있어서,
(R1, R2는 수소 또는 알킬기 또는 알릴기)인 티오우레일렌기를 환내에 함유하는 환상 화합물은, 2-티오바르투르산, 2-아미다졸리딘티온, 1-페닐-2-테트라졸린-5-티온 또는 이들의 유도체인 고속 은 도금액. - 제1항에 있어서, 고속 은 도금액은, 은염으로서 시안화은 알칼리를 함유하고, 동시에,
(R1, R2는 수소 또는 알킬기 또는 알릴기)인 티오우레일렌기를 환내에 함유하는 환상 화합물의 존재하에서, 침지에 의한 은의 치환 석출이 방지할 수 있게, 유리된 시안화물의 양이 충분히 낮게 되어 있는 고속 은 도금액. - 제4항에 있어서, 은 도금액이, 100g/l 이하의 은을 시안화은 알칼리의 형태로 함유하고 동시에 유리된 시안화물의 농도가 10g/l 이하인 고속 은 도금액.
- 제1항에 있어서, 고속 은 도금액은, 인산, 필롤린산, 구연산의 알칼리 금속염 중에서 선택되는 염을 전기전도성 및 pH 완충성을 부여하기 위해서 함유하고, pH가 7.5~9.0의 범위내에 조정된 고속 은 도금액.
- 구리, 구리합금, 구리도금 기재 등 은 보다 천한 금속의 어느 하나로된 기재표면에 은을 전기도금함에 있어서, 은의 치환 석출을 방지하기 위해서, 은도금에 앞서서 상기 기재를 침지하는 전처리액으로서,로 표시되는 티오우레일렌기를 환내에 함유하는 환상 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 은도금 전처리액.
- 제7항에 있어서,로 표시되는 티오우레일렌기를 환내에 함유하는 환상 화합물은, 환이 5원환 또는 6원환이며, 환의 다른 구성 원자가 C 또는 N인 은도금 전처리액.
- 제8항에 있어서,로 표시되는 티오우레일렌기를 환내에 함유하는 환상 화합물을, 2-이미다졸리딘티온, 2-티오바르비투르산, 1-페닐-2-테트라졸린-5-티온 또는 이들의 유도체인 은도금 전처리액.
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